CN104505448A - 一种反光陶瓷基pcb板制造方法 - Google Patents
一种反光陶瓷基pcb板制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104505448A CN104505448A CN201410774346.7A CN201410774346A CN104505448A CN 104505448 A CN104505448 A CN 104505448A CN 201410774346 A CN201410774346 A CN 201410774346A CN 104505448 A CN104505448 A CN 104505448A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- base pcb
- ceramic
- reflector layer
- layer
- pcb plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 143
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 70
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 86
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 4
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 4
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract description 16
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 241000345998 Calamus manan Species 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000003223 protective agent Substances 0.000 description 1
- 235000012950 rattan cane Nutrition 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0025—Processes relating to coatings
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
本发明涉及了一种反光陶瓷基PCB板制造方法，其方法步骤为：1）准备一张做好线路层和防焊层的单面陶瓷基PCB板；2）在单面陶瓷基PCB板的陶瓷面附着一层反光层；3）在反光层上做防护处理；4）分割反光陶瓷基PCB板。使用本发明制造的反光陶瓷基PCB板，反光层可以有效地反射LED发光芯片透过陶瓷的光，使陶瓷基PCB板的反射率提高。
Description
技术领域
本发明涉及陶瓷基PCB板的制造方法，尤其涉及一种反光陶瓷基PCB板制造方法以及使用该方法所制造的反光陶瓷基PCB板。
背景技术
目前，许多大功率LED光源，因散热问题均会选择热传导好的基板，
例如陶瓷基PCB板等，陶瓷基PCB板具有高绝缘性，有不错的热传导率，热膨胀系数(4.9 ~ 8ppm/K)，比较不会因热产生热应力及热变形。虽然陶瓷基PCB板能满足大功率LED器件的散热要求，但其反射率太低。陶瓷在光学上是单轴性结晶，可以使透射光变为散射光而通过，因此，入射到陶瓷表面大部份被反射回去，另一小部份被陶瓷内部吸收，其它部分则变成散射光透射过陶瓷，导致陶瓷反射率低。减少陶瓷吸收光和将散射光反射回去，是提高陶瓷反射率的解决方向。目前国内陶瓷反射率只能做到85%-90%；国外陶瓷反射率能做到95%，但仍达不到镜面银基板的反射率，且价格居高不下。因此制造反射效果好的大功率LED光源是行业内的难题，而提高陶瓷基PCB板的反射率是解决此问题较好的途径。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种反射率高且结构简单的反光陶瓷基PCB板的制造方法。
一种反光陶瓷基PCB板制造方法，包括以下步骤：1）准备一张做好线路层和防焊层的单面陶瓷基PCB板；2）在单面陶瓷基PCB板的陶瓷面附着一层反光层；3）在反光层上做防护处理；4）切割反光陶瓷基PCB板。
上述的一种反光陶瓷基PCB板制造方法，其中：所述的单面陶瓷基PCB板基材为氧化铝陶瓷板。
上述的一种反光陶瓷基PCB板制造方法，其中：所述的单面陶瓷基PCB板基材为氮化铝陶瓷板。
上述的一种反光陶瓷基PCB板制造方法，其中：所述的单面陶瓷基PCB板的反光层为银反光层。
上述的一种反光陶瓷基PCB板制造方法，其中：所述的单面陶瓷
基PCB板的反光层为铝反光层。
上述的一种反光陶瓷基PCB板制造方法，其中：所述的单面陶瓷
基PCB板的陶瓷面附着一层反光层，工艺是真空电镀。
上述的一种反光陶瓷基PCB板制造方法，其中：所述的单面陶瓷
基PCB板反光层的附着方式是真空镀，采用的是真空蒸镀工艺。
上述的一种反光陶瓷基PCB板制造方法，其中：所述的单面陶瓷
基PCB板反光层的附着方式是真空镀，采用的是真空磁控溅射工艺。
上述的一种反光陶瓷基PCB板制造方法，其中：所述的银反光层
是通过化学镀工艺获得。
上述的一种反光陶瓷基PCB板制造方法，其中：所述的单面陶瓷
基PCB板的反光层为反光纳米级PET层。
上述的一种反光陶瓷基PCB板制造方法，其中：所述的单面陶瓷
基PCB板的反光纳米级PET层是通过透明硅胶与单面陶瓷基PCB板的陶瓷面附着。
上述的一种反光陶瓷基PCB板制造方法，其中：所述的单面陶瓷
