CN104640337A - 自动曝光控制系统 - Google Patents

Abstract

一种自动曝光控制系统。所述自动曝光控制系统包括：高压控制器、电离室、高压发生器和校正单元，所述校正单元，连接高压控制器和电离室，适于接收高压控制器发送的场选择信号或/和自动曝光控制阈值，选择与接收到的所述场选择信号或/和自动曝光控制阈值相对应的增益系数以对所述电离室发送的检测信号进行校正，并将校正结果发送至高压发生器；所述高压发生器连接高压控制器，适于接收所述自动曝光控制阈值，并在校正单元发送的校正结果等于所述自动曝光控制阈值时停止发送控制信号。本发明自动曝光控制系统通过对电离室发送的检测信号进行校正，使得曝光时间更加精准，从而提高了曝光的成像效果，使得曝光形成的图像更加符合需求。

Description

自动曝光控制系统

技术领域

本发明涉及医疗器械技术领域，特别涉及一种自动曝光控制系统。

背景技术

随着技术的发展，为力求用最小可能的辐射剂量产生最优最佳的图像，越来越多的X射线医疗诊断设备采用了自动曝光控制（AEC，AutomaticExposure Control）技术。

自动曝光控制是X射线机在摄影操作时常用的技术，其基本原理是：利用光敏二极管等器件对X射线进行检测，并转化成为电信号发送至AEC部件，AEC部件对电信号做积分运算，并反馈至高压发生器。随着曝光时间的增加，累积电压值增大，当实时反馈的电压值达到某一阈值电压（即对应于某一图像亮度）时，高压发生器输出曝光停止信号，X射线球管在高压发生器的控制下不再产生X射线，曝光停止。

电离室是一种探测电离辐射的气体探测器，与X射线球管相对设置。在使用时，被检测者位于电离室和X射线球管的中间，X射线球管发射的X射线透过人体照射到电离室。当X射线照射电离室时，会在电离室内形成电离电流，该电离电流正比于X射线的强度。电离室将该电离电流通过电路处理后转化为电压，该电离电流的存在时间越长，转化后的电压越大。也就是说，不同的X射线强度和辐射时间会导致输出电压的幅值不同。

通常，在体位确定的情况下，X射线的强度也是确定的，电离室在其额定电压输出范围内输出的电压的大小与辐射时间成正比，所以AEC技术即是自动控制曝光时间以便使形成的图像取得最优的亮度效果。

图1示出了现有的一种自动曝光控制系统。如图1所示，所述自动曝光控制系统包括：高压控制器10、高压发生器20和电离室30。

所述高压发生器20在所述高压控制器10的控制下启动球管40开始放线。

所述高压控制器10还适于发送场选择信号至所述电离室30，以及发送自动曝光控制阈值至所述高压发生器20。

所述电离室30适于检测与所述场选择信号相对应的场内的X射线剂量，并将检测到的X射线剂量转换成电压值。

所述高压发生器20接收所述自动曝光控制阈值和所述电离室30输出的电压值，在所述电离室30输出的电压值等于所述自动曝光控制阈值时，所述高压发生器20停止输出球管40发射X射线所需的电压和电流，所述球管40停止发射X射线。

更多关于自动曝光控制系统的内容可参考公开号为CN102599923A的中国专利申请。在具体应用中，现有的自动曝光控制系统无法实现对电离室输出的信号进行校正，从而使得曝光形成的图像的平均灰度不理想。

发明内容

本发明解决的是现有技术中图像的平均灰度不理想的问题。

为解决上述问题，本发明提供一种自动曝光控制系统，包括：

高压控制器，适于发送场选择信号和自动曝光控制阈值；

电离室，连接所述高压控制器，适于接收所述场选择信号，并将检测到的与所述场选择信号对应的场内的射线剂量转换成电压值以形成检测信号；

校正单元，连接所述高压控制器和所述电离室，适于接收所述场选择信号或/和自动曝光控制阈值，选择与接收到的所述场选择信号或/和自动曝光控制阈值相对应的增益系数以对所述电离室发送的检测信号进行校正，并将校正结果发送至高压发生器；

所述高压发生器连接所述高压控制器，适于接收所述自动曝光控制阈值，并在所述校正单元发送的校正结果等于所述自动曝光控制阈值时停止发送控制信号。

可选地，所述校正单元适于接收所述场选择信号；所述校正单元包括：

第一存储单元，适于将场组合方式与场平衡增益系数一一对应存储；

第一调取单元，适于根据所述场选择信号确定场组合方式，并根据确定的场组合方式从所述第一存储单元中调取相应的场平衡增益系数；

第一处理单元，连接所述第一调取单元和电离室，适于将所述电离室发送的检测信号的电压值与所述第一调取单元调取的场平衡增益系数相乘以得出所述校正结果。

可选地，所述校正单元还适于接收所述自动曝光控制阈值，所述校正单元还包括：

第二存储单元，适于存储与自动曝光控制阈值相对应的曝光阈值增益系数；

第二调取单元，适于根据所述高压控制器发送的自动曝光控制阈值从所述第二存储单元中调取相应的曝光阈值增益系数；

所述第一处理单元，还连接所述第二调取单元，适于将所述电离室发送的检测信号的电压值与所述第一调取单元调取的场平衡增益系数以及所述第二调取单元调取的曝光阈值增益系数相乘以得出所述校正结果。

可选地，所述校正单元适于接收所述自动曝光控制阈值，所述校正单元包括：

第二存储单元，适于存储与自动曝光控制阈值相对应的曝光阈值增益系数；

第二调取单元，适于根据所述高压控制器发送的自动曝光控制阈值从所述第二存储单元中调取相应的曝光阈值增益系数；

第二处理单元，连接所述第二调取单元和电离室，适于将所述电离室发送的检测信号的电压值与所述第二调取单元调取的曝光阈值增益系数相乘以得出所述校正结果。

可选地，所述自动曝光控制系统还包括：与所述校正单元相连的匹配单元，所述高压发生器通过所述匹配单元连接所述校正单元；所述匹配单元适于根据预设的匹配系数对所述校正单元发送的校正结果进行匹配，并将匹配结果发送至所述高压发生器，所述匹配系数为所述高压发生器的自动曝光控制阈值的最大值与所述电离室输出电压的最大值的比值。

可选地，所述自动曝光控制系统还包括：与所述电离室相连的匹配单元，所述校正单元通过所述匹配单元连接所述电离室；所述匹配单元适于根据预设的匹配系数对所述电离室发送的检测信号进行匹配，并将匹配结果发送至所述校正单元，所述匹配系数为所述高压发生器的自动曝光控制阈值的最大值与所述电离室输出电压的最大值的比值。

可选地，所述自动曝光控制系统还包括：与所述高压发生器相连的球管，所述控制信号适于控制所述球管发射射线。

可选地，所述控制信号包括电压信号和电流信号。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

本发明的自动曝光控制系统包括校正单元，所述校正单元可以基于场选择信号选择相应的场平衡增益系数以对电离室发送的检测信号进行校正。校正后的校正结果与电离室的不同场组合方式无关，其仅与射线剂量有关。也就是说，本发明的自动曝光控制系统在体位一定的情况下，其曝光时间不会受到电离室的场选择的影响，因此，采用本发明的自动曝光控制系统曝光形成的图像的平均灰度始终与自动曝光控制阈值相对应，避免了由于场选择不同而导致多次曝光形成的图像的平均灰度出现差异，从而提高了图像质量的稳定性，使得最终获得的图像质量更加理想。

另外，本发明技术方案中的校正单元还可以选择与自动曝光控制阈值相对应的增益系数以对所述电离室发送的检测信号进行校正。通过设置不同的与所述自动曝光控制阈值相对应的增益系数，所述校正单元得出的校正结果也会有所不同，进而可以控制不同的曝光时间。在这种技术方案中，不需要改变自动曝光控制阈值即可适应性地调整曝光的图像的平均灰度，从而拓宽了与自动曝光控制阈值相对应的图像的平均灰度的范围，进而使得最终获得的图像的平均灰度更加理想，符合实际的临床需求。

进一步地，本发明自动曝光控制系统还可以包括匹配单元，所述匹配单元可以对电离室的检测信号进行匹配或者对校正单元的校正结果进行匹配。通过设置所述匹配单元，可以更加精确的控制曝光时间，从而进一步提高了图像的成像质量。

