CN104347779A - 发光二极管的制造方法 - Google Patents
发光二极管的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104347779A CN104347779A CN201310327547.8A CN201310327547A CN104347779A CN 104347779 A CN104347779 A CN 104347779A CN 201310327547 A CN201310327547 A CN 201310327547A CN 104347779 A CN104347779 A CN 104347779A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- emitting diode
- light
- mould
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 82
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 claims description 4
- 230000013011 mating Effects 0.000 claims description 3
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 2
- 230000009545 invasion Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract 2
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 abstract 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004512 die casting Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- -1 pottery Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
一种发光二极管的制造方法，包括提供具有第一电极及第二电极的基板；形成位于第一电极及第二电极上的反射杯，该反射杯具有上下贯穿的通孔；提供发芯光片，将发光芯片设置于反射杯的通孔底部，且将发光芯片电性连接第一电极及第二电极；提供覆盖层以及模具，并将覆盖层结合于模具的下表面，该覆盖层包括一用以防止水气入侵的保护层及贴设于保护层上表面、且易于自模具分离的分离层，分离层贴设于所述模具的下表面；将模具下表面朝向反射杯方向移动，以使覆盖层与反射杯顶面之间形成间隔区、覆盖层与反射杯通孔之间形成容置部；自间隔区向容置部内填充封装材料以形成覆盖发光芯片的封装层，封装层填满所述间隔区及容置部；移除模具形成发光二极管。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体的制造方法，尤其涉及一种发光二极管的制造方法。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光的半导体元件，凭借其发光效率高、体积小、重量轻、环保等优点，已被广泛地应用到当前的各个领域当中。
现有的发光二极管的制造方法通常包括步骤提供一基板、在该基板上设置一发光二极管芯片、形成一围设所述发光二极管芯片的反射杯以及在所述反射杯内注入透明胶体形成封装层。为了提高发光二极管的气密性，通常会在胶体中混合防硫化材料，如聚硅氧树脂等。然而，将含有防硫化材料的封装胶体注入至反射杯后，所述含防硫化材料在重力作用下易于沉淀至反射杯的底部，从而导致发光二极管顶部各处的气密性较差而易于被水气侵入，进而损坏其中的发光二极管芯片。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种气密性较好的发光二极管的制造方法。
一种发光二极管的制造方法，其包括如下步骤：
S1：提供具有第一电极及第二电极的基板，该第一电极与第二电极电性隔绝且设置在该基板的相对两侧；
S2：形成位于第一电极及第二电极上的反射杯，该反射杯具有上下贯穿的通孔；
S3：提供发芯光片，将该发光芯片设置于反射杯的通孔底部，且将该发光芯片电性连接至所述第一电极及第二电极；
S4：提供覆盖层以及模具，并将所述覆盖层结合于所述模具的下表面，该覆盖层包括一用以防止水气入侵的保护层及贴设于保护层上表面、且易于自模具分离的分离层，所述分离层贴设于所述模具的下表面；
S5：将所述模具下表面朝向所述反射杯方向移动，以使覆盖层与反射杯顶面之间形成间隔区、覆盖层与反射杯通孔之间形成容置部；
S6：自所述间隔区向容置部内填充封装材料以形成覆盖发光芯片的封装层，所述封装层填满所述间隔区及容置部；
S7：移除模具形成发光二极管。
本发明提供的发光二极管的制造方法，制程简单，易于操作，尤其是采用本发明的方法将一保护层覆盖至封装层的顶部的外表面，从而提高了该发光二极管的顶部表面的各处的气密性。
附图说明
图1为本发明的发光二极管制造方法的步骤流程图。
图2至图9为本发明发光二极管制造方法的各步骤示意图。
主要元件符号说明
| 基板 | 10 |
| 第一电极 | 11 |
| 第二电极 | 13 |
| 反射杯 | 20 |
| 通孔 | 21 |
| 发光芯片 | 30 |
| 覆盖层 | 40 |
| 保护层 | 41 |
| 分离层 | 43 |
| 模具 | 50 |
| 上表面 | 51 |
| 下表面 | 53 |
| 间隔区 | 60 |
