CN104659239A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

有机电致发光器件及其制备方法 Download PDF

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周明杰
黄辉
陈吉星
王平
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Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
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Abstract

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、散射层、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述散射层由金属材料掺杂层和钙的化合物材料掺杂层组成，所述金属材料掺杂层包括金属材料及掺杂在所述金属材料中的发光材料，所述金属材料的功函数为-4.0eV～-5.5eV，所述钙的化合物材料掺杂层包括钙的化合物材料及掺杂在所述钙的化合物材料中的镁的化合物材料，所述钙的化合物材料选自氧化钙、氯化钙、碳酸钙及氟化钙中至少一种，所述镁的化合物材料选自氟化镁、氧化镁、氯化镁及硫化镁中至少一种。上述有机电致发光器件的出光效率较高。本发明还提供一种有机电致发光器件的制备方法。

Description

有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。
在传统的发光器件中，器件内部的光只有18%左右是可以发射到外部去的，而其他的部分会以其他形式消耗在器件外部，界面之间存在折射率的差（如玻璃与ITO之间的折射率之差，玻璃折射率为1.5，ITO为1.8，光从ITO到达玻璃，就会发生全反射），引起了全反射的损失，从而导致整体出光性能较低。
发明内容
基于此，有必要提供一种出光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、散射层、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述散射层由金属材料掺杂层和钙的化合物材料掺杂层组成，所述金属材料掺杂层包括金属材料及掺杂在所述金属材料中的发光材料，所述金属材料的功函数为-4.0eV～-5.5eV，所述发光材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯及8-羟基喹啉铝中至少一种，所述钙的化合物材料掺杂层包括钙的化合物材料及掺杂在所述钙的化合物材料中的镁的化合物材料，所述钙的化合物材料选自氧化钙、氯化钙、碳酸钙及氟化钙中至少一种，所述镁的化合物材料选自氟化镁、氧化镁、氯化镁及硫化镁中至少一种。
所述金属材料掺杂层的厚度为10nm～40nm，所述钙的化合物材料掺杂层的厚度为40nm～100nm。
所述金属材料掺杂层中所述金属材料中与所述发光材料的质量比为1:1～4:1，所述所述钙的化合物材料掺杂层中所述钙的化合物材料与所述镁的化合物材料的质量比为2:1～15:1。
所述金属材料选自银、铝、铂及金中至少一种。
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
在玻璃基底表面蒸镀制备散射层，所述散射层由金属材料掺杂层和钙的化合物材料掺杂层组成，在所述玻璃基底表面采用热阻蒸镀制备金属材料掺杂层，所述金属材料掺杂层包括金属材料及掺杂在所述金属材料中的发光材料，所述金属材料的功函数为-4.0eV～-5.5eV，所述发光材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯及8-羟基喹啉铝中至少一种，在所述金属材料掺杂层表面通过电子束蒸镀制备所述钙的化合物材料掺杂层，所述钙的化合物材料掺杂层包括钙的化合物材料及掺杂在所述钙的化合物材料中的镁的化合物材料，所述钙的化合物材料选自氧化钙、氯化钙、碳酸钙及氟化钙中至少一种，所述镁的化合物材料选自氟化镁、氧化镁、氯化镁及硫化镁中至少一种；
在所述散射层表面磁控溅射制备阳极，所述阳极的材料为铟锡氧化物、铝锌氧化物或铟锌氧化物；及
在所述阳极的表面依次蒸镀制备穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。
所述金属材料掺杂层的厚度为10nm～40nm，所述钙的化合物材料掺杂层的厚度为40nm～100nm。
所述金属材料掺杂层中所述金属材料中与所述发光材料的质量比为1:1～4:1，所述所述钙的化合物材料掺杂层中所述钙的化合物材料与所述镁的化合物材料的质量比为2:1～15:1。
所述金属材料选自银、铝、铂及金中至少一种。
所述电子束蒸镀方式的工艺具体为：工作压强为2×10-3～5×10-5Pa，电子束蒸镀的能量密度为10W/cm2～l00W/cm2，有机材料的蒸镀速率为0.1～1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1nm/s～10nm/s。
所述热阻蒸镀方式的工艺具体为：工作压强为2×10-3～5×10-5Pa，电流为1A～5A，有机材料的蒸镀速率为0.1～1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1nm/s～10nm/s。
上述有机电致发光器件及其制备方法，在阳极与玻璃基底之间制备散射层，散射层由金属材料掺杂层和钙的化合物材料掺杂层组成，金属材料掺杂层包括金属材料及掺杂在所述金属材料中的发光材料，金属材料可降低掺杂层与空穴注入层之间的空穴注入势垒，有利于空穴的注入，发光材料为荧光发光材料与发光层的材料一致，可对发光光色进行补充，提高光色纯度，有效提高发光效率，使发光颜色稳定，衰减速度降低，钙的化合物材料掺杂层包括钙的化合物材料和镁的化合物材料，钙的化合物材料有利于光子的散射，其内部结构均一，性质稳定，光在钙的化合物材料的晶体中进行多次反射后，入射角得以改变，镁的化合物材料的折射率比有机层高，可避免光从发光层到达阳极产生全反射，极大的提高了出光效率，从而有机电致发光器件的寿命较长。
附图说明
图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
图2为一实施方式的有机电致发光器件的结构中散射层结构示意图；
图3为实施例1制备的有机电致发光器件的电流密度与流明效率关系图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进一步阐明。
请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的玻璃基底10、散射层20、阳极30、空穴注入层40、空穴传输层50、发光层60、电子传输层70、电子注入层80及阴极90。
玻璃基底10为折射率为1.8～2.2的玻璃，在400nm透过率高于90%。玻璃基底10优选为牌号为N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A或N-LASF44的玻璃。
参考图2所示散射层20形成于玻璃基底10的一侧表面。散射层20由金属材料掺杂层201和钙的化合物材料掺杂层202组成，所述金属材料掺杂层201包括金属材料及掺杂在所述金属材料中的发光材料，所述金属材料的功函数为-4.0eV～-5.5eV，所述发光材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）及8-羟基喹啉铝（Alq3）中至少一种，所述钙的化合物材料掺杂层202包括钙的化合物材料及掺杂在所述钙的化合物材料中的镁的化合物材料，所述钙的化合物材料选自氧化钙（CaO）、氯化钙（CaCl2）、碳酸钙（CaCO3）及氟化钙（CaF2）中至少一种，所述镁的化合物材料选自氟化镁（MgF2）、氧化镁（MgO）、氯化镁（MgCl2）及硫化镁（MgS）中至少一种。
所述金属材料掺杂层201的厚度为10nm～40nm，所述钙的化合物材料掺杂层202的厚度为40nm～100nm。
所述金属材料掺杂层201中所述金属材料中与所述发光材料的质量比为1:1～4:1，所述所述钙的化合物材料掺杂层202中所述钙的化合物材料与所述镁的化合物材料的质量比为2:1～15:1。
所述金属材料选自银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）及金（Au）中至少一种。
阳极30形成于散射层20的表面。阳极30的材料为铟锡氧化物（ITO）、铝锌氧化物（AZO）或铟锌氧化物（IZO），优选为ITO。阳极30的厚度为80nm～300nm，厚度优选为100nm。
空穴注入层40形成于阳极30的表面。空穴注入层40的材料选自三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）及五氧化二钒（V2O5）中的至少一种，优选为MoO3。空穴注入层40的厚度为20nm～80nm，优选为45nm。
空穴传输层50形成于空穴注入层40的表面。空穴传输层50的材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）中的至少一种，优选为NPB。空穴传输层50的厚度为20nm～60nm，优选为50nm。