基PCB板的反光层为反光油墨层。
上述的一种反光陶瓷基PCB板制造方法，其中：所述的在反光层上
做防护处理，是在单面陶瓷基PCB反光层的背面形成保护层。
上述的一种反光陶瓷基PCB板制造方法，其中：所述的分割陶瓷基
PCB板，是通过激光切割机，输入CAM切割资料而分割出反光陶瓷基PCB板。
本发明是在单面陶瓷基PCB板的陶瓷面，附着一层反光层，反光层可以有效地反射通过陶瓷的透射光，使陶瓷基PCB板的反射率提高。且工艺简单，操作方便，可以实现批量化生产，满足日益增长的市场需求。
[附图说明]
为了便于说明，本发明由下述较佳的实施案例及附图作以详细描述。
图1为本发明实施方式中一种反光陶瓷基PCB板的制造方法流程图。
图2所示是本发明实施例一 反光陶瓷基PCB板的主视图。
图3所示是本发明实施例一 反光陶瓷基PCB板的剖视图。
图4所示是本发明实施例三 反光陶瓷基PCB板的剖视图。
图5所示是本发明实施例四 反光陶瓷基PCB板的剖视图。
附图中的标号说明
21 31 41 51陶瓷基板 210 310 410 510线路层 211 311 411 511阻焊层 213 电路正极标识 214电路负极标识 312 银/铝反光层 313防护层 412 透明硅胶 413 反光纳米级PET层 512油墨反光层
[具体实施方式]
实施案例一
图1给出了本发明的一种反光陶瓷基PCB板制造方法的流程图，图2与图3给出了由本发明制造的反光陶瓷基PCB板的结构，下面结合附图1、2、3予以具体说明:
如图1 所示，一种反光陶瓷基PCB板的制造方法具体流程如下：1）准备一张做好线路层和防焊层的单面陶瓷基PCB板21、31 ；2）在单面陶瓷基PCB板的陶瓷面附着一层反光层312；3）在反光层上做防护处理，形成防护层313 ；4）切割陶瓷基PCB板，分割出反光陶瓷基PCB板。
在步骤1）中，单面陶瓷基PCB板是单面做好有线路层及防焊层的陶瓷板，并且为反光性良好的氧化铝陶瓷板。为了达到反光效果，陶瓷基材要用厚度1.0mm以上的、反光率达到85%、氧化铝为96%的陶瓷板。
在步骤2）中，在单面陶瓷基PCB板陶瓷面真空蒸镀一层银反光层，
透过单面陶瓷基PCB板的光由反光性良好的银反光层反射回去，由此陶瓷PCB基板的反射率得以提高，反射率达到95%以上。
在步骤3）中，在反光层上做防护处理，形成一层保护银反光层的
保护层，以防止银反光层被深度氧化。使用的材料是太平洋电镀防腐原料有限公司的79999银保护剂。
在步骤4）中，采用激光切割机根据CAD成型图形预切割陶瓷基PCB板，分割出反光陶瓷基PCB板；切割陶瓷基PCB板深度控制在陶瓷基板厚度的1/3。
本实施案例提供的一种反光陶瓷基PCB板制造方法，由于采用了银反光层，银反光层可以有效地反射透过陶瓷流失到另一面的光，使反光陶瓷基PCB板的反射率从85%提高至95%以上。本发明提供的一种反光陶瓷基PCB板制造方法，有利于帮助国内企业突破外国企业对高反射率陶瓷基板的核心技术垄断，进一步降低大功率LED 基板的生产与制造成本，最终推动LED照明领域的发展。
实施案例二
图3同时还给出了本发明一种反光陶瓷基PCB板制造方法的第二个具体实施例，下面结合附图3对其方法进行具体说明。
本实施例二与前述实施例一的区别在于反光层的材质及防护处理
工艺不同：
在步骤2）中，反光层313为铝反光层，在单面陶瓷基PCB板的陶瓷
面真空蒸镀一层反光性良好的铝层 ，透过陶瓷基PCB板的光由反光性良好的铝反光层反射回去，由此陶瓷基PCB板的反射率从85%提高至95%。
在步骤3）中，在反光层上做防护处理，是通过化学方法形成一层
保护层，以防止铝反光层被深度氧化。使用的工艺是铝阳极氧化处理工艺，主要材料及参数是：硫酸10-20%，草酸1-2%，直流电压10-20V，处理时间15min。
实施案例三
图4给出了本发明一种反光陶瓷基PCB板制造方法的第三个具体实施例，下面结合附图4对其方法进行具体说明。
本实施例三与前述实施例一的区别在于反光层的材质及附着方式不同：
如图4所示，反光层 413 为反光性好的纳米级PET层，在单面陶瓷基PCB板的陶瓷面通过透明硅胶 412 贴合一层反光性良好的纳米级PET层，形成反光层 413，透过单面陶瓷基PCB板的光由反光性良好的反光纳米级PET层反射回去，由此陶瓷基PCB板的反射率从85%提高至95%。
实施案例四
图5给出了本发明一种反光陶瓷基PCB板制造方法的第四个具体实施例，下面结合附图5对其方法进行具体说明。
本实施例四与前述实施例一的区别在于反光层的材质及附着方式不同：
如图5所示，反光层 512 为反光性好的油墨层，是在单面陶瓷基PCB板的陶瓷面印刷一层厚度为10-20um的油墨，油墨型号是大仓藤田LE-600白色油墨，用150度烘干40-60分钟后形成反光层 512，透过单面陶瓷基PCB板的光由反光性良好的油墨层反射回去，由此陶瓷基PCB板的反射率从85%提高至95%。
实施案例五
图2与图3同时也给出了本发明反光陶瓷基PCB板制造方法的第五个实施例，下面结合附图2、3予以具体说明:
本实施例五与前述第一个实施例的区别在于反光层的真空电镀工艺不同：
在步骤2）中，在单面陶瓷基PCB板的陶瓷面通过真空磁控溅射一
层银反光层，透过单面陶瓷基PCB板的光由反光性良好的银反光层反射回去，由此陶瓷PCB基板的反射率得以提高，反射率达到95%以上。
实施案例六
图2、图3、图4也给出了本发明一种反光陶瓷基PCB板制造方法的第六个具体实施例，下面结合附图2、3、4对其方法进行具体说明。
本实施例六与前述四个实施例的区别在于陶瓷基材的不同。
在步骤1）中，单面陶瓷基PCB板是单面有线路层及防焊层的陶瓷板，并且为反光性良好的氮化铝陶瓷板。为了达到反光效果，陶瓷基板要用厚度1.0mm以上的、反光率达到85%、氮化铝为96%的陶瓷板。
其它步骤及内容与前述五个实施例一致，经过上述步骤处理的氮化铝陶瓷基PCB板的反射率从85%提高至95%以上。
