CN104560044A - 一种近红外发光量子点DMPS-CdTe QDs及其应用 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种近红外发光量子点DMPS-CdTe?QDs及其应用。所述DMPS-CdTe?QDs是在氮气饱和条件下,于CdCl2和DMPS的碱性电解液中,采用计时电位法,电解Te电极,到达终点电量后结束电解,电解液经恒温加热得到DMPS-CdTe?QDs粗产品,再经纯化既得水溶性近红外发光DMPS-CdTe?QDs。所述DMPS-CdTe?QDs可作为ECL纳米发光体检测Cu2+。
Description
技术领域
本发明涉及电化学合成领域,具体涉及一种近红外发光量子点DMPS-CdTe QDs及其应用。
背景技术
量子点(quantum dots,QDs)又可称为纳米晶,是一种由II-VI族或III-V族元素组成的纳米颗粒。量子点的粒径一般介于1~10nm之间,由于电子和空穴被量子限域,连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构,受激后可以发射荧光(photoluminescence,PL)。由于QDs电驱动的本性,以其为基础的电致发光(electrochemiluminescence,ECL)在灵敏度和信噪比方面优于PL,并多样性功能化的QDs已为ECL技术提供了优异的信号传导平台。尤其发射波长处于650~900nm波段内的近红外(near-infrared,NIR)发光QDs,生物自荧光和组织吸收都最小。拥有诸如促进组织穿透和降低光化学损伤等优点,因而有潜在的作为荧光标记用于生物成像及生物传感领域的应用。
朱俊杰等(L.L.Li,Y.Chen,Q.Lu,J.Ji,Y.Y.Shen,M.Xu,R.Fei,G.H.Yang,K.Zhang,J.R.Zhang,J.J.Zhu,Sci.Rep.2013,3,1529-1538)报道了一种双壳结构近红外CdSeTe/CdS/ZnS QDs的制备方法:首先需要合成CdSeTe核结构,混合物氮气饱和低温搅拌下1h形成直径约1.5nm CdSeTe团簇;随后将CdSeTe团簇乙醇沉降再分散于去离子水,再加入底物经微波回流形成CdSe Te/CdS核壳结构量子点;最后氮气饱和加热条件下逐滴滴加底物合成CdSeTe/CdS/ZnS双壳结构的量子点。
王强斌等(Y.P.Du,B.Xu,T.Fu,M.Cai,F.Li,Y.Zhang,Q.B.Wang,J.Am.Chem.Soc.2010,132,1470-1471)报道了一种近红外Ag2S QDs的制备方法:0.1mmol(C2H5)2NCS2Ag水溶液、10mmol油酸、10mmol十八胺、20mmol正十八烷的混合物加热到100℃除去水和氧气使混合液至棕色。然后N2饱和条件下200℃持续30min,冷却至室温后所形成量子点晶体用过量乙醇沉降清洗,最后于60℃干燥。所制备Ag2S QDs更容易分散在非极性有机相中。
张晓丽(G.D.Liang,L.P.Shen,G.Z.Zou,X.L.Zhang,Chem.Eur.J.2011,17,10213–10215)报道了一种水相制备近红外发射CdTe纳米晶体的方法:CdCl2水溶液搅拌下加入HMP(六偏磷酸钠)及MPA(巯基丙酸),NaOH调pH至8.0,加Na2TeO3使溶液 变成黄绿色,沸腾回流10min。最后加入一定量的N2H4·H2O露天放置10h即得水溶性量子点。使用前需用丙酮纯化沉降,再分散于去离子水。
上述制备方法存在以下缺陷:
(1)低量子产率和高背景噪音。
(2)所需温度高,非水相合成,不容易分散在水相中。
(3)发光弱且不稳定,需要复杂的合成策略和强氧化剂作为共反应物。