附图说明

图1是现有技术中自动曝光控制系统的结构示意图；

图2是本发明自动曝光控制系统实施例一的结构示意图；

图3是图2中校正单元的第一种实现方式的结构示意图；

图4是图2中校正单元的第二种实现方式的结构示意图；

图5是图2中校正单元的第三种实现方式的结构示意图；

图6是本发明自动曝光控制系统实施例二的结构示意图；

图7是本发明自动曝光控制系统实施例三的结构示意图。

具体实施方式

现有技术中，每次曝光形成的图像的平均灰度可能会偏离最优的平均灰度，从而影响图像的质量，或者图像的平均灰度虽然没有偏离最优的平均灰度，但是这种平均灰度的图像并不符合需求，即现有技术的自动曝光控制系统形成的图像的质量不是非常理想。

本发明提供的自动曝光控制系统通过增加校正单元可以更加精确的控制曝光时间和曝光剂量，并且还可以通过校正单元自适应的调整自动曝光阈值对应的平均灰度，从而获得理想的图像质量。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

实施例一

电离室是用于探测球管发射的射线的探测器，通常具有左、中、右三个场，在实际应用中，可以对电离室的各个场进行单独选择或者组合选择。

电离室的左、中、右三个场处于X射线野内的不同位置，X射线野内的能量分布是不均匀的，通常电离室的中场内X射线的能量最大，电离室的左场和右场内的X射线能量较小。现有技术中，电离室会基于所选择的场的不同产生不同的检测结果。

例如，假设T1时刻，左场、中场和右场内的X射线的剂量分别为A Gy（Gray，格雷）、B Gy和A Gy，其中A<B。

第一种场选择：选择左中右三个场，T1时刻电离室检测的X射线的剂量为（A+B+A）/3Gy=(2A+B)/3，电离室输出的检测信号为a1V。

第二种场选择：仅选择左场，T1时刻电离室检测的X射线的剂量为A Gy；电离室输出的检测信号为a2V。由于A<B，(2A+B)/3>A，则：a2<a1。

再假设自动曝光控制阈值为a1V；那么可知：第一种场选择在T1时刻即停止曝光；而第二种场选择在T1时刻未达到所述自动曝光控制阈值a1V，因此，将继续曝光，直至达到预设值才会停止曝光。然而，实际上，在进行第二种场选择并最终停止曝光时，所述电离室的三个场内的X射线剂量已经超出图像的最佳平均灰度所对应的剂量。因此，也就导致了曝光形成的图像的平均灰度与最佳平均灰度之间出现偏差。

鉴于上述原因，本发明提供了一种包含校正单元的自动曝光控制系统，所述校正单元可以根据高压控制器发送的不同的场选择信号选择出不同的增益系数以对电离室发送的检测信号进行校正。经过校正避免了由于电离室的场选择不同而导致曝光形成的图像的平均灰度出现偏差的问题。

图2示出了本发明自动曝光控制系统实施例一的结构示意图。参考图2，所述自动曝光控制系统可以包括：高压控制器100、电离室200、校正单元300和高压发生器400。

所述高压控制器100，适于发送场选择信号和自动曝光控制阈值；

所述电离室200，连接所述高压控制器100，适于接收所述场选择信号，并将检测到的与所述场选择信号对应的场内的射线剂量转换成电压值以形成检测信号；

所述校正单元300，连接所述高压控制器100和所述电离室200，适于接收所述场选择信号或/和自动曝光控制阈值，选择与接收到的所述场选择信号或/和自动曝光控制阈值相对应的增益系数以对所述电离室200发送的检测信号进行校正，并将校正结果发送至高压发生器400；

所述高压发生器400连接所述高压控制器100，适于接收所述自动曝光控制阈值，并在所述校正单元300发送的校正结果等于所述自动曝光控制阈值时停止发送控制信号。

另外，所述自动曝光控制系统还可以包括与所述高压发生器400相连的球管500。所述高压发生器400发送的控制信号包括用于控制所述球管500发射射线的电压信号和电流信号，当所述高压发生器400接收到的校正结果等于自动曝光控制阈值时，高压发生器400停止加载电压信号和电流信号给球管500，球管500停止发射射线。

在实际应用中，所述高压发生器400还适于在所述高压控制器100的控制下发送所述控制信号（即用于控制所述球管500发射射线的电压信号和电流信号），所述球管500基于所述控制信号开始放线。所述球管500启动发射射线的过程与现有技术中的启动过程相类似，在此不再赘述。

