CN104469615A - 终端设备及其耳机电路 - Google Patents

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封梅泉
黄江海
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Abstract

本发明公开了一种终端设备及其耳机电路,所述耳机电路包括一耳机座、一第一滤波磁珠和一去耦电容,所述耳机座包括一MIC脚,所述MIC脚通过所述第一滤波磁珠分别接入一音频解码芯片和所述去耦电容,所述去耦电容还接地。本发明能够弥补现有技术中难于符合CE认证中的CS和RS标准的不足,不仅能够符合CE认证中的CS标准和RS标准,还具有结构简单,成本小的优点。

Description

终端设备及其耳机电路
技术领域
本发明涉及一种终端设备及其耳机电路。
背景技术
CE认证是一种只限于产品不危及人类、动物和货品的安全方面的基本安全要求,很多电子设备或电路都需要得到CE认证,例如用于插耳机的耳机电路。耳机电路在进行CE认证时的难点在于如何符合CE认证中的CS(射频场感应的传导骚扰抗扰度)标准及RS(射频电磁场辐射抗扰度)标准。
发明内容
本发明要解决的技术问题是现有的耳机电路难于符合CE认证中的CS标准及RS标准,提供一种能够符合CE认证中的CS标准及RS标准的终端设备及其耳机电路。
本发明是通过下述技术方案解决上述技术问题的:
本发明提供一种耳机电路,其特点是,所述耳机电路包括一耳机座、一第一滤波磁珠和一去耦电容,所述耳机座包括一MIC(咪头)脚,所述MIC脚通过所述第一滤波磁珠分别接入一音频解码芯片和所述去耦电容,所述去耦电容还接地。
现有的耳机电路不容易符合CS标准的主要原因在于,在USB(通用串行总线)充电器插入耳机电路所属的终端设备时,USB充电器的干扰会通过地网络进入整个测试系统,所以当地作为参考平面带入了干扰时,即使测试信号本身没有受到干扰,也会因为参考平面的跳变而被动地产生变化。通过本技术方案,尤其是所述去耦电容的应用,能够很好的将测试信号与参考平面(即地信号)在高频状态下保持干扰的一致性,进而保证了本技术方案符合CS标准。又由于符合CS标准是符合RS标准的前提,所以本技术方案还能有助于耳机电路符合RS标准。
较佳的,所述MIC脚通过所述第一滤波磁珠接入所述音频解码芯片的MIC输入端。
较佳的,所述去耦电容为1nf至10nf。
较佳的,所述去耦电容为1nf。
较佳的,所述耳机电路还包括一旁路磁珠,所述耳机座还包括一GND(地)脚,所述GND脚通过所述旁路磁珠接地。
较佳的,所述旁路磁珠为220ohm100MHz至70ohm100MHz。即所述旁路磁珠在频率为100MHz时产生的阻抗为220ohm至70ohm。
本技术方案能够将耳机电路的地与耳机电路所属的终端设备的地统一起来,进一步保证了耳机电路能够符合CS标准和RS标准。
较佳的,所述旁路磁珠为220ohm100MHz或120ohm100MHz或70ohm100MHz。
较佳的,所述旁路磁珠的两端还分别通过一电阻接入一FM芯片的一对天线(两根天线)。
较佳的,所述耳机座还包括一左声道脚、一右声道脚、一第二滤波磁珠和一第三滤波磁珠,所述左声道脚通过所述第二滤波磁珠接入所述音频解码芯片的左声道,所述右声道脚通过所述第三滤波磁珠接入所述音频解码芯片的右声道。
本发明还提供一种终端设备,其特点是,包括如上述各优选条件任意组合的耳机电路。
在符合本领域常识的基础上,上述各优选条件,可任意组合,即得本发明各较佳实例。
本发明的积极进步效果在于:本发明的终端设备及其耳机电路不仅能够符合CE认证中的CS标准,进而符合RS标准,还具有结构简单,成本小的优点。
附图说明
图1为本发明实施例的耳机电路的电路图。
图2为本发明实施例的1号耳机电路的CS波形图。
图3为本发明实施例的2号耳机电路的CS波形图。
图4为本发明实施例的3号耳机电路的CS波形图。
图5为本发明实施例的4号耳机电路的CS波形图。
图6为本发明实施例的5号耳机电路的CS波形图。
图7为本发明实施例的6号耳机电路的CS波形图。
具体实施方式
下面通过实施例的方式进一步说明本发明,但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。
实施例
参见图1,一种耳机电路包括一耳机座J1501、一去耦电容C1511、一旁路磁珠L1501、一第一滤波磁珠B1502、一第二滤波磁珠B1504和一第三滤波磁珠B1506。
