CN104357797A - 一种坩埚用加热装置、坩埚和蒸发源 - Google Patents

一种坩埚用加热装置、坩埚和蒸发源 Download PDF

Info

Publication number
CN104357797A
CN104357797A CN201410646051.1A CN201410646051A CN104357797A CN 104357797 A CN104357797 A CN 104357797A CN 201410646051 A CN201410646051 A CN 201410646051A CN 104357797 A CN104357797 A CN 104357797A
Authority
CN
China
Prior art keywords
crucible
heating
heating unit
well heater
heater
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410646051.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104357797B (zh
Inventor
马群
闵天奎
张朝波
张毅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201410646051.1A priority Critical patent/CN104357797B/zh
Publication of CN104357797A publication Critical patent/CN104357797A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104357797B publication Critical patent/CN104357797B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/243Crucibles for source material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/26Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明提供一种坩埚用加热装置、坩埚和蒸发源,该坩埚用加热装置包括用于容纳所述坩埚的容纳腔,以及设置于所述容纳腔内的中部加热器,用于为位于所述坩埚中部的蒸镀材料进行加热。本发明中,可以通过加热装置的位于坩埚外围的侧面加热器对位于坩埚周边的蒸镀材料进行加热,并通过加热装置的中部加热器对位于坩埚中部的蒸镀材料进行加热,从而避免了坩埚中间材料和周边材料受热不均的现象,提高了蒸镀温度的均一性,从而可以提高蒸镀材料的纯度和蒸镀所得膜层的性能。

Description

一种坩埚用加热装置、坩埚和蒸发源
技术领域
本发明涉及蒸镀技术领域,尤其涉及一种坩埚用加热装置、坩埚和蒸发源。
背景技术
在OLED(有机发光二极管)有机层蒸镀过程中,常常将有机材料放置于蒸发源(source)中,通过对坩埚加热,使材料蒸发,蒸发的材料沉积在基板上成膜。
请参考图1,图1为现有技术中的蒸发源的一结构示意图,该蒸发源在蒸镀过程中主要运用圆柱状坩埚101,在坩埚101中填充蒸镀材料,并使用设置于坩埚101外围的加热器102对坩埚101进行加热,使坩埚101中的材料蒸发,这种结构中,由于加热器102分布在坩埚101的外围,经常出现的问题是位于坩埚101侧壁附近的材料受热温度高,位于坩埚101中间的材料由于与加热器102相距较远,受热温度低,从而很难控制蒸镀材料受热的温度均一性,造成材料的纯度和蒸镀膜层的性质的降低。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种坩埚用加热装置、坩埚和蒸发源,以解决现有的蒸发源对蒸镀材料加热不均的问题。
为解决上述技术问题,本发明提供一种坩埚用加热装置,包括用于容纳所述坩埚的容纳腔,以及设置于所述容纳腔内的中部加热器,中部加热器用于为位于所述坩埚中部的蒸镀材料进行加热。
优选地,所述容纳腔由底壁和侧壁围成,所述中部加热器设置于所述底壁内侧的中部。
优选地,所述中部加热器为杆状。
优选地,所述中部加热器包括加热温度可分别控制的上加热部和下加热部。
优选地,所述加热装置还包括紧贴所述侧壁外侧设置的侧面加热器,所述侧面加热器包括加热温度可分别控制的上加热部和下加热部。
本发明还提供一种坩埚,包括用于盛放蒸镀材料的坩埚主体腔,以及用于容置中部加热器的容置结构,以便为位于所述坩埚主体腔中部的蒸镀材料进行加热。
优选地,所述坩埚主体腔由底壁和侧壁围成,所述容置结构由所述底壁的中部向坩埚主体腔内凹陷而成。
本发明还提供一种蒸发源,包括坩埚和用于为所述坩埚加热的加热装置,、所述加热装置为上述加热装置,所述坩埚为上述坩埚。
优选地,所述蒸发源用于发光二极管器件的蒸镀。
本发明的上述技术方案的有益效果如下:
通过加热装置的位于坩埚外围的侧面加热器对位于坩埚周边的蒸镀材料进行加热,并通过加热装置的中部加热器对位于坩埚中部的蒸镀材料进行加热,从而避免了坩埚中间材料和周边材料受热不均的现象,提高了蒸镀温度的均一性,从而可以提高蒸镀材料的纯度和蒸镀所得膜层的性能。
附图说明
图1为现有技术中的蒸发源的一结构示意图;
图2为本发明一实施例的坩埚用加热装置的结构示意图;
图3为本发明一实施例的坩埚用加热装置的截面图;
图4为本发明另一实施例的坩埚用加热装置的截面图;
图5为本发明另一实施例的坩埚用加热装置的结构示意图;
图6为本发明又一实施例的坩埚用加热装置的盖板的结构示意图;
图7为本发明实施例的坩埚的结构示意图;
图8为本发明实施例的蒸发源的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
为解决现有的蒸发源对蒸镀材料加热不均的问题,请参考图2,本发明实施例提供一种坩埚用加热装置,该坩埚用加热装置包括用于容纳坩埚的容纳腔201,以及设置于所述容纳腔201内的中部加热器202,该中部加热器202用于为位于所述坩埚中部的蒸镀材料进行加热。
本实施例中,所述容纳腔201由底壁203和侧壁204围成,与底壁相对的位置开设有用于安装坩埚的开口,所述中部加热器202设置于所述底壁203内侧的中部。
请参考图3,所述加热装置可以为圆柱体,所述加热装置的底壁的截面为一圆形,所述中部加热器202位于所述圆形的中心。请参考图4,所述加热装置还可以为长方体,所述加热装置的底壁的界面为一矩形,所述中部加热器202位于所述矩形的对角线的交点上。当然,在本发明的其他实施例中,加热装置还可以为其他形状,在此不再一一举例说明。
本发明实施例中,所述中部加热器202为杆状,包括加热温度可分别控制的上加热部2021和下加热部2022,其中,在进行加热蒸镀时,使得上加热部2021的温度较高,主要用于加热蒸镀,下加热部2022的温度较低,主要用于预设蒸镀材料。
本发明实施例中,所述加热装置仅包括一中部加热器,请参考图5,在本发明的其他实施例中,加热装置还可以包括多个中部加热器202。
除了上述中部加热器202之外,所述加热装置还包括紧贴侧壁204外侧设置的侧面加热器205,优选地,所述侧面加热器205包括加热温度可分别控制的上加热部2051和下加热部2052,在加热时,所述侧面加热器205的上加热部2051的加热温度与中部加热器202的上加热部2021的温度保持一致,所述侧面加热器205的下加热部2052的加热温度与中部加热器202的下加热部2022的温度保持一致。
上述实施例中,中部加热器202位于加热装置的底壁203的中部,在本发明的其他实施例中,也不排除将中部加热器202设置于侧壁204上的可能。或者,请参考图6,所述加热装置还可以包括一盖板206,用于盖在坩埚的开口上方,并且将中部加热器202设置于所述盖板206的中部,当然,所述盖板206上还必须包括出气孔(图未示出),在对坩埚加热时,固态的蒸镀材料转化成气态后可通过该气孔喷出。同样的,设置于盖板206上的中部加热器202的个数也不限于一个。
通过上述实施例提供的坩埚用加热装置,可以通过位于坩埚外围的侧面加热器对位于坩埚周边的蒸镀材料进行加热,并通过中部加热器对位于坩埚中部的蒸镀材料进行加热,从而避免了坩埚中间材料和周边材料受热不均的现象,提高了蒸镀温度的均一性,从而可以提高蒸镀材料的纯度和蒸镀所得膜层的性能。
请参考图7,本发明实施例还提供一种坩埚,包括用于盛放蒸镀材料的坩埚主体腔301,以及用于容置中部加热器的容置结构302,以便为位于所述坩埚主体腔301中部的蒸镀材料进行加热。
本实施例中,所述坩埚主体腔301由底壁303和侧壁304围成,所述容置结构302由所述底壁303的中部向坩埚主体腔301内凹陷而成。
本发明实施例的坩埚与上述实施例中的加热装置可配合使用,当然,坩埚的结构也与上述实施例中的加热装置的结构相互配合,例如,加热装置包括多个中部加热器时,坩埚也包括多个用于容置中部加热器的容置结构302。
此外,请参考图7,本发明实施例的坩埚还包括由侧壁延伸而成的搭接支架305,当坩埚安装于加热装置中时,该搭接支架305搭接至加热装置的侧壁的顶部。
请参考图8,本发明实施例还提供一种蒸发源,包括坩埚300和用于为所述坩埚加热的加热装置200,所述加热装置为上述实施例所述的加热装置,所述坩埚为上述实施例所述的坩埚。
所述蒸发源可用于发光二极管器件的蒸镀。
所述蒸发源可以为点蒸发源。
本发明实施例中的蒸发源的工作过程如下:
1)将坩埚300安装在加热装置200上,在并在坩埚300中添加蒸镀材料;
2)蒸镀时,加热装置200对坩埚加热,其中,加热装置200的侧面加热器对位于坩埚300周边的蒸镀材料进行加热,加热装置200的中部加热器对位于坩埚300中部的材料进行加热,以提高蒸镀温度的均一性。且,侧面加热器和中部加热器均包括上加热部和下加热部,使得上加热部的温度较高,用于加热蒸镀,下加热部的温度较低,用于对蒸镀材料预热,且使得侧面加热器的上加热部与中部加热器的上加热部的温度保持一致,侧面加热器的下加热部与中部加热器的下加热部的温度保持一致,以进一步提高蒸镀温度的均一性。
以上所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明所述原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种坩埚用加热装置,包括用于容纳所述坩埚的容纳腔,其特征在于,还包括设置于所述容纳腔内的中部加热器,用于为位于所述坩埚中部的蒸镀材料进行加热。
2.根据权利要求1所述的坩埚用加热装置,其特征在于,所述容纳腔由底壁和侧壁围成,所述中部加热器设置于所述底壁内侧的中部。
3.根据权利要求2所述的坩埚用加热装置,其特征在于,所述中部加热器为杆状。
4.根据权利要求3所述的坩埚用加热装置,其特征在于,所述中部加热器包括加热温度可分别控制的上加热部和下加热部。
5.根据权利要求2所述的坩埚用加热装置,其特征在于,所述加热装置还包括紧贴所述侧壁外侧设置的侧面加热器,所述侧面加热器包括加热温度可分别控制的上加热部和下加热部。
6.一种坩埚,包括用于盛放蒸镀材料的坩埚主体腔,其特征在于,还包括用于容置中部加热器的容置结构,以便为位于所述坩埚主体腔中部的蒸镀材料进行加热。
7.根据权利要求6所述的坩埚,其特征在于,所述坩埚主体腔由底壁和侧壁围成,所述容置结构由所述底壁的中部向坩埚主体腔内凹陷而成。
8.一种蒸发源,包括坩埚和用于为所述坩埚加热的加热装置,其特征在于,所述加热装置为权利要求1-5任一项所述的加热装置,所述坩埚为权利要求6或7所述的坩埚。
9.如权利要求8所述的蒸发源,其特征在于,所述蒸发源用于发光二极管器件的蒸镀。
CN201410646051.1A 2014-11-14 2014-11-14 一种坩埚用加热装置、坩埚和蒸发源 Active CN104357797B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410646051.1A CN104357797B (zh) 2014-11-14 2014-11-14 一种坩埚用加热装置、坩埚和蒸发源