发光层60形成于空穴传输层50的表面。发光层60的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）及8-羟基喹啉铝（Alq3）中的至少一种，优选为Alq3。发光层60的厚度为5nm～40nm，优选为10nm。
电子传输层70形成于发光层60的表面。电子传输层70的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）及N-芳基苯并咪唑（TPBI）中的至少一种，优选为TAZ。电子传输层70的厚度为40nm～250nm，优选为50nm。
电子注入层80形成于电子传输层70的表面。电子注入层80的材料选自碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN3）及氟化锂（LiF）中的至少一种，优选为CsF。电子注入层80的厚度为0.5nm～10nm，优选为0.7nm。
阴极90形成于电子注入层80的表面。阴极90的材料选自银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）及金（Au）中的至少一种，优选为Ag。阴极90的厚度为80nm～250nm，优选为80nm。
上述有机电致发光器件100，采用折射率在1.8以上，可见光透过率为90%以上的玻璃作为有机电致发光器件的玻璃基底10，消除玻璃基底10与阳极30之间的全反射，使更多的光入射到玻璃基底10中；在阳极30与玻璃基底10之间制备散射层20，散射层由金属材料掺杂层和钙的化合物材料掺杂层组成，金属材料掺杂层包括金属材料及掺杂在所述金属材料中的发光材料，金属材料可降低掺杂层与空穴注入层之间的空穴注入势垒，有利于空穴的注入，发光材料为荧光发光材料与发光层的材料一致，可对发光光色进行补充，提高光色纯度，有效提高发光效率，使发光颜色稳定，衰减速度降低，钙的化合物材料掺杂层包括钙的化合物材料和镁的化合物材料，钙的化合物材料有利于光子的散射，其内部结构均一，性质稳定，光在钙的化合物材料的晶体中进行多次反射后，入射角得以改变，镁的化合物材料的折射率比有机层高，可避免光从发光层到达阳极产生全反射，极大的提高了出光效率，从而有机电致发光器件的寿命较长。
可以理解，该有机电致发光器件100中也可以根据需要设置其他功能层。
一实施例的有机电致发光器件100的制备方法，其包括以下步骤：
步骤S110、在玻璃基底10表面电子束蒸镀制备散射层20。
散射层20形成于玻璃基底10的一侧表面。散射层20由金属材料掺杂层201和钙的化合物材料掺杂层202组成，在所述玻璃基10底表面采用热阻蒸镀制备金属材料掺杂层201，所述金属材料掺杂层201包括金属材料及掺杂在所述金属材料中的发光材料，所述金属材料的功函数为-4.0eV～-5.5eV，所述发光材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）及8-羟基喹啉铝（Alq3）中至少一种，在所述金属材料掺杂层201表面通过电子束蒸镀制备所述钙的化合物材料掺杂层202，所述钙的化合物材料掺杂层202包括钙的化合物材料及掺杂在所述钙的化合物材料中的镁的化合物材料，所述钙的化合物材料选自氧化钙（CaO）、氯化钙（CaCl2）、碳酸钙（CaCO3）及氟化钙（CaF2）中至少一种，所述镁的化合物材料选自氟化镁（MgF2）、氧化镁（MgO）、氯化镁（MgCl2）及硫化镁（MgS）中至少一种。
所述金属材料掺杂层201的厚度为10nm～40nm，所述钙的化合物材料掺杂层202的厚度为40nm～100nm。
所述金属材料掺杂层201中所述金属材料中与所述发光材料的质量比为1:1～4:1，所述所述钙的化合物材料掺杂层202中所述钙的化合物材料与所述镁的化合物材料的质量比为2:1～15:1。
所述金属材料选自银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）及金（Au）中至少一种。
本实施例中，玻璃基底10在使用前用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡1小时～10小时。
本实施例中，所述电子束蒸镀方式的工艺具体为：工作压强为2×10-3～5×10-5Pa，电子束蒸镀的能量密度为10W/cm2～l00W/cm2，有机材料的蒸镀速率为0.1～1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1nm/s～10nm/s。
所述热阻蒸镀方式的工艺具体为：工作压强为2×10-3～5×10-5Pa，电流为1A～5A，有机材料的蒸镀速率为0.1～1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1nm/s～10nm/s。
