CN104515785A

CN104515785A - 纳米成像系统

Info

Publication number: CN104515785A
Application number: CN201410811977.1A
Authority: CN
Inventors: 孙天希; 孙学鹏; 刘志国; 须颖; 董友
Original assignee: Tianjin Sanjing Precision Instruments Co Ltd; Beijing Normal University
Current assignee: Tianjin Sanjing Precision Instruments Co Ltd; Beijing Normal University
Priority date: 2014-12-22
Filing date: 2014-12-22
Publication date: 2015-04-15
Anticipated expiration: 2034-12-22
Also published as: CN104515785B

Abstract

本发明公开了一种纳米成像系统，该纳米成像系统包括：X射线光源；毛细管X光透镜，其入口焦距处设置X射线光源，用于收集并会聚X射线光源发出的X射线束，毛细管X光透镜的出口焦距处形成微焦斑；弯晶聚焦器，其入口焦斑与毛细管X光透镜的微焦斑位置重合形成共聚焦结构，并在出口焦斑形成单色微焦斑；弯晶聚焦器的出口焦斑处放置有样品；放大器，设置于样品之后的光路上，用于会聚并放大样品的成像信号；探测器，设置在放大器之后，用于探测并收集样品的成像信号。因此，实施本发明能够实现高效纳米成像的同时降低设备成本，并提升设备的功能和寿命。

Description

纳米成像系统

技术领域

本发明涉及光学成像技术领域，特别涉及一种纳米成像系统。

背景技术

目前，纳米成像技术应用广泛，受到人们的高度重视。为符合高空间分辨纳米成像的技术要求，现有的纳米成像设备大都采用同步辐射光源，因为同步辐射光源的强度高，可以通过单色器将同步辐射光单色化。

但是，本申请的发明人发现：同步辐射装置体积庞大，造价昂贵，且数量有限，不便广泛使用。另外，由于实验室普通微焦斑光源的功率低，直接通过实验室普通X射线光源进行高分辨的纳米成像，其成像效率会很低。由于高功率和微焦斑是一对矛盾，即：若光源焦斑小，则功率就会降低，若功率高，则光源焦斑就会大。简单来讲，这主要是因为功率升高了后，若光源焦斑太小的话，靶心就会被融化掉。因此，如何获取微焦斑且高功率的光源至今为止也没有得到很好的解决，也是本申请发明人一直致力解决的技术难题。

发明内容

有鉴于此，为解决现有技术中的问题，本发明实施例提出一种纳米成像系统，能够实现高效纳米成像的同时降低设备成本，并提升设备的功能和寿命。

进一步来讲，本发明实施例提出的纳米成像系统包括：X射线光源；毛细管X光透镜，其入口焦距处设置所述X射线光源，用于收集并会聚所述X射线光源发出的X射线束，所述毛细管X光透镜的出口焦距处形成微焦斑；弯晶聚焦器，其入口焦斑与所述毛细管X光透镜的微焦斑位置重合形成共聚焦结构，并在出口焦斑处形成单色微焦斑；所述弯晶聚焦器的出口焦斑处放置有样品；所述弯晶聚焦器的入口端或出口端处配置有调节器，用于挡住入射或出射于所述弯晶聚焦器的中间部分X射线；放大器，设置于所述样品之后的光路上，用于会聚并放大所述样品的成像信号；探测器，设置在所述放大器之后，用于探测并收集所述样品的成像信号。

可选地，在一些实施例中，所述X射线光源为X射线光管发射的X射线束，所述X射线光管的靶材为钼、银或钨中的任一种；和/或，所述X射线光源的功率范围为1～3000瓦。

可选地，在一些实施例中，所述毛细管X光透镜为X射线会聚透镜；所述毛细管X光透镜由单根单毛细管构成；或者，所述毛细管X光透镜由多根单毛细管构成，沿垂直于其中心线方向的横截面为正六边形，沿其长度方向上的截面空间椭球曲面段。

可选地，在一些实施例中，所述毛细管X光透镜中位于其中心位置的一根单毛细管所在的层数定义为第一层，从内向外第n层中单毛细管的数目为6(n-1)，且n＞1；和/或，所述毛细管X光透镜的长度范围为2～20厘米，入口端直径范围为1～40毫米，出口端直径范围为1～8毫米，最大尺寸直径/对边距D_max的范围为3～90毫米，入口焦距f₁的范围为20～120毫米，出口焦距f₂的范围为2～70毫米。