图3是图2所示校正单元的第一种实现方式的结构示意图。具体地，参考图3，所述校正单元300可以包括：第一调取单元301、第一存储单元302和第一处理单元303。所述校正单元300适于接收所述高压控制器100发送的场选择信号，根据接收到的场选择信号确定与所述场选择信号对应的场组合方式，并根据确定的场组合方式选择相应的场平衡增益系数以对所述电离室200发送的检测信号进行校正。

具体地，所述第一存储单元302，适于将场组合方式与场平衡增益系数一一对应存储。

所述场组合方式指的是电离室200的场组合方式，在实际应用中，会根据实际需求选择对电离室200的左、中、右三个场进行单独选择，或者组合选择。所述场组合方式即是指对电离室200的三个场的不同选择方式，如仅选择左场、仅选择中场或者仅选择右场等；再如左场和中场的组合，中场和右场的组合，左场和右场的组合以及左场、中场和右场的组合等等。

另外，由于对电离室200的场的选择不同会导致所述电离室200获得的检测信号的不同，因此，与不同场组合方式相对应的各个场平衡增益系数也不尽相同。在实际应用中，可以根据应用场景和实际需求设置合理的场平衡增益系数以实现对电离室200的场平衡校正。

具体地，各个场平衡增益系数可以通过以下方式获得：在球管500和电离室200之间放置一定厚度的衰减体模，即球管500发射的X射线穿过所述衰减体模后照射到电离室200上；选择电离室200的中场进行检测以获得与图像的预设灰度对应的第一检测信号；选择电离室200的左场进行检测以获得与图像的预设灰度对应的第二检测信号；将所述第一检测信号的电压值除以所述第二检测信号的电压值即得出了对应于“左场”的场组合方式的场平衡增益系数。

类似地，选择电离室200的右场进行检测以获得与图像的预设灰度对应的第三检测信号；将所述第一检测信号的电压值除以所述第三检测信号的电压值即得出了对应于“右场”的场组合方式的场平衡增益系数。以此类推，再分别对电离室200做其他的场组合方式的选择并分别得出对应于场组合方式的检测信号；将所述第一检测信号的电压值与各个场组合方式对应的检测信号的电压值相除得出对应于各种场组合方式的场平衡增益系数。

当然，在其他实施例中，还可以根据其他方式获得与场组合方式对应的场平衡增益系数，本发明对此不做限制。

继续参考图3，所述第一调取单元301连接所述高压控制器100，适于接收所述高压控制器100发送的场选择信号、根据所述场选择信号确定场组合方式，并根据确定的场组合方式从所述第一存储单元302中调取相应的场平衡增益系数。

所述第一处理单元303，连接所述第一调取单元301和电离室200，适于将所述电离室200发送的检测信号的电压值与所述第一调取单元301调取的场平衡增益系数相乘以得出校正结果。

所述校正结果被发送至所述高压发生器400，所述高压发生器400在所述校正结果等于所述高压控制器100发送的自动曝光控制阈值时停止发送控制信号。

如图3所示的校正单元基于场选择信号选择相应的场平衡增益系数以对所述电离室发送的检测信号进行场平衡校正。经过校正后的校正结果不受所述电离室的不同场组合方式的影响，这样，在体位确定的情况下，所述自动曝光控制系统的曝光时间一致，从而避免了由于对所述电离室进行了不同的场选择而导致曝光形成的多个图像的平均灰度偏离最佳平均灰度的问题，因此本发明的自动曝光控制系统提高了成像的图像质量的稳定性，从而可以获得更加理想的图像质量。

进一步地，由前述分析可知：现有的自动曝光控制系统在不同的场选择情况下，可能会导致电离室的三个场内的X射线剂量过量，对病患的身体造成一定的伤害。而本发明的自动曝光控制系统通过所述校正单元的校正后，使得在体位确定的情况下，每次曝光的时间均相同，从而有效地避免了过度曝光给病患带来的危害，提高了发射的射线剂量的精确性。

图4是图2所示校正单元的第二种实现方式的结构示意图。参考图4，所述校正单元300'包括：第二调取单元311、第二存储单元312和第二处理单元313。与图3所示校正单元300不同的是：本实现方式中的校正单元300'适于接收所述高压控制器100发送的自动曝光控制阈值。