耳机座J1501包括一MIC+脚1、一GND脚2、一R_AUDIO(右声道)脚3、一DETECT(检测)脚4和一L_AUDIO(左声道)脚5。
MIC+脚1通过第一滤波磁珠B1502分别接入一音频解码芯片的HP_MIC脚(一个引脚,作为MIC输入端)和去耦电容C1511,去耦电容C1511还接地,去耦电容C1511为1nf至10nf。MIC+脚1还通过一第一瞬变电压抑制二极管D1504接地。第一瞬变电压抑制二极管D1504可以选用ESD9X5.OST5G_NC(一种瞬变电压抑制二极管的型号)。
L_AUDIO脚5通过第二滤波磁珠B1504接入所述音频解码芯片的AU_HPL脚(即左声道)。
DETECT脚4依次通过电阻B1501和电阻R1502接入所述音频解码芯片的EINT_EAR脚(用于输入一检测是否有耳机插入耳机座J1501的检测信号),DETECT脚4还依次通过电阻B1501和电阻R1501接入一供电单元VI018_PMU,DETECT脚4还通过一第二瞬变电压抑制二极管D1501接地。第二瞬变电压抑制二极管D1501可以选用ESD9P5.OST5G_NC(一种瞬变电压抑制二极管的型号)。
R_AUDIO脚3通过第三滤波磁珠B1506接入所述音频解码芯片的AU_HPR脚(即右声道)。
GND脚2通过旁路磁珠L1501接地,旁路磁珠L1501的与GND脚2连接的一端还通过电阻L1502接入一FM芯片的天线FM_ANT,旁路磁珠L1501接地的一端还通过电阻R1505接入所述FM芯片的天线FM_RX_NC。旁路磁珠L1501为220ohm100MHz至70ohm100MHz。
本实施例的终端设备(如手机)包括所述耳机电路、所述音频解码芯片、所述FM芯片和所述供电单元VI018_PMU。
现将一个手机分别采用以下五种耳机电路进行CS测试,见表1:
表1 四种耳机电路的特征
耳机电路编号 有无去耦电容C1511 旁路磁珠L1501
1 1kohm100MHz
2 有,1nf 1kohm100MHz
3 有,1nf 220ohm100MHz
4 有,1nf 120ohm100MHz
进行CS测试时,除表1示出的内容不同外,手机的其它部分均相同。由于CS测试的方法和要求具有明确的欧洲统一标准,所以具体的测试方法和过程不再赘述,直接对1-4号耳机电路的测试结果进行说明:
图2为1号耳机电路的CS波形,其中横坐标为Frequency(频率,单位为Hz),纵坐标为ABT_UL(音频突发上行干扰度,以1kHz为参考源,以对数方式表达,单位为dBPa),图中的横线A表示标准值(-35dBPa)。1号耳机电路不包括去耦电容C1511,并且旁路磁珠L1501为1kohm100MHz,由图2可以看出,Frequency在小于4MHz时ABT_UL相对平稳且低于标准值,也就是符合CS标准,在4至10MHz之间时ABT_UL出现了明显波动但仍低于标准值,在大于10MHz时ABT_UL的波动更剧烈且经常处于大于标准值的状态,在Frequency等于80MHz时ABT_UL为-30.793dBPa(即图2中波形末端的三角处)。
图3为2号耳机电路的CS波形,其中横坐标和纵坐标与图2相同,横线A依然表示标准值。在1号耳机电路的基础上加入了1nf的去耦电容C1511后得到2号耳机电路,由图3可以看出,2号耳机电路的Frequency在4至75MHz之间时ABT_UL基本上低于标准值,但在4至20MHz之间时ABT_UL的波动较大,在Frequency大于75MHz时ABT_UL大于标准值,在Frequency等于80MHz时ABT_UL为-31.157dBPa(即图3中波形末端的三角处)。注:由于1号耳机电路在Frequency小于4MHz时ABT_UL已经相对平稳且低于标准值,所以2号耳机电路在Frequency小于4MHz时虽然没有进行CS测试,但根据理论推导也应该符合CS标准。通过图3和图2的比较可以看出,加入了去耦电容C1511的耳机电路相比于没有加入去耦电容的耳机电路更符合CS标准。
图4为3号耳机电路的CS波形,其中横坐标和纵坐标与图2相同,横线A依然表示标准值。在2号耳机电路的基础上将旁路磁珠L1501调整为220ohm100MHz得到3号耳机电路,由图4可以看出,3号耳机电路的Frequency在小于80MHz时ABT_UL均低于标准值,在Frequency等于80MHz时ABT_UL为-31.157dBPa(即图4中波形末端的三角处)。通过图4和图3的比较可以看出,旁路磁珠L1501为220ohm100MHz的耳机电路相比于旁路磁珠L1501为1kohm100MHz的耳机电路在高频部分得到了很大的改善。