可选地，在一些实施例中，所述弯晶聚焦器在沿其中心对称线方向上的截面为旋转椭球面段，沿垂直于其中心线方向的截面为圆形；其中，所述弯晶聚焦器由分离的多块弯曲晶体或整块弯晶构成。

可选地，在一些实施例中，所述弯晶材料为硅、锗或氟化锂中的任一种；和/或，所述弯晶聚焦器的长度范围为1～200毫米、入口焦距F的范围可为15～600毫米、出口焦距f的范围可为1～400毫米、入口端直径D的范围可为1～20毫米、出口端直径d的范围可为1～10毫米。

可选地，在一些实施例中，所述弯晶聚焦器的长度为30毫米，入口直径为13毫米，出口直径为6毫米；和/或，所述毛细管X光透镜的长度L为62毫米，入口端的直径D_in为13毫米，出口端的直径D_out为2毫米；其中，在17.4 keV能量点，透镜入口焦距f₁为71毫米，出口焦距f₂为15毫米，焦斑直径为22微米，功率密度放大倍数为9000。

可选地，在一些实施例中，所述X射线光源、所述毛细管X射线平行束透镜、弯晶聚焦器及所述放大器共光轴设置。

可选地，在一些实施例中，所述放大器为波带片，所述波带片的最外层透射X射线圆环的直径与离开所述弯晶聚焦器出口焦斑的X射线束的中空环状结构相匹配；波带片最外层透射X射线圆环的宽度范围为1～500纳米；和/或，所述X射线探测器为空间分辨探测器，空间分辨范围为1～50微米，能量探测范围为10～80keV。

可选地，在一些实施例中，上述纳米成像系统还可包括：分析终端，与所述探测器连接，用于对所述样品的成像信号进行纳米成像分析。

相对于现有技术，本发明各实施例具有以下优点：

采用本发明实施例的技术方案后，本发明实施例提供的纳米成像系统采用具有高功率密度增益的毛细管X光透镜，结合弯晶聚焦器，使X射线从大焦斑光源出来后，被毛细管X光透镜会聚成微焦斑，X射线离开该微焦斑后，被弯晶聚焦器单色并且再次会聚，得到直径更小的并且单色的X射线微焦斑，从而基于实验室普通X光源获取适合高效纳米成像的单色光，降低高效纳米成像技术对X射线源功率的要求，实现利用低功率的光源进行高效纳米成像，同时降低纳米成像系统的设备成本，使其便于推广。

另外，本发明实施例充分利用毛细管X光透镜和弯晶聚焦器的特点，采用共聚焦结构对设备的功能和寿命都有很大的改善，进而提高成像设备的成像分析效率。

本发明实施例的更多特点和优势将在之后的具体实施方式予以说明。

附图说明

构成本发明实施例一部分的附图用来提供对本发明实施例的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明实施例的纳米成像系统的结构示意图；

图2为本发明实施例中毛细管X光透镜的示意图；

图3为图2中毛细管X光透镜沿垂直于其中心线的剖面示意图；

图4为本发明实施例中弯晶聚焦器的结构及光路示意图；

图5为本发明实施例中弯晶聚焦器沿垂直于其中心线的剖面示意图。

附图标记说明

1 X射线光源

2 X射线束

3 毛细管X光透镜

4 微焦斑

5 调节器

6 弯晶聚焦器

7 单色微焦斑

8 放大器

9 探测器

10 弯晶

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明实施例及实施例中的特征可以相互组合。

相对于同步辐射光源来讲，由于普通微焦斑光源的功率低，通过这种低功率光源得到的单色光用于高分辨纳米成像技术时，成像效率也会很低。因此，为克服上述缺点以实现高效率的纳米成像，本发明实施例采用具有高功率密度增益的毛细管X光透镜会聚大焦斑较高功率的普通X射线光源的发散X射线得到微焦斑，使微焦斑被弯晶会聚器会聚和单色得到更小的单色微焦斑，该单色微焦斑照射在样品上，从而实现高分辨和高效率的纳米成像。

下面结合附图，对本发明的各实施例作进一步说明：

参照图1，其示出了本实施例提出的一种纳米成像系统的结构组成，该纳米成像系统包括：X射线光源1、毛细管X光透镜3、调节器5、弯晶聚焦器6、放大器8、以及探测器9。

如图1所示，X射线光源1位于毛细管X光透镜3的入口焦距处。毛细管X光透镜3用于收集并会聚X射线光源1发出的X射线束2，毛细管X光透镜3的出口焦距处形成微焦斑4。

其中，弯晶聚焦器6用于对微焦斑4出来的X射线进行单色及会聚，弯晶聚焦器6的入口焦斑与毛细管X光透镜3的微焦斑4位置重合形成共聚焦结构，并在出口焦斑形成单色微焦斑7。弯晶聚焦器6的出口焦斑处放置有样品，单色微焦斑7投射至样品处。放大器8设置于样品之后的光路上，用于会聚并放大样品的成像信号。探测器9设置在放大器8之后，用于探测并收集样品的成像信号。

本实施例中，X射线光源1、毛细管X射线平行束透镜3、弯晶聚焦器6及放大器8共光轴设置，本实施例的光路系统中，可通过各自的调节架如五维调节架等调节相关部件至共光轴。

此外，弯晶聚焦器6的入口端或出口端处配置有调节器5，用于挡住入射或出射于弯晶聚焦器6的中间部分X射线，防止部分X射线没有通过衍射而照射到弯晶聚焦器6出口形成的微焦斑处，从而保证了弯晶聚焦器会聚焦斑的尺寸、以及弯晶聚焦器会聚焦斑处X射线的单色性；同时也保证离开弯晶聚焦器出口焦斑的X射线光束的形状为中空的环状结构，以符合高空间分辨纳米成像的要求。

其中，调节器5可以采用金属材料，如铅和钨等，用于吸收入射或出射于弯晶聚焦器6的中间部分X射线，以确保离开弯晶聚焦器出口焦斑的X射线光束的形状为中空的环状结构。

这样，X射线在弯晶聚焦器6的凹面上发生X射线衍射，从而实现对X射线的单色和会聚。该弯晶聚焦器的入口焦斑和毛细管X光透镜的出口焦斑处在共聚焦状态。

因此，上述实施例的纳米成像系统采用高功率密度增益的毛细管X光透镜3，X射线光源1发出的X射线束2被毛细管X光透镜3收集并会聚，毛细管X光透镜3通过会聚大焦斑较高功率的普通实验室X射线光源1的发散X光得到微焦斑，然后该微焦斑被弯晶聚焦器6会聚及单色得到更小的单色微焦斑7，该单色微焦斑7照射在样品上，样品对应的成像信号被放大器8会聚放大后到达探测器9而被探测，从而实现基于低功率光源的高分辨和高效率的X射线纳米成像。

需要指出的是，上述纳米成像系统可用于在生物、医学、环境、食品、能源和国防等领域，对材料、生物和医学的样品进行以高空间分辨率的单色光纳米成像，实现高效的成像分析。

上述实施例中，X射线光源1为实验室普通X射线光管发射的X射线束，X射线光管的靶材为钼、银或钨中的任一种。可选的是，X射线光源的功率范围为1～3000瓦。上述实施例采用毛细管X光透镜3和弯晶聚焦器6能够降低高效纳米成像技术对X射线源功率的要求，使成像设备可以采用低功率光源实现高效的纳米X射线成像，解决高效高分辨纳米成像技术受微焦斑高功率光源限制的问题。

上述实施例中，为了得到符合纳米成像的单色光微焦斑，采用大焦斑X射线光源1、毛细管X光透镜3、以及既具有会聚作用也具有单色作用的弯晶聚焦器6，实现基于大焦斑较高功率光源进行高分辨高效纳米成像，这大大降低了高效和高分辨纳米成像技术对高功率微焦斑光源的依赖，从而降低纳米成像设备的成本，实现纳米成像设备的造价低廉，便于推广。

上述毛细管X光透镜3由单根单毛细管构成。或者，毛细管X光透镜3由多根单毛细管构成。其中，单毛细管的材料为硅酸盐玻璃，X射线光子在单毛细管内壁发生全反射后，改变原来的传输方向，从而实现对X射线的会聚。