| 容置部 | 70 |
| 封装层 | 80 |
| 发光二极管 | 100 |
| 主体部 | 411、431 |
| 突出部 | 413、433 |
| 模穴 | 530 |
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
请参见图1，本发明的发光二极管100的制造方法包括以下步骤：
S1：提供基板，并在该基板的相对两侧设置与该基板电性隔绝的第一电极及第二电极；
S2：形成位于第一电极及第二电极的反射杯，该反射杯具有上下贯穿的通孔；
S3：提供发芯光片，将该发光芯片设置于反射杯的通孔底部，且将该发光芯片电性连接至所述第一电极及第二电极；
S4：提供覆盖层以及模具，并将所述覆盖层结合于所述模具的下表面，该覆盖层包括一用以防止水气入侵的保护层及贴设于保护层上表面、且易于自模具分离的分离层，所述分离层贴设于所述模具的下表面；
S5：将所述模具下表面朝向所述反射杯方向移动，且在覆盖层及反射杯顶面之间形成间隔区；
S6：自所述间隔区向覆盖层与反射杯通孔之间的容置部内填充形成覆盖发光二极管芯片的封装层，所述封装层填满所述间隔区及容置部；
S7：移除模具形成发光二极管。
下面结合附图对上述步骤进行进一步地描述如下。
步骤一，请参见图2，提供一基板10，并在该基板10的相对两侧分别形成夹设基板10的第一电极11及第二电极13。所述基板10电性隔绝该第一电极11以及第二电极13。
所述第一电极11、基板10以及第二电极13在图2所示水平方向上自左向右依次排列设置。所述基板10、第一电极11及第二电极13的厚度均相等。所述第一电极11及第二电极13均与所述基板10的相对的两侧面直接贴设，且所述第一、第二电极11，13的上、下表面分别与所述基板10的上、下表面平齐。本实施例中，所述基板10的沿水平方向的宽度小于所述第一电极11及第二电极13沿水平方向的宽度，而所述第一电极11及第二电极13沿水平方向的宽度相等。所述基板10可由陶瓷、氧化硅等绝缘材料形成。所述第一、第二电极11、13由铜、铝等金属材料制成。
步骤二，请参见图3，在所述第一电极11及第二电极13上形成一反射杯20。
所述反射杯20包覆所述第一电极11及第二电极13的外端于其内，且所述反射杯20的底面与所述第一电极11及第二电极13的下表面平齐。
一通孔21形成于所述反射杯20的中部，且自所述反射杯20的顶面贯穿至所述第一电极11及第二电极13的上表面。如此，使得所述第一电极11及第二电极13的部分上表面以及所述基板10的整个上表面均外露于所述通孔21的底部。所述通孔21在纵截面上的口径自上向下依次减小。所述反射杯20可采用模铸的方式形成。本实施例中，所述反射杯20可以为金属、塑料或者玻璃反射杯。
步骤三，请参见图4，提供一发光芯片30，将该发光芯片30设置于通孔21的底部，并将其电性连接至所述第一电极11及第二电极13。
所述发光芯片30位于所述通孔21的底部中央，且位于所述基板10的上表面上。本实施例中，所述发光芯片30的宽度大于所述基板10的宽度，从而使得所述发光芯片30超出所述基板10的上表面且分别与所述第一电极11及第二电极13电性连接。本实施例中，所述发光芯片30是以覆晶（Flip-Chip）的形式设置于所述第一电极11及第二电极13上。当然，所述发光芯片30也可以通过打线（Wire-bonding）的形式与所述第一电极11及第二电极13分别电性连接。本实施例中，所述发光芯片30为发光二极管芯片。
步骤四，请参见图5及图6，提供一覆盖层40以及一模具50，并将所述覆盖层40结合于所述模具50上。本实施例中，所述覆盖层40直接贴设于所述模具50的下表面。
所述覆盖层40为一透明的复合层薄膜，其包括一厚度均匀的保护层41以及一厚度均匀的分离层43。
所述保护层41由硅材质的纳米级粒子均匀堆叠而成，其可抵御水气的入侵。本实施例中，所述纳米级粒子的直径为1纳米。
所述保护层41包括一主体部411以及一自所述主体部411中部向外凸设形成的突出部413。所述突出部413呈半球状，其可将入射至其上的光线折射发散。
所述分离层43堆叠于所述保护层41外表面。所述分离层43包含有乙烯四氟乙烯共聚物材料。所述分离层43具有机械强度高、耐腐蚀的特征，从而能够较好地保护位于其下方的保护层41。优选地，所述分离层43的厚度大于所述保护层41的厚度。
所述分离层43的形状与结构与所述保护层41相似，其包括一主体部431以及一自所述主体部431中部向外凸设的突出部433。其中，所述分离层43的主体部431对应贴设于所述保护层41的主体部411的外表面，所述分离层43的突出部433对应贴设于所述保护层41的突出部413的外表面。优选地，所述保护层41厚度为50微米。
所述模具50包括一上表面51以及与所述上表面51平行且相对的下表面53。一模穴530开设于所述模具50的下表面53中部。所述模穴530呈半球状，且其大小与所述保护层41的突出部413以及所述分离层43的突出部433大小相吻合，以使所述保护层41的突出部413及分离层43的突出部433能够对应收容于所述模穴530内。
具体地，将所述突出部413、433对应结合于所述模具50的模穴530的内表面，并将所述主体部411、431对应贴设于所述模具50的下表面53上。本实施例中，所述分离层43与模具50下表面53的之间的附着力小于所述分离层43与所述保护层41之间的附着力，且所述模具50由金属材料制成。
当然，在其他实施例中，所述保护层41及分离层43也可均为一上、下表面平整的薄层，而所述模具50的下表面53为一平整的表面。
步骤五，请参见图7，将所述模具50的模穴530与所述反射杯20的通孔21相对应，并将所述模具50朝向所述反射杯20顶端的方向移动，且在覆盖层40及反射杯20的顶面之间形成间隔区60。
