CN104637856B - 工件加工装置 - Google Patents
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- 238000009434 installation Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 137
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 11
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本发明揭示了一种工件加工装置,包括:工艺腔体及工件承载机构,其中,工件承载机构包括大卡盘及若干小卡盘。大卡盘收容于工艺腔体,大卡盘具有底部及沿底部向上凸起形成的侧墙,大卡盘的底部及侧墙围成容纳空间。若干小卡盘收容于大卡盘的容纳空间,每一小卡盘具有卡盘主体,卡盘主体的顶部向下开设有收容腔以收容工件。通过配置若干小卡盘,当需要同时处理具有相同或不同尺寸及形状的工件时,只需选择具有相应尺寸及形状的收容腔的小卡盘,并将小卡盘安放在大卡盘的容纳空间,而不需要更换整个大卡盘,因此,本发明工件加工装置在使用上更便捷、更灵活,且结构简单,能够同时处理多片工件,提高了工件加工效率,降低了工件加工成本。
Description
技术领域
本发明涉及工件加工装置,尤其涉及一种能同时处理多片工件的工件加工装置。
背景技术
随着半导体行业竞争日趋激烈,在半导体工艺加工过程中,除了对工艺加工质量有严格要求外,各厂家也在不断寻求提高工艺加工效率及降低工艺加工成本的新途径,这种新途径包括改进加工装置和/或改进工艺流程。
例如中国专利申请CN200810126565.9公开了一种可以批量加工多个基片的装置,该装置包括室体、三个或多个支撑柱和从该三个或多个支撑柱延伸的多个支撑齿,相邻支撑齿间形成槽缝以支撑基片。加工基片时,将多个基片放置在室体内,并以基本平行的方式排列该多个基片。该装置相较于一次只能加工一片工件的装置,虽然提高了工件加工效率,但是采用这种层叠式加工装置加工多个基片时,气体从装置的侧面供应并流过基片,导致基片表面处理均匀性难以控制,此外,上层基片表面附着的副产物或污染物容易影响下层基片的处理或掉落至下层基片上。
为了解决上述装置存在的技术问题,中国专利申请CN201010180970.6揭露了一种机台,该机台包括反应腔体、旋转座、晶片承载盘、加热器及喷气头。反应腔体具有开口。旋转座设于反应腔体中。晶片承载盘设于旋转座上,且旋转座可带动晶片承载盘旋转。晶片承载盘包含至少二不同直径的多个承载区,设于晶片承载盘的表面上,这些承载区适用以对应装载多个晶片。加热器设于晶片承载盘的下方,且位于旋转座内。喷气头覆盖在反应腔体的开口上,以朝晶片承载盘的表面上施放反应气体。该机台虽有效利用了晶片承载盘的使用空间,以达到提高产能、降低成本的目的,然而当需要加工不同尺寸晶片时,需对应更换整个晶片承载盘,因此,该机台在实际使用过程中,不够便捷、灵活。
发明内容
本发明的目的是提供一种使用便捷、灵活,且结构简单,能够同时处理多片工件的工件加工装置。
为实现上述目的,本发明提出的工件加工装置,包括:工艺腔体及工件承载机构,其中,工件承载机构包括大卡盘及若干小卡盘。大卡盘收容于工艺腔体,大卡盘具有底部及沿底部向上凸起形成的侧墙,大卡盘的底部及侧墙围成容纳空间。若干小卡盘收容于大卡盘的容纳空间,每一小卡盘具有卡盘主体,卡盘主体的顶部向下开设有收容腔以收容工件。
在一个实施例中,小卡盘的收容腔的尺寸与形状与工件的尺寸与形状一致。
在一个实施例中,若干小卡盘具有相同尺寸与形状的卡盘主体。
在一个实施例中,每一小卡盘的卡盘主体的顶部沿一定倾斜度向下开设收容腔。
在一个实施例中,工件承载机构还包括支撑轴,支撑轴贯穿工艺腔体的底壁,支撑轴的一端位于工艺腔体内,支撑轴的另一端位于工艺腔体的底壁的下方,大卡盘固定设置在支撑轴的一端,大卡盘由支撑轴支撑,支撑轴位于工艺腔体的底壁下方的一端通过真空密封传动装置与第一驱动装置连接,第一驱动装置驱动支撑轴旋转,从而带动大卡盘旋转。