参照图2和图3，其分别示出了上述实施例中由多根单毛细管构成的毛细管X光透镜3的结构。该毛细管X光透镜3中，沿垂直于其中心线方向的截面可为正六边形，沿其长度方向上的截面可为空间椭球曲面段。如图3所示，毛细管X射线会聚透镜3由多根圆形的单毛细管构成，单毛细管的横截面的轮廓可为圆形。单毛细管紧密排列在一起，将毛细管X光透镜3位于其中心位置的一根单毛细管A所在的层数定义为第一层，从内向外第n层中单毛细管的数目为6(n-1)，且n＞1。

如图2所示，毛细管X光透镜3靠近X射线光源1的一端称之为入口端，另一端称之为出口端。毛细管X光透镜3的几何参量有：入口焦距f₁(毛细管X射线会聚透镜的入口端到X射线源的距离)，出口焦距f₂(毛细管X射线会聚透镜的出口端到其出口焦斑处的距离)，细管X射线会聚透镜长度L，透镜入口端直径D_in、出口端直径D_out、最大尺寸直径/对边距D_max(对圆形细管X射线会聚透镜来讲D_max为其直径，对多边形细管X射线会聚透镜来讲D_max为其对边距离)。另外，毛细管X射线会聚透镜3的物理参量有：焦斑直径和功率密度增益。这里，出口焦斑直径的范围可为：10～90微米，功率密度增益的范围可为：800～15000。

上述实施例中，毛细管X光透镜3的长度L范围为2～20厘米，入口端直径D_in范围为1～40毫米，出口端直径D_out范围为1～8毫米，最大尺寸直径/对边距D_max的范围可为3～90毫米，入口焦距f₁的范围可为20～120毫米，出口焦距f₂的范围可为2～70毫米。

例如，毛细管X光透镜3可以由455000根单毛细管紧密结合在一起构成，单毛细管额可以为圆形且内径大小相同。可选的是，毛细管X光透镜3的长度L可为62毫米，入口端的直径D_in可为13毫米，出口端的直径D_out可为2毫米。在17.4keV能量点，透镜入口焦距f₁为71毫米，出口焦距f₂为15毫米，焦斑直径为22微米，功率密度放大倍数为9000。

又如，毛细管X光透镜3可以由100000根单毛细管紧密结合在一起构成，单毛细管额可以为圆形且内径大小不相同。可选的是，毛细管X光透镜3的长度L可为45毫米，入口端的直径D_in可为9毫米，出口端的直径D_out可为5毫米。在8keV能量点，透镜入口焦距f₁为64毫米，出口焦距f₂为23毫米，焦斑直径为50微米，功率密度放大倍数为2000。

因此，具有上述这些特点的毛细管X光透镜3使基于低功率光源的高效X射线纳米成像成为可能。由于毛细管X光透镜3可结合弯晶聚焦器，提高单色微焦斑处的功率密度增益，进而提高照射在样品上的X射线的光通量，从而降低高效纳米成像技术对X射线源功率的要求，使得成像设备可以采用低功率光源实现高效的纳米X射线成像成为现实。

参照图4和图5，分别示出了上述实施例中弯晶聚焦器6的结构及光路布置方式，作为一种可选的实施方式，弯晶聚焦器6可采用如图4所示的结构及光路布置方式。

如图4所示，弯晶聚焦器6的几何参量有：长度G、入口焦距F、出口焦距f、入口端直径D及出口端直径d。其中，弯晶聚焦器6的长度G的范围可为1～200毫米、入口焦距F的范围可为15～600毫米、出口焦距f的范围可为1～400毫米、入口端直径D的范围可为1～20毫米、出口端直径d的范围可为1～10毫米。

需要说明的是，弯晶聚焦器6可以由晶体材料制成，该晶体材料可以是硅、锗和氟化锂等中的任意一种。弯晶聚焦器6可由分离的多块弯曲晶体10或整块弯晶构成。弯晶聚焦器6在沿其中心对称线方向上的截面为旋转椭球面段，沿垂直于其中心线方向的截面为圆形，该类弯晶聚焦器沿其中心线中心对称。

如图5所示，弯晶聚焦器6可由八块弯晶形成，例如，弯晶聚焦器6的长度G可为30毫米，入口直径D可为13毫米，出口直径d可为6毫米。可选的是，弯晶聚焦器6的长度G还可为23毫米，入口直径D可为17毫米，出口直径d可为9毫米。这里，弯晶聚焦器6的各参数可根据其自身性能和成像要求进行选取，本实施例对其不作任何限制。

再如：弯晶聚焦器6可由五块弯晶形成，此时，弯晶聚焦器6的长度G可为15毫米，入口直径D可为7毫米，出口直径d可为5毫米。

又如：弯晶聚焦器6还可由一块弯晶形成，弯晶聚焦器6的长度G可为20毫米，入口直径D可为18毫米，出口直径d可为4毫米。

因此，上述实施例采用具有高功率密度增益的毛细管X光透镜，结合弯晶聚焦器，使X射线从大焦斑光源出来后，被毛细管X光透镜会聚成微焦斑，X射线离开该微焦斑后，被弯晶聚焦器单色并且再次会聚，得到直径更小的并且单色的X射线微焦斑，从而基于实验室普通X光源获取适合高效纳米成像的单色光。然后，该微焦斑照射在到样品上，样品对应的X射线成像信号经过放大器后到达探测器，实现纳米成像，同时也降低高效纳米成像技术对X射线源功率的要求，提高成像设备的成像分析效率。

另外，与现有的波带片弯晶聚焦器件相比，毛细管X光透镜和弯晶聚焦器的会聚效率更高，且寿命更长，上述这些特点决定了基于毛细管X光透镜和弯晶聚焦器的纳米成像装置造假低廉、寿命长和便于推广。

上述各实施例中，作为一种可选的实施方式，放大器8为波带片，波带片的最外层透射X射线圆环的直径与离开弯晶聚焦器出口焦斑的X射线束的中空环状结构相匹配，以优化X射线成像分辨率。可选的是，波带片最外层透射X射线圆环的宽度范围为1～500纳米。例如，波带片最外层透射X射线圆环的宽度可为10纳米。

上述各实施例中，作为一种可选的实施方式，X射线探测器9为空间分辨探测器，空间分辨范围可为1～50微米，能量探测范围可为10～80keV。

基于前述各实施例，作为一种可选的实施方式，上述纳米成像系统还可包括分析终端，该分析终端与探测器9连接，用于对样品的成像信号进行成像分析。

这样，X射线光源1发出的X射线束2被毛细管X光透镜3收集和会聚，从毛细管X光透镜3出射的X射线形成微焦斑4。弯晶聚焦器6的入口焦斑和毛细管X光透镜的微焦斑4重合，形成共聚焦结构，弯晶聚焦器6衍射和单色的X光会聚为其出口焦斑(即单色微焦斑7)，样品放在单色微焦斑7处，样品对应的成像信号被放大器8会聚放大后，到达探测器9而被探测，从而实现高效纳米成像。分析终端对样品的纳米成像信号进行后续分析，用于以高空间分辨率对材料、生物和医学的样品进行高效的纳米成像分析。

基于上述各实施例，与现有技术相比，本发明各实施例具有如下优点：

本发明实施例基于毛细管X光透镜和弯晶聚焦器的纳米成像系统中，由于毛细管X光透镜具有高功率密度增益实现对X射线会聚，弯晶聚焦器可实现对X射线的单色，因此能从实验室普通X光源中获取适合高效纳米成像的单色光，从而降低高分辨高效率纳米成像技术对微焦斑高功率X射线源的依赖；并且，本发明实施例纳米成像系统的成本也随之降低，便于推广。

同时，本发明实施例充分利用毛细管X光透镜和弯晶聚焦器的特点，采用共聚焦结构使得该设备的功能和寿命都有很大的改善，进而提高成像设备的成像分析效率，实现利用低功率的光源进行高效纳米成像。

另外，本发明实施例的纳米成像系统中，弯晶聚焦器在单色X射线的同时还会聚了X射线，这进一步降低纳米成像技术对高功率微焦斑光源的依赖程度，同时也进一步降低了纳米成像设备的成本。

以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims

1.一种纳米成像系统，其特征在于，包括：

X射线光源(1)；

毛细管X光透镜(3)，其入口焦距处设置所述X射线光源(1)，用于收集并会聚所述X射线光源(1)发出的X射线束(2)，所述毛细管X光透镜(3)的出口焦距处形成微焦斑(4)；

弯晶聚焦器(6)，其入口焦斑与所述毛细管X光透镜(3)的微焦斑(4)位置重合形成共聚焦结构，并在出口焦斑处形成单色微焦斑(7)；所述弯晶聚焦器(6)的出口焦斑处放置有样品；所述弯晶聚焦器(6)的入口端或出口端处配置有所述调节器(5)，用于挡住入射或出射于所述弯晶聚焦器(6)的中间部分X射线；

放大器(8)，设置于所述样品之后的光路上，用于会聚并放大所述样品的成像信号；

探测器(9)，设置在所述放大器(8)之后，用于探测并收集所述样品的成像信号。

2.根据权利要求1所述的纳米成像系统，其特征在于：

所述X射线光源(1)为X射线光管发射的X射线束，所述X射线光管的靶材为钼、银或钨中的任一种；和/或，

所述X射线光源(1)的功率范围为1～3000瓦。

3.根据权利要求2所述的纳米成像系统，其特征在于：

所述毛细管X光透镜(3)为X射线会聚透镜；

所述毛细管X光透镜(3)由单根单毛细管构成；或者，所述毛细管X光透镜(3)由多根单毛细管构成，沿垂直于其中心线方向的横截面为正六边形，沿其长度方向上的截面空间椭球曲面段。

4.根据权利要求3所述的纳米成像系统，其特征在于：

所述毛细管X光透镜(3)中位于其中心位置的那一根单毛细管所在的层数定义为第一层，从内向外第n层中单毛细管的数目为6(n-1)，且n＞1；和/或，

所述毛细管X光透镜(3)的长度L的取值范围为2～20厘米，入口端直径D_in范围为1～40毫米，出口端直径D_out范围为1～8毫米，最大尺寸直径/对边距D_max的范围为3～90毫米，入口焦距f₁的范围为20～120毫米，出口焦距f₂的范围为2～70毫米。

5.根据权利要求1至4任一项所述的纳米成像系统，其特征在于，所述弯晶聚焦器(6)在沿其中心对称线方向上的截面为旋转椭球面段，沿垂直于其中心线方向的截面为圆形；

其中，所述弯晶聚焦器(6)由分离的多块弯曲晶体或整块弯晶构成。

6.根据权利要求5所述的纳米成像系统，其特征在于：

所述弯晶材料为硅、锗或氟化锂中的任一种；和/或，

所述弯晶聚焦器(6)的长度G范围为1～200毫米、入口焦距F的范围可为15～600毫米、出口焦距f的范围可为1～400毫米、入口端直径D的范围可为1～20毫米、出口端直径d的范围可为1～10毫米。

7.根据权利要求6所述的纳米成像系统，其特征在于：

所述弯晶聚焦器(6)的长度G为30毫米，入口直径D为13毫米，出口直径d为6毫米；和/或，

所述毛细管X光透镜(3)的长度L为62毫米，入口端的直径D_in为13毫米，出口端的直径D_out为2毫米；其中，在17.4keV能量点，透镜入口焦距f₁为71毫米，出口焦距f₂为15毫米，焦斑直径为22微米，功率密度放大倍数为9000。

8.根据权利要求1至4任一项所述的纳米成像系统，其特征在于，所述X射线光源(1)、所述毛细管X射线平行束透镜(3)、弯晶聚焦器(6)及所述放大器(8)共光轴设置。

9.根据权利要求1至4任一项所述的纳米成像系统，其特征在于：

所述放大器(8)为波带片，所述波带片的最外层透射X射线圆环的直径与离开所述弯晶聚焦器(6)出口焦斑的X射线束的中空环状结构相匹配；波带片最外层透射X射线圆环的宽度范围为1～500纳米；和/或，

所述X射线探测器(9)为空间分辨探测器，空间分辨范围为1～50微米，能量探测范围为10～80keV。

10.根据权利要求1至9任一项所述的纳米成像系统，其特征在于，还包括：

分析终端，与所述探测器(9)连接，用于对所述样品的成像信号进行纳米成像分析。