CN104576815A - 一种提高常规工艺扩散后方阻及均匀性的方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 title abstract description 10
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 17
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000010835 comparative analysis Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
本发明公开了一种提高常规工艺扩散后方阻及均匀性的方法，将经过扩散后的低方阻晶硅太阳能电池片在进行边缘PN结去除，依次置于一定浓度范围的氢氟酸（HF）溶液、氢氧化钾（KOH）溶液、氢氟酸溶液中若干分钟，上述的反应温度均为常温25±1℃。本发明的有益效果是提高扩散后电池片的方阻同时提高方阻均匀性，方阻均匀性提高1.5%以上。
Description
技术领域
本发明涉及晶硅太阳能电池片制造技术领域，具体地涉及一种提高常规工艺扩散后方阻且提高均匀性的方法。
背景技术
通常情况下，晶硅太阳能电池片的常规工艺包括清洗制绒、扩散制结、边缘刻蚀、PECVD、丝网印刷烧结及分检测试，其中结构太阳能电池片正面PN结区的扩散方阻及其均匀性完全由扩散工艺提供。而最终太阳能电池片方阻的不均匀性会影响电池片的短路电流和开路电压波动，过差的方阻均匀性会增加效率波动而出现低效片比率增加的现象，进而降低整体出货比率。另外，随着对晶硅太阳能电池片制备过程中使用浆料的不断研发，现已有需要很高的电池片表面方阻与之匹配使用，才能达到大幅度提升电池片的光电转换效率的目的。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种提高常规工艺扩散后方阻及均匀性的方法，以达到提高电池片光电转换效率和降低低效片比例的目的。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案：一种提高常规工艺扩散后方阻及均匀性的方法，包括如下工艺步骤：
A. 将经过扩散后的低方阻晶硅太阳能电池片在进行边缘PN结去除，扩散后低方阻电池片的方阻为57～63Ω/□。
B. 通过质量分数为4～6%的氢氟酸（HF）溶液去除表面的磷硅玻璃，时间为35～40s。
C. 通过质量分数为6～7%的氢氧化钾（KOH）溶液，时间为70～90s。
D. 通过质量分数为3～5%的氢氟酸溶液清洗，时间为35～40s。
上述技术方案中涉及的工艺步骤，反应温度均为常温25±1℃。
本发明的有益效果是采用上述技术方案，提高扩散后电池片的方阻同时提高方阻均匀性，方阻均匀性提高1.5%以上。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明的技术方案作进一步说明。
在本实施方式中，采用两种实验方案进行对比，实验方案A：将多晶硅太阳能电池片采用扩散工艺使方阻直接达到82Ω/□；实验方案B：采用本发明中提供的技术方案。在两种实验方案中，扩散工艺的实验条件相同，只是工艺参数设置不同；是实验方案B中的反应温度为常温25±1℃。
实验方案B的具体实施步骤为：将经过扩散后的方阻为60Ω/□多晶硅太阳能电池片，按照上述技术方案的工艺步骤，依次如下操作：
1.将进过扩散后的多晶硅太阳能电池片置于质量分数为5%的HF溶液的，时间为35s。
2.然后将其继续置于质量分数为6%的KOH溶液，时间为80s。
3.最后将其置于质量分数为3%的HF溶液进行清洗，时间为40s。
4.对经过上述实验的硅片进行方阻测试。
将上述两种实验方案制备的硅片方阻进行测试，测试时每片上选取五个点，分别为硅片的中心点和靠近边缘的四边中点。
通过实验方案A和B的实验结果对比分析如下，采用扩散工艺直接达到82Ω/□条件下，方阻不均匀性平均为8.6%；而采用发明先扩散工艺达到方阻60Ω/□，再通过后清洗KOH提升方阻最终达到82Ω/□，方阻不均匀性为6.7%。因此，两种实验方案中方阻的均匀性提高了1.9%。
Claims (5)
1.一种提高常规工艺扩散后方阻及均匀性的方法，包括如下工艺步骤：
A．将经过扩散后的低方阻晶硅太阳能电池片在进行边缘PN结去除；
B．将去除PN结的硅片置于一定浓度的氢氟酸（HF）溶液中去除表面的磷硅玻璃，时间为35～40s；
C．然后将其置于一定浓度的氢氧化钾（KOH）溶液，时间为70～90s；
D．最后通过一定浓度的氢氟酸溶液清洗，时间为35～40s。
2.根据权利要求1所述的一种提高常规工艺扩散后方阻及均匀性的方法，其特征在于：在步骤A中所述的扩散后低方阻电池片的方阻为57～63Ω/□。
3.根据权利要求1所述的一种提高常规工艺扩散后方阻及均匀性的方法，其特征在于：在步骤B中所述的用于去除磷硅玻璃的HF的质量分数为4～6%。
4.根据权利要求1所述的一种提高常规工艺扩散后方阻及均匀性的方法，其特征在于：在步骤C中所述的KOH溶液的质量分数为6～7%。
5. 根据权利要求1所述的一种提高常规工艺扩散后方阻及均匀性的方法，其特征在于：在步骤D中所述的HF的质量分数为3～5%。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310484327.6A CN104576815A (zh) | 2013-10-16 | 2013-10-16 | 一种提高常规工艺扩散后方阻及均匀性的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310484327.6A CN104576815A (zh) | 2013-10-16 | 2013-10-16 | 一种提高常规工艺扩散后方阻及均匀性的方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104576815A true CN104576815A (zh) | 2015-04-29 |
Family
ID=53092446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310484327.6A Pending CN104576815A (zh) | 2013-10-16 | 2013-10-16 | 一种提高常规工艺扩散后方阻及均匀性的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104576815A (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101217173A (zh) * | 2008-01-10 | 2008-07-09 | 宁波杉杉尤利卡太阳能科技发展有限公司 | 一种新型的单面去扩散层方法 |
| CN101976702A (zh) * | 2010-07-28 | 2011-02-16 | 常州天合光能有限公司 | 选择性发射极太阳能电池的制造工艺及结构 |
| WO2011156560A1 (en) * | 2010-06-11 | 2011-12-15 | Amtech Systems, Inc. | Solar cell silicon wafer process |
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2013
- 2013-10-16 CN CN201310484327.6A patent/CN104576815A/zh active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101217173A (zh) * | 2008-01-10 | 2008-07-09 | 宁波杉杉尤利卡太阳能科技发展有限公司 | 一种新型的单面去扩散层方法 |
| WO2011156560A1 (en) * | 2010-06-11 | 2011-12-15 | Amtech Systems, Inc. | Solar cell silicon wafer process |
| CN101976702A (zh) * | 2010-07-28 | 2011-02-16 | 常州天合光能有限公司 | 选择性发射极太阳能电池的制造工艺及结构 |
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