CN104465813A - 用于纳米结型光伏器件的光电转换方法 - Google Patents

用于纳米结型光伏器件的光电转换方法 Download PDF

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Abstract

一种用于纳米结型光伏器件的光电转换方法，包括：制备半导体异质结，在半导体异质结表面制作依次平行布置的第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极，每个金属电极均包括隔开的且相对布置的两个电极部分；在金属电极上通电以便形成双量子点系统；其中在第一金属电极和第二金属电极之间形成第一半导体量子点，而且在第二金属电极和第三金属电极之间形成第二半导体量子点；调整第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极上的偏压，使得包含第一半导体量子点和第二半导体量子点的双量子点系统在导电时只有两个单电子态起作用，而且使得在导电时双量子点系统内最多只能有一个激发电子，而且激发电子在点间隧穿作用下吸收具有预定能量的光子。

Description

用于纳米结型光伏器件的光电转换方法
技术领域
本发明涉及可再生清洁能源应用领域，具体涉及半导体光伏器件领域；而且，更具体地说，本发明涉及一种用于纳米结型光伏器件的光电转换方法。
背景技术
近几年占我国每年发电量八成多的以煤炭为主的火力发电是造成雾霾等环境问题的元凶之一，严重影响了人们日常生活甚至身心健康。不仅如此，以石油、天然气、煤炭为主要能源的现代社会更面临着化石能源日益枯竭的威胁。因此，大力发展核电、水电、风电、太阳能等新型能源已成为社会共识。
作为一种可再生的清洁能源，太阳能愈来愈受到人们的欢迎，以半导体太阳能电池为代表的光伏产业发展迅速。但是，目前的半导体太阳能电池发电效率仍然偏低，发电过程中吸收的光能大量地以热的形式消耗掉了，这是制约大幅提升光电转化效率、获得大光电功率的关键瓶颈之一。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够有效地提高纳米结型光伏器件的光电转换效率的方法，其中为了进一步提高半导体太阳能电池的光电转化效率，改进了常见的量子点光伏器件结构，提供了一种利用量子点间的相干电子隧穿作用来增强光伏效应的方法。
为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种用于纳米结型光伏器件的光电转换方法，包括：
第一步骤，用于制备半导体异质结(用于纳米结型光伏器件的纳米异质结)，并且在半导体异质结表面制作多个金属电极；所述多个金属电极包括依次平行布置的第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极，而且每个金属电极均包括隔开的且相对布置的两个电极部分；
第二步骤，用于在多个金属电极上通电以便在多个金属电极之间的半导体二维电子气中形成具有点间电子隧穿作用的双量子点系统；其中在第一金属电极的两个电极部分和第二金属电极的两个电极部分之间形成第一半导体量子点，而且在第二金属电极的两个电极部分和第三金属电极的两个电极部分之间形成第二半导体量子点；
第三步骤，用于调整第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极上的偏压，使得包含第一半导体量子点和第二半导体量子点的双量子点系统在导电时只有两个单电子态起作用，而且使得在导电时双量子点系统内最多只能有一个激发电子，而且激发电子在点间隧穿作用下吸收具有预定能量的光子。
优选地，第二步骤进一步包括将第一半导体量子点和第二半导体量子点分别与电子导线连接以形成光电流通道。
优选地，激发电子在点间隧穿作用下吸收的光子的预定能量由双量子点系统的单电子态能极差决定。
优选地，第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极的结构相同。
优选地，第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极等间距平行布置。
优选地，第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极对称布置。
优选地，半导体异质结的材料为GaAs和/或AlGaAs。
优选地，金属电极的材料包括金、银和铝中的至少一种。
优选地，在第一步骤中，采用平板工艺在半导体异质结表面制作多个金属电极。
优选地，第三步骤中，在调整第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极上的偏压时，使得第一金属电极和第三金属电极上的偏压固定，并同时改变第二金属电极上的偏压。
