CN104275552A - 激光器去除集成电路塑封膜的用途 - Google Patents

Abstract

本发明公开了激光器去除集成电路塑封膜的用途，其中激光器发射光为波长1064nm的红外光。其用激光器烧蚀集成电路上的塑封膜代替之前用王水烧蚀塑封膜的方法，提升了工作效率，并且避免王水对环境和人体的伤害。

Description

激光器去除集成电路塑封膜的用途

技术领域

本发明属于集成电路领域，具体涉及激光器去除集成电路塑封膜的用途。 

背景技术

对于超大规模集成电路（IC）产品， 在生产过程中常常需要检查晶圆及管脚连接金线的质量， 以便在生产中对工艺过程进行有效控制，就是说要将塑封好的IC塑封膜去掉， 露出其中的晶圆及连线， 检验整个封装过程中是否对其连线质量产生了不好的影响。目前多数半导体封装测试厂商使用化学方法来进行开帽去朔检验，其做法是将王水加热，然后滴到IC的塑封模上将其分解掉，使IC上的晶圆和连线露出，这种方法对检测人员和环境都会造成很大伤害， 且效率低下，操作不当还会造成严重的人身伤害。 

发明内容

本发明的目的是提供一种能高效去除IC塑封膜，且能避免对人体和环境的伤害的方法。 

 为实现上述目的，本发明采用如下的技术方案： 

激光器去除集成电路塑封膜的用途，其中激光器发射光为红外光，利用了塑封膜对红外光吸收率高而硅材料和金属对红外光吸收率低的特性。

作为上述方案的进一步优化，其中红外光的波长为1064 nm。 

作为上述方案的进一步优化，其中激光器聚焦镜头到工作台的距离为1.45～1.55 mm。 

作为上述方案的进一步优化，其中激光器聚焦镜头到工作台的距离为1. 5 mm。 

作为上述方案的进一步优化，其中激光器的聚焦镜头在水平方向上可移动。 

作为上述方案的进一步优化，其中激光器的聚焦镜头移动范围为在同一水平面上的正方形，所述正方形边长为160 mm。 

作为上述方案的进一步优化，其中激光器及其工作台封闭于一全封闭箱内，封闭箱上部设有一抽风系统，激光工作的全部区域用全封闭的箱将其包含在其中，外加一套抽风系统，将烧蚀产生的烟和灰从箱体中抽出，经过过滤器后再排入工厂的抽风系统，这样就不会对人和环境造成伤害。 

本发明的有益效果主要表现为：用激光器烧蚀集成电路上的塑封膜代替之前用王水烧蚀塑封膜的方法，工作效率得到了提升，并且避免了王水对环境和人体的伤害。 

附图说明

图1本发明中的激光器。 

其中，1是集成电路，2是工作台，3是激光束，4是聚焦镜头，5是红外激光器，6是激光振镜，7是封闭箱，8是抽风系统。 

具体实施方式

下面结合附图和优选实施例对本发明作进一步的描述。 

如图1所示，本发明激光器去除集成电路塑封膜的用途，利用了塑封膜对红外光吸收率高，而硅材料和金属对红外光吸收率低的特性，其中激光器5发射光为红外光，红外光的波长为1064 nm，激光器聚焦镜头4到工作台2的距离为1. 5 mm，激光器的聚焦镜头4在水平方向上可移动，移动范围为在同一水平面上的正方形，所述正方形边长为160 mm。 

具体的工作流程如下： 

将需要除去表面塑封的IC 1放置在距离激光聚焦镜头4大约1.5 mm的位置，让激光束3按照程序设定的图形在IC1塑封膜上来回移动， 通过对塑封膜的烧蚀来完成去除塑封膜的过程；

用全封闭箱7将激光束3工作的全部区域包含在其中，外加一套抽风系统8将烧蚀产生的烟和灰从箱体中排除，经过过滤器后再排入工厂的抽风系统，这样就不会对人和环境造成伤害。

上面结合附图对本发明优选实施方式作了详细说明，但是本发明不限于上述实施方式，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下做出各种变化。 

不脱离本发明的构思和范围可以做出许多其他改变和改型。应当理解，本发明不限于特定的实施方式，本发明的范围由所附权利要求限定。 

Claims (7)

1.激光器去除集成电路塑封膜的用途，其中激光器发射光为红外光。

2.根据权利要求1所述的激光器去除集成电路塑封膜的用途，其中红外光的波长为1064 nm。

3.根据权利要求1或2所述的激光器去除集成电路塑封膜的用途，其中激光器聚焦镜头到工作台的距离为1.45～1.55 mm。

4.根据权利要求3所述的激光器去除集成电路塑封膜的用途，其中激光器聚焦镜头到工作台的距离为1. 5 mm。

5.根据权利要求3所述的激光器去除集成电路塑封膜的用途，其中激光器的聚焦镜头在水平方向上可移动。

6.根据权利要求5所述的激光器去除集成电路塑封膜的用途，其中激光器的聚焦镜头移动范围为在同一水平面上的正方形，所述正方形边长为160 mm。

7.根据权利要求1所述的激光器去除集成电路塑封膜的用途，其中激光器及其工作台封闭于一全封闭的箱内，箱上部设有一抽风系统。