所述第二存储单元312，适于存储与自动曝光控制阈值相对应的曝光阈值增益系数；

所述第二调取单元311，连接所述高压控制器100，适于根据所述高压控制器100发送的自动曝光控制阈值从所述第二存储单元312中调取相应的曝光阈值增益系数；

所述第二处理单元313，连接所述第二调取单元311和电离室200，适于将所述电离室200发送的检测信号的电压值与所述第二调取单元311调取的曝光阈值增益系数相乘以得出所述校正结果。

所述高压发生器400连接所述高压控制器100和所述第二处理单元313，适于在所述第二处理单元313发送的校正结果等于所述高压控制器100发送的自动曝光控制阈值时停止发送控制信号。

在具体应用中，对于许多高压发生器来说，自动曝光控制阈值并不是可以任意改变和调整的。自动曝光控制阈值确定后，其曝光形成的图像的平均灰度亦是确定的。某些情况下，在确定好的自动曝光控制阈值下曝光形成的图像的平均灰度并不能满足使用者的要求，由于自动曝光控制阈值并不能改变，因此需要通过选择相应的曝光阈值增益系数来进行校正以适应性地调整曝光形成的图像的平均灰度，以使得最终形成的图像的平均灰度符合实际的临床需求。

例如，假设正常情况下自动曝光控制阈值为aV，曝光形成的图像的平均灰度为G1；使用者若要求在aV的自动曝光控制阈值下曝光形成平均灰度为G2的图像，以最大限度的减少对患者的射线辐射。那么，对应的曝光阈值增益系数即为G1/G2。

具体地，使用者可以通过人机交互界面设置图像的目标灰度为G2；高压控制器100接收所述目标灰度G2，并将其发送至校正单元300的第二调取单元311；所述第二调取单元311从所述第二存储单元312中获取相应的曝光阈值增益系数（G1/G2）；所述第二处理单元313将所述曝光阈值增益系数（G1/G2）与电离室200输出的检测信号的电压值相乘得到校正结果；所述高压发生器400在校正结果等于自动曝光控制阈值aV时，停止发送控制信号从而控制所述球管500停止放线。

图4所示的校正单元300'适于选择与自动曝光控制阈值相对应的曝光阈值增益系数以对所述电离室发送的检测信号进行校正。通过设置不同的曝光阈值增益系数，所述校正单元300'得出的校正结果也会有所不同，进而可以控制不同的曝光时间。在这种技术方案中，不需要改变自动曝光控制阈值即可适应性地调整曝光的图像的平均灰度，换句话说，在不改变自动曝光控制阈值的基础上拓宽了曝光剂量的范围。这样就提高了本发明自动曝光控制系统的灵活性和实用性，即可以根据实际需求选择较高的图像质量，也可以适当降低图像的质量，降低图像质量可以降低辐射所需的射线剂量，从而减少射线对患者的辐射。

图5是图2所示校正单元的第三种实现方式的结构示意图。参考图5，所述校正单元300''包括：第一调取单元301、第一存储单元302、第一处理单元303、第二调取单元311和第二存储单元312。

在本实现方式中，所述校正单元300''适于接收所述高压控制器100发送的场选择信号和自动曝光控制阈值。具体地：

所述第一存储单元302，适于将场组合方式与场平衡增益系数一一对应存储。

所述第一调取单元301连接所述高压控制器100，适于接收所述高压控制器100发送的场选择信号、根据所述场选择信号确定场组合方式，并根据确定的场组合方式从所述第一存储单元302中调取相应的场平衡增益系数。

所述第二存储单元312，适于存储与自动曝光控制阈值相对应的曝光阈值增益系数。

所述第二调取单元311，连接所述高压控制器100，适于根据所述高压控制器100发送的自动曝光控制阈值从所述第二存储单元312中调取相应的曝光阈值增益系数。

所述第一处理单元303连接所述第一调取单元301、所述第二调取单元311、所述电离室200和所述高压发生器400。所述第一处理单元303适于将所述电离室200发送的检测信号的电压值与所述第一调取单元301调取的场平衡增益系数以及所述第二调取单元311调取的曝光阈值增益系数相乘以得出校正结果。

所述高压发生器400接收所述第一处理单元303发送的所述校正结果，并在所述校正结果等于所述高压控制器100发送的自动曝光控制阈值时停止发送控制信号。即所述高压发生器400停止对所述球管500加载电压和电流，所述球管500停止发射射线。