本发明利用导电的双量子点构成量子点光伏器件，利用双量子点的点间隧穿这一相干作用来形成光电流，增强光伏效应，使得在光伏功率达到最大值的同时，仍具有较强的光电转化效率。而且，基于本发明的量子点光伏器件结构简单、制作方便；与一般纳米结型光伏器件相比能在较高的光电转化效率下得到更大的光伏输出功率。
附图说明
结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：
图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的用于纳米结型光伏器件的光电转换方法的流程图。
图2示意性地示出了根据本发明优选实施例的用于纳米结型光伏器件的光电转换方法的示意图。
需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
具体实施方式
为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的用于纳米结型光伏器件的光电转换方法的流程图；图2示意性地示出了根据本发明优选实施例的用于纳米结型光伏器件的光电转换方法的示意图。
如图1和图2所示，根据本发明优选实施例的用于纳米结型光伏器件的光电转换方法包括：
第一步骤S1，用于制备半导体异质结，并且在半导体异质结表面(例如采用平板工艺)制作用于控制量子点的多个金属电极；
在具体实施例中，如图2所示，所述多个金属电极包括依次平行布置的三个金属电极(如图2所示的第一金属电极1、第二金属电极2和第三金属电极3)，而且每个金属电极均包括隔开的且相对布置的两个电极部分。
优选地，三个金属电极的结构相同；而且优选地，三个金属电极等间距平行布置。而且优选地，三个金属电极对称布置。
具体地，所述多个金属电极用于控制后续将要描述的量子点的形状和内部能级间隔大小等性质。
在具体实施例中，可以利用常用半导体工艺，以GaAs/AlGaAs等材料制作半导体异质结，从而产生二维电子气。而且可以在半导体异质结表面以金、银、铝等材质制作金属电极，通电后形成半导体双量子点系统。
第二步骤S2，用于在多个金属电极上通电以便在多个金属电极之间的半导体二维电子气中形成了一对具有点间电子隧穿作用的双量子点系统(即，一个导电型双量子点结构)。
具体地，其中在第一金属电极1的两个电极部分和第二金属电极2的两个电极部分之间形成第一半导体量子点4，而且在第二金属电极2的两个电极部分和第三金属电极3的两个电极部分之间形成第二半导体量子点5；
并且可以进一步将第一半导体量子点4和第二半导体量子点5分别与电子导线连接以形成光电流通道。
第三步骤S3，用于调整第一金属电极1、第二金属电极2和第三金属电极3上的偏压，使得包含第一半导体量子点4和第二半导体量子点5的双量子点系统在导电时(即工作状态下)只有两个单电子态起作用(即，只有两个单电子态在导电偏压窗口内)，而且使得在导电时双量子点系统内最多只能有一个激发电子，而且激发电子在点间隧穿作用下吸收具有预定能量的光子(如图2中带有箭头的线所示)而形成光生电流。
其中，激发电子在点间隧穿作用下吸收的光子的预定能量由双量子点系统的单电子态能极差决定。
具体地说，在本发明的具体实施例中，双量子点由于金属电极上的外加电压偏置，在其内部形成一个空电子基态和两个单电子态，即双量子点系统中只有一个激发电子。两个单电子态能极差为ε，两个量子点通过耦合强度为τ的点间相干隧穿机制耦合。因此，双量子点系统的电子本征态能极差为也只有与该能量相等的光子才会被双量子点吸收。在光照条件下，即使连接量子点的电子导线上偏压为零时，在点间隧穿作用下双量子点将吸收光子形成光生电流。导线上偏压不为零时，除了光生电流电流外，还存在该偏压导致的与光生电流相互竞争的反向本征电流。当偏压增大到光伏器件的开路电压Voc时，电子在点间的隧穿作用将抑制光生电流使得器件的电流急剧衰减为零。若继续增加偏压，光吸收作用也会被抑制。因此，调节导线偏压和双量子点隧穿耦合强度可以在较高的光电转化效率下得到最大的光伏输出功率。
另一方面，调整金属电极(尤其是第二金属电极2)上的电压可以有效地控制控制ε(两个单电子态能极差)和τ(两个量子点的耦合强度)的大小，从而有效地控制电子本征态能极差ηω0的大小。由此，在一个具体实施例中，第三步骤S3，在调整第一金属电极1、第二金属电极2和第三金属电极3上的偏压时，可以使得第一金属电极1和第三金属电极3上的偏压固定，并同时仅仅改变第二金属电极2上的偏压。
本发明利用导电的双量子点构成量子点光伏器件，利用双量子点的点间隧穿这一相干作用来形成光电流，增强光伏效应，使得在光伏功率达到最大值的同时，仍具有较强的光电转化效率。而且，基于本发明的量子点光伏器件结构简单、制作方便；与一般纳米结型光伏器件相比能在较高的光电转化效率下得到更大的光伏输出功率。
此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (10)

1.一种用于纳米结型光伏器件的光电转换方法，其特征在于包括：
第一步骤，用于制备半导体异质结，并且在半导体异质结表面制作多个金属电极；所述多个金属电极包括依次平行布置的第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极，而且每个金属电极均包括隔开的且相对布置的两个电极部分；
第二步骤，用于在多个金属电极上通电以便在多个金属电极之间的半导体二维电子气中形成具有点间电子隧穿作用的双量子点系统；其中在第一金属电极的两个电极部分和第二金属电极的两个电极部分之间形成第一半导体量子点，而且在第二金属电极的两个电极部分和第三金属电极的两个电极部分之间形成第二半导体量子点；
第三步骤，用于调整第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极上的偏压，使得包含第一半导体量子点和第二半导体量子点的双量子点系统在导电时只有两个单电子态起作用，而且使得在导电时双量子点系统内最多只能有一个激发电子，而且激发电子在点间隧穿作用下吸收具有预定能量的光子。
2.根据权利要求1所述的光电转换方法，其特征在于，第二步骤进一步包括将第一半导体量子点和第二半导体量子点分别与电子导线连接以形成光电流通道。
3.根据权利要求1或2所述的光电转换方法，其特征在于，激发电子在点间隧穿作用下吸收的光子的预定能量由双量子点系统的单电子态能极差决定。
4.根据权利要求1或2所述的光电转换方法，其特征在于，第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极的结构相同。
5.根据权利要求1或2所述的光电转换方法，其特征在于，第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极等间距平行布置。
6.根据权利要求1或2所述的光电转换方法，其特征在于，第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极对称布置。
7.根据权利要求1或2所述的光电转换方法，其特征在于，半导体异质结的材料为GaAs和/或AlGaAs。
8.根据权利要求1或2所述的光电转换方法，其特征在于，金属电极的材料包括金、银和铝中的至少一种。
9.根据权利要求1或2所述的光电转换方法，其特征在于，在第一步骤中，采用平板工艺在半导体异质结表面制作多个金属电极。
10.根据权利要求1或2所述的光电转换方法，其特征在于，第三步骤中，在调整第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极上的偏压时，使得第一金属电极和第三金属电极上的偏压固定，并同时改变第二金属电极上的偏压。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108150883A (zh) * 2016-12-05 2018-06-12 三星电子株式会社 显示装置以及制造量子点单元的方法
CN108428627A (zh) * 2018-03-28 2018-08-21 中国科学技术大学 一种电控GaAs/AlGaAs半导体量子点势阱的方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102119446A (zh) * 2008-08-11 2011-07-06 韩国标准科学研究院 具有量子点纳米线阵列的太阳能电池及其制造方法
CN103022899A (zh) * 2012-12-18 2013-04-03 上海电机学院 一种电流泵浦产生表面等离激元激光的方法
CN103489937A (zh) * 2013-10-11 2014-01-01 中国科学院半导体研究所 一种非对称沟道量子点场效应光子探测器

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102119446A (zh) * 2008-08-11 2011-07-06 韩国标准科学研究院 具有量子点纳米线阵列的太阳能电池及其制造方法
CN103022899A (zh) * 2012-12-18 2013-04-03 上海电机学院 一种电流泵浦产生表面等离激元激光的方法
CN103489937A (zh) * 2013-10-11 2014-01-01 中国科学院半导体研究所 一种非对称沟道量子点场效应光子探测器

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108150883A (zh) * 2016-12-05 2018-06-12 三星电子株式会社 显示装置以及制造量子点单元的方法
CN108150883B (zh) * 2016-12-05 2021-09-21 三星电子株式会社 显示装置以及制造量子点单元的方法
CN108428627A (zh) * 2018-03-28 2018-08-21 中国科学技术大学 一种电控GaAs/AlGaAs半导体量子点势阱的方法

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