在一个实施例中,工件承载机构还包括连接板,连接板平行设置在工艺腔体的底壁的下方,连接板与工艺腔体之间密封连接,连接板与支撑轴位于工艺腔体的底壁下方的一端通过真空密封传动装置相连接,第二驱动装置驱动连接板上升或下降,从而带动大卡盘在工艺腔体内上升或下降。
在一个实施例中,连接板与工艺腔体之间通过可伸缩卡套密封连接,可伸缩卡套套设于支撑轴位于工艺腔体的底壁下方的一端。
在一个实施例中,工件承载机构还包括固定轴,固定轴平行于支撑轴设置,固定轴设置于工艺腔体的底壁的下方并与工艺腔体的底壁固定连接,固定轴上设置有一对承载板,该对承载板分别位于固定轴相对的两端,一丝杆与该对承载板连接并与固定轴平行布置,丝杆穿过连接板及承载板,丝杆的底端与第二驱动装置连接,第二驱动装置驱动连接板沿丝杆上升或下降。
在一个实施例中,大卡盘的底部开设有若干组贯穿大卡盘底部的通孔,每组通孔上方放置一个小卡盘,小卡盘的卡盘主体开设有一组穿孔,该组穿孔分别与小卡盘的收容腔及大卡盘相对应的一组通孔连通,工件承载机构还包括一组支柱,该组支柱收容于工艺腔体并固定设置在工艺腔体的底壁上,该组支柱能收容于大卡盘的一组通孔及与该组通孔相对应的小卡盘的穿孔中。
在一个实施例中,通孔的形状为圆形或圆弧形,其中,圆弧的圆心与大卡盘的圆心一致。
在一个实施例中,工艺腔体的底壁下方平行设置有托板,托板与工艺腔体的底壁密封连接,大卡盘的底部开设有若干组贯穿大卡盘底部的通孔,每组通孔上方放置一个小卡盘,小卡盘的卡盘主体开设有一组穿孔,该组穿孔分别与小卡盘的收容腔及大卡盘相对应的一组通孔连通,工件承载机构还包括一组支柱,该组支柱能收容于大卡盘的一组通孔及与该组通孔相对应的小卡盘的穿孔中,各支柱的底端分别穿过工艺腔体的底壁并与托板固定连接,第三驱动装置与托板连接,第三驱动装置驱动托板上升或下降,从而带动支柱在工艺腔体内上升或下降。
在一个实施例中,每一支柱穿过工艺腔体底壁的一端由弹性密封件包围,弹性密封件的一端与工艺腔体的底壁固定连接,弹性密封件的另一端与托板固定连接。
综上所述,本发明通过配置若干小卡盘,当需要同时处理具有相同或不同尺寸及形状的工件时,只需选择具有相应尺寸及形状的收容腔的小卡盘,并将小卡盘安放在大卡盘的容纳空间,而不需要更换整个大卡盘,因此,与现有装置相比,本发明工件加工装置在使用上更便捷、更灵活,且本发明工件加工装置结构简单,能够同时处理多片工件,提高了工件加工效率,降低了工件加工成本。
附图说明
图1揭示了本发明工件加工装置的第一实施例的剖面结构示意图。
图2揭示了本发明工件加工装置处理工件时的示意图。
图3揭示了本发明工件加工装置的小卡盘的一实施例的结构示意图。
图4揭示了本发明工件加工装置的小卡盘的又一实施例的结构示意图。
图5揭示了本发明工件加工装置的大卡盘的一实施例的示意图。
图6揭示了本发明工件加工装置的大卡盘的又一实施例的示意图。
图7揭示了本发明工件加工装置的第二实施例的剖面结构示意图。
图8揭示了本发明工件加工装置的第三实施例的剖面结构示意图。
图9揭示了本发明工件加工装置的小卡盘的又一实施例的结构示意图。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、构造特征、所达成目的及功效,下面将结合实施例并配合图式予以详细说明。
参阅图1,揭示了本发明工件加工装置的第一实施例的剖面结构示意图。如图1所示,该工件加工装置包括工艺腔体110及工件承载机构210。这里所述“工件”可以是晶圆、基板、衬底或其类似件。
工艺腔体110具有顶壁111、两对侧壁112及与顶壁111相对的底壁113,工艺腔体110的顶壁111、两对侧壁112及底壁113围成一空间,以容纳工件进行工艺加工。工艺腔体110的一侧壁112开设有用于取放工件的工件出入口114,工件出入口114处设置有阀门310,阀门310用于打开或关闭工件出入口114。根据不同的工艺需求,工艺腔体110的顶壁111可以开设有进气口115,工艺腔体110的底壁113可以开设有数个对称分布的排气口116。其中,进气口115的下方设有收容于工艺腔体110的喷淋头410,工艺气体经由进气口115和喷淋头410进入工艺腔体110并均匀分布于工艺腔体110内。
工件承载机构210包括支撑轴211和设置在支撑轴211上的大卡盘212。支撑轴211贯穿工艺腔体110的底壁113,支撑轴211的一端位于工艺腔体110内,支撑轴211的另一端位于工艺腔体110的底壁113的下方。大卡盘212固定设置在支撑轴211的一端,大卡盘212由支撑轴211支撑并收容于工艺腔体110内。结合图5,大卡盘212具有底部及沿底部边缘向上凸起形成的侧墙,大卡盘212的底部及侧墙围成容纳空间,大卡盘212的底部开设有多组贯穿大卡盘212底部的通孔213,每组通孔213包含三个通孔213,三个通孔213大致呈三角形分布,通孔213的形状为圆形。
工件承载机构210还包括多个小卡盘214,小卡盘214的数量与大卡盘212的通孔213的组数相同,小卡盘214收容于大卡盘212的容纳空间并对应放置于大卡盘212的一组通孔213上方,小卡盘214通过固定装置(图中未示)安放在大卡盘212的容纳空间内,以防止小卡盘214滑动。结合图3,小卡盘214具有卡盘主体2141,小卡盘214的卡盘主体2141的顶部向下开设有收容腔2142以收容工件510。小卡盘214的卡盘主体2141开设有一组穿孔215,该组穿孔215与小卡盘214的收容腔2142连通,该组穿孔215包含穿孔215的数量与大卡盘212每组通孔213包含的通孔213的数量一致,因此,相应地,该组穿孔215包含三个穿孔215,该组穿孔215与大卡盘212相对应的一组通孔213相连通。较佳地,小卡盘214的卡盘主体2141的顶部沿一定倾斜度向下开设收容腔2142,以便工件510放入小卡盘214的收容腔2142。小卡盘214收容腔2142的尺寸和形状均与工件510的尺寸和形状基本一致,例如工件510的尺寸为4英寸、6英寸、8英寸、12英寸或18英寸时,可以将小卡盘214的收容腔2142设计成与工件510的尺寸相匹配的尺寸。各小卡盘214具有相同尺寸与形状的卡盘主体2141。如图4所示,小卡盘214’与小卡盘214具有相同尺寸与形状的卡盘主体,其区别仅在于小卡盘214’的收容腔比小卡盘214的收容腔小,以便收容小尺寸工件510。小卡盘214、214’可以由铝、不锈钢或铜中的一种或几种材料制成。
工件承载机构210还包括一组支柱216,该组支柱216收容于工艺腔体110并固定设置在工艺腔体110的底壁113上。该组支柱216包含的支柱216的数量与大卡盘212每组通孔213包含的通孔213的数量一致,因此,相应地,该组支柱216包含三根支柱216,三根支柱216能收容于大卡盘212的一组通孔213及与该组通孔213相对应的小卡盘214的穿孔215中。支撑轴211位于工艺腔体110的底壁113下方的一端通过真空密封传动装置217与第一驱动装置218连接,第一驱动装置218驱动真空密封传动装置217及支撑轴211旋转,从而带动大卡盘212旋转。连接板219设置在工艺腔体110的底壁113的下方,且与工艺腔体110的底壁113平行设置,连接板219与支撑轴211位于工艺腔体110的底壁113下方的一端通过真空密封传动装置217相连接。可伸缩卡套220设置在工艺腔体110的底壁113与连接板219之间并套设于支撑轴211位于工艺腔体110的底壁113下方的一端。通过设置可伸缩卡套220及真空密封传动装置217可以防止工艺腔体110内的气体泄漏。固定轴221平行于支撑轴211设置,固定轴221设置于工艺腔体110的底壁113的下方并与工艺腔体110的底壁113固定连接。固定轴221上设置有一对承载板222,该对承载板222分别位于固定轴221相对的两端。丝杆223与该对承载板222连接并与固定轴221平行布置,丝杆223穿过连接板219及承载板222,丝杆223的底端与第二驱动装置224连接,第二驱动装置224驱动连接板219沿丝杆223上升或下降,从而带动大卡盘212在工艺腔体110内上升或下降。第一驱动装置218和第二驱动装置224可以选用马达。