上述缺陷造成迄今为止,应用现有工艺方法难以得到合成方法简单,高量子产率,低背景噪音,发光强度高且稳定,在水相中合成应用的近红外发光量子点。寻找替代的方法来高效获取NIR辐射显得非常重要。
发明内容
本发明的目的之在于提供一种近红外发光量子点DMPS-CdTe QDs及其应用,所述近红外发光量子点DMPS-CdTe QDs是通过流体动力学计时电位法制备,是一种简易、环保且高可重复性的量子点制备方法;同时应用所制备的量子点检测水溶液中Cu2+,对Cu2+的分析信号灵敏、检测下限低且选择性高。
实现本发明目的的技术解决方案为:
本发明涉及的近红外发光量子点DMPS-CdTe QDs,是在氮气饱和条件下,于CdCl2和DMPS的碱性电解液中,采用计时电位法,电解Te电极,到达终点电量后结束电解。电解液经恒温加热得到DMPS-CdTe QDs粗产品,再经纯化既得水溶性近红外发光DMPS-CdTe QDs。
其中,CdCl2和DMPS的碱性电解液配制方法是,将DMPS5.0mg溶于20mL去离子水,用200μL10M NaOH调节pH至11,最后逐滴加入120μL0.1M CdCl2。
在工作电极Te电极上施加恒定电流为-1.2×10-4A,以饱和甘汞电极为参比电极,以铂丝电极为对电极,设定3750s为电解时间,最低限制电位设为-0.996V。
电解Te电极之前用高纯氮气鼓泡除去电解液中氧气,并且整个电解过程中,溶液上方持续通入高纯氮气,保证溶液氮气饱和。
终点电荷量是指电荷达到0.45C。温加热所用温度是80℃,加热50h。
粗产品的纯化方法是所得QDs粗产品溶液与乙腈1:2(v/v)混合,在10000rpm下离心30min,然后再分散于去离子水中。
所述DMPS-CdTe QDs可作为ECL纳米发光体修饰印刷电极(SPE)检测Cu2+。
(1)SPE表面预处理,修饰DMPS-CdTe QDs,等待干燥;
(2)将SPE的工作面向下整体插入微流通池的开口内,扣上塞子,仅留末端铜金属片供电路连接;
(3)在进样泵的控制下,通过进液通道将混合不同Cu2+浓度的检测液依次注入微流通池,不同浓度梯度之间以不含Cu2+的检测液冲洗一段时间,出液通道排出液体;
(4)通过电致化学发光分析仪检测记录ECL发光强度与Cu2+之间的关系。
本发明与现有技术相比,其显著优点是:
1、电解合成,反应条件易于控制;
2、所有的底物共存于“一锅”,液相组分简单;
3、操作便易:通过预先输入的配套参数令仪器执行电解操作,全程毋须人工监控;
4、方法通用性强,可推广制备其他量子点:该技术以加工定制的非金属块体电极为工作电极,可更换非金属材质,如硫、硒、砷、磷等,亦可搭建双(多)工作电极架构,实现多通道电解;
5、产物性质稳定,方便表面后期修饰:产品经简单提纯、浓缩即可长期保存,配体的水溶性确保QDs良好的水相分散性,易于实现界面固定化。
附图说明
图1实施例1中“一锅法”合成DMPS-CdTe QDs的示意图。
图2实施例1中合成的量子点的ATR-FTIR光谱表征图。
图3实施例1中(A)DMPS和(B)DMPS-CdTe QDs的XPS S2p光谱。
图4实施例2中DMPS-CdTe QDs的(A)TEM和(B)SEM图像。插图:单个QD纳米晶体的HRTEM图像(比例尺:2nm)。
图5实施例2中DMPS-CdTe QDs的PL激发(λem=524nm)(a)和发射(λex=368nm)(b)和ECL光谱(c)。
图6实施例3中(A)QDs修饰SPE在N2饱和(a)、空气饱和(b)、含320μM K2S2O8的N2饱和(c)、含320μM H2O2的N2饱和(d)和O2饱和(e)的ECL。(B)QDs修饰SPE在0.1M不同缓冲溶液中的ECL。插图:向0.1M pH8.0PBS中加入Cu2+后的ECL动力学曲线。
图7实施例4中QDs的ECL被金属阳离子淬灭表征图。