图5为4号耳机电路的CS波形,其中横坐标和纵坐标与图2相同,横线A依然表示标准值。在2号耳机电路的基础上将旁路磁珠L1501调整为120ohm100MHz得到4号耳机电路,由图5可以看出,4号耳机电路的Frequency在小于或等于80MHz时ABT_UL均远远低于标准值。通过图5和图4的比较可以看出,旁路磁珠L1501为120ohm100MHz的耳机电路相比于旁路磁珠L1501为220ohm100MHz的耳机电路在整个频段的ABT_UL都大大降低。
下面将另一手机分别采用以下两种耳机电路作CS测试,见表2:
表2 两种耳机电路的特征
耳机电路编号 有无去耦电容C1511 旁路磁珠L1501
5 1kohm100MHz
6 有,1nf 70ohm100MHz
对5-6号耳机电路的测试结果如下:
图6为5号耳机电路的CS波形,其中横坐标和纵坐标与图2相同,横线A依然表示标准值。由图6可以看出,Frequency在小于5MHz时ABT_UL相对平稳且低于标准值,也就是符合CS标准,在10MHz至40MHz之间时ABT_UL出现了明显波动但基本低于标准值,在5至10MHz之间及40至80MHz之间时ABT_UL的波动更剧烈且基本大于标准值。
图7为6号耳机电路的CS波形,其中横坐标和纵坐标与图2相同,横线A依然表示标准值。在5号耳机电路的基础上加入了1nf的去耦电容C1511且将旁路磁珠L1501调整为70ohm100MHz后得到6号耳机电路,由图6可以看出,6号耳机电路的Frequency在小于80MHz时ABT_UL的波动十分平稳且远远低于标准值,在Frequency等于80MHz时ABT_UL为-65.242dBPa(即图7中波形末端的三角处)。通过图7和图6的比较可以看出,加入了去耦电容C1511且旁路磁珠L1501为70ohm100MHz的耳机电路相比于没有加入去耦电容且旁路磁珠L1501为1kohm100MHz的耳机电路更符合CS标准。
通过上述CS测试,可以看出,本实施例的耳机电路能够很好的符合CS标准,进而为符合RS标准提供了很好的基础。虽然本实施例只提供了去耦电容C1511为1nf时的CS测试结果而未给出去耦电容C1511为10nf时的CS测试结果,但通过相同的测试方式或理论推导的方式可以得出,去耦电容C1511为10nf同样能使耳机电路符合CS标准,甚至效果更优,进而使得耳机电路符合RS标准。
虽然以上描述了本发明的具体实施方式,但是本领域的技术人员应当理解,这些仅是举例说明,本发明的保护范围是由所附权利要求书限定的。本领域的技术人员在不背离本发明的原理和实质的前提下,可以对这些实施方式做出多种变更或修改,但这些变更和修改均落入本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种耳机电路,其特征在于,所述耳机电路包括一耳机座、一第一滤波磁珠和一去耦电容,所述耳机座包括一MIC脚,所述MIC脚通过所述第一滤波磁珠分别接入一音频解码芯片和所述去耦电容,所述去耦电容还接地。
2.如权利要求1所述的耳机电路,其特征在于,所述MIC脚通过所述第一滤波磁珠接入所述音频解码芯片的MIC输入端。
3.如权利要求1所述的耳机电路,其特征在于,所述去耦电容为1nf至10nf。
4.如权利要求3所述的耳机电路,其特征在于,所述去耦电容为1nf。
5.如权利要求1-4中任意一项所述的耳机电路,其特征在于,所述耳机电路还包括一旁路磁珠,所述耳机座还包括一GND脚,所述GND脚通过所述旁路磁珠接地。
6.如权利要求5所述的耳机电路,其特征在于,所述旁路磁珠为220ohm100MHz至70ohm100MHz。
7.如权利要求6所述的耳机电路,其特征在于,所述旁路磁珠为220ohm100MHz或120ohm100MHz或70ohm100MHz。
8.如权利要求5所述的耳机电路,其特征在于,所述旁路磁珠的两端还分别通过一电阻接入一FM芯片的一对天线。
9.如权利要求1-8中任意一项所述的耳机电路,其特征在于,所述耳机座还包括一左声道脚、一右声道脚、一第二滤波磁珠和一第三滤波磁珠,所述左声道脚通过所述第二滤波磁珠接入所述音频解码芯片的左声道,所述右声道脚通过所述第三滤波磁珠接入所述音频解码芯片的右声道。
10.一种终端设备,其特征在于,包括如权利要求1-9中任意一项所述的耳机电路。
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