CN104393058A - 一种抗电势诱导衰减的太阳能电池及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种抗电势诱导衰减的太阳能电池，从下到上依次包括背面Ag电极、背面Al电场、P型硅、N型发射极、氧化硅层、氮化硅层、正面Ag电极，所述氧化硅层的折射率为2.35-2.45，厚度为1-5nm；所述氮化硅层的折射率为2.10-2.15，厚度为75-85nm。采用本发明，高折射率氧化硅-高折射率氮化硅的叠加结构可以在提高电池转换效率的前提下，大幅提高了电池的抗电势诱导衰减性能。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种抗电势诱导衰减的太阳能电池及其制备方法。
背景技术
电位诱发衰减PID (Potential Induced Degradation)或称 HVS (High Voltage Stress) 是指光伏发电系统在高伏偏压下，高温高湿环境导致漏电流而引起输出功率衰减的现象。 一些电站实际使用表明，系统电压似乎存在对晶体硅电池组件有持续的“电位诱发衰减”效应，通过封装材料（通常是EVA和玻璃的上表面）对组件边框形成的回路所导致的漏电流，被确认为是引起上述效应的主要原因。它可以引起一块组件功率衰减50%以上，从而影响整个电站的功率输出。
电势诱导衰减的原因主要归结于在高电压作用下，电池组件的封装材料-玻璃以及上表面层与下表面层所出现的钠离子迁移现象：玻璃内部的钠离子往太阳能电池方向迁移，破坏电池的p-n结，从而导致功率的衰减。目前抗电势诱导衰减技术的热点是氧化硅/氮化硅叠层复合膜技术，但是，现有的氧化硅/氮化硅叠层复合膜中，氧化硅层、氮化硅层的折射率均较低。低折射率的氧化硅层和氮化硅层较厚，使得电池的抗电势诱导衰减性能较差。
现有技术中也有出现折射率高于2.0的二氧化硅膜，但是，二氧化硅层与其他减反射膜的光学匹配性不是很好，对于阻挡钠离子的效果不甚理想，电池的抗电势诱导衰减性能也不是很理想。
例如：CN 103296094A公开的《一种多晶硅太阳电池减反射膜及其制备方法》，包括三层膜，第一层为二氧化硅膜，第二层为在二氧化硅膜上沉积的氮氧化硅膜，第三层为在氮氧化硅膜上沉积的第二层氮氧化硅膜。其中，所述的二氧化硅厚度度为8-12nm，折射率为2.1-2.3，所述的第一层氮氧化硅厚度度为15-25nm，折射率为1.9-2.0，所述的第二层氮氧化硅厚度度为30-50nm，折射率为1. 7-1. 9。
又如：CN 102916058 A公开的《多晶硅太阳能电池用叠层减折射膜》，该叠层减折射膜从内至外依次为二氧化硅层和氮氧化硅层，其中，二氧化硅层为二氧化硅空心球薄膜，二氧化硅空心球薄膜的折射率为2.05，厚度为18-20nm，氮氧化硅薄膜的折射率为1. 5-1. 8，厚度为36-40nm。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种可以有效阻挡钠离子，大幅提高电池的抗电势诱导衰减性能的太阳能电池。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种抗电势诱导衰减的太阳能电池，从下到上依次包括背面Ag电极、背面Al电场、P型硅、N型发射极、氧化硅层、氮化硅层、正面Ag电极，所述氧化硅层的折射率为2.35-2.45，厚度为1-5nm；所述氮化硅层的折射率为2.10-2.15，厚度为75-85nm。
作为上述方案的改进，所述氧化硅层的折射率为2.40-2.45；
所述氮化硅层的折射率为2.125-2.15。
作为上述方案的改进，所述氧化硅层的厚度为1-3nm；
所述氮化硅层的厚度为75-80nm。
作为上述方案的改进，所述氧化硅层通过在硅片表面上，使用短波长的UV紫外线辐射，通入氧气与氮气制得，其中，反应温度为50-60℃，氧气流量为15-25L/min，氮气流量为10-20L/min，沉积时间8-12s。
作为上述方案的改进，所述氮化硅层通过在硅片正面上，使用PECVD方式，通入NH3和SiH4气体制得。
作为上述方案的改进，所述氮化硅层的制备在温度为400-450℃、压强为1600-2000 mTor、等离子功率为6000-7000 Watt的反应腔内进行，包括：
通入反应气体NH3 3.5-4.5 slm和SiH4 900-1100 sccm，反应时间200-230 s形成第一层氮化硅薄膜；
改变NH3和SiH4流量，将NH3流量设定为4.5-6.5 slm、将SiH4流量设定为500-800 sccm，反应时间390-410s，形成第二层氮化硅薄膜。
相应的，本发明还提供一种抗电势诱导衰减的太阳能电池的制备方法，包括：
在硅片正面形成绒面，所述硅片为P型硅；
在所述硅片正面进行扩散，形成N型发射极；
去除扩散过程形成的磷硅玻璃；
在硅片正面使用短波长的UV紫外线辐射，通入氧气与氮气制得折射率为2.35-2.45，厚度为1-5nm的氧化硅层，其中，反应温度为50-60℃，氧气流量为15-25L/min，氮气流量为10-20L/min，沉积时间8-12s；
在硅片正面上，使用PECVD方式，通入NH3和SiH4气体制得折射率为2.10-2.15，厚度为75-85nm的氮化硅层；
在所述硅片背面形成背面Al电场和背面Ag电极；
在所述硅片正面形成正面Ag电极；
将所述硅片进行烧结。
作为上述方案的改进，所述氧化硅层的折射率为2.40-2.45；所述氮化硅层的折射率为2.125-2.15。
作为上述方案的改进，所述氧化硅层的厚度为1-3nm；所述氮化硅层的厚度为75-80nm。
作为上述方案的改进，所述氮化硅层的制备在温度为400-450℃、压强为1600-2000 mTor、等离子功率为6000-7000 Watt的反应腔内进行，包括：
通入反应气体NH3 3.5-4.5 slm和SiH4 900-1100 sccm，反应时间200-230 s形成第一层氮化硅薄膜；
改变NH3和SiH4流量，将NH3流量设定为4.5-6.5 slm、将SiH4流量设定为500-800 sccm，反应时间390-410s，形成第二层氮化硅薄膜。
实施本发明，具有如下有益效果：
本发明提供了一种抗电势诱导衰减的太阳能电池，从下到上依次包括背面Ag电极、背面Al电场、P型硅、N型发射极、氧化硅层、氮化硅层、正面Ag电极，氧化硅层的折射率为2.35-2.45，厚度为1-5nm；氮化硅层的折射率为2.10-2.15，厚度为75-85nm。本发明采用二层薄膜(高折射率氧化硅, 高折射率氮化硅)的叠加结构，当组件进行PID测试时，Na+离子穿透玻璃和EVA向电池片正面运动；由于高折射率氧化硅厚度较薄，发射结电子可以隧穿高折射率氧化硅，往高折射率氮化硅(Si3N4)减反膜移动；电子和Na+在Si3N4薄膜中和，从而消除Na+离子。高折射率氧化硅中残留的OH-离子也可中和Na+离子，高折射率氧化硅对电池正面反射率影响较小，具有一定的表面钝化作用，同时能使得电池效率稍有提高。
因此，本发明在提高电池转换效率的前提下，大幅提高了电池的抗电势诱导衰减性能。
附图说明
图1是本发明抗电势诱导衰减的太阳能电池的结构示意图；
图2是本发明抗电势诱导衰减的太阳能电池的制备方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述。
参见图1，本发明提供了一种抗电势诱导衰减的太阳能电池，从下到上依次包括背面Ag电极1、背面Al电场2、P型硅3、N型发射极4、氧化硅层5、氮化硅层6、正面Ag电极7。其中，氧化硅层5、氮化硅层6均设置为高折射率，氧化硅层5的折射率为2.35-2.45，厚度为1-5nm；氮化硅层6的折射率为2.10-2.15厚度为75-85nm。
具体的，所述氧化硅层5的折射率为2.35、2.36、2.37、2.38、2.39、2.40、2.41、2.42、2.43、2.44、2.45 ，但不限于此；更佳的，所述氧化硅层5的折射率为2.40-2.45。光子是透过空气/氮化硅层/氧化硅层/再进入硅片表面，因此各膜层折射率与厚度必须匹配优化，才能达到最佳减反射作用，经仿真分析与实验结果显示, 氧化硅层5的折射率大于2.45或小于2.35均会影响减反射效果。
所述氮化硅层6的折射率为2.10、2.11、2.12、2.13、2.14、2.15，但不限于此。更佳的，所述氮化硅层6的折射率为2.125-2.15。光子是透过空气/氮化硅层/氧化硅层/再进入硅片表面，因此各膜层折射率与厚度必须匹配优化，才能达到最佳减反射作用，经仿真分析与实验结果显示, 氮化硅层6的折射率大于2.15或小于2.10均会影响减反射效果。
所述氧化硅层5的厚度为1-5nm。具体的，所述氧化硅层5的厚度为1 nm、2 nm、3 nm、4 nm、5nm，但不限于此。更佳的，所述氧化硅层5的厚度为1-3nm。光子是透过空气/氮化硅层/氧化硅层/再进入硅片表面，因此各膜层折射率与厚度必须匹配优化，才能达到最佳减反射作用，经仿真分析与实验结果显示, 氧化硅层5的厚度大于5nm或小于1nm均会影响减反射效果。
所述氮化硅层6的厚度为75-85nm。具体的，所述氮化硅层6的厚度为75 nm、76 nm、77 nm、78 nm、79 nm、80 nm、82 nm、85nm，但不限于此。所述氮化硅层6的厚度为75-80nm。光子是透过空气/氮化硅层/氧化硅层/再进入硅片表面，因此各膜层折射率与厚度必须匹配优化，才能达到最佳减反射作用，经仿真分析与实验结果显示, 氮化硅层6的厚度大于85nm或小于75nm均会影响减反射效果。
因此，光子是透过空气/氮化硅层/氧化硅层/再进入硅片表面，因此各膜层折射率与厚度必须匹配优化，才能达到最佳减反射作用，经仿真分析与实验结果显示, 在本发明折射率和厚度的范围之外的，太高或太低均会影响减反射效果。
进一步，所述高折射率的氧化硅层5通过在硅片表面上，使用短波长的UV紫外线辐射，通入氧气与氮气来实现，反应温度为50-60℃，氧气流量为15-25L/min，氮气流量为10-20L/min，沉积时间8-12s。
所述高折射率氮化硅层6通过在硅片表面上，使用PECVD方式，通入NH3和SiH4气体，再与硅片表面形成氮化硅来实现。
具体的，所述氮化硅层的制备在温度为400-450℃、压强为1600-2000 mTor、等离子功率为6000-7000 Watt的反应腔内进行，包括：通入反应气体NH3 3.5-4.5 slm和SiH4 900-1100 sccm，反应时间200-230 s形成第一层氮化硅薄膜；改变NH3和SiH4流量，将NH3流量设定为4.5-6.5 slm、将SiH4流量设定为500-800 sccm，反应时间390-410s，形成第二层氮化硅薄膜。
需要说明的是， PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition )是指等离子体增强化学气相沉积。PECVD设备是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。
本发明采用二层薄膜(高折射率氧化硅, 高折射率氮化硅)的叠加结构，当组件进行PID测试时，Na+离子穿透玻璃和EVA向电池片正面运动；由于高折射率氧化硅厚度较薄，发射结电子可以隧穿高折射率氧化硅，往高折射率氮化硅(Si3N4)减反膜移动；电子和Na+在Si3N4薄膜中和，从而消除Na+离子。高折射率氧化硅中残留的OH-离子也可中和Na+离子，高折射率氧化硅对电池正面反射率影响较小，具有一定的表面钝化作用，同时能使得电池效率稍有提高。因此，本发明在提高电池转换效率的前提下，大幅提高了电池的抗电势诱导衰减性能。
相应的，参见图2，本发明提供一种抗电势诱导衰减的太阳能电池的制备方法，包括：
S101，在硅片正面形成绒面，所述硅片为P型硅。
所述硅片的绒面采用HF和/或 HNO3溶液制成，形成理想的绒面结构，降低反射率。
S102，在所述硅片正面进行扩散，形成N型发射极。
N型发射极可通过热扩散或者离子注入等方法形成，其中，所述硅片的扩散优选采用三氯氧磷。
S103，去除扩散过程形成的磷硅玻璃。
去除磷硅玻璃，有利于保证电池的光电转换效率。
S104，在硅片正面使用短波长的UV紫外线辐射，通入氧气与氮气制得折射率为2.35-2.45，厚度为1-5nm的氧化硅层。
具体的，反应温度为50-60℃，氧气流量为15-25L/min，氮气流量为10-20L/min，沉积时间8-12s。
经过模拟分析与实验结果, 采用此制备工艺可得到均匀致密的氧化硅薄膜，其具有优良的抗PID性能以及较好的表面钝化效果, 可提升电池抗PID能力及转换效率。若反应温度、氧气流量、氮气流量、沉积时间超出本发明限定的范围，所述氧化硅薄膜的性能则较差。
S105，在硅片正面上，使用PECVD方式，通入NH3和SiH4气体制得折射率为2.10-2.15，厚度为75-85nm的氮化硅层。
具体的，所述氮化硅层的制备在温度为400-450℃、压强为1600-2000 mTor、等离子功率为6000-7000 Watt的反应腔内进行，包括：通入反应气体NH3 3.5-4.5 slm和SiH4 900-1100 sccm，反应时间200-230 s形成第一层氮化硅薄膜；改变NH3和SiH4流量，将NH3流量设定为4.5-6.5 slm、将SiH4流量设定为500-800 sccm，反应时间390-410s，形成第二层氮化硅薄膜。
经过模拟分析与实验结果, 采用此制备工艺可得到均匀致密的氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜匹配氧化硅薄膜，可得到优良的减反射效果以及较好的抗PID能力, 提升电池抗PID性能及转换效率。
S106，在所述硅片背面形成背面Al电场和背面Ag电极。
S107，在所述硅片正面形成正面Ag电极。
S108，将所述硅片进行烧结。
下面以具体实施例进一步阐述本发明
实施例1
在硅片正面形成绒面，所述硅片为P型硅；
在所述硅片正面进行扩散，形成N型发射极；
去除扩散过程形成的磷硅玻璃；
在硅片正面使用短波长的UV紫外线辐射，通入氧气与氮气制得折射率为2.35 ，厚度为1nm的氧化硅层，其中，反应温度为50℃，氧气流量为15L/min，氮气流量为10L/min，沉积时间8s；
在硅片正面上，使用PECVD方式，首先通入反应气体NH3 3.5 slm和SiH4 900sccm，反应时间200 s形成第一层氮化硅薄膜；然后，改变NH3和SiH4流量，将NH3流量设定为4.5 slm、将SiH4流量设定为500 sccm，反应时间390s，形成第二层氮化硅薄膜，第一层氮化硅薄膜和第二层氮化硅薄膜复合形成折射率为2.10，厚度为75nm的氮化硅层，其中，反应腔内的温度为400℃、压强为1600 mTor、等离子功率为6000Watt；
在所述硅片背面形成背面Al电场和背面Ag电极；
在所述硅片正面形成正面Ag电极；
将所述硅片进行烧结。
实施例2
在硅片正面形成绒面，所述硅片为P型硅；
在所述硅片正面进行扩散，形成N型发射极；
去除扩散过程形成的磷硅玻璃；
在硅片正面使用短波长的UV紫外线辐射，通入氧气与氮气制得折射率为2.37 ，厚度为2nm的氧化硅层，其中，反应温度为52℃，氧气流量为17L/min，氮气流量为12L/min，沉积时间9s；
在硅片正面上，使用PECVD方式，首先通入反应气体NH3 3.7 slm和SiH4 950 sccm，反应时间205 s形成第一层氮化硅薄膜；然后，改变NH3和SiH4流量，将NH3流量设定为4.8 slm、将SiH4流量设定为600 sccm，反应时间400s，形成第二层氮化硅薄膜，第一层氮化硅薄膜和第二层氮化硅薄膜复合形成折射率为2.11，厚度为76nm的氮化硅层，其中，反应腔内的温度为410℃、压强为1700 mTor、等离子功率为6200 Watt；
在所述硅片背面形成背面Al电场和背面Ag电极；
在所述硅片正面形成正面Ag电极；
将所述硅片进行烧结。
实施例3
在硅片正面形成绒面，所述硅片为P型硅；
