CN1042522A - 碳化硅的制取方法 - Google Patents
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Abstract
一种制取碳化硅晶体的方法。该方法是将制取碳化硅的反应料置于石墨化炉的保温层内,生产石墨电极时同炉生产碳化硅。应用此方法可使石墨化炉的能源得到充分利用,降低碳化硅的生产成本。提高石墨电极制造厂的经济效益。
Description
本发明为一种制取碳化硅晶体的方法。
碳化硅是一种人造矿物,具有硬度高、热稳定性好、抗化学腐蚀性强等优点,因此在磨料磨具、高温工程部件的制造和冶金工业炉窑重要部位的砌筑上,得到越来越多的应用。
目前工业上制取碳化硅晶体是以石英砂、焦炭、食盐(氯化钠),木屑等为原料,以高温电阻炉为主要设备。在2200~2500℃的高温下,使石英砂中的二氧化硅同焦炭中的碳反应获得的。二氧化硅同碳反应生成碳化硅,其反应式为:
生成的碳化硅晶体出炉后还要经过手选、破碎、磁选、筛分等工序,最后获得纯净的碳化硅。
高温电阻炉生产碳化硅晶体,用电量为9000~10000度/吨,能耗大,产量低。
本发明的目的在于提供一种制取碳化硅晶体的新方法,以便降低能耗,具体的实现内容是利用石墨化炉生产石墨电极时的炉墙余热生产碳化硅,使发明的目的得以实现。
如众所知,利用石墨化炉生产石墨电极时,炉内的电极装料室(简称炉室)温度为2500~2700℃。这样沿炉墙墙壁厚度方向即存在着一由2500℃~室温的-温度梯度场,其中2500~2200范围内恰好是碳化硅生成并结晶的环境。将二氧化硅和碳按一定比例置于该环境中,定有碳化硅的生成,这就是本发明的构思所在。根据上述构思,经过多次试验,发明了此种生产碳化硅的方法。
本发明实现的生产碳化硅的方法所使用的原料和传统制取该产品的原料基本相同,需要焦炭、石英砂、食盐、木屑等等,并以生产石墨电极的石墨化炉为主要设备,生产时经过配料、装料、炼制、出炉等几道工序,制造出碳化硅晶体,再经过炉后处理如手选、破碎、筛分等最后获得较为理想的成品碳化硅。
附图是装有炭素电极装料及装有用于制造碳化硅晶体反应料的石墨化炉纵向横断面示意图。图中,电极室1、电极装料2、隔板3、耐火水泥炉墙4、乏料5、生成碳化硅用的反应料6。
现结合附图将前述生产碳化硅晶体新方法中“配料、装炉、炼制、出炉”等工序逐一解释如下:
1、配料。配料是指将石油焦炭或沥青焦炭、石英砂(含SiO2>99%),工业用纯氯化钠、木屑四种原料按下列配比配制:
原料名称 | 石油焦炭或沥青焦炭 | 石英砂 | 氯化钠 | 木屑 |
重量百分含量 | 50-60 | 30-40 | 2-5 | 5-10 |
特殊情况下食盐及木屑可以不加。配料后得到的料即为反应料6。
2、装料。装料是指将反应料6置于电极室1的保温层内。具体的作法是:将处于电极至耐火水泥炉墙4之间的保温层分成两层,靠近电极室1-侧为内层,内层装有反应料6,此层称之为反应料层。靠近耐火水泥炉墙4一侧为外层,外层装有焦粉或乏料5,此层称之为乏料层。乏料由碳化硅、石英砂、焦炭及其它杂质组成。当石墨化炉的保温层为500mm时,其反应料层的厚度为100~150mm,乏料层的厚度为300~350mm。装料时内层反应料和外层乏料之间要用隔板3隔开,同时反应料层与电极室亦要用隔板3隔开。待到装料结束后,将上述两隔板提出。除两侧靠近电极室的保温层内可以装入反应料外,石墨化炉的炉顶和炉底靠近电极室一侧的一定厚度保温层内亦可装入反应料6。
3、炼制。炼制指的是当石墨化炉对电极装料2加热的同时,保温层内的反应料也得到了加热,高温达到2200-2500℃时,SiO2和碳炼制成了SiC。
4、出炉。出炉是指当石墨电极焙烧完后,先将石墨电极吊出,然后取出石墨电极装料室两侧的碳化硅晶体。取出的碳化硅晶体经手选,去掉未反应的部分,再破碎、酸洗、磁选、筛分,制得成品。
综上所述,本发明为一种以焦炭、石英砂、工业用纯氯化钠和木屑为原料制取碳化硅晶体的方法,方法中包括配料、装料、炼制、出炉等工艺过程,其特征是在石墨化炉炉墙的保温层内装入一定厚度的碳化硅反应料。更详细一点说是在保温层内层中装入一定厚度的反应料,在保温层外层装入一定厚度的乏料,装料结束后将预先放置在电极装料室同反应层间及反应层与乏料层间的隔板提出,然后炼制。
本发明的优点是在石墨化炉生产石墨电极的同时,副产碳化硅,可显著降低碳化硅的生产成本,并使石墨化炉的能源得到了充分利用,为石墨电极制造厂带来一定的经济效益。
Claims (2)
1、一种以焦炭、石英砂、工业用纯氯化钠和木屑为原料制取碳化硅晶体的方法,方法中包括配料、装料、出炉等工艺过程,其特征是在石墨化炉的保温层内装入一定厚度的碳化硅反应料。
2、根据权利要求1所说的制取碳化硅晶体的方法,其特征在于,方法中所说的在石墨化炉的保温层内装入一定厚度的碳化硅反应料是指将反应料置于保温层内层,保温层外层装入一定厚度的乏料,装料结束后将预先放置在电极装料室与反应料层间及反应料层与乏料层间的隔板提出。
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CN 88105168 CN1042522A (zh) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | 碳化硅的制取方法 |
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CN1042522A true CN1042522A (zh) | 1990-05-30 |
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1988
- 1988-11-08 CN CN 88105168 patent/CN1042522A/zh active Pending
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