此时，所述反射杯20的内表面、第一、第二电极11，13的上表面以及所述保护层41的突出部413的内表面之间共同围设形成一与所述间隔区60相互连通的容置部70。
步骤六，请参见图8，在所述容置部70内形成覆盖发光芯片30的封装层80。
具体地，自所述间隔区60向所述容置部70内部注入封装胶体，从而使得该封装胶体填充所述间隔区60以及与所述间隔区60相连通的容置部70。本实施例中，所述封装胶体内可以根据需要掺杂荧光粉颗粒。
步骤七，请参见图9，移除模具50，形成发光二极管100。
具体地，待所述封装层80固化后，向上移动模具50，以使该模具50自所述分离层43脱离。由于所述分离层43与模具50之间的附着力小于所述分离层43与所述保护层41之间的附着力，所述模具50自所述分离层43上分离后，分离层43仍然覆盖在所述保护层41的外表面上。另外，由于所述分离层43包括有乙烯四氟乙烯材料制成，而乙烯四氟乙烯材料具有不粘合金属材料的性质，从而使分离层43在移除模具50的过程中不易于残留在金属的模具50上。
当然，在其他实施例中，也可以进一步地将所述分离层43自所述保护层41上分离。
可以理解地，在其他实施例中，也可以采用上述的制造方法先形成发光二极管100阵列，然后切割形成多个单独的发光二极管100。
综上，本发明提供的发光二极管100的制造方法，制程简单，易于操作。而且本发明的制造方法制成的发光二极管100中，其顶部覆盖有一覆盖层，而该覆盖层40中的保护层41能够较好地保护发光二极管100顶部不受外部水气的入侵，进而较好地防止第一电极11、第二电极13以及发光芯片30产生硫化的现象，提高了发光二极管100的气密性。再者，该保护层41外表面覆盖的分离层43也进一步提高了整个发光二极管100的机械强度，较好地保护了发光芯片30不易受到外部的撞击而损坏。
Claims (9)
1.一种发光二极管的制造方法，其包括如下步骤：
S1：提供具有第一电极及第二电极的基板，该第一电极与第二电极电性隔绝且设置在该基板的相对两侧；
S2：形成位于第一电极及第二电极上的反射杯，该反射杯具有上下贯穿的通孔；
S3：提供发芯光片，将该发光芯片设置于反射杯的通孔底部，且将该发光芯片电性连接至所述第一电极及第二电极；
S4：提供覆盖层以及模具，并将所述覆盖层结合于所述模具的下表面，该覆盖层包括一用以防止水气入侵的保护层及贴设于保护层上表面、且易于自模具分离的分离层，所述分离层贴设于所述模具的下表面；
S5：将所述模具下表面朝向所述反射杯方向移动，以使覆盖层与反射杯顶面之间形成间隔区、覆盖层与反射杯通孔之间形成容置部；
S6：自所述间隔区向容置部内填充封装材料以形成覆盖发光芯片的封装层，所述封装层填满所述间隔区及容置部；
S7：移除模具形成发光二极管。
2.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述保护层由硅材质的纳米级粒子均匀堆叠而成，所述分离层包含有乙烯四氟乙烯共聚物材料。
3.如权利要求2所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述保护层及分离层均为厚度均匀的薄层，且所述分离层的厚度大于所述保护层的厚度。
4.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述保护层及分离层分别包括一主体部及自主体部中部向上突设的突出部，所述模具包括一自模具的下表面内凹的模穴，所述分离层的突出部贴设于所述模具的模穴的内表面，所述分离层的主体部对应贴设于所述模具的下表面。
5.如权利要求4所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：步骤S5还包括将模具的模穴正对反射杯的通孔，且将该模具朝向反射杯移动。
6.如权利要求5所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述模穴呈半球状，所述分离层的突出部呈半球状。
7.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述保护层的厚度为50微米。
8.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：还包括“在S7之后，将所述分离层自所述保护层分离”的步骤。
9.如权利要求2所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述纳米级粒子的直径为1纳米。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310327547.8A CN104347779A (zh) | 2013-07-31 | 2013-07-31 | 发光二极管的制造方法 |
| TW102128839A TW201515271A (zh) | 2013-07-31 | 2013-08-12 | 發光二極體的製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310327547.8A CN104347779A (zh) | 2013-07-31 | 2013-07-31 | 发光二极管的制造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104347779A true CN104347779A (zh) | 2015-02-11 |
Family
