CN104466673A - 补偿超辐射发光二极管光源波长温度漂移的装置和方法 - Google Patents

补偿超辐射发光二极管光源波长温度漂移的装置和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104466673A
CN104466673A CN201410548767.8A CN201410548767A CN104466673A CN 104466673 A CN104466673 A CN 104466673A CN 201410548767 A CN201410548767 A CN 201410548767A CN 104466673 A CN104466673 A CN 104466673A
Authority
CN
China
Prior art keywords
super
wavelength
emitting diode
optical amplifier
semiconductor optical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410548767.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104466673B (zh
Inventor
陈杏藩
何沛彤
汪樟海
刘承
舒晓武
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhejiang University ZJU
Original Assignee
Zhejiang University ZJU
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhejiang University ZJU filed Critical Zhejiang University ZJU
Priority to CN201410548767.8A priority Critical patent/CN104466673B/zh
Publication of CN104466673A publication Critical patent/CN104466673A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104466673B publication Critical patent/CN104466673B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种补偿超辐射发光二极管光源波长温度漂移的装置和方法。超辐射发光二极管的光源尾纤与半导体光放大器输入端相连,温度传感器探测超辐射发光二极管管芯的温度信号并将其输入到信号处理模块,信号处理模块产生调整信号并将其输入到半导体光放大器的工作参数控制端,从而对半导体光放大器的驱动电流进行控制,对超辐射发光二极管平均波长的温度漂移进行补偿,改善其波长稳定性。本发明能满足应用中对超辐射发光二极管光源波长稳定性的要求,不需要温度控制等设备,结构简单。

Description

补偿超辐射发光二极管光源波长温度漂移的装置和方法
技术领域
本发明涉及光源信号的处理方法,尤其是涉及一种补偿超辐射发光二极管光源波长温度漂移的装置和方法。
背景技术
超辐射发光二极管(SLD)是一种宽光谱、弱时间相干性、大功率、高效率的半导体光发射器件,其光学性质介于半导体激光器(LD)和半导体发光二极管(LED)之间,具有比LD更宽的发光光谱和更短的相干长度,具有比LED更高的输出功率,集宽光谱和大功率的优点于一身。
SLD宽光谱和大功率的独特优势使其在低相干测量系统中被广泛应用,主要包括干涉式光纤陀螺(IFOG)、光学相干层析技术(OCT)、光时域反射仪(OTDR)、光频域反射仪(OFDR)、白光干涉仪、分布式光纤传感等方面。SLD光源的稳定性对这些系统的精度和稳定度有较大影响。所以,控制SLD高稳定输出具有极其重要的意义。以光纤陀螺为例,光纤陀螺的精度受SLD光源的稳定性影响很大。SLD光源的平均波长与光纤陀螺的标度因数成比例关系,而标度因数直接决定了光纤陀螺的精度。
平均波长的定义如下:
其中,P(λi)表示波长为λi的光的功率密度,上式表示平均波长是波长对功率密度的加权平均。
目前使用的SLD,存在光谱稳定性较差的问题,其中心波长与温度及工作电流都有关系,平均波长随温度有约400×10-6/K的漂移,随电流有约40×10-6/mA的变化。因此,目前对SLD光源的驱动和控制普遍采用恒流源驱动加光反馈控制和温控的方法,即“恒流+温控”驱动方式。一方面用精密恒流源给SLD提供注入电流;另一方面控制SLD光源发光管的温度,使温度稳定在一个精确的范围内。该方案可在一定程度上改善波长的稳定性,但系统结构比较复杂。
发明内容
针对目前超辐射发光二极管光源的输出光的平均波长随温度的波动而波动的问题,本发明的目的在于提供一种补偿超辐射发光二极管光源波长温度漂移的装置和方法,满足相关应用中对超辐射发光二极管的输出光波长稳定性的要求。
本发明所采用的技术方案的步骤如下:
一、一种补偿超辐射发光二极管光源波长温度漂移的装置:
包括超辐射发光二极管、半导体光放大器、温度传感器、和信号处理模块;超辐射发光二极管的光源尾纤与半导体光放大器输入端相连,温度传感器探测超辐射发光二极管管芯的温度信号并将其输入到信号处理模块,信号处理模块产生调整信号并将其输入到半导体光放大器的工作参数控制端,从而对半导体光放大器的驱动电流进行控制。
所述的半导体光放大器工作在线性增益区。
二、一种补偿超辐射发光二极管光源波长温度漂移的方法,包括以下步骤:
A)首先进行装置标定,用光谱仪对超辐射发光二极管和半导体光放大器分别进行测量,得到超辐射发光二极管管芯温度与其光源平均波长的关系以及半导体光放大器对输入光平均波长的改变量与驱动电流的关系;
B)超辐射发光二极管发出的光信号,经尾纤耦合输入到半导体光放大器中,半导体光放大器的输出光作为输出光信号;
C)温度传感器获取超辐射发光二极管管芯的温度信号并将其输入到信号处理模块进行处理,信号处理模块产生调整信号调节半导体光放大器的增益谱,对超辐射发光二极管平均波长波动进行补偿,改善其波长稳定性。
所述的步骤A)中,超辐射发光二极管管芯温度与其光源平均波长的关系采用以下方式得到:根据超辐射发光二极管光源的工作温度范围,用光谱仪测量一系列等间隔的温度下对应的超辐射发光二极管光源的平均波长,得到超辐射发光二极管光源平均波长与管芯温度的关系。
所述的步骤A)中,半导体光放大器对输入光平均波长的改变量与驱动电流的关系采用以下方式得到:将超辐射发光二极管光源发出的光信号输入半导体光放大器中,根据半导体光放大器的放大倍数将半导体光放大器的驱动电流在工作范围内变化,用光谱仪测量一系列等间隔半导体光放大器的驱动电流下对应的输出光信号的平均波长,并与输入光信号的平均波长进行比较,然后得到半导体光放大器对输入光平均波长的改变量与驱动电流的关系。
所述的步骤C)的控制过程中,信号处理模块中设置光源平均波长预期值λm,根据标定得到的超辐射发光二极管管芯温度与其光源平均波长的关系计算得到光源平均波长预期值λm对应的管芯温度Tm,并且得到当超辐射发光二极管管芯温度升高ΔT时,超辐射发光二极管的光源平均波长增大Δλ2
根据标定得到的半导体光放大器对输入光平均波长的改变量与驱动电流的关系,得到半导体光放大器的驱动电流增大ΔI,经半导体光放大器输出光信号的平均波长减小Δλ1
则当温度传感器探测到的管芯温度Tm0>Tm时,信号处理模块产生调整信号,将半导体光放大器的驱动电流提高(Tm0-Tm)·Δλ2ΔI/(ΔTΔλ1),使半导体光放大器的增益谱峰值向短波长方向移动,从而使输出光信号的平均波长λm0降至λm
当温度传感器探测到的管芯温度Tm0<Tm时,信号处理模块产生调整信号,将半导体光放大器的驱动电流降低(Tm-Tm0)·Δλ2ΔI/(ΔTΔλ1),使半导体光放大器的增益谱峰值向长波长方向移动,从而使输出光信号的平均波长λm0升至λm
当温度传感器探测到的管芯温度Tm0=Tm时,信号处理模块对半导体光放大器的驱动电流不进行调整。
所述的半导体光放大器工作在线性增益区。
本发明具有的有益效果是:
本发明利用半导体光放大器较宽的增益带宽,通过控制系统调节半导体光放大器驱动电流使半导体光放大器增益谱峰值波长移动,实现对超辐射发光二极管光源平均波长波动的补偿,改善光源波长稳定性,以满足相关应用中对超辐射发光二极管的输出光的波长稳定性的要求。本发明装置不需要温度控制等设备,结构简单。
附图说明
图1是本发明装置的结构示意图。
图2是半导体光放大器的增益谱示意图。
图3是半导体光放大器增益谱与驱动电流关系示意图。
图4是实施例补偿前后的超辐射发光二极管光源平均波长和对应的半导体光放大器驱动电流随时间变化的示意图。
图5是实施例补偿后的超辐射发光二极管光源平均波长随时间变化的示意图。
图中:1、超辐射发光二极管,2、半导体光放大器,3、温度传感器,4、信号处理模块。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
如图1所示,本发明装置采用根据预先标定数据进行查表反馈的控制方式,包括超辐射发光二极管1、半导体光放大器2、温度传感器3、和信号处理模块4;超辐射发光二极管1的光源尾纤与半导体光放大器2输入端相连,温度传感器3探测超辐射发光二极管1管芯的温度信号并将其输入到信号处理模块4,信号处理模块4产生调整信号并将其输入到半导体光放大器2的工作参数控制端,从而对半导体光放大器2的驱动电流进行控制,进而实现对超辐射发光二极管1的平均波长波动的补偿,改善其波长稳定性。
半导体光放大器工作在线性增益区。
本发明装置的监测方法是:
A)首先进行装置标定,用光谱仪对超辐射发光二极管和半导体光放大器分别进行测量,得到超辐射发光二极管管芯温度与其光源平均波长的关系以及半导体光放大器对输入光平均波长的改变量与驱动电流的关系;
根据超辐射发光二极管光源的工作温度范围,用光谱仪测量一系列等间隔的温度下对应的超辐射发光二极管光源的平均波长,得到超辐射发光二极管光源平均波长与管芯温度的关系。
将超辐射发光二极管光源发出的光信号输入半导体光放大器中,根据半导体光放大器的放大倍数将半导体光放大器的驱动电流在工作范围内变化,用光谱仪测量一系列等间隔半导体光放大器的驱动电流下对应的输出光信号的平均波长,并与输入光信号的平均波长进行比较,然后得到半导体光放大器对输入光平均波长的改变量与驱动电流的关系。优选地,在将半导体光放大器的驱动电流由100mA逐渐增大至200mA过程中,其逐步增加的间隔为0.5mA。
B)超辐射发光二极管发出的光信号,经尾纤耦合输入到半导体光放大器中,半导体光放大器的输出光作为输出光信号;
C)温度传感器获取超辐射发光二极管管芯的温度信号并将其输入到信号处理模块进行处理,信号处理模块产生调整信号调节半导体光放大器的增益谱,对超辐射发光二极管平均波长波动进行补偿,改善其波长稳定性。
步骤C)的控制过程中,信号处理模块中设置光源平均波长预期值λm,根据标定得到的超辐射发光二极管管芯温度与其光源平均波长的关系计算得到光源平均波长预期值λm对应的管芯温度Tm,并且得到当超辐射发光二极管管芯温度升高ΔT时,超辐射发光二极管的光源平均波长增大Δλ2;根据标定得到的半导体光放大器对输入光平均波长的改变量与驱动电流的关系,得到半导体光放大器的驱动电流增大ΔI,经半导体光放大器输出光信号的平均波长减小Δλ1
当温度传感器探测到的管芯温度Tm0>Tm时,信号处理模块产生调整信号,将半导体光放大器的驱动电流提高(Tm0-Tm)·Δλ2ΔI/(ΔTΔλ1),使半导体光放大器的增益谱峰值向短波长方向移动,从而使输出光信号的平均波长λm0降至λm;当温度传感器探测到的管芯温度Tm0<Tm时,信号处理模块产生调整信号,将半导体光放大器的驱动电流降低(Tm-Tm0)·Δλ2ΔI/(ΔTΔλ1),使半导体光放大器的增益谱峰值向长波长方向移动,从而使输出光信号的平均波长λm0升至λm;当温度传感器探测到的管芯温度Tm0=Tm时,信号处理模块对半导体光放大器的驱动电流不进行调整。
半导体光放大器工作在线性增益区。
半导体光放大器(SOA)是出现最早的光放大器,它的基本结构类似于无反馈或反馈量不足以引起振荡的半导体激光器。半导体光放大器利用半导体PN结的光电子学特性,在正偏压、强注入电流作用下,有源区半导体内的导带与价带间由于非平衡载流子的注入而形成粒子数分布反转,在入射光作用下通过受激辐射产生光增益,使输入光信号得到放大。
半导体光放大器的增益特性是它的一个重要特性。半导体光放大器通常有比较宽的增益带宽,可以用于对宽谱光的放大。如图2所示为半导体光放大器的增益谱示意图。横坐标为波长,纵坐标为增益值。半导体光放大器具有比较宽的增益谱,并且对不同波长分量的增益不同,所以可以对光源光信号的平均波长加以调整,改善光源波长稳定性。除用于超辐射发光二极管外,本发明也适用于其它半导体光源。
半导体光放大器的增益是输出光功率Pout与输入光功率Pin之比,通常也用分贝(dB)为单位来表示增益,即:
G(dB)=10lg(Pout/Pin)
半导体光放大器的增益通常与它的结构、材料以及注入电流等工作参数有关。随着半导体光放大器注入电流的增加,其增益峰值将会向短波长方向移动。本发明利用半导体光放大器这一性质,可以对宽谱光源的平均波长波动进行补偿。
如图3所示为半导体光放大器不同驱动电流对应的增益谱示意图,从下到上对应的驱动电流依次提高。横坐标为波长,纵坐标为增益值。随着半导体光放大器驱动电流的增加,其增益峰值将会向短波长方向移动。本发明利用这一性质,根据探测到的光源平均波长的波动情况调整半导体光放大器驱动电流大小,进而补偿光源平均波长随温度的漂移,改善光源波长稳定性。
本发明的实施例如下:
实施例使用的超辐射发光二极管光源的工作温度范围为-40℃~70℃。将超辐射发光二极管放入温箱中,将温箱温度由-40℃逐渐升至70℃,用光谱仪测量温度变化时相应的超辐射发光二极管光源的平均波长,得到温度和平均波长的一组对应数据,由此可得超辐射发光二极管光源平均波长与温度的关系。将超辐射发光二极管光源发出的光信号输入半导体光放大器中,将半导体光放大器的驱动电流由100mA逐渐增大至200mA,用光谱仪测量半导体光放大器驱动电流变化时相应的输出光信号的平均波长,得到驱动电流和平均波长的一组对应数据,由此可得到半导体光放大器对输入光平均波长的改变量与驱动电流的关系。
根据实际的标定数据,超辐射发光二极管管芯温度升高1K,其平均波长增大400ppm;半导体光放大器的驱动电流增大1mA,经过它之后光信号的平均波长减小80ppm。应用要求光源输出光平均波长为1310nm。根据标定结果,超辐射发光二极管管芯温度为25℃时,其平均波长为1310nm。当温度探测器探测到的温度为26℃时,将半导体光放大器的驱动电流提高5mA,即可将超辐射发光二极管光源平均波长稳定至要求的1310nm,使该光源的波长稳定性得到改善。