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410646051.1A CN104357797B (zh) 2014-11-14 2014-11-14 一种坩埚用加热装置、坩埚和蒸发源

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104357797A true CN104357797A (zh) 2015-02-18
CN104357797B CN104357797B (zh) 2017-01-18

Family

ID=52525102

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410646051.1A Active CN104357797B (zh) 2014-11-14 2014-11-14 一种坩埚用加热装置、坩埚和蒸发源

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104357797B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017114367A1 (zh) * 2015-12-31 2017-07-06 中国建材国际工程集团有限公司 用于加热坩埚的加热器设备、其操作方法和用于容纳且加热待蒸发或升华的材料的坩埚
CN106929805A (zh) * 2015-12-31 2017-07-07 中国建材国际工程集团有限公司 容纳并加热材料的坩埚以及包括坩埚和加热器布置的系统
CN107058958A (zh) * 2017-05-27 2017-08-18 京东方科技集团股份有限公司 一种蒸镀坩埚和蒸镀设备
CN107630190A (zh) * 2017-11-08 2018-01-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 坩埚及蒸镀方法
US20190003035A1 (en) * 2017-07-03 2019-01-03 Boe Technology Group Co., Ltd. Crucible, evaporation source and evaporation device
CN111575649A (zh) * 2020-07-08 2020-08-25 成都中建材光电材料有限公司 一种蒸发源装置及制备大面积碲化镉薄膜的方法
CN113817989A (zh) * 2020-06-18 2021-12-21 矽碁科技股份有限公司 加热装置及其适用的蒸镀设备
CN114807864A (zh) * 2022-04-18 2022-07-29 兰州交通大学 一种导热均匀且喷射范围可调的蒸发源

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02247374A (ja) * 1989-03-20 1990-10-03 Hitachi Ltd 蒸発源用るつぼ及びそれを用いた薄膜成膜方法
JP2010229444A (ja) * 2009-03-26 2010-10-14 Seiko Epson Corp 坩堝
CN102277557A (zh) * 2010-06-09 2011-12-14 日立造船株式会社 真空蒸镀装置中蒸镀材料的蒸发或升华方法及坩埚装置
CN202786404U (zh) * 2012-08-15 2013-03-13 日立造船株式会社 真空蒸镀装置
CN104109833A (zh) * 2014-06-10 2014-10-22 上海和辉光电有限公司 坩埚

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02247374A (ja) * 1989-03-20 1990-10-03 Hitachi Ltd 蒸発源用るつぼ及びそれを用いた薄膜成膜方法
JP2010229444A (ja) * 2009-03-26 2010-10-14 Seiko Epson Corp 坩堝
CN102277557A (zh) * 2010-06-09 2011-12-14 日立造船株式会社 真空蒸镀装置中蒸镀材料的蒸发或升华方法及坩埚装置
CN202786404U (zh) * 2012-08-15 2013-03-13 日立造船株式会社 真空蒸镀装置
CN104109833A (zh) * 2014-06-10 2014-10-22 上海和辉光电有限公司 坩埚