在具体应用中，所述第一存储单元302和所述第二存储单元312可以采用现有的存储器，如闪存等来实现存储功能；并且，所述第一存储单元302和所述第二存储单元312可以分别为两个存储器，也可以采用一个存储器来实现，本发明对此不做限制。

实施例二

在对电离室获得的检测信号进行了校正之后，曝光形成的图像的平均灰度仍然可能偏离最佳的平均灰度。发明人对此进行了仔细的研究和分析：

所述高压发生器400在不同的KV时，均具有与该KV相对应的自动曝光控制阈值（也称为截止电压或AEC的目标值），实际确定自动曝光控制阈值的过程中，会先通过基准KV的自动曝光控制阈值的获取，来得到基准校正电压。而对于其他KV下的自动曝光控制阈值的获取，则可以通过对该基准校正电压进行修正获得。因此，高压发生器400在不同KV下的自动曝光控制阈值位于一定的范围之内，可以称其为AEC电压的工作范围。相应地，电离室200输出的电压也具有一定范围，当电离室200达到自身硬件的工作饱和区后，其输出的电压不再随着接收剂量的增加而增加。

在实际应用中，AEC电压的工作范围与所述电离室200输出电压范围可能并不一致，例如，AEC电压的工作范围为0V～2U1V，所述高压控制器100发送的自动曝光控制阈值为1.2U1V；而所述电离室200输出的电压范围为0V～U1V。这样，所述电离室200发送的检测信号经过校正单元300后形成的电压值的范围也可能会与所述高压发生器400的AEC电压的工作范围并不一致，例如，所述校正单元300输出的电压的工作范围可能为0.5U1V～UIV。在这种情况下，所述校正单元300发送的校正结果不可能等于所述自动曝光控制阈值1.2U1V，因此，所述高压发生器400不会停止发送控制信号，从而导致所述自动曝光控制系统无法正常工作。

为解决上述问题，使得高压发生器400和电离室200能够配合工作，本发明还提供了另外一种自动曝光控制系统。图6示出了本发明自动曝光控制系统实施例二的结构示意图。参考图6，本实施例与实施例一的区别之处在于：所述自动曝光控制系统还包括匹配单元600。所述高压发生器400通过所述匹配单元600连接所述校正单元300。

所述匹配单元600适于根据预设的匹配系数对所述校正单元300发送的校正结果进行匹配，并将匹配结果发送至所述高压发生器400。

其中，所述匹配系数为所述高压发生器400的自动曝光控制阈值的最大值与所述电离室200输出电压的最大值的比值。例如，假设所述高压发生器400的自动曝光控制阈值的范围为[0V,2U1V],则所述自动曝光控制阈值的最大值为2U1V；所述电离室200输出电压的范围为[0V,U1V],则所述电离室输出电压的最大值为U1V。那么，所述匹配系数为2U1/U1=2。

所述高压发生器400在所述匹配单元600发送的匹配结果等于所述高压控制器100发送的自动曝光控制阈值时停止发送控制信号至所述球管500。

所述校正单元300可采用实施例一中的各种实现方式来实现，且本实施例中的其他单元也可以分别参考实施例一中的相应部分，在此不再赘述。

本实施例中增加了匹配单元，所述匹配单元通过对所述校正单元获得的校正结果进行匹配，使得AEC电压的工作范围与电离室的输出电压范围相匹配，从而可以更加精确的控制曝光时间和曝光剂量，进而使图像具有最佳的平均灰度。

实施例三

图7示出了本发明自动曝光控制系统实施例三的结构示意图。参考图7，本实施例与实施例一的区别之处在于：所述自动曝光控制系统还包括：与所述电离室200和所述校正单元300相连的匹配单元600，所述校正单元300通过所述匹配单元600连接所述电离室200。

所述匹配单元600适于根据预设的匹配系数对所述电离室200发送的检测信号进行匹配，并将匹配结果发送至所述校正单元300。其中，所述匹配系数为所述高压发生器400的自动曝光控制阈值的最大值与所述电离室输出电压的最大值的比值。所述匹配系数的定义可参考实施例二中的描述，在此不再赘述。

所述校正单元300对所述匹配单元600发送的匹配结果进行校正，并将校正结果发送至所述高压发生器400。所述高压发生器400在所述校正单元300发送的校正结果等于所述高压控制器100发送的自动曝光控制阈值时停止发送控制信号至所述球管500。