参阅图1和图2,以气相刻蚀工艺为例来说明如何使用本发明工件加工装置处理工件510。首先,根据待处理工件510的尺寸和形状选择相应的小卡盘214,将小卡盘214放置于大卡盘212中,在本实施例中,大卡盘212可以容纳四个小卡盘214,大卡盘212容纳小卡盘214的数量取决于大卡盘212和小卡盘214的尺寸大小。然后,向小卡盘214中装载工件510,第二驱动装置224驱动连接板219沿丝杆223下降,从而带动大卡盘212在工艺腔体110内下降至装载位置,三根支柱216收容于大卡盘212的一组通孔213及与该组通孔213相对应的小卡盘214的穿孔215中,三根支柱216从小卡盘214的穿孔215中伸出,打开阀门310,工件510从工件出入口114处进入工艺腔体110并被放置在三根支柱216上,由三根支柱216托起。第二驱动装置224驱动连接板219沿丝杆223上升,从而带动大卡盘212在工艺腔体110内上升至三根支柱216的上方,支柱216上的工件510落入小卡盘214中,从而完成第一个小卡盘214的工件装载。使大卡盘212的底部与三根支柱216的顶部之间间隔一定距离,以保证大卡盘212在旋转过程中不与支柱216发生干涉。然后,第一驱动装置218驱动真空密封传动装置217及支撑轴211旋转,从而带动大卡盘212旋转,使大卡盘212的第二组通孔213及第二个小卡盘214位于三根支柱216的上方。第二驱动装置224驱动连接板219沿丝杆223下降,从而带动大卡盘212在工艺腔体110内下降至装载位置,三根支柱216收容于大卡盘212的第二组通孔213及与该组通孔213相对应的第二个小卡盘214的穿孔215中,三根支柱216从第二个小卡盘214的穿孔215中伸出,工件510从工件出入口114处进入工艺腔体110并被放置在三根支柱216上,由三根支柱216托起。第二驱动装置224驱动连接板219沿丝杆223上升,从而带动大卡盘212在工艺腔体110内上升至三根支柱216的上方,支柱216上的工件510落入第二个小卡盘214中,从而完成第二个小卡盘214的工件装载。以此类推,完成大卡盘212中所有小卡盘214的工件装载。然后,关闭阀门310,通过第二驱动装置224调节大卡盘212与喷淋头410之间的间距,以达到最佳工艺位置。工艺气体经由进气口115和喷淋头410进入工艺腔体110,第一驱动装置218驱动大卡盘212旋转,以保证每片工件510的刻蚀均匀性。残余的工艺气体和工艺气体与工件510反应生成的产物通过排气口116排除至工艺腔体110外。气相刻蚀工艺结束后,打开阀门310,从小卡盘214中取走工件510,取工件510的过程如下:旋转大卡盘212,使大卡盘212的一组通孔213和与该组通孔213相对应的小卡盘214位于三根支柱216的上方,第二驱动装置224驱动连接板219沿丝杆223下降,从而带动大卡盘212在工艺腔体110内下降,三根支柱216收容于大卡盘212的该组通孔213及与该组通孔213相对应的小卡盘214的穿孔215中,三根支柱216从小卡盘214的穿孔215中伸出,三根支柱216将小卡盘214中的工件510顶起离开小卡盘214,工件510从三根支柱216上取走。然后,第二驱动装置224驱动连接板219沿丝杆223上升,从而带动大卡盘212在工艺腔体110内上升至三根支柱216的上方,大卡盘212的底部与三根支柱216的顶部之间间隔一定距离,第一驱动装置218驱动真空密封传动装置217及支撑轴211旋转,从而带动大卡盘212旋转,使大卡盘212的第二组通孔213和与该组通孔213相对应的小卡盘214位于三根支柱216的上方,第二驱动装置224驱动连接板219沿丝杆223下降,从而带动大卡盘212在工艺腔体110内下降,三根支柱216收容于大卡盘212的第二组通孔213及与该组通孔213相对应的小卡盘214的穿孔215中,三根支柱216从小卡盘214的穿孔215中伸出,三根支柱216将小卡盘214中的工件510顶起离开小卡盘214,工件510从三根支柱216上取走。以此类推,将所有小卡盘214中的工件510逐一取走。当需要处理不同尺寸的工件510时,只需换上与工件510尺寸相对应的小卡盘214。为了避免工艺气体刻蚀工艺腔体110及工件承载机构210,在工艺腔体110及工件承载机构210与工艺气体接触的表面涂覆一层抗腐蚀的涂层,例如:氧化层、陶瓷、特氟龙、碳化硅或氮化硅等。
根据不同的工艺需求,可以在工艺腔体110的顶壁111、两对侧壁112及底壁113以及大卡盘212、喷淋头410内设置温度控制装置(图中未示),也可以在工艺腔体110的顶壁111安装若干卤素灯或红外灯(图中未示),以用于辅助加热,当气相刻蚀工艺结束后,通过卤素灯或红外灯照射工件510表面,工件510表面温度迅速升高,使工艺气体与工件510反应生成的产物气化,并通过排气口116排除至工艺腔体110外。
参阅图6,揭示了大卡盘的又一实施例的示意图。在该实施例中,大卡盘212’底部开设的通孔213’的形状为圆弧形,圆弧的圆心与大卡盘212’的圆心一致。通过将通孔213’设计成圆弧形,装载工件或取走工件的过程中,即使通孔213’和支柱没有完全对准,略有偏差,支柱仍能插入通孔213’。显然,除了圆形和圆弧形外,通孔还可以有其他形状。
参阅图7,揭示了本发明工件加工装置的第二实施例的剖面结构示意图。与第一实施例相比,第二实施例的区别在于:在工艺腔体110的底壁113下方设置有托板610,托板610与工艺腔体110的底壁113平行,各支柱216的底端分别穿过工艺腔体110的底壁113并与托板610固定连接,由托板610支撑支柱216,每一支柱216穿过工艺腔体110底壁113的一端由弹性密封件710包围,弹性密封件710的一端与工艺腔体110的底壁113固定连接,弹性密封件710的另一端与托板610固定连接,第三驱动装置(图中未示)与托板610连接,第三驱动装置驱动托板610上升或下降,从而带动支柱216在工艺腔体110内上升或下降,第三驱动装置可以选用马达或气缸。除了前述区别外,第二实施例的其他结构均与第一实施例中所示的对应结构相同,在此不再赘述。
仍以气相刻蚀工艺为例来说明如何使用该工件加工装置处理工件510。首先,根据待处理工件510的尺寸和形状选择相应的小卡盘214,将小卡盘214放置于大卡盘212中。然后,向小卡盘214中装载工件510,第三驱动装置驱动托板610上升,从而带动支柱216在工艺腔体110内上升,支柱216收容于大卡盘212的一组通孔213及与该组通孔213相对应的小卡盘214的穿孔215中,支柱216从小卡盘214的穿孔215中伸出,打开阀门310,工件510从工件出入口114处进入工艺腔体110并被放置在支柱216上,由支柱216托起。第三驱动装置驱动托板610下降,从而带动支柱216在工艺腔体110内下降至大卡盘212底部的下方,支柱216上的工件510落入小卡盘214中,从而完成第一个小卡盘214的工件装载。使大卡盘212的底部与支柱216的顶部之间间隔一定距离,以保证大卡盘212在旋转过程中不与支柱216发生干涉。然后,第一驱动装置218驱动真空密封传动装置217及支撑轴211旋转,从而带动大卡盘212旋转,使大卡盘212的第二组通孔213及第二个小卡盘214位于支柱216的上方。第三驱动装置驱动托板610上升,从而带动支柱216在工艺腔体110内上升,支柱216收容于大卡盘212的第二组通孔213及与该组通孔213相对应的第二个小卡盘214的穿孔215中,支柱216从第二个小卡盘214的穿孔215中伸出,工件510从工件出入口114处进入工艺腔体110并被放置在支柱216上,由支柱216托起。第三驱动装置驱动托板610下降,从而带动支柱216在工艺腔体110内下降至大卡盘212底部的下方,支柱216上的工件510落入第二个小卡盘214中,从而完成第二个小卡盘214的工件装载。以此类推,完成大卡盘212中所有小卡盘214的工件装载。然后,关闭阀门310,可以通过第二驱动装置224调节大卡盘212与喷淋头410之间的间距,以达到最佳工艺位置。工艺气体经由进气口115和喷淋头410进入工艺腔体110,第一驱动装置218驱动大卡盘212旋转,以保证每片工件510的刻蚀均匀性。残余的工艺气体和工艺气体与工件510反应生成的产物通过排气口116排除至工艺腔体110外。气相刻蚀工艺结束后,打开阀门310,从小卡盘214中取走工件510,取工件510的过程如下:旋转大卡盘212,使大卡盘212的一组通孔213和与该组通孔213相对应的小卡盘214位于支柱216的上方,第三驱动装置驱动托板610上升,从而带动支柱216在工艺腔体110内上升,支柱216收容于大卡盘212的该组通孔213及与该组通孔213相对应的小卡盘214的穿孔215中,支柱216从小卡盘214的穿孔215中伸出,支柱216将小卡盘214中的工件510顶起离开小卡盘214,工件510从支柱216上取走。然后,第三驱动装置驱动托板610下降,从而带动支柱216在工艺腔体110内下降至大卡盘212底部的下方,大卡盘212的底部与支柱216的顶部之间间隔一定距离,第一驱动装置218驱动真空密封传动装置217及支撑轴211旋转,从而带动大卡盘212旋转,使大卡盘212的第二组通孔213和与该组通孔213相对应的小卡盘214位于支柱216的上方,第三驱动装置驱动托板610上升,从而带动支柱216在工艺腔体110内上升,支柱216收容于大卡盘212的第二组通孔213及与该组通孔213相对应的小卡盘214的穿孔215中,支柱216从小卡盘214的穿孔215中伸出,支柱216将小卡盘214中的工件510顶起离开小卡盘214,工件510从支柱216上取走。以此类推,将所有小卡盘214中的工件510逐一取走。当需要处理不同尺寸的工件510时,只需换上与工件510尺寸相对应的小卡盘214。
参阅图8,揭示了本发明工件加工装置的第三实施例的剖面结构示意图。与第二实施例相比,本实施例可以视为是第二实施例的一种简化,在本实施例中,取消了真空密封传动装置、连接板、可伸缩卡套、固定轴、承载板、丝杆及第二驱动装置,其余结构均与第二实施例中所示的对应结构相同。在本实施例中,大卡盘212与喷淋头410之间的间距在工艺过程中不能调整。
参阅图9,揭示了本发明工件加工装置的小卡盘的又一实施例的结构示意图。小卡盘214’’具有卡盘主体2141’’,卡盘主体2141’’的顶部向下开设有若干收容腔2142’’以收容若干工件,小卡盘214’’的收容腔2142’’的尺寸与形状与工件的尺寸与形状一致。小卡盘214’’收容于大卡盘的容纳空间。小卡盘214’’的卡盘主体2141’’开设有若干组穿孔215’’,每组穿孔215’’分别与小卡盘的一收容腔2142’’及大卡盘相对应的一组通孔连通,一组支柱能收容于大卡盘的一组通孔及与该组通孔相对应的小卡盘214’’的穿孔215’’中,以取放工件。当需要处理不同尺寸的工件时,只需换上与工件尺寸相对应的小卡盘214’’。
由上述可知,本发明通过配置若干小卡盘,当需要同时处理具有相同或不同尺寸及形状的工件时,只需选择具有相应尺寸及形状的收容腔的小卡盘,并将小卡盘安放在大卡盘的容纳空间,而不需要更换整个大卡盘,因此,与现有装置相比,本发明工件加工装置在使用上更便捷、更灵活,且本发明工件加工装置结构简单,能够同时处理多片工件,提高了工件加工效率,降低了工件加工成本。
综上所述,本发明通过上述实施方式及相关图式说明,己具体、详实的揭露了相关技术,使本领域的技术人员可以据以实施。而以上所述实施例只是用来说明本发明,而不是用来限制本发明的,本发明的权利范围,应由本发明的权利要求来界定。至于本文中所述元件数目的改变或等效元件的代替等仍都应属于本发明的权利范围。
Claims (12)
1.一种工件加工装置,其特征在于,包括:工艺腔体及工件承载机构,所述工件承载机构包括:
大卡盘,所述大卡盘收容于工艺腔体,大卡盘具有底部及沿底部向上凸起形成的侧墙,大卡盘的底部及侧墙围成容纳空间;及
若干小卡盘,所述若干小卡盘收容于大卡盘的容纳空间,所述若干小卡盘并列放置在大卡盘上,每一小卡盘具有卡盘主体,卡盘主体的顶部向下开设有收容腔以收容工件,小卡盘能更换以适应相对应的工件。
2.根据权利要求1所述的工件加工装置,其特征在于,所述小卡盘的收容腔的尺寸与形状与工件的尺寸与形状一致。
3.根据权利要求1所述的工件加工装置,其特征在于,所述若干小卡盘具有相同尺寸与形状的卡盘主体。
4.根据权利要求1所述的工件加工装置,其特征在于,所述每一小卡盘的卡盘主体的顶部沿一定倾斜度向下开设收容腔。
5.根据权利要求1所述的工件加工装置,其特征在于,所述工件承载机构还包括支撑轴,支撑轴贯穿工艺腔体的底壁,支撑轴的一端位于工艺腔体内,支撑轴的另一端位于工艺腔体的底壁的下方,大卡盘固定设置在支撑轴的一端,大卡盘由支撑轴支撑,支撑轴位于工艺腔体的底壁下方的一端通过真空密封传动装置与第一驱动装置连接,第一驱动装置驱动支撑轴旋转,从而带动大卡盘旋转。
