CN104637559B - 一种超大型的防辐射屏蔽结构 - Google Patents

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Abstract

本发明属于防辐射技术领域，更具体的涉及一种超大型的防辐射屏蔽结构，其特征在于，所述屏蔽结构由左侧屏蔽层、右侧屏蔽层和屏蔽顶层拼装而成，所述左侧屏蔽层和右侧屏蔽层分别位于质子束流（00）的左右两侧，所述屏蔽顶层位于左侧屏蔽层和右侧屏蔽层的顶部；第一层左侧屏蔽层（L‑1）、第一层右侧屏蔽层（R‑1）和第一层屏蔽顶层（T‑1）的内表面整体喷涂有耐辐射白色防锈漆；各层左侧屏蔽层和右侧屏蔽层与地面接触处的缝隙均用混凝土填充密封；各层左侧屏蔽层和右侧屏蔽层与各层屏蔽顶层的接触处均喷涂有耐辐射白色防锈漆；所述左侧屏蔽层和右侧屏蔽层的相邻两屏蔽层之间的间隙较大处均填充有细铁砂。本发明提供的超大型的防辐射屏蔽结构，能屏蔽各种辐射；同时超大型的防辐射屏蔽结构的体积大、空间充足，能为各种超大型的放射源提供工作场所。

Description

一种超大型的防辐射屏蔽结构
技术领域
本发明属于防辐射技术领域，更具体的涉及一种超大型的防辐射屏蔽结构。
背景技术
随着科学技术的迅猛发展,辐射广泛应用于工业、科研、医疗、通信、广播等诸多领域,使人类生产和生活方式发生了革命性变化。尽管辐射对人类而言是极其有用的资源,但它也会对人体产生巨大伤害，必须研究出一种结构能很好地屏蔽辐射，而现有技术中尚无如此大型的辐射屏蔽结构。
发明内容
本发明为满足上述现有技术的现实需求，提供一种超大型的防辐射屏蔽结构。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案如下：
一种超大型的防辐射屏蔽结构，其特征在于，所述屏蔽结构由左侧屏蔽层、右侧屏蔽层和屏蔽顶层拼装而成，所述左侧屏蔽层和右侧屏蔽层分别位于质子束流的左右两侧，所述屏蔽顶层位于左侧屏蔽层和右侧屏蔽层的顶部；所述左侧屏蔽层包括四层，从内到外依次为第一层左侧屏蔽层、第二层左侧屏蔽层、第三层左侧屏蔽层、第四层左侧屏蔽层；所述右侧屏蔽层包括七层，从内到外依次为第一层右侧屏蔽层、第二层右侧屏蔽层、第三层右侧屏蔽层、第四层右侧屏蔽层、第五层右侧屏蔽层、第六层右侧屏蔽层、第七层右侧屏蔽层；所述屏蔽顶层包括八层，从下向上依次为第一层屏蔽顶层、第二层屏蔽顶层、第三层屏蔽顶层、第四层屏蔽顶层、第五层屏蔽顶层、第六层屏蔽顶层、第七层屏蔽顶层、第八层屏蔽顶层；所述第一层左侧屏蔽层、第一层右侧屏蔽层和第一层屏蔽顶层的内表面整体喷涂有耐辐射白色防锈漆；各层左侧屏蔽层和右侧屏蔽层与地面接触处的缝隙均用混凝土填充密封；各层左侧屏蔽层和右侧屏蔽层与各层屏蔽顶层的接触处均喷涂有耐辐射白色防锈漆；所述左侧屏蔽层和右侧屏蔽层的相邻两屏蔽层之间的间隙较大处均填充有细铁砂。
与现有技术相比，本发明技术方案的有益效果是：
提供一种超大型的防辐射屏蔽结构，能屏蔽各种辐射；同时超大型的防辐射屏蔽结构的体积大、空间充足，能为各种超大型的放射源提供工作场所。
进一步的，为便于组装并很好地屏蔽各类辐射，使辐射剂量降至公众可接受的安全辐射剂量，所述左侧屏蔽层、右侧屏蔽层和屏蔽顶层的各层均由多块屏蔽块焊接拼装而成，各屏蔽块的焊接拼装缝与相邻屏蔽层的屏蔽块的焊接拼装缝相互错开。
进一步的，为提高屏蔽效果，所述屏蔽块的材质为Q235B。
进一步的，为使屏蔽适应于质子流的屏蔽，所述左侧左侧屏蔽层的各层所在的平面均平行于所述质子束流的方向；所述屏蔽顶层的各层所在的平面均平行于所述质子束流的方向；所述右侧屏蔽层的各层所在的平面部分平行于所述质子束流的方向，另一部分与所述质子束流的方向成一夹角。更进一步的，所述夹角的大小约为14.74°。
进一步的，作为优选，组成所述左侧屏蔽层、右侧屏蔽层和屏蔽顶层的各层的屏蔽块的形状和尺寸分别如表1-19所示，且各层的屏蔽块的位置按编号顺序沿质子束流方向依次排列。
附图说明
图1为超大型的防辐射屏蔽结构的左右侧屏蔽层的结构示意图。
图2为超大型的防辐射屏蔽结构的左右侧屏蔽层的俯视示意图。
图3为超大型的防辐射屏蔽结构的屏蔽顶层的剖视示意图。
图4为表1。
图5为表2。
图6为表3。
图7为表4。
图8为表5。
图9为表6。
图10为表7。
图11为表8。
图12为表9。
图13为表10。
图14为表11。
图15为表12。
图16为表13。
图17为表14。
图18为表15。
图19为表16。
图20为表17。
图21为表18。
图22为表19。
附图仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制；为了更好说明本实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对于本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的；相同或相似的标号对应相同或相似的部件；附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的技术方案做进一步的说明。
具体实施例：
如图1-3所示，一种超大型的防辐射屏蔽结构，所述屏蔽结构由左侧屏蔽层、右侧屏蔽层和屏蔽顶层拼装而成，所述左侧屏蔽层和右侧屏蔽层分别位于质子束流00的左右两侧，所述屏蔽顶层位于左侧屏蔽层和右侧屏蔽层的顶部；所述左侧屏蔽层包括四层，从内到外依次为第一层左侧屏蔽层L-1、第二层左侧屏蔽层L-2、第三层左侧屏蔽层L-3、第四层左侧屏蔽层L-4；所述右侧屏蔽层包括七层，从内到外依次为第一层右侧屏蔽层R-1、第二层右侧屏蔽层R-2、第三层右侧屏蔽层R-3、第四层右侧屏蔽层R-4、第五层右侧屏蔽层R-5、第六层右侧屏蔽层R-6、第七层右侧屏蔽层R-7；所述屏蔽顶层包括八层，从下向上依次为第一层屏蔽顶层T-1、第二层屏蔽顶层T-2、第三层屏蔽顶层T-3、第四层屏蔽顶层T-4、第五层屏蔽顶层T-5、第六层屏蔽顶层T-6、第七层屏蔽顶层T-7、第八层屏蔽顶层T-8。
其中，第一层左侧屏蔽层L-1由如表1所示的14块屏蔽块焊接拼装而成,各屏蔽块的位置沿质子束流00方向按L-1-1→L-1-2→L-1-3……L-1-14的顺序依次排列；第二层左侧屏蔽层（L-2）由如表2所示的14块屏蔽块焊接拼装而成, 各屏蔽块的位置沿质子束流00方向按L-2-1→L-2-2→L-2-3……L-2-14的顺序依次排列；第三层左侧屏蔽层（L-3）由如表3所示的14块屏蔽块焊接拼装而成, 各屏蔽块的位置沿质子束流00方向按L-3-1→L-3-2→L-3-3……L-3-14的顺序依次排列；第四层左侧屏蔽层（L-4）由如表4所示的14块屏蔽块焊接拼装而成, 各屏蔽块的位置沿质子束流00方向按L-4-1→L-4-2→L-4-3……L-4-14的顺序依次排列；各屏蔽块的焊接拼装缝与相邻屏蔽层的屏蔽块的焊接拼装缝相互错开（如图2所示）。
其中，第一层右侧屏蔽层（R-1）由如表5所示的13块屏蔽块焊接拼装而成, 各屏蔽块的位置沿质子束流00方向按R-1-1→R-1-2→R-1-3……R-1-13的顺序依次排列；第二层右侧屏蔽层（R-2）由如表6所示的14块屏蔽块焊接拼装而成, 各屏蔽块的位置沿质子束流00方向按R-2-1→R-2-2→R-2-3……R-2-14的顺序依次排列；第三层右侧屏蔽层（R-3）由如表7所示的14块屏蔽块焊接拼装而成, 各屏蔽块的位置沿质子束流00方向按R-3-1→R-3-2→R-3-3……R-3-14的顺序依次排列；第四层右侧屏蔽层（R-4）由如表8所示的16块屏蔽块焊接拼装而成, 各屏蔽块的位置沿质子束流00方向按R-4-1→R-4-2→R-4-3……R-4-16的顺序依次排列；第五层右侧屏蔽层（R-5）由如表9所示的16块屏蔽块焊接拼装而成, 各屏蔽块的位置沿质子束流00方向按R-5-1→R-5-2→R-5-3……R-5-16的顺序依次排列；第六层右侧屏蔽层（R-6）由如表10所示的3块屏蔽块焊接拼装而成, 各屏蔽块的位置沿质子束流00方向按R-6-1→R-6-2→R-6-3的顺序依次排列；第七层右侧屏蔽层（R-7）由如表11所示的3块屏蔽块焊接拼装而成, 各屏蔽块的位置沿质子束流00方向按R-7-1→R-7-2→R-7-3的顺序依次排列；各屏蔽块的焊接拼装缝与相邻屏蔽层的屏蔽块的焊接拼装缝相互错开（如图2所示）。
其中，第一层顶层屏蔽层（T-1）由如表12所示的14块屏蔽块焊接拼装而成, 各屏蔽块的位置沿质子束流00方向按T-1-1→T-1-2→T-1-3……T-1-14的顺序依次排列；第二层顶层屏蔽层（T-2）由如表13所示的14块屏蔽块焊接拼装而成, 各屏蔽块的位置沿质子束流00方向按T-2-1→T-2-2→T-2-3……T-2-14的顺序依次排列；第三层顶层屏蔽层（T-3）由如表14所示的19块屏蔽块焊接拼装而成, 各屏蔽块的位置沿质子束流00方向按T-3-1→T-3-2→T-3-3……T-3-19的顺序依次排列；第四层顶层屏蔽层（T-4）由如表15所示的19块屏蔽块焊接拼装而成, 各屏蔽块的位置沿质子束流00方向按T-4-1→T-4-2→T-4-3……T-4-19的顺序依次排列；第五层顶层屏蔽层（T-5）由如表16所示的20块屏蔽块焊接拼装而成,各屏蔽块的位置沿质子束流00方向按T-5-1→T-5-2→T-5-3……T-5-20的顺序依次排列；第六层顶层屏蔽层（T-6）由如表17所示的19块屏蔽块焊接拼装而成, 各屏蔽块的位置沿质子束流00方向按T-6-1→T-6-2→T-6-3……T-6-19的顺序依次排列；第七层顶层屏蔽层（T-7）由如表18所示的4块屏蔽块焊接拼装而成, 各屏蔽块的位置沿质子束流00方向按T-7-1→T-7-2→T-7-3→T-7-4的顺序依次排列；第八层顶层屏蔽层（T-8）由如表19所示的4块屏蔽块焊接拼装而成, 各屏蔽块的位置沿质子束流00方向按T-8-1→T-8-2→T-8-3→T-8-4的顺序依次排列；各屏蔽块的焊接拼装缝与相邻屏蔽层的屏蔽块的焊接拼装缝相互错开（如图3所示）。
以上所述屏蔽块的材质为选择具有屏蔽辐射效果的材质，本实施例将屏蔽块的材质优选为Q235B；所述左侧左侧屏蔽层的各层所在的平面均平行于所述质子束流（00）的方向；所述屏蔽顶层的各层所在的平面均平行于所述质子束流（00）的方向；所述右侧屏蔽层的各层所在的平面部分平行于所述质子束流（00）的方向，另一部分与所述质子束流（00）的方向成一夹角（01），所述夹角（01）的大小约为14.74°
所述第一层左侧屏蔽层（L-1）、第一层右侧屏蔽层（R-1）和第一层屏蔽顶层（T-1）的内表面整体喷涂有耐辐射白色防锈漆；各层左侧屏蔽层和右侧屏蔽层与地面接触处的缝隙均用混凝土填充密封；各层左侧屏蔽层和右侧屏蔽层与各层屏蔽顶层的接触处均喷涂有耐辐射白色防锈漆；所述左侧屏蔽层和右侧屏蔽层的相邻两屏蔽层之间的间隙较大处均填充有细铁砂。
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种超大型的防辐射屏蔽结构，其特征在于，所述屏蔽结构由左侧屏蔽层、右侧屏蔽层和屏蔽顶层拼装而成，所述左侧屏蔽层和右侧屏蔽层分别位于质子束流的左右两侧，所述屏蔽顶层位于左侧屏蔽层和右侧屏蔽层的顶部；所述左侧屏蔽层包括四层，从内到外依次为第一层左侧屏蔽层、第二层左侧屏蔽层、第三层左侧屏蔽层、第四层左侧屏蔽层；所述右侧屏蔽层包括七层，从内到外依次为第一层右侧屏蔽层、第二层右侧屏蔽层、第三层右侧屏蔽层、第四层右侧屏蔽层、第五层右侧屏蔽层、第六层右侧屏蔽层、第七层右侧屏蔽层；所述屏蔽顶层包括八层，从下向上依次为第一层屏蔽顶层、第二层屏蔽顶层、第三层屏蔽顶层、第四层屏蔽顶层、第五层屏蔽顶层、第六层屏蔽顶层、第七层屏蔽顶层、第八层屏蔽顶层；所述第一层左侧屏蔽层、第一层右侧屏蔽层和第一层屏蔽顶层的内表面整体喷涂有耐辐射白色防锈漆；各层左侧屏蔽层和右侧屏蔽层与地面接触处的缝隙均用混凝土填充密封；各层左侧屏蔽层和右侧屏蔽层与各层屏蔽顶层的接触处均喷涂有耐辐射白色防锈漆；所述左侧屏蔽层和右侧屏蔽层的相邻两屏蔽层之间的间隙较大处均填充有细铁砂；
所述左侧屏蔽层、右侧屏蔽层和屏蔽顶层的各层均由多块屏蔽块焊接拼装而成，各屏蔽块的焊接拼装缝与相邻屏蔽层的屏蔽块的焊接拼装缝相互错开；
所述屏蔽块的材质为Q235B。
2.根据权利要求1所述的超大型的防辐射屏蔽结构，其特征在于，所述左侧屏蔽层的各层所在的平面均平行于所述质子束流的方向；所述屏蔽顶层的各层所在的平面均平行于所述质子束流的方向；所述右侧屏蔽层的各层所在的平面部分平行于所述质子束流的方向，另一部分与所述质子束流的方向成一夹角。
3.根据权利要求2所述的超大型的防辐射屏蔽结构，其特征在于，所述夹角的大小约为14.74°。
4.根据权利要求1所述的超大型的防辐射屏蔽结构，其特征在于，组成所述左侧屏蔽层、右侧屏蔽层和屏蔽顶层的各层的屏蔽块的形状和尺寸分别如以下各表所示：
其中，各层的屏蔽块的位置按编号顺序沿质子束流方向依次排列。
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