综上所述，本发明的制造方法简单，解决了现有技术中的陶瓷基PCB板反射率低下的问题，改变了高反射率陶瓷PCB基板依赖国外企业的局势。本发明提供的一种反光陶瓷基PCB板，具有很好的产品一致性，对我国LED大功率照明市场的发展有很大的促进作用。
Claims (14)
1.一种反光陶瓷基PCB板制造方法，反光陶瓷基PCB板包括陶瓷基PCB板、反光层、防护层，其特征在于：所述方法由下述步骤组成：
步骤1）准备一张做好线路层和防焊层的单面陶瓷基PCB板；
步骤2）在单面陶瓷基PCB板的陶瓷面附着一层反光层；
步骤3）在反光层上做防护处理；
步骤 4）分割反光陶瓷基PCB板。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在步骤1）中，所述的单面陶瓷基PCB板基材为氧化铝陶瓷板。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在步骤1）中，所述的单面陶瓷基PCB板基材为氮化铝陶瓷板。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在步骤2）中，所述的单面陶瓷基PCB板的陶瓷面附着一层反光层，其反光层为银反光层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在步骤2）中，所述的单面陶瓷基PCB板的陶瓷面附着一层反光层，其反光层为铝反光层。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在步骤2）中，所述的单面陶瓷基PCB板的陶瓷面附着一层反光层，工艺是真空镀。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述的单面陶瓷基PCB板反光层的附着方式是真空镀，采用的是真空蒸镀工艺。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述的单面陶瓷基PCB板反光层的附着方式是真空镀，采用的是真空磁控溅射工艺。
9.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述的银反光层是通过化学镀工艺获得。
10.根据权利要求１所述的方法，其特征在于：在步骤2）中，所述的单面陶瓷基PCB板的陶瓷面附着一层反光层，其反光层为反光纳米级PET层。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于：所述的单面陶瓷基PCB板的陶瓷面附着反光纳米级PET的反光层，是一层反光纳米级PET通过透明硅胶与单面陶瓷基PCB板的陶瓷面粘着。
12.根据权利要求１所述的方法，其特征在于：在步骤2）中，所述的单面陶瓷基PCB板的陶瓷面附着一层反光层，其反光层是反光油墨层。
13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在步骤3）中，所述在反光层上做防护处理，是在单面陶瓷基PCB反光层的背面形成保护层。
14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在步骤4）中，所述的分割反光陶瓷基PCB板，是通过激光切割机，分割出反光陶瓷基PCB板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410774346.7A CN104505448A (zh) | 2014-12-16 | 2014-12-16 | 一种反光陶瓷基pcb板制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410774346.7A CN104505448A (zh) | 2014-12-16 | 2014-12-16 | 一种反光陶瓷基pcb板制造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104505448A true CN104505448A (zh) | 2015-04-08 |
Family
ID=52947184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410774346.7A Pending CN104505448A (zh) | 2014-12-16 | 2014-12-16 | 一种反光陶瓷基pcb板制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104505448A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104812166A (zh) * | 2015-05-15 | 2015-07-29 | 何忠亮 | 一种反光导热金属基pcb板制造方法 |
| CN105666333A (zh) * | 2016-01-15 | 2016-06-15 | 应达利电子股份有限公司 | 一种薄型陶瓷盖体的制备方法 |
| CN106549091A (zh) * | 2016-07-31 | 2017-03-29 | 深圳市微纳科学技术有限公司 | 内设光反射层、用于led封装的陶瓷印刷电路板及方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201582618U (zh) * | 2009-12-02 | 2010-09-15 | 厦门通士达照明有限公司 | 一种新型格栅灯盘 |
| CN102130114A (zh) * | 2010-01-18 | 2011-07-20 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 户外显示屏用的smd型led器件及使用其的显示模组 |