所述校正单元300可采用实施例一中的各种实现方式来实现，且本实施例中的其他单元也可以分别参考实施例一中的相应部分，在此不再赘述。

本实施例中，首先通过所述匹配单元600对所述电离室200获得的检测信号进行匹配，然后再通过所述校正单元300进行校正，使得所述高压发生器400可以精确的控制所述球管500停止发射射线，因此可以精确的控制曝光时间和曝光剂量，从而获得理想的图像质量。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (8)

1.一种自动曝光控制系统，其特征在于，包括：

高压控制器，适于发送场选择信号和自动曝光控制阈值；

电离室，连接所述高压控制器，适于接收所述场选择信号，并将检测到的与所述场选择信号对应的场内的射线剂量转换成电压值以形成检测信号；

校正单元，连接所述高压控制器和所述电离室，适于接收所述场选择信号或/和自动曝光控制阈值，选择与接收到的所述场选择信号或/和自动曝光控制阈值相对应的增益系数以对所述电离室发送的检测信号进行校正，并将校正结果发送至高压发生器；

所述高压发生器连接所述高压控制器，适于接收所述自动曝光控制阈值，并在所述校正单元发送的校正结果等于所述自动曝光控制阈值时停止发送控制信号。

2.如权利要求1所述的自动曝光控制系统，其特征在于，所述校正单元适于接收所述场选择信号；所述校正单元包括：

第一存储单元，适于将场组合方式与场平衡增益系数一一对应存储；

第一调取单元，适于根据所述场选择信号确定场组合方式，并根据确定的场组合方式从所述第一存储单元中调取相应的场平衡增益系数；

第一处理单元，连接所述第一调取单元和电离室，适于将所述电离室发送的检测信号的电压值与所述第一调取单元调取的场平衡增益系数相乘以得出所述校正结果。

3.如权利要求2所述的自动曝光控制系统，其特征在于，所述校正单元还适于接收所述自动曝光控制阈值，所述校正单元还包括：

第二存储单元，适于存储与自动曝光控制阈值相对应的曝光阈值增益系数；

第二调取单元，适于根据所述高压控制器发送的自动曝光控制阈值从所述第二存储单元中调取相应的曝光阈值增益系数；

所述第一处理单元，还连接所述第二调取单元，适于将所述电离室发送的检测信号的电压值与所述第一调取单元调取的场平衡增益系数以及所述第二调取单元调取的曝光阈值增益系数相乘以得出所述校正结果。

4.如权利要求1所述的自动曝光控制系统，其特征在于，所述校正单元适于接收所述自动曝光控制阈值，所述校正单元包括：

第二存储单元，适于存储与自动曝光控制阈值相对应的曝光阈值增益系数；

第二调取单元，适于根据所述高压控制器发送的自动曝光控制阈值从所述第二存储单元中调取相应的曝光阈值增益系数；

第二处理单元，连接所述第二调取单元和电离室，适于将所述电离室发送的检测信号的电压值与所述第二调取单元调取的曝光阈值增益系数相乘以得出所述校正结果。

5.如权利要求1所述的自动曝光控制系统，其特征在于，还包括：与所述校正单元相连的匹配单元，所述高压发生器通过所述匹配单元连接所述校正单元；所述匹配单元适于根据预设的匹配系数对所述校正单元发送的校正结果进行匹配，并将匹配结果发送至所述高压发生器，所述匹配系数为所述高压发生器的自动曝光控制阈值的最大值与所述电离室输出电压的最大值的比值。

6.如权利要求1所述的自动曝光控制系统，其特征在于，还包括：与所述电离室相连的匹配单元，所述校正单元通过所述匹配单元连接所述电离室；所述匹配单元适于根据预设的匹配系数对所述电离室发送的检测信号进行匹配，并将匹配结果发送至所述校正单元，所述匹配系数为所述高压发生器的自动曝光控制阈值的最大值与所述电离室输出电压的最大值的比值。

7.如权利要求1所述的自动曝光控制系统，其特征在于，还包括：与所述高压发生器相连的球管，所述控制信号适于控制所述球管发射射线。

8.如权利要求1所述的自动曝光控制系统，其特征在于，所述控制信号包括电压信号和电流信号。