如图4所示为本实施例补偿前的超辐射发光二极管光源平均波长和调整后的半导体光放大器驱动电流随时间变化的示意图。横坐标为时间,纵坐标分别为平均波长和电流值。在如图所示的时间内,对超辐射发光二极管光源的管芯温度做7次温度循环,以正弦形式变化,超辐射发光二极管光源的平均波长也随之以正弦形式波动,通过控制半导体光放大器的驱动电流按如图所示规律变化,补偿光源平均波长波动。通过本发明控制后,如图5所示,超辐射发光二极管的平均波长基本稳定在1310nm附近。由此可见,本发明实现了对光源平均波长温度漂移的补偿,光源的波长稳定性得到改善。
上述具体实施方式用来解释说明本发明,而不是对本发明进行限制,在本发明的精神和权利要求的保护范围内,对本发明作出的任何修改和改变,都落入本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种补偿超辐射发光二极管光源波长温度漂移的装置,其特征在于:包括超辐射发光二极管(1)、半导体光放大器(2)、温度传感器(3)、和信号处理模块(4);超辐射发光二极管(1)的光源尾纤与半导体光放大器(2)输入端相连,温度传感器(3)探测超辐射发光二极管(1)管芯的温度信号并将其输入到信号处理模块(4),信号处理模块(4)产生调整信号并将其输入到半导体光放大器(2)的工作参数控制端,从而对半导体光放大器(2)的驱动电流进行控制。
2.根据权利要求1所述的一种补偿超辐射发光二极管光源波长温度漂移的装置,其特征在于:所述的半导体光放大器工作在线性增益区。
3.应用于权利要求1所述装置的一种补偿超辐射发光二极管光源波长温度漂移的方法,其特征在于包括以下步骤:
A)首先进行装置标定,用光谱仪对超辐射发光二极管和半导体光放大器分别进行测量,得到超辐射发光二极管管芯温度与其光源平均波长的关系以及半导体光放大器对输入光平均波长的改变量与驱动电流的关系;
B)超辐射发光二极管发出的光信号,经尾纤耦合输入到半导体光放大器中,半导体光放大器的输出光作为输出光信号;
C)温度传感器获取超辐射发光二极管管芯的温度信号并将其输入到信号处理模块进行处理,信号处理模块产生调整信号调节半导体光放大器的增益谱,对超辐射发光二极管平均波长波动进行补偿,改善其波长稳定性。
4.根据权利要求3所述的一种补偿超辐射发光二极管光源波长温度漂移的方法,其特征在于:所述的步骤A)中,超辐射发光二极管管芯温度与其光源平均波长的关系采用以下方式得到:根据超辐射发光二极管光源的工作温度范围,用光谱仪测量一系列等间隔的温度下对应的超辐射发光二极管光源的平均波长,得到超辐射发光二极管光源平均波长与管芯温度的关系。
5.根据权利要求3所述的一种补偿超辐射发光二极管光源波长温度漂移的方法,其特征在于:所述的步骤A)中,半导体光放大器对输入光平均波长的改变量与驱动电流的关系采用以下方式得到:将超辐射发光二极管光源发出的光信号输入半导体光放大器中,根据半导体光放大器的放大倍数将半导体光放大器的驱动电流在工作范围内变化,用光谱仪测量一系列等间隔半导体光放大器的驱动电流下对应的输出光信号的平均波长,并与输入光信号的平均波长进行比较,然后得到半导体光放大器对输入光平均波长的改变量与驱动电流的关系。
6.根据权利要求3所述的一种补偿超辐射发光二极管光源波长温度漂移的方法,其特征在于:所述的步骤C)的控制过程中,信号处理模块中设置光源平均波长预期值λm,根据标定得到的超辐射发光二极管管芯温度与其光源平均波长的关系计算得到光源平均波长预期值λm对应的管芯温度Tm,并且得到当超辐射发光二极管管芯温度升高ΔT时,超辐射发光二极管的光源平均波长增大Δλ2
根据标定得到的半导体光放大器对输入光平均波长的改变量与驱动电流的关系,得到半导体光放大器的驱动电流增大ΔI,经半导体光放大器输出光信号的平均波长减小Δλ1
则当温度传感器探测到的管芯温度Tm0>Tm时,信号处理模块产生调整信号,将半导体光放大器的驱动电流提高(Tm0-Tm)∙Δλ2ΔI/(ΔTΔλ1),使半导体光放大器的增益谱峰值向短波长方向移动,从而使输出光信号的平均波长λm0降至λm
当温度传感器探测到的管芯温度Tm0<Tm时,信号处理模块产生调整信号,将半导体光放大器的驱动电流降低(Tm-Tm0)∙Δλ2ΔI/(ΔTΔλ1),使半导体光放大器的增益谱峰值向长波长方向移动,从而使输出光信号的平均波长λm0升至λm
当温度传感器探测到的管芯温度Tm0=Tm时,信号处理模块对半导体光放大器的驱动电流不进行调整。
7.根据权利要求3所述的一种补偿超辐射发光二极管光源波长温度漂移的方法,其特征在于:所述的半导体光放大器工作在线性增益区。
CN201410548767.8A 2014-10-16 2014-10-16 补偿超辐射发光二极管光源波长温度漂移的装置和方法 Expired - Fee Related CN104466673B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410548767.8A CN104466673B (zh) 2014-10-16 2014-10-16 补偿超辐射发光二极管光源波长温度漂移的装置和方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410548767.8A CN104466673B (zh) 2014-10-16 2014-10-16 补偿超辐射发光二极管光源波长温度漂移的装置和方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104466673A true CN104466673A (zh) 2015-03-25
CN104466673B CN104466673B (zh) 2017-06-13

Family

ID=52912282

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410548767.8A Expired - Fee Related CN104466673B (zh) 2014-10-16 2014-10-16 补偿超辐射发光二极管光源波长温度漂移的装置和方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104466673B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106533552A (zh) * 2016-10-27 2017-03-22 武汉光迅科技股份有限公司 一种光放大器突发模式下的光功率和增益探测装置和方法
CN107543537A (zh) * 2017-07-10 2018-01-05 北京控制工程研究所 一种提高光纤陀螺标度因数稳定性的方法
CN110112649A (zh) * 2019-04-29 2019-08-09 安徽安匠信息科技有限公司 低成本自动标定dfb激光器波长的方法及装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5185643A (en) * 1990-12-10 1993-02-09 Carl-Zeiss-Stiftung Arrangement for operating a laser diode
CN1184825A (zh) * 1996-12-09 1998-06-17 何顺生 废橡胶、废塑料、废泡沫综合利用技术
CN1717849A (zh) * 2003-05-13 2006-01-04 日本电信电话株式会社 光模块及其波长监视控制方法
CN101529757A (zh) * 2006-10-19 2009-09-09 国际商业机器公司 用于光纤数据通信的光发射机
CN101847825A (zh) * 2009-03-27 2010-09-29 古河电气工业株式会社 波长可变光源装置
CN102299470A (zh) * 2011-07-15 2011-12-28 武汉光迅科技股份有限公司 一种掺铒光纤超荧光光源泵浦激光器的温度补偿方法及其装置
US20130010821A1 (en) * 2010-03-18 2013-01-10 Qd Laser, Inc. Laser system

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5185643A (en) * 1990-12-10 1993-02-09 Carl-Zeiss-Stiftung Arrangement for operating a laser diode
CN1184825A (zh) * 1996-12-09 1998-06-17 何顺生 废橡胶、废塑料、废泡沫综合利用技术
CN1717849A (zh) * 2003-05-13 2006-01-04 日本电信电话株式会社 光模块及其波长监视控制方法
CN101529757A (zh) * 2006-10-19 2009-09-09 国际商业机器公司 用于光纤数据通信的光发射机
CN101847825A (zh) * 2009-03-27 2010-09-29 古河电气工业株式会社 波长可变光源装置
US20130010821A1 (en) * 2010-03-18 2013-01-10 Qd Laser, Inc. Laser system
CN102299470A (zh) * 2011-07-15 2011-12-28 武汉光迅科技股份有限公司 一种掺铒光纤超荧光光源泵浦激光器的温度补偿方法及其装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106533552A (zh) * 2016-10-27 2017-03-22 武汉光迅科技股份有限公司 一种光放大器突发模式下的光功率和增益探测装置和方法
CN106533552B (zh) * 2016-10-27 2019-03-19 武汉光迅科技股份有限公司 一种光放大器突发模式下的光功率和增益探测装置和方法
US10797798B2 (en) 2016-10-27 2020-10-06 Accelink Technologies Co., Ltd. Optical power and gain detection apparatus and method for optical amplifier in burst mode
CN107543537A (zh) * 2017-07-10 2018-01-05 北京控制工程研究所 一种提高光纤陀螺标度因数稳定性的方法
CN107543537B (zh) * 2017-07-10 2019-12-20 北京控制工程研究所 一种提高光纤陀螺标度因数稳定性的方法
CN110112649A (zh) * 2019-04-29 2019-08-09 安徽安匠信息科技有限公司 低成本自动标定dfb激光器波长的方法及装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN104466673B (zh) 2017-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102629731B (zh) 一种激光器波长和功率同时稳定的控制方法及其控制装置
US8855484B2 (en) Method for controlling optical power and extinction ratio over entire temperature range
US9964453B2 (en) Device and method for high precision fiber-optic temperature profile measurements in long length areas
EP4224250A3 (en) Mode control of photonic crystal fiber based broadband light sources
CN101479896B (zh) 可变增益光放大器
JPH0697548A (ja) レーザダイオードの出力パワーを制御する装置
CN104319624A (zh) 一种超辐射发光二极管光源功率波动的补偿装置和方法
US9089084B2 (en) Method to produce optical transceiver
CN104466673A (zh) 补偿超辐射发光二极管光源波长温度漂移的装置和方法
CN103872569A (zh) 稳定掺铒光纤光源波长和功率的方法、装置及相应的光源
US9952104B2 (en) Optical fiber temperature distribution measuring device
CN103969200B (zh) 用于在测量气体中测量气体成分浓度的方法
CN101929880A (zh) 一种新型布里渊光时域分析器
CN105487574A (zh) 用于激光器的温控系统、用于高敏检测的方法和装置
US8432535B2 (en) Optoelectronic range finder
CN102738694A (zh) 一种利用f-p干涉仪实现激光稳频的方法
CN104659646A (zh) 一种实现掺铒光纤光源平均波长全温稳定的方法
CN104300360A (zh) 一种改善超辐射发光二极管光源波长稳定性的装置和方法
CN202406334U (zh) 超辐射发光二极管快速自动温度补偿与驱动模块
US9414448B2 (en) Stability of an optical source in an optical network test instrument
CN207528251U (zh) 一种光纤纠偏器
JP2016066671A (ja) 波長可変光源および温度制御初期値の決定方法
JP6314678B2 (ja) 光ファイバ温度分布測定装置
CH635465A5 (it) Procedimento e circuito di pilotaggio di un dispositivo elettronico non lineare a soglia.
CN109936906B (zh) 光阴极电子枪射频同步慢飘抑制装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CB03 Change of inventor or designer information
CB03 Change of inventor or designer information

Inventor after: Zhang Dengwei

Inventor after: Chen Xingfan

Inventor after: He Peitong

Inventor after: Wang Zhanghai

Inventor after: Liu Cheng

Inventor after: Shu Xiaowu

Inventor before: Chen Xingfan

Inventor before: He Peitong

Inventor before: Wang Zhanghai

Inventor before: Liu Cheng

Inventor before: Shu Xiaowu

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20170613

Termination date: 20201016