步骤S120、在散射层20表面磁控溅射制备阳极30。
阳极30形成于散射层20的表面。阳极30的材料为铟锡氧化物（ITO）、铝锌氧化物（AZO）或铟锌氧化物（IZO），优选为ITO。阳极30的厚度为80nm～300nm，厚度优选为100nm。
本实施方式中，磁控溅射的加速电压：300V～800V，磁场约：50G～200G，功率密度：1W/cm2～40W/cm2，有机材料的蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s，金属阴极的蒸镀速率为1nm/s～10nm/s。
步骤S130、在阳极30的表面依次蒸镀形成空穴注入层40、空穴传输层50、发光层60、电子传输层70、电子注入层80及阴极90。
空穴注入层40形成于阳极30的表面。空穴注入层40的材料选自三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）及五氧化二钒（V2O5）中的至少一种，优选为MoO3。空穴注入层40的厚度为20nm～80nm，优选为45nm。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa～5×10-5Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s。
空穴传输层50形成于空穴注入层40的表面。空穴传输层50的材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）中的至少一种，优选为NPB。空穴传输层50的厚度为20nm～60nm，优选为50nm。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa～5×10-5Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s。
发光层60形成于空穴传输层50的表面。发光层60的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）及8-羟基喹啉铝（Alq3）中的至少一种，优选为Alq3。发光层60的厚度为5nm～40nm，优选为10nm。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa～5×10-5Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s。
电子传输层70形成于发光层60的表面。电子传输层70的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）及N-芳基苯并咪唑（TPBI）中的至少一种，优选为TAZ。电子传输层70的厚度为40nm～250nm，优选为50nm。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa～5×10-5Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s。
电子注入层80形成于电子传输层70的表面。电子注入层80的材料选自碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN3）及氟化锂（LiF）中的至少一种，优选为CsF。电子注入层80的厚度为0.5nm～10nm，优选为0.7nm。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa～5×10-5Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s。
阴极90形成于电子注入层80的表面。阴极90的材料选自银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）及金（Au）中的至少一种，优选为Ag。阴极90的厚度为80nm～250nm，优选为80nm。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa～5×10-5Pa下进行，蒸镀速率为1nm/s～10nm/s。
上述有机电致发光器件制备方法，制备工艺简单；制备的有机电致发光器件的出光效率较高。
以下结合具体实施例对有机电致发光器件的制备方法进行详细说明。
本发明实施例及对比例所用到的制备与测试仪器为：高真空镀膜系统（沈阳科学仪器研制中心有限公司），美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试电流密度和色度。
实施例1
本实施例制备结构为玻璃基底/Au:Alq3/CaF2:MgO/ITO/MoO3/NPB/Alq3/TAZ/CsF/Ag的有机电致发光器件，本实施例及以下实施例中“/”表示层，“：”表示掺杂。
玻璃基底为N-LASF44，将玻璃基底用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。在玻璃基底上制备散射层，散射层由金属材料掺杂层和钙的化合物材料掺杂层组成，在玻璃基板表面采用热阻蒸镀制备金属材料掺杂层，材料为Au:Alq3，Au与Alq3的质量比为3.5:1，厚度为35nm，在金属材料掺杂层表面采用电子束蒸镀制备钙的化合物材料掺杂层，材料为CaF2:MgO，CaF2与MgO的质量为比7:1，厚度80nm，电子束蒸镀的能量密度为50W/cm2。然后在散射层上制备ITO，厚度为100nm，采用磁控溅射的方法制备；蒸镀制备空穴注入层：材料为MoO3，厚度为40nm；蒸镀制备空穴传输层：材料为NPB，厚度为40nm；蒸镀制备发光层：所选材料为Alq3，厚度为10nm；蒸镀制备电子传输层，材料为TAZ，厚度为100nm；蒸镀制备电子注入层、材料为CsF，厚度为1.5nm；蒸镀制备阴极，材料为Ag，厚度为140nm；最后得到所需要的电致发光器件。
磁控溅射制备的工作压强为8×10-4Pa，有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s，金属化合物的蒸镀速率为0.3nm/s，金属的蒸镀速率为2nm/s。磁控溅射的加速电压：700V，磁场约：120G，功率密度：250W/cm2。
电子束蒸镀方式的具体工艺条件为：工作压强为8×10-5Pa，有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为2nm/s。
热阻蒸镀方式的具体工艺条件为：工作压强为8×10-5Pa，电流为3A，有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为2nm/s。
请参阅图3，所示为实施例1中制备的结构为玻璃基底/Au:Alq3/CaF2:MgO/ITO/MoO3/NPB/Alq3/TAZ/CsF/Ag的有机电致发光器件（曲线1）与对比例制备的结构为ITO玻璃/MoO3/NPB/Alq3/TAZ/CsF/Ag的有机电致发光器件（曲线2）的电流密度与流明效率的关系。对比例制备有机电致发光器件的步骤及各层厚度与实施例1均相同。
从图上可以看到，实施例1的流明效率都比对比例的要大，实施例1的流明效率为6.8lm/W，而对比例的仅为5.3lm/W，而且对比例的流明效率随着电流密度的增大而快速下降，这说明，在阳极与高折射率玻璃基板之间制备的散射层，散射层由金属材料掺杂层和钙的化合物材料掺杂层组成，金属材料掺杂层包括金属材料及掺杂在所述金属材料中的发光材料，金属材料可降低掺杂层与空穴注入层之间的空穴注入势垒，有利于空穴的注入，发光材料为荧光发光材料与发光层的材料一致，可对发光光色进行补充，提高光色纯度，有效提高发光效率，使发光颜色稳定，衰减速度降低，钙的化合物材料掺杂层包括钙的化合物材料和镁的化合物材料，钙的化合物材料有利于光子的散射，其内部结构均一，性质稳定，光在钙的化合物材料的晶体中进行多次反射后，入射角得以改变，镁的化合物材料的折射率比有机层高，可避免光从发光层到达阳极产生全反射，极大的提高了出光效率，从而有机电致发光器件的寿命较长。
以下各个实施例制备的有机电致发光器件的流明效率都与实施例1相类似，各有机电致发光器件也具有类似的流明效率，在下面不再赘述。
实施例2
本实施例制备结构为玻璃基底/Al:ADN/CaCl2:MgS/IZO/MoO3/TAPC/ADN/TPBi/Cs2CO3/Al的有机电致发光器件。
玻璃基底为N-LAF36，将玻璃基底用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上在玻璃基底上制备散射层，散射层由金属材料掺杂层和钙的化合物材料掺杂层组成，在玻璃基板表面采用热阻蒸镀制备金属材料掺杂层，材料为Al:ADN，Al与ADN的质量比为4:1，厚度为10nm，在金属材料掺杂层表面采用电子束蒸镀制备钙的化合物材料掺杂层，材料为CaCl2:MgS，CaCl2与MgS的质量为比15:1，厚度100nm，电子束蒸镀的能量密度为10W/cm2。然后在散射层上制备IZO，厚度为80nm，采用磁控溅射的方法制备；蒸镀空穴注入层，材料为MoO3，厚度为40nm；蒸镀空穴传输层：材料为TAPC，厚度为45nm；蒸镀发光层：所选材料为ADN，厚度为8nm；蒸镀电子传输层，材料为TPBi，厚度为65nm；蒸镀电子注入层、材料为Cs2CO3，厚度为10nm；蒸镀阴极，材料为Al，厚度为80nm；最后得到所需要的电致发光器件。
磁控溅射制备的工作压强为2×10-3Pa，有机材料的蒸镀速率为1nm/s，金属化合物的蒸镀速率为0.1nm/s，金属的蒸镀速率为10nm/s。磁控溅射的加速电压：300V，磁场约：50G，功率密度：40W/cm2。
电子束蒸镀方式的具体工艺条件为：工作压强为2×10-3Pa，有机材料的蒸镀速率为1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为10nm/s。
热阻蒸镀方式的具体工艺条件为：工作压强为2×10-3Pa，电流为5A，有机材料的蒸镀速率为1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为10nm/s。
实施例3
本实施例制备结构为玻璃基底/Ag:DCJTB/CaCO3:MgCl2/AZO/WO3/TCTA/DCJTB/TAZ/LiF/Au的有机电致发光器件。
玻璃基底为N-LASF31A，将玻璃基底用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上；在玻璃基底上制备散射层，散射层由金属材料掺杂层和钙的化合物材料掺杂层组成，在玻璃基板表面采用热阻蒸镀制备金属材料掺杂层，材料为Ag:DCJTB，Ag与DCJTB的质量比为1:1，厚度为40nm，在金属材料掺杂层表面采用电子束蒸镀制备钙的化合物材料掺杂层，材料为CaCO3:MgCl2，CaCO3与MgCl2的质量为比2:1，厚度40nm，电子束蒸镀的能量密度为100W/cm2。然后在散射层上制备AZO，厚度为300nm，采用磁控溅射的方法制备。蒸镀空穴注入层，材料为WO3，厚度为20nm；蒸镀空穴传输层：材料为TCTA，厚度为60nm；蒸镀发光层：所选材料为DCJTB，厚度为10nm；蒸镀电子传输层，材料为TAZ，厚度为200nm；蒸镀电子注入层、材料为LiF，厚度为0.5nm；蒸镀阴极，材料为Au，厚度为100nm；最后得到所需要的电致发光器件。
磁控溅射制备的工作压强为5×10-5Pa，有机材料的蒸镀速率为0.1nm/s，有机材料的蒸镀速率为0.1nm/s，金属的蒸镀速率为1nm/s。磁控溅射的加速电压：800V，磁场约：200G，功率密度：1W/cm2。
电子束蒸镀方式的具体工艺条件为：工作压强为5×10-5Pa，有机材料的蒸镀速率为0.1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1nm/s。
热阻蒸镀方式的具体工艺条件为：工作压强为5×10-5Pa，电流为1A，有机材料的蒸镀速率为0.1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1nm/s。
实施例4
本实施例制备结构为玻璃基底/Pt:BCzVBi/CaF2:MgS/ITO/V2O5/NPB/BCzVBi/Bphen/CsN3/Pt的有机电致发光器件。
玻璃基底为N-LASF41A，将玻璃基底用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上在玻璃基底上制备散射层，散射层由金属材料掺杂层和钙的化合物材料掺杂层组成，在玻璃基板表面采用热阻蒸镀制备金属材料掺杂层，材料为Pt:BCzVBi，Pt与BCzVBi的质量比为1.5:1，厚度为25nm，在金属材料掺杂层表面采用电子束蒸镀制备钙的化合物材料掺杂层，材料为CaF2:MgS，CaF2与MgS的质量为比8:1，厚度90nm，电子束蒸镀的能量密度为40W/cm2。然后在散射层上制备ITO，厚度为180nm，采用磁控溅射的方法制备；蒸镀空穴注入层，材料为V2O5，厚度为80nm；蒸镀空穴传输层：材料为NPB，厚度为60nm；蒸镀发光层：所选材料为BCzVBi，厚度为40nm；蒸镀电子传输层，材料为Bphen，厚度为35nm；蒸镀电子注入层、材料为CsN3，厚度为1nm；蒸镀阴极，材料为Pt，厚度为250nm；最后得到所需要的电致发光器件。
磁控溅射制备的工作压强为2×10-4Pa，有机材料的蒸镀速率为0.5nm/s，金属化合物的蒸镀速率为0.6nm/s，金属的蒸镀速率为6nm/s。磁控溅射的加速电压：600V，磁场约：100G，功率密度：30W/cm2。
电子束蒸镀方式的具体工艺条件为：工作压强为2×10-4Pa，有机材料的蒸镀速率为0.5nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为6nm/s。
热阻束蒸镀方式的具体工艺条件为：工作压强为2×10-4Pa，电流为1.5A，有机材料的蒸镀速率为0.5nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为6nm/s。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的玻璃基底、散射层、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述散射层由金属材料掺杂层和钙的化合物材料掺杂层组成，所述金属材料掺杂层包括金属材料及掺杂在所述金属材料中的发光材料，所述金属材料的功函数为-4.0eV～-5.5eV，所述发光材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯及8-羟基喹啉铝中至少一种，所述钙的化合物材料掺杂层包括钙的化合物材料及掺杂在所述钙的化合物材料中的镁的化合物材料，所述钙的化合物材料选自氧化钙、氯化钙、碳酸钙及氟化钙中至少一种，所述镁的化合物材料选自氟化镁、氧化镁、氯化镁及硫化镁中至少一种。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属材料掺杂层的厚度为10nm～40nm，所述钙的化合物材料掺杂层的厚度为40nm～100nm。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属材料掺杂层中所述金属材料中与所述发光材料的质量比为1:1～4:1，所述所述钙的化合物材料掺杂层中所述钙的化合物材料与所述镁的化合物材料的质量比为2:1～15:1。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属材料选自银、铝、铂及金中至少一种。
5.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在玻璃基底表面蒸镀制备散射层，所述散射层由金属材料掺杂层和钙的化合物材料掺杂层组成，在所述玻璃基底表面采用热阻蒸镀制备金属材料掺杂层，所述金属材料掺杂层包括金属材料及掺杂在所述金属材料中的发光材料，所述金属材料的功函数为-4.0eV～-5.5eV，所述发光材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯及8-羟基喹啉铝中至少一种，在所述金属材料掺杂层表面通过电子束蒸镀制备所述钙的化合物材料掺杂层，所述钙的化合物材料掺杂层包括钙的化合物材料及掺杂在所述钙的化合物材料中的镁的化合物材料，所述钙的化合物材料选自氧化钙、氯化钙、碳酸钙及氟化钙中至少一种，所述镁的化合物材料选自氟化镁、氧化镁、氯化镁及硫化镁中至少一种；
在所述散射层表面磁控溅射制备阳极，所述阳极的材料为铟锡氧化物、铝锌氧化物或铟锌氧化物；及
在所述阳极的表面依次蒸镀制备穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。
6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述金属材料掺杂层的厚度为10nm～40nm，所述钙的化合物材料掺杂层的厚度为40nm～100nm。
7.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述金属材料掺杂层中所述金属材料中与所述发光材料的质量比为1:1～4:1，所述所述钙的化合物材料掺杂层中所述钙的化合物材料与所述镁的化合物材料的质量比为2:1～15:1。
8.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述金属材料选自银、铝、铂及金中至少一种。
9.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述电子束蒸镀方式的工艺具体为：工作压强为2×10-3～5×10-5Pa，电子束蒸镀的能量密度为10W/cm2～100W/cm2，有机材料的蒸镀速率为0.1～1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1nm/s～10nm/s。
10.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述热阻蒸镀方式的工艺具体为：工作压强为2×10-3～5×10-5Pa，电流为1A～5A，有机材料的蒸镀速率为0.1～1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1nm/s～10nm/s。
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