6.根据权利要求5所述的工件加工装置,其特征在于,所述工件承载机构还包括连接板,连接板平行设置在工艺腔体的底壁的下方,连接板与工艺腔体之间密封连接,连接板与支撑轴位于工艺腔体的底壁下方的一端通过真空密封传动装置相连接,第二驱动装置驱动连接板上升或下降,从而带动大卡盘在工艺腔体内上升或下降。
7.根据权利要求6所述的工件加工装置,其特征在于,所述连接板与工艺腔体之间通过可伸缩卡套密封连接,可伸缩卡套套设于支撑轴位于工艺腔体的底壁下方的一端。
8.根据权利要求6所述的工件加工装置,其特征在于,所述工件承载机构还包括固定轴,固定轴平行于支撑轴设置,固定轴设置于工艺腔体的底壁的下方并与工艺腔体的底壁固定连接,固定轴上设置有一对承载板,该对承载板分别位于固定轴相对的两端,一丝杆与该对承载板连接并与固定轴平行布置,丝杆穿过连接板及承载板,丝杆的底端与第二驱动装置连接,第二驱动装置驱动连接板沿丝杆上升或下降。
9.根据权利要求6所述的工件加工装置,其特征在于,所述大卡盘的底部开设有若干组贯穿大卡盘底部的通孔,每组通孔上方放置一个小卡盘,小卡盘的卡盘主体开设有一组穿孔,该组穿孔分别与小卡盘的收容腔及大卡盘相对应的一组通孔连通,工件承载机构还包括一组支柱,该组支柱收容于工艺腔体并固定设置在工艺腔体的底壁上,该组支柱能收容于大卡盘的一组通孔及与该组通孔相对应的小卡盘的穿孔中。
10.根据权利要求9所述的工件加工装置,其特征在于,所述通孔的形状为圆形或圆弧形,其中,圆弧的圆心与大卡盘的圆心一致。
11.根据权利要求6所述的工件加工装置,其特征在于,所述工艺腔体的底壁下方平行设置有托板,托板与工艺腔体的底壁密封连接,大卡盘的底部开设有若干组贯穿大卡盘底部的通孔,每组通孔上方放置一个小卡盘,小卡盘的卡盘主体开设有一组穿孔,该组穿孔分别与小卡盘的收容腔及大卡盘相对应的一组通孔连通,工件承载机构还包括一组支柱,该组支柱能收容于大卡盘的一组通孔及与该组通孔相对应的小卡盘的穿孔中,各支柱的底端分别穿过工艺腔体的底壁并与托板固定连接,第三驱动装置与托板连接,第三驱动装置驱动托板上升或下降,从而带动支柱在工艺腔体内上升或下降。
12.根据权利要求11所述的工件加工装置,其特征在于,所述每一支柱穿过工艺腔体底壁的一端由弹性密封件包围,弹性密封件的一端与工艺腔体的底壁固定连接,弹性密封件的另一端与托板固定连接。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310553898.0A CN104637856B (zh) | 2013-11-08 | 2013-11-08 | 工件加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310553898.0A CN104637856B (zh) | 2013-11-08 | 2013-11-08 | 工件加工装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104637856A CN104637856A (zh) | 2015-05-20 |
CN104637856B true CN104637856B (zh) | 2019-08-16 |
Family
ID=53216442
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310553898.0A Active CN104637856B (zh) | 2013-11-08 | 2013-11-08 | 工件加工装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104637856B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Publication number | Publication date |
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CN104637856A (zh) | 2015-05-20 |
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