ID=52502953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310327547.8A Pending CN104347779A (zh) | 2013-07-31 | 2013-07-31 | 发光二极管的制造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104347779A (zh) |
| TW (1) | TW201515271A (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101794856A (zh) * | 2009-01-30 | 2010-08-04 | 索尼公司 | 光学元件封装件及其制造方法 |
| US20110108874A1 (en) * | 2009-11-05 | 2011-05-12 | Luminit, Llc | Method to Provide Microstructure for Encapsulated Hgh-Brightness LED Chips |
| KR20120013065A (ko) * | 2010-08-04 | 2012-02-14 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
-
2013
- 2013-07-31 CN CN201310327547.8A patent/CN104347779A/zh active Pending
- 2013-08-12 TW TW102128839A patent/TW201515271A/zh unknown
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101794856A (zh) * | 2009-01-30 | 2010-08-04 | 索尼公司 | 光学元件封装件及其制造方法 |
| US20110108874A1 (en) * | 2009-11-05 | 2011-05-12 | Luminit, Llc | Method to Provide Microstructure for Encapsulated Hgh-Brightness LED Chips |
| KR20120013065A (ko) * | 2010-08-04 | 2012-02-14 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201515271A (zh) | 2015-04-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4979299B2 (ja) | 光学装置及びその製造方法 | |
| US8564005B2 (en) | Light-emitting device package | |
| US20120091487A1 (en) | Light emitting diode package and method for manufacturing the same | |
| JP2005252219A (ja) | 発光装置及び封止部材 | |
| TWI466336B (zh) | 發光二極體製造方法 | |
| TWI423485B (zh) | 發光二極體封裝結構的製造方法 | |
| US8900895B2 (en) | Method for manufacturing LED package | |
| CN102956764B (zh) | 气密型多层式阵列型发光二极管的封装方法 | |
| US9991237B2 (en) | Light emitting device | |
| TW201342672A (zh) | 發光二極體封裝結構的製造方法 | |
| TW201318219A (zh) | Led封裝結構的製作方法 | |
| CN103254889B (zh) | 荧光粉薄膜制作方法及相应的发光二极管封装方法 | |
| TWI479699B (zh) | 發光二極體封裝結構之製造方法 | |
| CN102856468A (zh) | 发光二极管封装结构及其制造方法 | |
| KR101444919B1 (ko) | Led 패키지용 금속재 리플렉터 제조방법 | |
| US20160240747A1 (en) | Optoelectronic component and method of production thereof | |
| CN104347779A (zh) | 发光二极管的制造方法 | |
| CN104979441A (zh) | 一种led芯片及其制作方法及led显示装置 | |
| TWI412163B (zh) | 發光二極體封裝結構及其製造方法 | |
| CN101226975A (zh) | 高功率发光二极管芯片封装结构与制造方法 | |
| KR20150042954A (ko) | 측면발광 발광 장치 및 그 제조 방법 | |
| TW201511338A (zh) | 發光二極體的封裝方法及其結構 | |
| TW201336115A (zh) | 發光二極體封裝方法 | |
| CN103872195A (zh) | 新型倒装高压芯片外延片 | |
| TWI485887B (zh) | 發光二極體封裝方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20150211 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |