CN104253220A - 太阳能电池器件及其制备方法 - Google Patents

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黄辉
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王平
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Abstract

一种太阳能电池器件，包括依次层叠的阳极、空穴缓冲层、第一活性层、中间层、第二活性层、电子缓冲层及阴极，第一活性层和第二活性层的材料为聚3-己基噻吩与6,6-苯基-C61-丁酸甲酯的混合物，中间层包括掺杂层、层叠于掺杂层表面的金属层及层叠于金属层表面的有机硅层，掺杂层的材料包括醋酸锌及掺杂在醋酸锌中的铯盐，铯盐选自氟化铯、碳酸铯、氯化铯及叠氮铯中的至少一种，金属层的材料为铝、银、金或铂，有机硅层的材料选自二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯及p-双（三苯基硅）苯中的至少一种。该太阳能电池器件的能量转换效率较高。此外，还提供了一种太阳能电池器件的制备方法。

Description

太阳能电池器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池器件及其制备方法。
背景技术
太阳能电池器件由于具有廉价、清洁、可再生等优点而得到了广泛的应用。目前常用的太阳能电池器件结构包括依次层叠的阳极、空穴缓冲层、第一活性层、电子缓冲层及阴极。第一活性层的激子分离产生空穴和电子后，空穴到达阳极，电子到达阴极，从而被电极收集，形成有效的能量转换。目前，传统的太阳能电池的能量转换效率较低。
发明内容
基于此，有必要提供一种能量转换效率较高的太阳能电池器件及其制备方法。
一种太阳能电池器件，包括依次层叠的阳极、空穴缓冲层、第一活性层、中间层、第二活性层、电子缓冲层及阴极，所述第一活性层和第二活性层的材料为聚3-己基噻吩与6,6-苯基-C61-丁酸甲酯的混合物，所述中间层包括掺杂层、层叠于所述掺杂层表面的金属层及层叠于所述金属层表面的有机硅层，所述掺杂层的材料包括醋酸锌及掺杂在所述醋酸锌中的铯盐，所述铯盐选自氟化铯、碳酸铯、氯化铯及叠氮铯中的至少一种，所述金属层的材料为铝、银、金或铂，所述有机硅层的材料选自二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯及p-双（三苯基硅）苯中的至少一种。
在优选的实施例中，所述掺杂层的厚度为50nm～200nm，所述金属层的厚度为5nm～20nm，所述有机硅层的厚度为10nm～40nm。
在优选的实施例中，所述掺杂层中所述醋酸锌与所述铯盐的质量比为1:0.1～1:0.8。
在优选的实施例中，所述空穴缓冲层的材料为聚3,4-二氧乙烯噻吩与聚苯磺酸盐的混合物。
在优选的实施例中，所述第一活性层及第二活性层中所述聚3-己基噻吩与所述6,6-苯基-C61-丁酸甲酯的质量比为1:0.5～1:4。
一种太阳能电池器件的制备方法，包括以下步骤：
在阳极表面上旋涂制备空穴缓冲层；
在所述空穴缓冲层上旋涂含有聚3-己基噻吩及6,6-苯基-C61-丁酸甲酯的溶液，形成第一活性层；
将含有掺杂材料的悬浮液旋涂在所述第一活性层表面制备掺杂层，所述掺杂材料包括醋酸锌及掺杂在所述醋酸锌中的铯盐，所述铯盐选自氟化铯、碳酸铯、氯化铯及叠氮铯中的至少一种；
在所述掺杂层的表面蒸镀制备金属层，述金属层的材料为铝、银、金或铂；
将含有有机硅的悬浮液旋涂在所述金属层的表面制备有机硅层，所述有机硅层的材料选自二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯及p-双（三苯基硅）苯中的至少一种；
在所述有机硅层表面旋涂含有聚3-己基噻吩及6,6-苯基-C61-丁酸甲酯的溶液，形成第二活性层；及
在所述第二活性层的表面依次蒸镀制备电子缓冲层及阴极。
在优选的实施例中，所述掺杂层的厚度为50nm～200nm，所述金属层的厚度为5nm～20nm，所述有机硅层的厚度为10nm～40nm。
在优选的实施例中，所述掺杂层中所述醋酸锌与所述铯盐的质量比为1:0.1～1:0.8。
在优选的实施例中，所述含有掺杂材料的悬浮液中，所述醋酸锌的浓度为10mg/mL～50mg/mL。
在优选的实施例中，所述含有有机硅的悬浮液中，所述有机硅的浓度为1mg/ml～20mg/ml。
上述太阳能电池器件及其制备方法，通过在第一活性层及第二活性层之间制备中间层，提高太阳能电池器件的第一活性层及第二活性层的光吸收效率，从而提高光电转换效率；醋酸锌与铯盐进行掺杂，形成n掺杂层，可提高电子的注入与传输速率，同时，醋酸锌颗粒较大，旋涂上去后可形成一层有序排列的球状凹凸表面，从而使接着制备上去的功能层都以这个表面为形貌，产生凹凸表面，这种表面对光有散射作用，可改变光的临界角，降低界面之间的全反射，有利于光在活性层的吸收，而金属材料主要是再生空穴和电子，提高中间层的透过率以及增加中间层的导电性，而超宽能隙的有机硅小分子由于其HOMO能级比较低，LUMO能级比较高，因此，有效避免了收集的空穴和电子穿越出去中间层，与活性层中分离的电子和空穴进行复合，从而降低了收集效率，同时，这种材料的空穴传输速率较高，可有效提高空穴的传输速率，这种材料的玻璃化转变温度较低，可在较低温度下进行结晶，结晶后的晶体结构有利于光的散射，提高活性层光吸收率，从而提高光电转换效率。
附图说明
图1为一实施例的太阳能电池器件的结构示意图；
图2为一实施例的太阳能电池器件的制备方法流程图；
图3为实施例1的太阳能电池器件及传统的太阳能电池器件的电流密度与电压关系图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的首选实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
请参阅图1，一实施例的太阳能电池器件100包括依次层叠的阳极10、空穴缓冲层20、第一活性层30、中间层40、第二活性层50、电子缓冲层60及阴极70。
阳极10为铟锡氧化物玻璃（ITO）、掺氟的氧化锡玻璃（FTO），掺铝的氧化锌玻璃（AZO）或掺铟的氧化锌玻璃（IZO）。
空穴缓冲层20形成于阳极10表面。空穴缓冲层20的材料为聚3,4-二氧乙烯噻吩（PEDOT）与聚苯磺酸钠（PSS）的混合物。其中PEDOT与PSS的质量比为2:1～6:1，优选为2:1。空穴缓冲层20的厚度为20nm～80nm，优选为50nm。
第一活性层30形成于空穴缓冲层20表面。第一活性层30的材料为聚3-己基噻吩(P3HT)与6,6-苯基-C61-丁酸甲酯（PC61BM）的混合物。其中P3HT:PC61BM的质量为1:0.5～1:4，优选为1:2.5。第一活性层30的厚度为100nm～300nm，优选为140nm。
中间层40形成于第一活性层30的表面。中间层40包括形成于第一活性层30表面的掺杂层42、层叠于掺杂层42表面的金属层44及层叠于金属层44表面的有机硅层46。
掺杂层42的材料包括醋酸锌及掺杂在醋酸锌中的铯盐。铯盐选自氟化铯（CsF）、碳酸铯（Cs2CO3）、氯化铯（CsCl）及叠氮铯（CsN3）中的至少一种。掺杂层中醋酸锌与铯盐的质量比为1:0.1～1:0.8。掺杂层42的厚度为50nm～200nm。
金属层44的材料为铝（Al）、银（Ag）、金（Au）或铂（Pt）。金属层44的厚度为5nm～20nm。
有机硅层46的材料选自二苯基二（o-甲苯基）硅（UGH1）、p-二（三苯基硅）苯（UGH2）、1,3-双（三苯基硅）苯（UGH3）及p-双（三苯基硅）苯（UGH4）中的至少一种。有机硅层46的厚度为10nm～40nm。
第二活性层50形成于有机硅层46的表面。第二活性层50的材料为聚3-己基噻吩(P3HT)与6,6-苯基-C61-丁酸甲酯（PC61BM）的混合物。其中P3HT:PC61BM的质量为1:0.5～1:4，优选为1:2.5。第二活性层50的厚度为100nm～300nm，优选为140nm。
电子缓冲层60形成于第二活性层50表面。电子缓冲层60的材料选自叠氮化铯（CsN3）、氟化锂（LiF）、碳酸锂（Li2CO3）及碳酸铯（Cs2CO3）中的至少一种，优选为LiF。电子缓冲层60的厚度为0.5nm～10nm，优选为0.7nm。
阴极70形成于电子缓冲层60表面。阴极70的材料选自铝（Al）、银（Ag）、金（Au）及铂（Pt）中的至少一种，优选为Al。阴极70的厚度为80nm～300nm，优选为150nm。
该太阳能电池器件100，通过在第一活性层30及第二活性层50之间制备中间层40，提高太阳能电池器件10的第一活性层30及第二活性层50的光吸收效率，从而提高光电转换效率；醋酸锌与铯盐进行掺杂，形成n掺杂层，可提高电子的注入与传输速率，同时，醋酸锌颗粒较大，旋涂上去后可形成一层有序排列的球状凹凸表面，从而使接着制备上去的功能层都以这个表面为形貌，产生凹凸表面，这种表面对光有散射作用，可改变光的临界角，降低界面之间的全反射，有利于光在活性层的吸收，而金属材料主要是再生空穴和电子，提高中间层的透过率以及增加中间层的导电性，而超宽能隙的有机硅小分子由于其HOMO能级比较低，LUMO能级比较高，因此，有效避免了收集的空穴和电子穿越出去中间层，与活性层中分离的电子和空穴进行复合，从而降低了收集效率，同时，这种材料的空穴传输速率较高，可有效提高空穴的传输速率，这种材料的玻璃化转变温度较低，可在较低温度下进行结晶，结晶后的晶体结构有利于光的散射，提高活性层光吸收率，从而提高光电转换效率。
需要说明的是，上述太阳能电池器件100还可以根据需要设置其他功能层。
请同时参阅图2，一实施例的太阳能电池器件100的制备方法，其包括以下步骤：
步骤S110、在阳极10表面旋涂制备空穴缓冲层20。
阳极10为铟锡氧化物玻璃（ITO）、掺氟的氧化锡玻璃（FTO），掺铝的氧化锌玻璃（AZO）或掺铟的氧化锌玻璃（IZO）。
本实施方式中，对阳极10前处理包括去除阳极10表面的有机污染物及对阳极10进行等氧离子处理。将阳极10采用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙酮各超声波清洗15min，以去除基底10表面的有机污染物；对阳极10进行等氧离子处理时间为5min～15min，功率为10～50W。
空穴缓冲层20通过在阳极10表面旋涂含有空穴缓冲材料的溶液制备。旋涂的转速为2000rpm～6000rpm，时间为10s～30s，优选的，旋涂的转速为3000rpm，时间为20s。空穴缓冲材料为聚3,4-二氧乙烯噻吩（PEDOT）与聚苯磺酸钠（PSS）的混合物。其中PEDOT与PSS的质量比为2:1～6:1，优选为2：1。含有空穴缓冲材料的溶液中PEDOT的质量百分含量为1%～5%，优选为3.5%，溶剂为水。旋涂后在100℃～200℃下加热15分钟～60分钟，优选在200℃下加热30分钟。空穴缓冲层20的厚度为20nm～80nm，优选为50nm。
步骤S120、在空穴缓冲层20表面旋涂制备第一活性层30。
第一活性层30由第一活性层溶液旋涂在空穴缓冲层20表面制成。旋涂的转速为3000rpm～6000rpm，时间为10s～30s，优选的，旋涂转速为4000rpm，时间为10s。第一活性层溶液中第一活性层材料的浓度为8mg/ml～30mg/ml，优选为25mg/ml。第一活性层溶液的溶剂选自甲苯、二甲苯、氯苯及氯仿中的至少一种，优选为氯苯。第一活性层材料为聚3-己基噻吩(P3HT)与6,6-苯基-C61-丁酸甲酯（PC61BM）的混合物。其中P3HT:PC61BM的质量为1:0.5～1:4，优选为1:2.5。旋涂第一活性层30在充满惰性气体的手套箱中进行，之后在50℃～200℃下退火5分钟～100分钟，优选在100℃下退火20分钟。第一活性层30的厚度为100nm～300nm，优选为140nm。
步骤S130、将含有掺杂材料的悬浮液旋涂在第一活性层30表面制备掺杂层42。
掺杂材料包括醋酸锌及掺杂在醋酸锌中的铯盐。铯盐选自氟化铯（CsF）、碳酸铯（Cs2CO3）、氯化铯（CsCl）及叠氮铯（CsN3）中的至少一种。掺杂层中醋酸锌与铯盐的质量比为1:0.1～1:0.8。掺杂层42的厚度为50nm～200nm。
优选的，含有掺杂材料的悬浮液中，醋酸锌的浓度为10mg/mL～50mg/mL。
本实施方式中，悬浮液中的溶剂为醋酸，配制悬浮液时使用氧化锌与醋酸配制，氧化锌与醋酸反应得到醋酸锌。氧化锌的粒径为50nm～200nm。
优选的，旋涂的转速为2000rpm～6000rpm，时间为10s～30s。旋涂后在100℃～200℃下烘干10分钟～30分钟。
步骤S140、在掺杂层42的表面蒸镀制备金属层44。
金属层44的材料为铝（Al）、银（Ag）、金（Au）或铂（Pt）。金属层44的厚度为5nm～20nm。
优选的，蒸镀在真空压力为3×10-3～2×10-5Pa下进行，蒸镀速率为1nm/s～10nm/s。
步骤S150、将含有有机硅的悬浮液旋涂在金属层44的表面制备有机硅层46。
有机硅选自二苯基二（o-甲苯基）硅（UGH1）、p-二（三苯基硅）苯（UGH2）、1,3-双（三苯基硅）苯（UGH3）及p-双（三苯基硅）苯（UGH4）中的至少一种。有机硅层46的厚度为10nm～40nm。
优选的，含有有机硅的悬浮液中，有机硅的浓度为1mg/mL～20mg/mL。悬浮液中的溶剂为氯苯、三氯甲烷、二氯甲烷或对二甲苯。
优选的，旋涂的转速为4000rpm～8000rpm，时间为10s～30s。旋涂后在100℃～200℃下烘干10分钟～30分钟。
步骤S160、在有机硅层46表面旋涂制备第二活性层50。
第二活性层50由第二活性层溶液旋涂在有机硅层表面制成。旋涂的转速为3000rpm～6000rpm，时间为10s～30s，优选的，旋涂转速为4000rpm，时间为10s。第二活性层溶液中第二活性层材料的浓度为8mg/ml～30mg/ml，优选为25mg/ml。第二活性层溶液的溶剂选自甲苯、二甲苯、氯苯及氯仿中的至少一种，优选为氯苯。第二活性层材料为聚3-己基噻吩(P3HT)与6,6-苯基-C61-丁酸甲酯（PC61BM）的混合物。其中P3HT:PC61BM的质量为1:0.5～1:4，优选为1:2.5。旋涂第二活性层50在充满惰性气体的手套箱中进行，之后在50℃～200℃下退火5分钟～100分钟，优选在100℃下退火20分钟。第二活性层50的厚度为100nm～300nm，优选为140nm。
步骤S170、在第二活性层50的表面依次蒸镀制备电子缓冲层60及阴极70。
电子缓冲层60形成于第二活性层50表面。电子缓冲层60的材料选自叠氮化铯（CsN3）、氟化锂（LiF）、碳酸锂（Li2CO3）及碳酸铯（Cs2CO3）中的至少一种，优选为LiF。电子缓冲层60的厚度为0.5nm～10nm，优选为0.7nm。蒸镀在真空压力为3×10-3～2×10-5Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s。
阴极70形成于电子缓冲层60表面。阴极70的材料选自铝（Al）、银（Ag）、金（Au）及铂（Pt）中的至少一种，优选为Al。阴极70的厚度为80nm～300nm，优选为150nm。蒸镀在真空压力为3×10-3～2×10-5Pa下进行，蒸镀速率为1nm/s～10nm/s。
上述太阳能电池器件制备方法，制备工艺简单，制备的太阳能电池器件的能量转换效率较高。
以下结合具体实施例对本发明提供的太阳能电池器件的制备方法进行详细说明。
本发明实施例及对比例所用到的制备与测试仪器为：高真空镀膜设备（沈阳科学仪器研制中心有限公司，压强<1×10-3Pa）、电流-电压测试仪（美国Keithly公司，型号：2602）、用500W氙灯（Osram）与AM1.5的滤光片组合作为模拟太阳光的白光光源。
实施例1
本实施例制备的结构为：ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PC61BM/醋酸锌:CsF/Ag/UGH2/P3HT:PC61BM/LiF/Al的太阳能电池器件。其中，“/”表示层叠结构，“：”表示掺杂或混合，以下实施例相同。
先将ITO进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；清洗干净后对导电基底进行氧等离子处理，处理时间为10min，功率为20W；旋涂制备空穴缓冲层，材料为PEDOT:PSS的质量比为2:1，PEDOT的质量分数为3.5%，旋涂的转速为3000rpm，时间为20s，旋涂后在200℃下加热30min，厚度为50nm；旋涂第一活性层，第一活性层由浓度为25mg/ml的P3HT及PC61BM的溶液旋涂而成，溶剂为氯苯，P3HT与PC61BM的质量比为1:2.5，旋涂的转速为4000rpm，时间为10s，旋涂后在100℃下退火20分钟，厚度控制在140nm。旋涂掺杂层，悬浮液由氧化锌、CsF及溶剂配制形成，氧化锌的粒径为100nm，溶剂为醋酸，醋酸与氧化锌反应生成醋酸锌，得到的悬浮液中醋酸锌的浓度为30mg/ml，醋酸锌与CsF的比例为1:0.2，采用旋涂制备，转速为4000rpm，时间为15s，在150度下烘干，厚度为120nm。接着蒸镀金属层，材料为Ag，厚度为10nm，蒸镀在真空压力为5×10-4Pa下进行，蒸镀速率为5nm/s。旋涂制备有机硅层，悬浮液包括UGH2及溶剂，溶剂为氯苯，浓度为10mg/ml，采用旋涂制备，转速为6000rpm，时间为15s，在150度下烘干，时间为15min，厚度为25nm；然后旋涂第二活性层，第二活性层由浓度为25mg/ml的P3HT及PC61BM的溶液旋涂而成，溶剂为氯苯，P3HT与PC61BM的质量比为1:2.5，旋涂的转速为4000rpm，时间为10s，旋涂后在100℃下退火20分钟，厚度控制在140nm。然后蒸镀制备电子缓冲层，材料为LiF，厚度为0.7nm，蒸镀在真空压力为5×10-4Pa下进行，蒸镀速率为0.2nm/s；蒸镀阴极，材料为Al，厚度为150nm，蒸镀在真空压力为5×10-4Pa下进行，蒸镀速率为4nm/s。最后得到所要的聚合物太阳能电池器件。
请参阅图3，所示为实施例1中制备的结构为ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PC61BM/醋酸锌:CsF/Ag/UGH2/P3HT:PC61BM/LiF/Al的太阳能电池器件（曲线1）与传统的结构为ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PCBM/LiF/Al太阳能电池器件（曲线2）的电流密度与电压关系，表1所示为实施例1中制备的结构为ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PC61BM/醋酸锌:CsF/Ag/UGH2/P3HT:PC61BM/LiF/Al的太阳能电池器件与传统的结构为ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PCBM/LiF/Al太阳能电池器件的电流密度、电压、能量转换效率（η）及填充因子数据。传统的太阳能电池器件中各层厚度与实施例1制备的太阳能电池器件中各层厚度相同。
表1
电流密度（mA/cm2） 电压（V） η（%） 填充因子
曲线1 9.05 0.67 2.27 0.37
曲线2 6.96 0.68 1.82 0.38
从表1和图3可以看到，常用的太阳能电池器件电流密度为6.96mA/cm2，而实施例1制备的太阳能电池器件电流密度提高到了9.05mA/cm2，这说明，本发明的中间层能提高光电转换效率。传统的太阳能电池器件的能量转换效率为1.82%，而实施例1制备的太阳能电池器件的能量转换效率为2.27%。
以下各个实施例的电流密度与电压关系曲线、电流密度、电压、能量转换效率及填充因子都与实施例1相类似，各太阳能电池器件也具有类似的能量转换效率，在下面不再赘述。
实施例2
本实施例制备的结构为IZO/PEDOT:PSS/P3HT:PC61BM/醋酸锌：Cs2CO3/Al/UGH1/P3HT:PC61BM/Cs2CO3/Au的太阳能电池器件。
先将IZO进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；清洗干净后对导电基底进行氧等离子处理，处理时间为15min，功率为10W；旋涂制备空穴缓冲层，材料为PEDOT:PSS的质量比为2:1，PEDOT的质量分数为5%，旋涂的转速为6000rpm，时间为30s，旋涂后在100℃下加热60min，厚度为20nm；旋涂第一活性层，第一活性层由浓度为8mg/ml的P3HT及PC61BM的溶液旋涂而成，溶剂为甲苯，P3HT与PC61BM的质量比为1:0.5，旋涂的转速为4000rpm，时间为10s，旋涂后在50℃下退火100分钟，厚度控制在300nm。旋涂掺杂层，悬浮液由氧化锌、CsF及溶剂配制形成，氧化锌粒径为50nm，溶剂为醋酸，醋酸与氧化锌反应生成醋酸锌，得到的悬浮液中醋酸锌的浓度为10mg/ml，醋酸锌与Cs2CO3的比例为1:0.1，采用旋涂制备，转速为6000rpm，时间为30s，在100度下烘干，厚度为50nm。接着蒸镀金属层，材料为Al，厚度为5nm，蒸镀在真空压力为3×10-3Pa下进行，蒸镀速率为1nm/s。旋涂制备有机硅层，悬浮液包括UGH1及溶剂，溶剂为三氯甲烷，浓度为20mg/ml，采用旋涂制备，转速为4000rpm，时间为10s，在200度下烘干，时间为10min，厚度为40nm。然后旋涂第二活性层，第二活性层由浓度为30mg/ml的P3HT及PC61BM的溶液旋涂而成，溶剂为氯仿，P3HT与PC61BM的质量比为1:4，旋涂的转速为6000rpm，时间为10s，旋涂后在150℃下退火15分钟，厚度控制在100nm。然后蒸镀制备电子缓冲层，材料为Cs2CO3，厚度为5nm，蒸镀在真空压力为3×10-3Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s；蒸镀阴极，材料为Au，厚度为300nm，蒸镀在真空压力为3×10-3Pa下进行，蒸镀速率为1nm/s。最后得到所要的聚合物太阳能电池器件。
实施例3
本实施例制备的结构为FTO/PEDOT:PSS/P3HT:PC61BM/醋酸锌：CsCl/Au/UGH3/P3HT:PC61BM/CsN3/Ag的太阳能电池器件。
先将FTO进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；清洗干净后对导电基底进行氧等离子处理，处理时间为5min，功率为50W；旋涂制备空穴缓冲层，材料为PEDOT:PSS的质量比为6:1，PEDOT的质量分数为1%，旋涂的转速为2000rpm，时间为10s，旋涂后在200℃下加热15min，厚度为80nm；旋涂第一活性层，第一活性层由浓度为30mg/ml的P3HT及PC61BM的溶液旋涂而成，溶剂为二甲苯，P3HT与PC61BM的质量比为1:4，旋涂的转速为6000rpm，时间为30s，旋涂后在200℃下退火5分钟，厚度控制在100nm。旋涂掺杂层，悬浮液由氧化锌、CsF及溶剂配制形成，氧化锌粒径为200nm，溶剂为醋酸，醋酸与氧化锌反应生成醋酸锌，得到的悬浮液中醋酸锌的浓度为50mg/ml，醋酸锌与CsCl的比例为1:0.8，采用旋涂制备，转速为2000rpm，时间为30s。在200度下烘干，厚度为200nm。接着蒸镀金属层，材料为Au，厚度为20nm，蒸镀在真空压力为2×10-5Pa下进行，蒸镀速率为10nm/s。旋涂制备有机硅层，悬浮液包括UGH3及溶剂，溶剂为二氯甲烷，浓度为1mg/ml，采用旋涂制备，转速为8000rpm，时间为30s，在100度下烘干，时间为30min，厚度为10nm；然后旋涂第二活性层，第二活性层由浓度为8mg/ml的P3HT及PC61BM的溶液旋涂而成，溶剂为二甲苯，P3HT与PC61BM的质量比为1:0.5，旋涂的转速为4000rpm，时间为10s，旋涂后在150℃下退火15分钟，厚度控制在200nm。然后蒸镀制备电子缓冲层，材料为CsN3，厚度为10nm，蒸镀在真空压力为2×10-5Pa下进行，蒸镀速率为1nm/s；蒸镀阴极，材料为Ag，厚度为80nm，蒸镀在真空压力为2×10-5Pa下进行，蒸镀速率为10nm/s。最后得到所要的聚合物太阳能电池器件。
实施例4
本实施例制备的结构为ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PC61BM/醋酸锌：CsN3/Pt/UGH4/P3HT:PC61BM/Li2CO3/Pt的太阳能电池器件。
先将ITO进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；清洗干净后对导电基底进行氧等离子处理，处理时间为10min，功率为25W；旋涂制备空穴缓冲层，材料为PEDOT:PSS的质量比为3:1，PEDOT的质量分数为3.5%，旋涂的转速为5000rpm，时间为20s，旋涂后在150℃下加热20min，厚度为60nm；旋涂第一活性层，第一活性层由浓度为10mg/ml的P3HT及PC61BM的溶液旋涂而成，溶剂为氯仿，P3HT与PC61BM的质量比为1:3，旋涂的转速为5000rpm，时间为20s，旋涂后在100℃下退火30分钟，厚度控制在200nm。旋涂掺杂层，悬浮液包括由氧化锌、CsF及溶剂配制形成，氧化锌粒径为150nm，溶剂为醋酸，醋酸与氧化锌反应生成醋酸锌，得到的悬浮液中醋酸锌的浓度为40mg/ml，醋酸锌与CsN3的比例为1:0.5，采用旋涂制备，转速为4000rpm，时间为15s。接着蒸镀金属层，材料为Pt，厚度为10nm，蒸镀在真空压力为2×10-4Pa下进行，蒸镀速率为2nm/s。旋涂制备有机硅层，悬浮液包括UGH4及溶剂，溶剂为对二甲苯，浓度为5mg/ml，采用旋涂制备，转速为5000rpm，时间为15s，在150度下烘干，时间为15min，厚度为25nm；然后旋涂第二活性层，第二活性层由浓度为25mg/ml的P3HT及PC61BM的溶液旋涂而成，溶剂为甲苯，P3HT与PC61BM的质量比为1:2，旋涂的转速为4200rpm，时间为20s，旋涂后在150℃下退火10分钟，厚度控制在80nm。然后蒸镀制备电子缓冲层，材料为Li2CO3，厚度为1nm，蒸镀在真空压力为2×10-4Pa下进行，蒸镀速率为0.2nm/s；蒸镀阴极，材料为Pt，厚度为100nm，蒸镀在真空压力为2×10-4Pa下进行，蒸镀速率为3nm/s。最后得到所要的聚合物太阳能电池器件。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种太阳能电池器件，其特征在于，包括依次层叠的阳极、空穴缓冲层、第一活性层、中间层、第二活性层、电子缓冲层及阴极，所述第一活性层和第二活性层的材料为聚3-己基噻吩与6,6-苯基-C61-丁酸甲酯的混合物，所述中间层包括掺杂层、层叠于所述掺杂层表面的金属层及层叠于所述金属层表面的有机硅层，所述掺杂层的材料包括醋酸锌及掺杂在所述醋酸锌中的铯盐，所述铯盐选自氟化铯、碳酸铯、氯化铯及叠氮铯中的至少一种，所述金属层的材料为铝、银、金或铂，所述有机硅层的材料选自二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯及p-双（三苯基硅）苯中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池器件，其特征在于：所述掺杂层的厚度为50nm～200nm，所述金属层的厚度为5nm～20nm，所述有机硅层的厚度为10nm～40nm。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池器件，其特征在于：所述掺杂层中所述醋酸锌与所述铯盐的质量比为1:0.1～1:0.8。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池器件，其特征在于：所述空穴缓冲层的材料为聚3,4-二氧乙烯噻吩与聚苯磺酸盐的混合物。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池器件，其特征在于：所述第一活性层及第二活性层中所述聚3-己基噻吩与所述6,6-苯基-C61-丁酸甲酯的质量比为1:0.5～1:4。
6.一种太阳能电池器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在阳极表面上旋涂制备空穴缓冲层；
在所述空穴缓冲层上旋涂含有聚3-己基噻吩及6,6-苯基-C61-丁酸甲酯的溶液，形成第一活性层；
将含有掺杂材料的悬浮液旋涂在所述第一活性层表面制备掺杂层，所述掺杂材料包括醋酸锌及掺杂在所述醋酸锌中的铯盐，所述铯盐选自氟化铯、碳酸铯、氯化铯及叠氮铯中的至少一种；
在所述掺杂层的表面蒸镀制备金属层，述金属层的材料为铝、银、金或铂；
将含有有机硅的悬浮液旋涂在所述金属层的表面制备有机硅层，所述有机硅层的材料选自二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯及p-双（三苯基硅）苯中的至少一种；
在所述有机硅层表面旋涂含有聚3-己基噻吩及6,6-苯基-C61-丁酸甲酯的溶液，形成第二活性层；及
在所述第二活性层的表面依次蒸镀制备电子缓冲层及阴极。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池器件的制备方法，其特征在于：所述掺杂层的厚度为50nm～200nm，所述金属层的厚度为5nm～20nm，所述有机硅层的厚度为10nm～40nm。
8.根据权利要求6所述的太阳能电池器件的制备方法，其特征在于：所述掺杂层中所述醋酸锌与所述铯盐的质量比为1:0.1～1:0.8。
9.根据权利要求6所述的太阳能电池器件的制备方法，其特征在于：所述含有掺杂材料的悬浮液中，所述醋酸锌的浓度为10mg/mL～50mg/mL。
10.根据权利要求6所述的太阳能电池器件的制备方法，其特征在于：所述含有有机硅的悬浮液中，所述有机硅的浓度为1mg/ml～20mg/ml。
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