图8实施例4中在空气饱和的0.1M pH8.0PBS中,(A)QDs和(B)Nafion/QDs修饰电极不同浓度Cu2+存在时的ECL曲线。插图:对应的Cu2+检测线性标准曲线。
图9实施例5中QDs在(A)各阳离子和(B)各阴离子存在下的归一化ECL强度。
具体实施方式
一种制备DMPS-CdTe QDs的方法,在氮气饱和条件下,于CdCl2和DMPS的碱性电解液中,采用计时电位法,电解Te电极,到达终点电量后结束电解。电解液经恒温加热得到DMPS-CdTe QDs粗产品,再经纯化既得水溶性近红外发光DMPS-CdTe QDs。具体制备方法详述如下:
通过流体动力学计时电位法合成的,并用作ECL纳米发光体。通常情况下,5.0mgDMPS用20mL去离子水搅拌溶解,再用200μL10M NaOH调节pH至11左右。然后逐滴加入120μL0.1M CdCl2以获得均相溶液。整个电解过程用高纯氮气鼓泡。在抛光的碲电极上施加-1.2×10-4A的阴极电流。在0.45C的终点电荷量达到后,将所得溶液在80℃隔绝空气加热50h以收获DMPS-CdTe QDs粗产品。纯化浓缩的方法为:600μL所得QDs粗产品溶液用1:2(v/v)乙腈纯化沉降,并在10000rpm下离心30min,然后再分散于10μL去离子水中。如需储存,可置于4℃冰箱。
所述DMPS-CdTe QDs可作为ECL纳米发光体检测Cu2+。
(1)SPE表面预处理,修饰DMPS-CdTe QDs,等待干燥;
(2)将SPE的工作面向下整体插入微流通池的开口内,扣上塞子,仅留末端铜金属片供电路连接;
(3)在进样泵的控制下,通过进液通道将混合不同Cu2+浓度的检测液依次注入微流通池,不同浓度梯度之间以不含Cu2+的检测液冲洗一段时间,出液通道排出液体;
(4)通过电致化学发光分析仪检测记录ECL发光强度与Cu2+之间的关系。
下面的实施例可以使本专业技术人员更全面地理解本发明。
实施例1
DMPS-CdTe QDs的流体动力学计时电位法合成(图1)。
(1)5.0mg DMPS预先用20mL去离子水搅拌溶解,再用200μL10M NaOH调节pH至11左右。然后逐滴加入120μL0.1M CdCl2,使游离Cd2+先生成Cd(OH)2絮状白色沉淀后转化为可溶性[Cd(OH)4]2+络合物,以便被DMPS竞争Cd2+的配位位点实现双齿螯合。
(2)碲棒(内径10mm)抛光,浸没在上述电解液中。根据Sand方程,在Te电极上施加恒定的阴极电流(-1.2×10-4A);常规的饱和甘汞电极和铂丝电极分别作为参比电极和对电极。全程磁力搅拌,转速为500rpm,并用高纯氮气(N2)鼓泡。
(3)设定0.45C为电解的终点电荷量,据此用法拉第定律(Faraday’s Law)计算Te2- 的溶出量,为2.3×10-6M;根据终点电量(Q)和电解电流(i)的Q=i×t关系,计算电解时间,为3750s,达到此电量即自动终止电解(永停终点法)。
(4)在终点电荷量达到后,所得的CdTe水溶性前驱体随后被转移至水浴中并在80℃下结晶形成CdTe QDs,该过程用不同持续时间的UV-Vis吸收光谱监测。以10h为采样间隔,加热从0h进行至60h。在50h后,紫外吸收约337nm出现一个拐点并逐渐发展成为346nm处显著的对称吸收(λab),其狭窄的半峰宽预示所制备的QDs有良好的单分散性。因此,加热周期选择为50h。
(5)DMPS与QD表面的双齿螯合进一步用ATR-FTIR光谱给予验证。纯DMPS有1177.8和1144.1cm-1两个特征振动(υS-O)(图2,曲线a),这证实磺酸基的存在;而DMPS-CdTe QDs(图2,曲线b)没有表现出2982.9和2938.5cm-1处S-H键伸缩振动模式,表明双巯基的脱氢及配位。DMPS的典型S2p谱表现两组双重结构(图3A),这归结为–SH和–SO3 -的自旋-轨道裂分,二者分开4.8eV。DMPS-CdTe QDs的–SH对应的S2p1/2和S2p3/2结合能分别从163.5和162.3eV负移至161.8和160.9eV(图3B),且–SH/–SO3 -相对强度改变极大,这些证实了DMPS的–SH和CdTe QDs表面之间存在化学键。
实施例2
DMPS-CdTe QDs粗产品的提纯、浓缩,和形貌与光谱学表征。
(1)具体操作:600μL所制备的QDs溶液用1:2(v/v)乙腈纯化沉降,并在10000rpm下离心30min,然后再分散在去离子水中,用于形貌和光谱学表征。
(2)在TEM图像(图4A)中稀疏散布的已去离子水纯化QDs具有约5nm直径的均匀粒径分布。HRTEM图像聚焦单个纳米晶,其放大的局部晶区指示排列整齐的CdTe晶格(图4A,插图)。在QDs涂布在SPE中金圆盘上之后,QD膜的扫描电子显微成像(scanning electron microscopy,SEM)呈现出一均质层,其上覆盖小于20nm聚集体(图4B),这可能是由于带负电的稳定剂彼此间的静电排斥所导致的。这种微观特征有利于共反应物接触到量子点,从而提高ECL效率。
(3)纯化后的DMPS-CdTe QDs显示出独立于激发的PL发射行为,对应发射峰(λem)固定在554nm处(图5,曲线b),表现出典型的量子限域效应。最佳λex(λex)opt位于368nm(图5,曲线a),(λex)opt和λab的波长接近,表明PL发射源于εgap。(λex)opt与λem之间有186nm的斯托克斯位移,长波方向上还存在一个非零的弱表面发射“尾巴”,表明DMPS的双齿螯合构造出一种不同寻常的QD表面。
(4)DMPS-CdTe QDs在水溶液中揭示一个峰值约692nm的宽发射(图5,曲线c)。 这是表面衍生的ECL光谱,特征在于相对PL光谱显著红移的发射波长,因为表面状态通常拥有比体相更窄的εgap。ECL-NIR的发射峰来自电子注入的QDs表面缺陷,对应PL光谱中非对称的“尾部”。该NIR-ECL可通过改变DMPS量进行调制。如表1所示,5.0mg DMPS确保高效的ECL发光且有最强的响应。
表1稳定剂用量对ECL的影响效果
实施例3
DMPS-CdTe QDs的ECL发光行为。
(1)纯化的QDs经稀释后直接滴涂于电极、室温干燥,由于其表面封闭剂的水溶性,可均匀固定在电极表面。所修饰电极在0.1M pH8.0PBS中产生强ECL发光,只需溶解氧作为内源性共反应剂,峰电位在-1.13V。向排尽空气的溶液中添加320μM H2O2,此浓度接近溶解O2在室温标准大气压下的饱和溶解度(图6A,曲线d),但O2饱和PBS中的ECL发光是前者的两倍(图6A,曲线e)。ECL峰电位在O2饱和和H2O2填充的PBS中负移了约90mV,这可通过Nernst方程就共反应物的高浓度做合理解释。因此,等当量的O2比H2O2、K2S2O8等常规共反应物对DMPS-CdTe QDs的ECL增敏效果更好,表明现成的溶解氧是主要且直接的共反应剂。
(2)检测溶液的电解质成分和pH值等实验参数应优化。如图6B所示,缓冲液会影响ECL的电位,(a)10.0的硼酸盐、(b)8.0的PBS、(c)10.0的碳酸盐、(d)9.5的乙酸盐和(e)9.0的Tris-HNO3。其中在pH10.0碳酸盐溶液中,ECL峰电位在-0.79V(图6B,曲线c)。然而在pH8.0PBS中,DMPS-CdTe QDs修饰SPE的ECL强度却是所有溶液配置中最高的。考虑到金属阳离子的沉淀与溶解平衡常数(Ksp),pH10.0不利于进一步应用,因此0.1M pH8.0PBS被选定为检测溶液。
实施例4
所制备的DMPS-CdTe QDs修饰SPE对Cu2+定量分析应用。
(1)空气饱和的0.1M pH8.0PBS作为检测溶液,设置流动注射进样器及电致化学发光分析系统的参数为,进样马达转速:300μL min-1;光电倍增管偏置电压:-800V;放大级数:3;扫描速率:100mV·s-1。以修饰量子点的SPE为工作电极,Ag/AgCl为参比电极,铂金电极为对电极。
(2)向检测溶液中加入痕量Cu2+(1.0×10-9M),ECL、动力学曲线表现为一个随着时间流逝而逐渐下降的强度并在~600s后趋于恒定的淬灭百分比26.7%(图6B,插图),因此10min被选定为阳离子交换的平衡时间。
(3)QDs的ECL被金属阳离子淬灭的机理:
用XPS Cu2p分析Cu2+测定后SPE表面的残留物,分别在932.4和952.4eV出现Cu2p3/2和Cu2p1/2的两个自旋-轨道耦合峰(图7A,插图)。在痕量Cu2+与QDs溶液混合后,346nm的QDs吸收值急剧下降(图7B,曲线a),UV-Vis动力学曲线(图7B,曲线e)呈现与ECL动力学图相似的变化,QDs的PL发射也下降了42.0%。HRTEM中Cu2+的引入使配体逐渐丧失,破坏了QD单体外围(图7A,插图),导致絮凝、团聚和沉淀(图8A)。
(5)如图8A所示,该ECL淬灭原则遵循Stern-Volmer方程:I0/I=1+Ksv×c[Q],其中I0和I分别为初始强度和给定猝灭剂浓度c[Q]时的强度,Ksv是淬灭常数。标准曲线在ECL强度的倒数与5.0nM到5.0μM的Cu2+浓度范围内呈良好线性(R2=0.997),信噪比为3时的检测限为3.8nM(图8A,插图),Ksv计算为6.0×105M-1。
(6)进一步以Nafion膜阳离子交换树脂包被QDs改善此SPE基ECL传感器检测Cu2+的性能,表现为展宽的线性范围:10.0pM~1.0mM(R2=0.992)(图8B,插图)。由于扩散控制过程的决速步转变为Nafion覆盖后的离子跨膜渗透,校准曲线不再遵循基于泊松统计的静态猝灭规则,但ECL检测表现出达9个数量级的更宽的检测范围,且检出下限低至6.7pM(S/N=3)。
实施例5
所制备的量子点修饰电极抗干扰能力研究和实际应用。
(1)干扰性测试:空气饱和的0.1M pH8.0PBS作为检测溶液,设置流动注射进样器及电致化学发光分析系统的参数为,进样马达转速:300μL min-1;光电倍增管偏置电压:-800V;放大级数:3;扫描速率:100mV·s-1。以修饰量子点的SPE为工作电极,Ag/AgCl为参比电极,铂金电极为对电极。
将十倍于Cu2+溶液浓度的阴阳离子溶液加入检测液中,进行ECL信号检测,与加入Cu2+溶液的ECL进行比较。如图9所示,具有很强的金属-S多齿相互作用的阳离子如Ag+、Fe2+和Fe3+对阴极ECL的淬灭轻微;其他阴、阳离子则对ECL发光不具影响。10-7M Pb2+、Pd2+和Hg2+在很大程度上干扰Cu2+的测定,猝灭百分比分别为87.4、95.1和90.4%。由于它们与硫的结合比Cd2+更紧密,可用相同策略给予灵敏定量。在实践中, Hg2+的耐受浓度通常比Cu2+低得多,而其他干扰离子可借助卤素离子筛选出。因此,该量子点对Cu2+拥有高选择性。
(2)实际样品检测:空气饱和的0.1M pH8.0PBS作为检测溶液,设置流动注射进样器及电致化学发光分析系统的参数为,进样马达转速:300μL min-1;光电倍增管偏置电压:-800V;放大级数:3;扫描速率:100mV·s-1。以修饰量子点的SPE为工作电极,Ag/AgCl为参比电极,铂金电极为对电极。
表皮完整的~40g刚采摘的成熟葡萄用2mL去离子水浸渍,并在室温下温和旋摇2h,然后用移液器将10μL上清液注入检测液中。检测结果接近原子吸收光谱的测定结果。对于原子吸收光谱分析,将剥离下~40g成熟葡萄皮样品用1M HNO3和30%H2O2混合溶液消化,然后用1M NaOH中和pH值,并稀释、标定至给定容量。此外,向含表皮浸出液的检测液中注入0.1μM标准Cu2+,测得回收率101.9±5.6%(S/N=3),表明本方法制备的量子点具有高准确性和实用性。