| JP2011176106A (ja) * | 2010-02-24 | 2011-09-08 | Asahi Glass Co Ltd | 発光素子搭載用基板およびこれを用いた発光装置 |
| WO2014009311A1 (de) * | 2012-07-09 | 2014-01-16 | Ceramtec Gmbh | Lichtreflektierendes substrat für led-anwendungen |
-
2014
- 2014-12-16 CN CN201410774346.7A patent/CN104505448A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201582618U (zh) * | 2009-12-02 | 2010-09-15 | 厦门通士达照明有限公司 | 一种新型格栅灯盘 |
| CN102130114A (zh) * | 2010-01-18 | 2011-07-20 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 户外显示屏用的smd型led器件及使用其的显示模组 |
| JP2011176106A (ja) * | 2010-02-24 | 2011-09-08 | Asahi Glass Co Ltd | 発光素子搭載用基板およびこれを用いた発光装置 |
| WO2014009311A1 (de) * | 2012-07-09 | 2014-01-16 | Ceramtec Gmbh | Lichtreflektierendes substrat für led-anwendungen |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104812166A (zh) * | 2015-05-15 | 2015-07-29 | 何忠亮 | 一种反光导热金属基pcb板制造方法 |
| CN104812166B (zh) * | 2015-05-15 | 2017-12-22 | 深圳市环基实业有限公司 | 一种反光导热金属基pcb板制造方法 |
| CN105666333A (zh) * | 2016-01-15 | 2016-06-15 | 应达利电子股份有限公司 | 一种薄型陶瓷盖体的制备方法 |
| CN105666333B (zh) * | 2016-01-15 | 2018-06-19 | 应达利电子股份有限公司 | 一种薄型陶瓷盖体的制备方法 |
| CN106549091A (zh) * | 2016-07-31 | 2017-03-29 | 深圳市微纳科学技术有限公司 | 内设光反射层、用于led封装的陶瓷印刷电路板及方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102290524B (zh) | 一种led器件及其led模组器件 | |
| CN107538136A (zh) | 一种利用激光切割蓝宝石衬底led芯片的方法 | |
| CN104505448A (zh) | 一种反光陶瓷基pcb板制造方法 | |
| CN101321428A (zh) | 一种高散热电路板及其制作方法 | |
| CN108269899A (zh) | 荧光粉片供应模块、发光二极管封装结构及其制造方法 | |
| CN101814487A (zh) | 一种多芯片led光源模组及其制作方法 | |
| CN104812166A (zh) | 一种反光导热金属基pcb板制造方法 | |
| CN104363707A (zh) | 一种高散热led基板的制造方法 | |
| CN101515622A (zh) | 表面粗化的发光二极管芯片及其制造方法 | |
| CN103325916A (zh) | 发光二极管封装结构与其制造方法 | |
| CN103311385A (zh) | 一种直接贴焊的半导体发光共晶晶片的制造方法 | |
| CN208938998U (zh) | 一种提高光提取效率的深紫外发光二极管芯片 | |
| CN103489982B (zh) | 一种基于光子晶体-单层石墨烯结构的led | |
| CN105914267B (zh) | 一种利用激光切割制备蓝宝石衬底led芯片的方法 | |
| CN102581741B (zh) | 用于封装led的半球形透镜的制作工艺及其应用 | |
| CN203631607U (zh) | 一种高可靠性led光源及其led模组光源 | |
| CN202363515U (zh) | 一种led器件及其led模组器件 | |
| CN201450021U (zh) | 一种表面粗化的发光二极管芯片 | |
| CN102809100A (zh) | 背光源及其制备方法 | |
| CN103258933B (zh) | 晶片型led线路板运用镀铜防止封装过程中溢胶的方法 | |
| CN105679891A (zh) | 一种发光二极管芯片的制作方法 | |
| CN204516797U (zh) | 一种led图形优化封装基板、led封装体 | |
| CN203812908U (zh) | Led灯丝透明玻璃基板 | |
| CN211654856U (zh) | 一种紫外集成封装的陶瓷基板 | |
| CN102779909A (zh) | 提高大功率led陶瓷基板散热效率的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20150408 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |