CN104674175B - 一种高效率单面往复连续镀膜磁控溅射卷绕镀膜机 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种高效率单面往复连续镀膜磁控溅射卷绕镀膜机,属于真空镀膜设备领域。本发明包括真空室、开卷机构、收卷机构、设于真空室内的冷辊、纠偏装置、两个或两个以上的回转换靶装置、以及与每个回转换靶装置位置相对应的上下两面开口的阴极小室,开卷机构与换向辊之间、收卷机构与换向辊之间各设有一组纠偏装置;阴极小室分布于冷辊包覆有基带的圆周面上;极靶座板旋转到对应的阴极小室下方,并向外伸出将靶芯嵌入阴极小室内,开卷机构和收卷机构带动基带往复运动。本发明在不打开镀膜真空室的情况下即可及时更换阴极靶,并利用基材往复运动实现多层膜层的镀制,大大提高了镀膜机镀多层功能膜的效率;同时,设备结构紧凑,占地空间小。
Description
技术领域
本发明涉及一种真空镀膜机,更具体地说,涉及一种高效率单面往复连续镀膜磁控溅射卷绕镀膜机。
背景技术
真空卷绕镀膜技术就是在真空室内通过热蒸发或者磁控溅射等方法在卷料基材表面制备一层或者多层具有一定功能的薄膜的技术。真空卷绕镀膜设备主要有以下特点:其一、被镀基材为柔性基材,即具有可卷绕性;其二、镀膜过程具有连续性,即在一个工作周期内镀膜是连续进行的;其三、镀膜过程在高真空环境中进行。卷绕镀膜机在放卷和收卷过程中,基材表面被镀上薄膜,镀膜的结构就是真空卷绕镀膜设备的工作部,它位于基材的收放卷之间,工作部的工作原理可以是电阻蒸发、感应蒸发、电子束蒸发、磁控溅射或者是其它真空镀膜方法中的任意一种。磁控溅射的工作过程是电子在电场的作用下加速飞向基材薄膜的过程中与溅射气体氩气碰撞,电离出大量的氩离子和电子,电子飞向基材薄膜,在此过程中不断地与氩原子碰撞,产生更多的氩原子和电子;氩离子在电场的作用下加速轰击靶材,溅射出大量的靶材原子,呈中性的靶材原子(或分子)沉积在基材薄膜表面成膜。
柔性基材广泛用于有机半导体工艺、透明电极以及触摸屏当中。近年来随着对柔性基底镀膜材料的广泛需求和柔性基材上磁控溅射技术本身的飞速发展,各种高性能光学膜在大面积柔性基底上镀制成功。由于柔性基材具有连续生产简单、容易运输、可方便裁切成任意形状、可弯曲包裹等优势一直是磁控溅射技术发展的一个重要方向。因此,在塑料薄膜上镀功能膜多采用卷绕镀膜方式,而要在塑料薄膜上镀功能较好的功能膜,如在聚酯膜上镀功能较好的低反射膜(low-E膜),最少的双银结构膜也需要镀9层以上的膜层,若镀可见光透过率大于85%、电阻小于1Ω/m2的电磁屏蔽膜(EMI膜),则要镀四银结构膜,即17层膜层。镀每一层都要配置一套阴极及靶芯,而传统的卷绕镀膜机采用单滚整体式镀膜,即在一个镀膜真空室内安放一个冷辊,2~3个阴极、靶芯及卷材放卷机构、收卷机构,由于结构限制原因,不能在圆周排布多至4组以上的阴极,不能适应一个镀层就可以镀4层以上不同功能的膜层,即使在一个镀膜室内安放两个冷辊,4~6个阴极及靶芯,也排布不下17个阴极及靶位。为达到镀完17层膜的目的,按传统方式设计,需要至少3个冷辊,通水、通电的管线多,产生的气体放气量大,不利于真空泵经济运行,因此传统的镀膜机不能适应一个镀层就可以镀4层以上的镀膜,生产不出膜层多、功能好的功能性塑料膜层。一般情况下多个极靶布置的状态下在加工状态各阴极小室之间还存在相互之间的工艺气体的渗漏(5%~20%),使加工得到的镀膜达不到工艺的要求。
在对阴极溅射成膜装置中,卷绕式真空镀膜设备以其可以连续生产而明显的提高了成膜的效率,然而,现有的卷绕式真空镀膜设备中对于各个用来溅射成膜阴极小室的安装数量有限,镀多层介质膜需要反复换靶材,每次换靶材后又需要再次抽真空,所需时间较长,操作繁琐,严重影响了镀膜效率;另外,现有的卷绕式真空镀膜设备往往需要和清洁装置、加热装置、放卷和收卷机构配套使用形成生产线,这样会造成设备多、占用产地大的问题。
有鉴于此,如何设计一种仅用单一的真空镀膜设备就能高效率连续溅射多层功能膜成为有待解决的技术问题。
发明内容
1.发明要解决的技术问题
本发明的目的在于克服现有技术的上述不足,提供一种高效率单面往复连续镀膜磁控溅射卷绕镀膜机,采用本发明的技术方案,在不打开镀膜真空室的情况下即可及时更换阴极靶,并利用基材往复运动实现多层膜层的镀制,简化了电气控制装置及程序;一次镀膜行程可以完成多层膜层的镀制,大大提高了镀膜机镀多层功能膜的效率,且镀膜精度高;同时,设备结构紧凑,占地空间小,尤其适合于大批量生产。
2.技术方案
为达到上述目的,本发明提供的技术方案为:
本发明的一种高效率单面往复连续镀膜磁控溅射卷绕镀膜机,包括真空室、开卷室、设于开卷室内的开卷机构、收卷室、设于收卷室内的收卷机构和设于真空室内的冷辊,还包括纠偏装置、两个或两个以上的回转换靶装置、以及与每个回转换靶装置位置相对应的上下两面开口的阴极小室,所述的开卷室与真空室之间、收卷室与真空室之间均设有闸板阀,所述的真空室内还设有两组用于改变基带方向的换向辊,所述的开卷机构与换向辊之间、收卷机构与换向辊之间各设有一组纠偏装置,且所述的纠偏装置位于开卷室和收卷室内;所述的阴极小室分布于冷辊包覆有基带的圆周面上,且每组回转换靶装置及与其对应的阴极小室均与冷辊设于同一轴线上;所述的回转换靶装置包括机座、通过回转机构连接于机座上的回转盘、通过径向伸缩机构均匀分布于回转盘上的两个或两个以上的用于安装靶芯的极靶座板;所述的极靶座板旋转到对应的阴极小室下方,并向外伸出将靶芯嵌入阴极小室内,所述的开卷机构和收卷机构带动基带实现往复运动。
更进一步地,所述的机座上还设有沿回转盘轴向伸缩的轴向伸缩机构,用于将回转盘向外伸出并移至真空室外部。
更进一步地,所述的轴向伸缩机构上设有三节筒式导轨。
更进一步地,所述的回转换靶装置及与其对应设置的阴极小室设有3组。
更进一步地,所述的纠偏装置为超声波纠偏系统或光电纠偏系统。
更进一步地,所述的开卷机构与冷辊之间还设置有前处理装置,所述的前处理装置包括离子源预处理机构和冷井盘管深冷机构,所述的离子源预处理机构和冷井盘管深冷机构均设置于真空室内,所述的离子源预处理机构用于清洗基带表面的污物,所述的冷井盘管深冷机构用于冷凝对基带前处理过程中释放的大量水汽。
更进一步地,所述的阴极小室上设有冷却板、补气机构和气氛隔离板,所述的气氛隔离板设置于阴极小室的两侧,所述的冷却板设置于阴极小室的侧壁上,且冷却板上分布有冷却水管,所述的补气机构设于阴极小室内,且与真空室外部的补气单元相连通,所述的阴极小室内还设有抽真空机构,且该抽真空机构与真空室外部的抽真空机相连通。
3.有益效果
采用本发明提供的技术方案,与已有的公知技术相比,具有如下显著效果:
(1)本发明的一种高效率单面往复连续镀膜磁控溅射卷绕镀膜机,其开卷机构与换向辊之间、收卷机构与换向辊之间各设有一组纠偏装置,且纠偏装置位于开卷室和收卷室内,在纠偏装置的作用下,可以实现基带的往复连续运动,使基带的收卷边缘整齐,达到镀多层膜的加工目的;同时在冷辊包覆有基带的圆周面上均匀设有两个或两个以上的回转换靶装置,在一次镀膜行程中可以完成多层膜的镀制,且采用回转换靶装置,在不打开镀膜真空室的情况下即可及时更换阴极靶,实现多层膜的连续镀制,大大提高了镀多层膜的效率,简化了电气控制装置及程序;
(2)本发明的一种高效率单面往复连续镀膜磁控溅射卷绕镀膜机,其机座上还设有沿回转盘轴向伸缩的轴向伸缩机构,用于将回转盘移至真空室外部,在一次镀膜完成后即可在真空室外部进行换靶,操作简单方便;
(3)本发明的一种高效率单面往复连续镀膜磁控溅射卷绕镀膜机,其轴向伸缩机构上设有三节筒式导轨,确保了轴向伸缩机构具有足够的刚性,确保可以伸出较远的距离;
(4)本发明的一种高效率单面往复连续镀膜磁控溅射卷绕镀膜机,其回转换靶装置及与其对应设置的阴极小室设有3组,最大程度地利用了真空室的有限空间,结构紧凑,占地空间小,尤其适合于大批量生产;
(5)本发明的一种高效率单面往复连续镀膜磁控溅射卷绕镀膜机,其纠偏装置为超声波纠偏系统或光电纠偏系统,纠偏控制精准,误差小;
(6)本发明的一种高效率单面往复连续镀膜磁控溅射卷绕镀膜机,其前处理装置包括离子源预处理机构和冷井盘管深冷机构,离子源预处理机构和冷井盘管深冷机构均设置于真空室内,离子源预处理机构用于清洗基带表面的污物,冷井盘管深冷机构用于冷凝对基带前处理过程中释放的大量水汽;前处理装置对基带表面处理干净整洁,保证了镀膜加工质量。
附图说明
图1为本发明的一种高效率单面往复连续镀膜磁控溅射卷绕镀膜机的原理示意图;
图2为本发明中的回转换靶装置的结构原理示意图;
图3为本发明中的阴极小室的结构示意图。
示意图中的标号说明:
1、真空室;2、开卷室;201、开卷机构;3、纠偏装置;4、闸板阀;5、前处理装置;6、基带;7、换向辊;8、冷辊;9、收卷室;901、收卷机构;10、阴极小室;1001、气氛隔离板;1002、补气机构;1003、冷却板;1004、冷却水管;11、回转换靶装置;1101、机座;1102、轴向伸缩机构;1103、回转盘;1104、径向伸缩机构;1105、极靶座板;12、靶芯;13、进气阀;14、粗抽阀;15、粗抽泵;16、深冷泵;17、前级泵;18、前级泵闸阀;19、分子泵;20、分子泵闸阀。
具体实施方式
为进一步了解本发明的内容,结合附图对本发明作详细描述。
结合图1,本发明的一种高效率单面往复连续镀膜磁控溅射卷绕镀膜机,包括执行镀膜工作的真空室1、设于真空室1两侧的开卷室2和收卷室9、提供镀膜工艺条件的外设泵组、检测和控制镀膜加工状态的检测控制系统;其中,开卷室2内设有开卷机构201,收卷室9内设有收卷机构901,真空室1内设有冷辊8、换向辊7、两个或两个以上的回转换靶装置11、以及与每个回转换靶装置11位置相对应的上下两面开口的阴极小室10,开卷室2与真空室1之间、收卷室9与真空室1之间均设有闸板阀4,开卷机构201与换向辊7之间、收卷机构901与换向辊7之间各设有一组纠偏装置3,且该纠偏装置3位于开卷室2和收卷室9内;阴极小室10分布于冷辊8包覆有基带6的圆周面上,且每组回转换靶装置11及与其对应的阴极小室10均与冷辊8设于同一轴线上,在开卷机构201与换向辊7之间还设置有位于真空室1内的前处理装置5。外设泵组包括粗抽泵组、深冷泵16和分子泵组,粗抽泵组包括粗抽泵15、进气阀13和粗抽阀14,粗抽泵15、进气阀13和粗抽阀14按照如图1所示的连接结构与真空室1相连通,主要用于将真空室1内的气体快速抽出,达到分子泵的工作条件;深冷泵16与真空室1相连通,主要用于快速对真空室1内前处理过程中产生的水汽进行冷却,并配合粗抽泵组和分子泵组使真空室1内达到极限真空状态;分子泵组包括前级泵17、前级泵闸阀18、分子泵19和分子泵闸阀20,前级泵17、前级泵闸阀18、分子泵19和分子泵闸阀20依次连接后与真空室1相连通,主要用于实现快速达到极限真空状态。检测控制系统包括气体分析仪、真空计、气体流量计、光纤感应探头、张力控制系统及计算机,气体分析仪设于阴极小室10内,用于分析阴极小室10内的气体成分和含量;真空计设于真空室1内,用于测量真空室1内的气压;气体流量计设于阴极小室10的进气管道上,用于控制阴极小室10的进气量;光纤感应探头伸入阴极小室10中,用于对靶材溅射出来的金属氧化物气体进行在线收集分析;张力控制系统设于开卷机构201、冷辊8、收卷机构901和设于基带6上的张力辊上,用于控制柔性基带6的平稳运行;气体分析仪、真空计、气体流量计和光纤感应探头分别于计算机相连,用于对各个工艺参数进行计算和控制。
本发明的一种高效率单面往复连续镀膜磁控溅射卷绕镀膜机,旨在对镀膜机的镀膜执行元件进行改进,利用回转换靶装置11,在不打开镀膜真空室的情况下即可及时更换阴极靶,并利用基材往复运动实现多层膜层的镀制,简化了电气控制装置及程序;一次镀膜行程可以完成多层膜层的镀制,大大提高了镀膜机镀多层功能膜的效率,且镀膜精度高;同时,设备结构紧凑,占地空间小,尤其适合于大批量生产。
下面结合实施例对本发明作进一步的描述。
实施例
如图1所示,本实施例的一种高效率单面往复连续镀膜磁控溅射卷绕镀膜机,包括真空室1、开卷室2、设于开卷室2内的开卷机构201、收卷室9、设于收卷室9内的收卷机构901、设于真空室1内的冷辊8、纠偏装置3、两个或两个以上的回转换靶装置11、以及与每个回转换靶装置11位置相对应的上下两面开口的阴极小室10;开卷室2与真空室1之间、收卷室9与真空室1之间均设有闸板阀4,用于阻止开卷室2和收卷室9内的气体进入真空室1中,影响真空室1的真空度;真空室1内还设有两组用于改变基带6方向的换向辊7,设于开卷机构201上的成卷基带6的一端固定于收卷机构901上,基带6中部经过换向辊7后缠绕于冷辊8的圆周表面上,实现开卷机构201、冷辊8和收卷机构901三者的同步联动,同时,在镀膜加工时,向冷辊8中通入-15~-20℃的冷却液,用于降低镀膜所产生的高温,保证镀膜质量,在镀膜结束后,又能够使冷辊8快速回到室温状态;开卷机构201与换向辊7之间、收卷机构901与换向辊7之间各设有一组纠偏装置3,且纠偏装置3位于开卷室2和收卷室9内,开卷机构201和收卷机构901均具有收卷和放卷功能,在收卷和放卷的往复运动中,两组纠偏装置3可以确保基带6收卷边缘整齐,从而确保了基带6往复运动的稳定性;阴极小室10分布于冷辊8包覆有基带6的圆周面上,且每组回转换靶装置11及与其对应的阴极小室10均与冷辊8设于同一轴线上,回转换靶装置11可以通过回转的方式,在不打开镀膜真空室1的情况下即可及时更换阴极靶,实现了在基带6上连续镀多层膜的功能,克服了现有镀膜机在真空室1外部换靶时需要再次抽真空,浪费大量时间和能源的不足。具体在本实施例中,回转换靶装置11及与其对应设置的阴极小室10设有3组,即在基带6的一个运动行程上即可镀三层膜,结合基带6的往复运动和回转换靶装置11的快速换靶,可以实现连续镀多层功能膜,同时最大程度地利用了真空室1的有限空间,结构紧凑,占地空间小。如图2所示,本实施例给出了一种回转换靶装置10的结构示意图,该回转换靶装置11包括固定于真空室1底部的机座1101、通过回转机构连接于机座1101上的回转盘1103、通过径向伸缩机构1104均匀分布于回转盘1103上的两个或两个以上的用于安装靶芯12的极靶座板1105;换言之,回转换靶装置10至少具有实现靶芯12转动和伸缩两个功能,在靶芯12收缩状态下转动换靶,换把后,靶芯12伸出嵌入阴极小室10镀膜,操作简单便捷;此外,为了在一次镀膜完成后方便地进行靶芯12的更换,在机座1101上还设有沿回转盘1103轴向伸缩的轴向伸缩机构1102,通过轴向伸缩机构1102将回转盘1103连同其上的极靶座板1105伸出真空室1,无需进入真空室1换靶,操作简单方便;具体在本实施例中,极靶座板1105均匀设置有4个,一次换靶后,一组回转换靶装置11可至少连续镀4层以上的功能膜,且极靶座板1105上的靶芯12采用法兰连接方式,方便靶芯12的拆装更换;上述的回转机构为步进电机,可以带动回转盘1103做定角度旋转,控制方便、定位准确;轴向伸缩机构1102包括三节筒式导轨和伸缩气缸或油缸或电动推杆,鉴于真空室1内工艺环境要求较高,因此优选电动推杆较佳,三节筒式导轨的一端固定于回转盘1103上,另一端设于机座1101上;本实施例中采用三节筒式导轨确保了轴向伸缩机构1102具有足够的刚性,确保可以伸出较远的距离;径向伸缩机构1104也为电动推杆,每个极靶座板1105均由一个电动推杆控制伸缩。本实施例中,通过极靶座板1105旋转到对应的阴极小室10下方,并伸出嵌入该阴极小室10内,实现工艺镀膜,同时结合开卷机构201和收卷机构901的往复运转,带动基带6往复运动,从而实现基带6单面往复连续镀多层功能膜。
本实施例的一种高效率单面往复连续镀膜磁控溅射卷绕镀膜机,纠偏装置3为超声波纠偏系统或光电纠偏系统,纠偏控制精准,误差小;具体地,对于透明的基带6而言,如聚酯膜等,采用超声波纠偏系统,对于不透明的基带6而言,如金属薄膜等,采用光电纠偏系统或超声波纠偏系统。上述的超声波纠偏系统或光电纠偏系统的纠偏原理为现有技术,在此就不再赘述。如图3所示,本实施例中的阴极小室10上还设有冷却板1003、补气机构1002和气氛隔离板1001,主要用于提供阴极小室10在镀膜加工时的工艺条件,降低镀膜产生的高温影响。具体地,气氛隔离板1001设置于阴极小室10的两侧,冷却板1003设置于阴极小室10的外壁上,且冷却板1003上分布有冷却水管1004,补气机构1002设于阴极小室10内,且与外部的补气单元相连通,阴极小室10内还设有抽真空机构,且该抽真空机构与外部的抽真空机相连通。
此外,本实施例的一种高效率单面往复连续镀膜磁控溅射卷绕镀膜机,在开卷机构201与冷辊8之间还设置有前处理装置5,该前处理装置5包括离子源预处理机构和冷井盘管深冷机构,离子源预处理机构和冷井盘管深冷机构均设置于真空室1内,离子源预处理机构用于清洗基带6表面的污物,冷井盘管深冷机构用于冷凝对基带6前处理过程中释放的大量水汽,并配合抽真空系统提高真空度,前处理装置5对基带6表面处理干净整洁,保证了镀膜加工质量。另外,为了便于观察真空室1内的工作状态,在真空室1上还开设有观察窗口。
本实施例的一种高效率单面往复连续镀膜磁控溅射卷绕镀膜机,加工时,将成卷的基带6套装于开卷机构201上,引出基带6的一端分别如图1所示绕过换向辊7和冷辊8,并固定于收卷机构901上;将镀制膜层所需的靶芯12安装于对应的极靶座板1105上;封闭真空室1,利用外设泵组对真空室1进行抽真空,实现镀膜所需工艺条件,同时开卷室2和收卷室9也一并进行粗抽真空;镀膜时,开卷机构201和收卷机构901同步放卷和收卷,同时冷辊8同步联动,实现卷绕镀膜;当开卷机构201放卷完成后(即三层膜层已经镀完),各组回转换靶装置11根据设定程序进行换靶动作:径向伸缩机构1104收缩,极靶座板1105从阴极小室10内退出,回转机构根据预先设好的程序控制回转盘1103转动一定角度,更换另一个靶芯12,并利用径向伸缩机构1104将固定该靶芯12的极靶座板1105顶出嵌入阴极小室10内,完成一次换靶;换靶完成后,开卷机构201和收卷机构901开始反向转动,即开卷机构201和收卷机构901的功能互换,冷辊8也同步联动,实现第二次六层膜的镀制;重复上述步骤,以具有四组靶芯12的回转换靶装置11、和设置三组回转换靶装置11的镀膜机为例,至少可以在基带6的单面上连续镀制12层膜层,加之四组靶芯12与三组回转换靶装置11的自由组合,可以实现更多膜层的镀制,大大提高了镀多层功能膜的效率;当回转换靶装置11上的靶材全部镀制完成后,停机,利用轴向伸缩机构1102将回转盘1103推出真空室1,在真空室1外部进行更换靶芯12。由于开卷机构201和收卷机构901处各设有一组纠偏装置3,因此可以实现基带6的往复连续运动,达到镀多层膜的加工目的;利用回转换靶装置11实现在真空室1内快速换靶,节省了换靶时间和省去了反复换靶所需的重复抽真空操作,省时节能;此外,采用本发明的结构,磁控溅射卷绕镀膜机的结构得到明显简化,无需复杂的电气控制系统和程序,大大减少了设备占地面积,降低了设备制造成本,尤其适合于大批量生产。
以上示意性地对本发明及其实施方式进行了描述,该描述没有限制性,附图中所示的也只是本发明的实施方式之一,实际的结构并不局限于此。所以,如果本领域的普通技术人员受其启示,在不脱离本发明创造宗旨的情况下,不经创造性地设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例,均应属于本发明的保护范围。
Claims (6)
1.一种高效率单面往复连续镀膜磁控溅射卷绕镀膜机,包括真空室(1)、开卷室(2)、设于开卷室(2)内的开卷机构(201)、收卷室(9)、设于收卷室(9)内的收卷机构(901)和设于真空室(1)内的冷辊(8),其特征在于:还包括纠偏装置(3)、两个以上的回转换靶装置(11)、以及与每个回转换靶装置(11)位置相对应的上下两面开口的阴极小室(10),所述的开卷室(2)与真空室(1)之间、收卷室(9)与真空室(1)之间均设有闸板阀(4),所述的真空室(1)内还设有两组用于改变基带(6)方向的换向辊(7),所述的开卷机构(201)与换向辊(7)之间、收卷机构(901)与换向辊(7)之间各设有一组纠偏装置(3),且所述的纠偏装置(3)位于开卷室(2)和收卷室(9)内;所述的阴极小室(10)分布于冷辊(8)包覆有基带(6)的圆周面上,且每组回转换靶装置(11)及与其对应的阴极小室(10)均与冷辊(8)设于同一轴线上;所述的回转换靶装置(11)包括机座(1101)、通过回转机构连接于机座(1101)上的回转盘(1103)、通过径向伸缩机构(1104)均匀分布于回转盘(1103)上的两个以上的用于安装靶芯(12)的极靶座板(1105),所述的机座(1101)上还设有沿回转盘(1103)轴向伸缩的轴向伸缩机构(1102),用于将回转盘(1103)向外伸出并移至真空室(1)外部;所述的极靶座板(1105)旋转到对应的阴极小室(10)下方,并向外伸出将靶芯(12)嵌入阴极小室(10)内,所述的开卷机构(201)和收卷机构(901)带动基带(6)实现往复运动。
2.根据权利要求1所述的一种高效率单面往复连续镀膜磁控溅射卷绕镀膜机,其特征在于:所述的轴向伸缩机构(1102)上设有三节筒式导轨。
3.根据权利要求1或2所述的一种高效率单面往复连续镀膜磁控溅射卷绕镀膜机,其特征在于:所述的回转换靶装置(11)及与其对应设置的阴极小室(10)设有3组。
4.根据权利要求3所述的一种高效率单面往复连续镀膜磁控溅射卷绕镀膜机,其特征在于:所述的纠偏装置(3)为超声波纠偏系统或光电纠偏系统。
5.根据权利要求4所述的一种高效率单面往复连续镀膜磁控溅射卷绕镀膜机,其特征在于:所述的开卷机构(201)与冷辊(8)之间还设置有前处理装置(5),所述的前处理装置(5)包括离子源预处理机构和冷井盘管深冷机构,所述的离子源预处理机构和冷井盘管深冷机构均设置于真空室(1)内,所述的离子源预处理机构用于清洗基带(6)表面的污物,所述的冷井盘管深冷机构用于冷凝对基带(6)前处理过程中释放的大量水汽。
6.根据权利要求5所述的一种高效率单面往复连续镀膜磁控溅射卷绕镀膜机,其特征在于:所述的阴极小室(10)上设有冷却板(1003)、补气机构(1002)和气氛隔离板(1001),所述的气氛隔离板(1001)设置于阴极小室(10)的两侧,所述的冷却板(1003)设置于阴极小室(10)的侧壁上,且冷却板(1003)上分布有冷却水管(1004),所述的补气机构(1002)设于阴极小室(10)内,且与真空室(1)外部的补气单元相连通,所述的阴极小室(10)内还设有抽真空机构,且该抽真空机构与真空室(1)外部的抽真空机相连通。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510067746.9A CN104674175B (zh) | 2015-02-09 | 2015-02-09 | 一种高效率单面往复连续镀膜磁控溅射卷绕镀膜机 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104674175A CN104674175A (zh) | 2015-06-03 |
CN104674175B true CN104674175B (zh) | 2017-03-22 |
Family
ID=53309747
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510067746.9A Active CN104674175B (zh) | 2015-02-09 | 2015-02-09 | 一种高效率单面往复连续镀膜磁控溅射卷绕镀膜机 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104674175B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106435516B (zh) * | 2016-10-27 | 2020-04-21 | 无锡光润真空科技有限公司 | 一种磁控蒸发多功能卷绕镀膜机 |
CN110257792B (zh) * | 2019-06-20 | 2021-11-23 | 上海超导科技股份有限公司 | 生长第二代高温超导带材阻挡层复合膜的镀膜机构及装置 |
CN110205602B (zh) * | 2019-06-20 | 2021-10-19 | 上海超导科技股份有限公司 | 一种生长第二代高温超导带材阻挡层复合膜的镀膜方法 |
CN110331376A (zh) * | 2019-08-21 | 2019-10-15 | 广东腾胜科技创新有限公司 | 一种带隔膜阀的t型卷绕真空镀膜设备 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN2433262Y (zh) * | 2000-07-18 | 2001-06-06 | 湖南三才科技有限公司 | 多靶磁控溅射卷绕镀膜机 |
US6419804B1 (en) * | 2000-11-22 | 2002-07-16 | Hsu Cheng-Shen | Contamination-resistant thin film deposition method |
CN101880862A (zh) * | 2009-05-06 | 2010-11-10 | 中国科学院微电子研究所 | 多功能离子束溅射设备 |
-
2015
- 2015-02-09 CN CN201510067746.9A patent/CN104674175B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN2433262Y (zh) * | 2000-07-18 | 2001-06-06 | 湖南三才科技有限公司 | 多靶磁控溅射卷绕镀膜机 |
US6419804B1 (en) * | 2000-11-22 | 2002-07-16 | Hsu Cheng-Shen | Contamination-resistant thin film deposition method |
CN101880862A (zh) * | 2009-05-06 | 2010-11-10 | 中国科学院微电子研究所 | 多功能离子束溅射设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104674175A (zh) | 2015-06-03 |
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