Claims (10)
1.一种近红外发光量子点DMPS-CdTe QDs,其特征在于,是在氮气饱和条件下,于CdCl2和DMPS的碱性电解液中,采用计时电位法,电解Te电极,到达终点电量后结束电解,电解液经恒温加热得到DMPS-CdTe QDs粗产品,再经纯化既得水溶性近红外发光DMPS-CdTe QDs。
2.根据权利要求1所述的近红外发光量子点DMPS-CdTe QDs,其特征在于,CdCl2和DMPS的碱性电解液配制方法是,将DMPS溶于去离子水,用NaOH调节pH至11,最后逐滴加入CdCl2。
3.根据权利要求1所述的近红外发光量子点DMPS-CdTe QDs,其特征在于,所述的计时电位法是在工作电极Te电极上施加恒定电流,以饱和甘汞电极为参比电极,以铂丝电极为对电极,设定电解时间以及最低限制电位。
4.根据权利要求3所述的近红外发光量子点DMPS-CdTe QDs,其特征在于,恒定电流为-1.2×10-4A,电解时间为3750s,最低限制电位设为-0.996V。
5.根据权利要求1所述的近红外发光量子点DMPS-CdTe QDs,其特征在于,电解Te电极之前用高纯氮气鼓泡除去电解液中氧气,并且整个电解过程中,溶液上方持续通入高纯氮气,保证溶液氮气饱和。
6.根据权利要求1所述的近红外发光量子点DMPS-CdTe QDs,其特征在于,终点电荷量是指电解最终电荷量达到0.45C。
7.根据权利要求1所述的近红外发光量子点DMPS-CdTe QDs,其特征在于,恒温加热所用温度是80℃,加热50h。
8.根据权利要求1所述的近红外发光量子点DMPS-CdTe QDs,其特征在于,粗产品的纯化方法是所得QDs粗产品溶液与乙腈1:2(v/v)混合,在10000rpm下离心30min,然后再分散于去离子水中。
9.一种如权利要求1所述的近红外发光量子点DMPS-CdTe QDs的应用,其特征在于,所述DMPS-CdTe QDs可作为ECL纳米发光体检测Cu2+。
10.根据权利要求9所述的近红外发光量子点DMPS-CdTe QDs的应用,其特征在于,检测Cu2+的过程如下:
(1)印刷电极表面预处理,修饰DMPS-CdTe QDs,等待干燥;
(2)将印刷电极的工作面向下整体插入微流通池的开口内,扣上塞子,仅留末端铜金属片供电路连接;
(3)在进样泵的控制下,通过进液通道将混合不同Cu2+浓度的检测液依次注入微流通池,不同浓度梯度之间以不含Cu2+的检测液冲洗一段时间,出液通道排出液体;
(4)通过电致化学发光分析仪检测记录ECL发光强度与Cu2+之间的关系。
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SHENGYUAN DENG等: "Chronopotentiometric synthesis of quantum dots with efficient surface-derived near-infrared electrochemiluminescence for ultrasensitive microchip-based ion-selective sensing", 《RSC ADV.》 * |
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Legal Events
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
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