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106929802B (zh) * 2015-12-31 2021-06-04 中国建材国际工程集团有限公司 用于加热坩埚的加热器设备和用于蒸发或升华材料的系统
CN106929805A (zh) * 2015-12-31 2017-07-07 中国建材国际工程集团有限公司 容纳并加热材料的坩埚以及包括坩埚和加热器布置的系统
CN106929802A (zh) * 2015-12-31 2017-07-07 中国建材国际工程集团有限公司 用于加热坩埚的加热器设备、其操作方法和用于容纳且加热待蒸发或升华的材料的坩埚
EP3399068A4 (en) * 2015-12-31 2019-12-04 China Triumpf International Engineering Co. Ltd. HEATING DEVICE FOR HEATING A MIRROR, METHOD FOR THE OPERATION AND MIRROR FOR RECEIVING AND HEATING MATERIAL TO BE PAUSED OR SUBLIMATED
WO2017114367A1 (zh) * 2015-12-31 2017-07-06 中国建材国际工程集团有限公司 用于加热坩埚的加热器设备、其操作方法和用于容纳且加热待蒸发或升华的材料的坩埚
CN107058958A (zh) * 2017-05-27 2017-08-18 京东方科技集团股份有限公司 一种蒸镀坩埚和蒸镀设备
US20190003035A1 (en) * 2017-07-03 2019-01-03 Boe Technology Group Co., Ltd. Crucible, evaporation source and evaporation device
US10883167B2 (en) * 2017-07-03 2021-01-05 Boe Technology Group Co., Ltd. Crucible, evaporation source and evaporation device
CN107630190A (zh) * 2017-11-08 2018-01-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 坩埚及蒸镀方法
CN113817989A (zh) * 2020-06-18 2021-12-21 矽碁科技股份有限公司 加热装置及其适用的蒸镀设备
CN111575649A (zh) * 2020-07-08 2020-08-25 成都中建材光电材料有限公司 一种蒸发源装置及制备大面积碲化镉薄膜的方法
CN114807864A (zh) * 2022-04-18 2022-07-29 兰州交通大学 一种导热均匀且喷射范围可调的蒸发源
CN114807864B (zh) * 2022-04-18 2023-09-05 兰州交通大学 一种导热均匀且喷射范围可调的蒸发源

Also Published As

Publication number Publication date
CN104357797B (zh) 2017-01-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104357797A (zh) 一种坩埚用加热装置、坩埚和蒸发源
US8845807B2 (en) Linear evaporation source and deposition apparatus having the same
US9150952B2 (en) Deposition source and deposition apparatus including the same
CN103526164A (zh) 一种蒸镀设备
TWI617683B (zh) Evaporation source device
CN109385605A (zh) 蒸发源装置及其控制方法
WO2016011779A1 (zh) 蒸发镀膜装置
JP2015067847A (ja) 真空蒸着装置
WO2013005448A9 (ja) 真空蒸着装置
US10954592B2 (en) Evaporation source heating system with soaking layer
CN106148899B (zh) 一种蒸镀坩埚及蒸发源装置
KR102080764B1 (ko) 리니어소스 및 그를 가지는 박막증착장치
KR20150081008A (ko) 증착원
CN207933519U (zh) 一种坩埚
KR101314535B1 (ko) 혼합 물질 증착을 위한 기상 증착 장치
KR20160035364A (ko) 증발원 및 이를 포함하는 증착장치
KR20160017671A (ko) 박막형성용 증발원
CN104060227A (zh) 蒸发源及蒸镀装置
WO2015100780A1 (zh) 真空蒸镀装置及蒸镀方法
KR102144790B1 (ko) 리니어 증착유닛 및 이를 포함하는 리니어 증착장치
KR20150017849A (ko) 하향식 증착용 증발원
KR20170038288A (ko) 여러 유기물 기체 혼합 증발원
KR20140136650A (ko) 박막 증착 방법
KR20080072262A (ko) 유기물 증착 장치
KR20150081624A (ko) 증착원

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C53 Correction of patent of invention or patent application
CB03 Change of inventor or designer information

Inventor after: Ma Qun

Inventor after: Min Tiangui

Inventor after: Zhang Chaobo

Inventor after: Zhang Yi

Inventor before: Ma Qun

Inventor before: Min Tiankui

Inventor before: Zhang Chaobo

Inventor before: Zhang Yi

COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: INVENTOR; FROM: MA QUN MIN TIANKUI ZHANG CHAOBO ZHANG YI TO: MA QUN MIN TIANGUI ZHANG CHAOBO ZHANG YI

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant