CN104598160A - 一种降低nand flash控制器功耗的方法 - Google Patents

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胡光东
宋蔚皓
李骥
金文�
李宝
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Abstract

本发明公开了一种降低nand flash控制器功耗的方法，包括以下步骤：步骤1，将nand flash控制器的系统时钟频率降为之前的1/2；步骤2，对系统时钟进行反向操作；步骤3，nand flash控制器进行读写操作；步骤4，步骤3进行的同时，系统时钟与nand flash控制器产生的读写使能信号进行“或”操作，从而生成新的nand flash芯片读写信号。本发明在不改变nand flash控制器对nand flash芯片读写速度的前提下，将nand flash控制器的系统时钟频率减少到之前的1/2，从而降低了nand flash控制器的功耗。

Description

一种降低nand flash控制器功耗的方法
技术领域
本发明属于遥外测系统，应用于抗高过载记录器设计领域，具体涉及一种降低nand flash控制器功耗的方法。
背景技术
记录器为了抗落地冲击，需层层防护，导致记录器内部电子元器件工作产生的热量无法扩散而在内部积蓄，如果热量过高，将影响记录器工作可靠性，缩短记录器的工作时间。
电子元器件工作时产生的功耗与工作频率有关，因此如何保证在不改变记录器中nand flash控制器对nand flash芯片读写速度的前提下，使用尽可能低的时钟频率成为要解决的关键技术问题。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的缺陷，提供一种降低nand flash控制器功耗的方法。
为了实现上述目的，本发明的技术方案为，一种降低nand flash控制器功耗的方法，包括以下步骤：
步骤1，将nand flash控制器的系统时钟频率降为之前的1/2；
步骤2，对系统时钟进行反向操作；
步骤3，nand flash控制器进行读操作时，在nand flash控制器从nand flash芯片读N个字节的数据之前，系统时钟控制计数器记录N个值，在计数器计数期间nand flash控制器产生一个读写使能信号，其中的N为1、2、3、4……，其上限为nand flash芯片的页容量；在nand flash控制器进行写操作时亦进行同样的操作；
步骤4，步骤3进行的同时，系统时钟与nand flash控制器产生的读写使能信号进行“或”操作，从而生成新的nand flash芯片读写信号。
本发明在不改变nand flash控制器对nand flash芯片读写速度的前提下，将nand flash控制器的系统时钟频率减少到之前的1/2，从而降低了nand flash控制器的功耗。
附图说明
图1为改进前读写时序图。
图中，读写信号频率为20MHz，系统时钟频率为40MHz。
图2为改进后读写时序图。
图中，读写信号频率为20MHz，系统时钟频率为20MHz。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进行进一步描述。
nand flash芯片的读写信号由nand flash控制器产生，在以往nand flash控制器的设计中，靠系统时钟来触发产生nand flash芯片的读写信号，如图1所示，具体步骤如下：
步骤1，在系统时钟的上升沿的触发下控制nand flash芯片的读写信号由高电平变为低电平；
步骤2，在下一个系统时钟的上升沿将nand flash芯片的读写信号由低电平变为高电平。
如果采用传统的实现方式，完成nand flash芯片的一次读写操作至少需要两个系统时钟周期。本次发明中，在不改变nand flash控制器对nand flash芯片读写速度的前提下，将nand flash控制器的系统时钟频率减少到之前的1/2，从而降低了nand flash控制器的功耗，如图2所示，具体实现方式如下：
步骤1，将nand flash控制器的系统时钟频率降为之前的1/2；
步骤2，对系统时钟进行反向操作；
步骤3，nand flash控制器进行读操作时，在nand flash控制器从nand flash芯片读N个字节的数据之前，系统时钟控制计数器记录N个值，在计数器计数期间nand flash控制器产生一个读写使能信号，其中的N为1、2、3、4……，其上限为nand flash芯片的页容量；在nand flash控制器进行写操作时亦进行同样的操作；
步骤4，步骤3进行的同时，系统时钟与nand flash控制器产生的读写使能信号进行“或”操作，从而生成新的nand flash芯片读写信号。
上面对本发明的实施例作了详细说明，上述实施方式仅为本发明的最优实施例，但是本发明并不限于上述实施例，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化。

Claims (1)

1.一种降低nand flash控制器功耗的方法，其特征在于包括以下步骤：
步骤1，将nand flash控制器的系统时钟频率降为之前的1/2；
步骤2，对系统时钟进行反向操作；
步骤3，nand flash控制器进行读操作时，在nand flash控制器从nand flash芯片读N个字节的数据之前，系统时钟控制计数器记录N个值，在计数器计数期间nand flash控制器产生一个读写使能信号，其中的N为1、2、3、4……，其上限为nand flash芯片的页容量；在nand flash控制器进行写操作时亦进行同样的操作；
步骤4，步骤3进行的同时，系统时钟与nand flash控制器产生的读写使能信号进行“或”操作，从而生成新的nand flash芯片读写信号。
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