在所述硅片正面进行扩散，形成N型发射极；
去除扩散过程形成的磷硅玻璃；
在硅片正面使用短波长的UV紫外线辐射，通入氧气与氮气制得折射率为2.40 ，厚度为3nm的氧化硅层，其中，反应温度为55℃，氧气流量为18L/min，氮气流量为16L/min，沉积时间10s；
在硅片正面上，使用PECVD方式，首先通入反应气体NH3 3.8 slm和SiH4 1000sccm，反应时间220 s形成第一层氮化硅薄膜；然后，改变NH3和SiH4流量，将NH3流量设定为5 slm、将SiH4流量设定为600 sccm，反应时间400s，形成第二层氮化硅薄膜，第一层氮化硅薄膜和第二层氮化硅薄膜复合形成折射率为2.12，厚度为78nm的氮化硅层，其中，反应腔内的温度为430℃、压强为1800mTor、等离子功率为6400 Watt；
在所述硅片背面形成背面Al电场和背面Ag电极；
在所述硅片正面形成正面Ag电极；
将所述硅片进行烧结。
实施例4
在硅片正面形成绒面，所述硅片为P型硅；
在所述硅片正面进行扩散，形成N型发射极；
去除扩散过程形成的磷硅玻璃；
在硅片正面使用短波长的UV紫外线辐射，通入氧气与氮气制得折射率为2.42 ，厚度为4nm的氧化硅层，其中，反应温度为57℃，氧气流量为20L/min，氮气流量为18L/min，沉积时间11s；
在硅片正面上，使用PECVD方式，首先通入反应气体NH3 4.2 slm和SiH4 1000 sccm，反应时间215 s形成第一层氮化硅薄膜；然后，改变NH3和SiH4流量，将NH3流量设定为5.5 slm、将SiH4流量设定为700 sccm，反应时间405s，形成第二层氮化硅薄膜，第一层氮化硅薄膜和第二层氮化硅薄膜复合形成折射率为2.14，厚度为80nm的氮化硅层，其中，反应腔内的温度为420℃、压强为1900mTor、等离子功率为6800 Watt；
在所述硅片背面形成背面Al电场和背面Ag电极；
在所述硅片正面形成正面Ag电极；
将所述硅片进行烧结。
实施例5
在硅片正面形成绒面，所述硅片为P型硅；
在所述硅片正面进行扩散，形成N型发射极；
去除扩散过程形成的磷硅玻璃；
在硅片正面使用短波长的UV紫外线辐射，通入氧气与氮气制得折射率为2.43 ，厚度为5nm的氧化硅层，其中，反应温度为58℃，氧气流量为22L/min，氮气流量为15L/min，沉积时间11s；
在硅片正面上，使用PECVD方式，首先通入反应气体NH3 4.3slm和SiH4 1050 sccm，反应时间220s形成第一层氮化硅薄膜；然后，改变NH3和SiH4流量，将NH3流量设定为6 slm、将SiH4流量设定为700 sccm，反应时间410s，形成第二层氮化硅薄膜，第一层氮化硅薄膜和第二层氮化硅薄膜复合形成折射率为2.15，厚度为80nm的氮化硅层，其中，反应腔内的温度为440℃、压强为1900 mTor、等离子功率为6900 Watt；
在所述硅片背面形成背面Al电场和背面Ag电极；
在所述硅片正面形成正面Ag电极；
将所述硅片进行烧结。
实施例6
在硅片正面形成绒面，所述硅片为P型硅；
在所述硅片正面进行扩散，形成N型发射极；
去除扩散过程形成的磷硅玻璃；
在硅片正面使用短波长的UV紫外线辐射，通入氧气与氮气制得折射率为2.45 ，厚度为5nm的氧化硅层，其中，反应温度为60℃，氧气流量为25L/min，氮气流量为20L/min，沉积时间12s；
在硅片正面上，使用PECVD方式，首先通入反应气体NH3 4.5 slm和SiH4 1100 sccm，反应时间230 s形成第一层氮化硅薄膜；然后，改变NH3和SiH4流量，将NH3流量设定为6.5 slm、将SiH4流量设定为800 sccm，反应时间410s，形成第二层氮化硅薄膜，第一层氮化硅薄膜和第二层氮化硅薄膜复合形成折射率为2.15，厚度为85nm的氮化硅层，其中，反应腔内的温度为450℃、压强为2000 mTor、等离子功率为7000 Watt；
在所述硅片背面形成背面Al电场和背面Ag电极；
在所述硅片正面形成正面Ag电极；
将所述硅片进行烧结。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种抗电势诱导衰减的太阳能电池，从下到上依次包括背面Ag电极、背面Al电场、P型硅、N型发射极、氧化硅层、氮化硅层、正面Ag电极，其特征在于，所述氧化硅层的折射率为2.35-2.45，厚度为1-5nm；所述氮化硅层的折射率为2.10-2.15，厚度为75-85nm。
2.如权利要求1所述的抗电势诱导衰减的太阳能电池，其特征在于，所述氧化硅层的折射率为2.40-2.45；
所述氮化硅层的折射率为2.125-2.15。
3.如权利要求1所述的抗电势诱导衰减的太阳能电池，其特征在于，所述氧化硅层的厚度为1-3nm；
所述氮化硅层的厚度为75-80nm。
4.如权利要求1所述的抗电势诱导衰减的太阳能电池，其特征在于，所述氧化硅层通过在硅片表面上，使用短波长的UV紫外线辐射，通入氧气与氮气制得，其中，反应温度为50-60℃，氧气流量为15-25L/min，氮气流量为10-20L/min，沉积时间8-12s。
5.如权利要求1所述的抗电势诱导衰减的太阳能电池，其特征在于，所述氮化硅层通过在硅片正面上，使用PECVD方式，通入NH3和SiH4气体制得。
6.如权利要求5所述的抗电势诱导衰减的太阳能电池，其特征在于，所述氮化硅层的制备在温度为400-450℃、压强为1600-2000 mTor、等离子功率为6000-7000 Watt的反应腔内进行，包括：
通入反应气体NH3 3.5-4.5 slm和SiH4 900-1100 sccm，反应时间200-230 s形成第一层氮化硅薄膜；
改变NH3和SiH4流量，将NH3流量设定为4.5-6.5 slm、将SiH4流量设定为500-800 sccm，反应时间390-410s，形成第二层氮化硅薄膜。
7.一种抗电势诱导衰减的太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
在硅片正面形成绒面，所述硅片为P型硅；
在所述硅片正面进行扩散，形成N型发射极；
去除扩散过程形成的磷硅玻璃；
在硅片正面使用短波长的UV紫外线辐射，通入氧气与氮气制得折射率为2.35-2.45，厚度为1-5nm的氧化硅层，其中，反应温度为50-60℃，氧气流量为15-25L/min，氮气流量为10-20L/min，沉积时间8-12s；
在硅片正面上，使用PECVD方式，通入NH3和SiH4气体制得折射率为2.10-2.15，厚度为75-85nm的氮化硅层；
在所述硅片背面形成背面Al电场和背面Ag电极；
在所述硅片正面形成正面Ag电极；
将所述硅片进行烧结。
8.如权利要求7所述的抗电势诱导衰减的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述氧化硅层的折射率为2.40-2.45；所述氮化硅层的折射率为2.125-2.15。
9.如权利要求7所述的抗电势诱导衰减的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述氧化硅层的厚度为1-3nm；所述氮化硅层的厚度为75-80nm。
10.如权利要求7所述的抗电势诱导衰减的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述氮化硅层的制备在温度为400-450℃、压强为1600-2000 mTor、等离子功率为6000-7000 Watt的反应腔内进行，包括：
通入反应气体NH3 3.5-4.5 slm和SiH4 900-1100 sccm，反应时间200-230 s形成第一层氮化硅薄膜；
改变NH3和SiH4流量，将NH3流量设定为4.5-6.5 slm、将SiH4流量设定为500-800 sccm，反应时间390-410s，形成第二层氮化硅薄膜。
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