CN104243105A - 一种提高单射频多进多出mimo传输可靠性方法及装置 - Google Patents

一种提高单射频多进多出mimo传输可靠性方法及装置 Download PDF

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Abstract

本发明适用于移动通信技术领域,提供了一种提高单射频多进多出MIMO传输可靠性方法,所述方法包括:接收原始的信息比特,将原始的信息比特经过编码后分为信息比特和校验比特;对所述信息比特和所述校验比特分别交织;将交织后的信息比特和校验比特填充到第一个流和第二个流;将所述第一个流和第二个流调制;将第一个流发送至功率放大器,通过激励振子发射;将第一个流和第二个流发送至控制电路,控制电路通过控制激励振子和寄生振子之间的电磁耦合发射第二流的信息。本发明通过提高了信息比特的传输可靠性,从而提高了整个信息传输可靠性,可以解决现有技术在Single RF MIMO情况下,传输可靠性不高的问题。

Description

一种提高单射频多进多出MIMO传输可靠性方法及装置
技术领域
本发明属于移动通信技术领域,尤其涉及一种提高单射频MIMO传输可靠性方法及装置。
背景技术
基于多天线的多进多出(MIMO,Multiple Input and Multiple Output)技术可以有效地提升系统性能和频谱效率,这一点已经得到普遍认可和广泛应用。例如,在LTE和WiMaX等无线系统中,MIMO技术都已经得到了应用。从MIMO原理可以知道MIMO系统的容量是和发射天线的数目是线性关系。也就是说,发射天线数目的增加,MIMO系统容量也随之增长。但随着发射天线线数目的增多,MIMO技术的应用局限也逐渐暴露出来,主要体现在以下二个方面:
每根天线都要连接一条射频(RF,Radio Frequency)链路,用于传输发射和接收的数据。天线数目的增多会导致射频链路也随之增大,从而极大的增加了成本和功耗;
WiFi AP、Small Cell小基站和eRelay等小型网络设备甚至终端中,由于空间有限,不能放置较多数目的天线,MIMO的应用受限。或者即使可以放置多根天线,但天线之间间距较小,导致不同天线发送的信号相干性较大,MIMO增益下降甚至不能正常工作。
为解决上述多天线MIMO存在的问题,目前现有技术提出了解决方案,使用基于单射频通道的MIMO技术来替代多天线MIMO技术。
图1示出了现有技术提供的单载波射频天线Single RF架构,所述架构具体包括天线激励振子、寄生振子、寄生振子电抗组件组成,具体功能和原理如下:
中间为天线激励振子active element,该天线激励振子通过射频链路可以发送和接收信号来自基带的信号,如图1中所示的S0;边上两个振子为寄生振子parasitic element。寄生振子不带有射频链路,不能够直接发送和接收信号。每个寄生振子可以通过调节本身的电抗(即图中所示的xL1,xL2)来调节发送信号的模式,具体的方式参见后面的描述;寄生振子电抗的调节由输入信号S0和S1通过特定的控制链路来实现;天线之间的间距为d,θ为入射信号和天线阵列之间的夹角。在典型的单载波射频MIMO中,设
基于图1所示的单射频天线结构,出射角度为θ的远场信号表示为:
其中,
X = Z s 0 0 0 jX L 1 0 0 0 jX L 2 , ZS为寄生振子的源阻抗Source impedance,xL1和xL2分别为两个寄生振子的可调阻抗,所述j为虚数;
Z = Z 00 Z 01 Z 02 Z 10 Z 11 Z 12 Z 20 Z 21 Z 21 , 其中Zii为每个天线阵元的自阻抗,Zij为天线阵元之间的互阻抗,i,j=0,1,2。天线阵列的结构确定后,Z的值可以根据电路原理计算得出;
K = 2 π λ , λ为波长;
vs代表天线增益,其值可以由射频链路的放大器进行调节。
进一步展开得到:
上式中B0(θ)、B1(θ)和B2(θ)的幅度信息如图2所示,所述B0(θ)、B1(θ)和B2(θ)为天线增益的组成元素,其中
从图2中可以看出,B0(θ)和B1(θ)基本一致,通过计算两者之间的能量分布可以得到:
(3),其中c=0.9612;
另外从图2中和计算可以得出,B2(θ)与B0(θ)、B1(θ)正交。
将(3)代入式(2)可以得到:
如果我们通过调节vs、xL1和xL2满足所述R0为调制系数,用于弥补B0(θ)和B2(θ)之间功率不平衡,理想信道下取R0=3.71。而满足要求的调制系数R0的取值由硬件决定,且不是连续值。
由上面的描述可以看出,由于B0(θ)和B2(θ)相互正交,S0和S1可以认为是通过相互正交的信道到达接收机,从而可以采用传统MIMO的方式进行接收处理。换一种说法,可以将B0(θ)和B2(θ)看作两根虚拟的发射天线,每根天线上发送的数据分别为S0和S1。
由于B0(θ)和B2(θ)对应的功率不同,必须通过调整调制系数R0来弥补这两者之间的功率差,在理想全向传输模式下,|R0|=3.61时,B0(θ)和B2(θ)对应路径的信号功率才接近相等,但是实际情况中,空间多径方向不满足全向均匀分布的要求,调制系数R0的实现受多种因素影响包括由调整电抗值xL1和xL2实现的R0其动态范围是有限的和R0的调整首先要求保证B2(θ)上对应发送的星座点满足要求,这会限制R0的调整范围。
由上所述,R0的调整系数在实际过程中无法保证B0(θ)和B2(θ)对应信号的传输功率基本相同,B2(θ)对应的信号能量要小于B0(θ)对应的信号能量。
现有技术存在的问题是,由于在Single RF MIMO情况下,只有一个功率放大器,无法调整不同信号的发射功率来实现天线增益的组成元素B0(θ)和B2(θ)对应信号的传输功率相等,而且调制系数R0的值由控制电路实现,也不能自适应的调整,上述两个原因导致天线传输可靠性不高。
发明内容
本发明实施例提供一种提高单射频MIMO传输可靠性方法,以解决现有技术天线传输可靠性不高的问题。
第一方面,所述提高单射频MIMO传输可靠性方法包括:
接收原始的信息比特,将原始的信息比特经过编码后分为信息比特和校验比特;对所述信息比特和所述校验比特分别交织;将交织后的信息比特和校验比特填充到第一个流和第二个流;将所述第一个流和第二个流调制,得到第一个流映射调制符号为S0,第二个流映射调制符号为S1;将S0发送至功率放大器,通过激励振子发射第一个流的信息;将S0和S1发送至控制电路,控制电路通过控制激励振子和寄生振子之间的电磁耦合发射第二流的信息。
在第一方面的第一种可能实现方式中,所述将S0和S1发送至控制电路,控制电路通过控制激励振子和寄生振子之间的电磁耦合发射具体为:
将所述S0和S1发送至控制电路,控制电路根据的值选择合适的xL1和xL2,使得激励振子和寄生振子之间的电磁耦合发射的信号为
在第一方面的第二种可能实现方式中,所述将交织后的信息比特和校验比特填充至第一个流和第二个流具体为:
假定交织后的信息比特为an,n=1,…,N1,交织后的校验比特为bm,m=1,…,N2
建立第一个流和第二个流,所述第一个流和第二个流包含的比特位数相等,所述第一个流和第二流包含的比特位数都为k,所述
判断交织后的信息比特的比特数是否小于等于第一个流包含的比特位数;
当交织后的信息比特的比特数小于等于第一个流包含的比特位数时,将交织后的信息比特填充到第一个流,将交织后的校验比特填充到第一个流剩余的比特位和第二个流的比特位;
当交织后的信息比特的比特数大于第一个流包含的比特位数时,将交织后的信息比特填充到第一个流和第二个流,将交织后的校验比特填充到第二个流剩余的比特位。
在第一方面的第三种可能实现方式中,所述将交织后的信息比特和校验比特分别填充至第一个流和第二个流具体为:
假定交织后的信息比特为an,n=1,…,N1,交织后的检校比特为bm,m=1,…,N2
建立第一个流和第二个流,所述第一个流和第二个流包含的比特位数相等,所述第一个流和第二流包含的比特位数都为k,所述
确定交织后的信息比特的比特数与第一个流包含的比特位数数值关系;
时,将交织后的信息比特填充到第一个流的前N1位,将交织后的校验比特填充到第一个流的剩余比特位和第二个流;
时,将交织后的信息比特填充到第一个流的前位和第二个流的前位;将交织后的检校比特填充到第一个流和第二流的剩余比特位;
时,将交织后的信息比特按顺序填充到第一个流的前位、第二个流的前位和第一个流的剩余比特位,将交织后的检校比特填充到第一个流和第二个流的剩余比特位;
时,将交织后的信息比特按顺序填充到第一个流的前位、第二个流的前位、第一个流的后位和第二个流的第位至第(N1-k)位,将交织后的检校比特填充到第二个流的第(N1-k+1)位至第二个流的第k位。
结合第一方面的第三种可能的实现方式,在第四种可能的实现方式中,所述将所述第一个流和第二个流调制具体为:
采用16QAM星座点映射的方法调制第一个流和第二流,将16QAM星座点对应的比特分为高可靠度比特位置和低可靠度比特位置;
用信息比特填充S0和S1中对应的高可靠度比特位置;
信息比特填充完后,再用校验比特填充S0和S1中剩余比特位置。
第二方面,一种提高单射频MIMO传输可靠性装置,所述装置包括:
分离单元,用于接收原始的信息比特,将原始的信息比特经过编码后分为信息比特和校验比特;
交织单元,用于对所述信息比特和所述校验比特分别交织;
填充单元,用于将交织后的信息比特和校验比特填充到第一个流和第二个流;
调制单元,用于将所述第一个流和第二个流调制,得到第一个流映射调制符号为S0,所述第二个流映射调制符号为S1;
第一发送单元,用于将S0发送至功率放大器,通过激励振子发射第一个流的信息;
第二发送单元,用于将S0和S1发送至控制电路,控制电路通过控制激励振子和寄生振子之间的电磁耦合发射第二流的信息。
在第二方面的第一种可能实现方式中,所述第二发送单元具体用于:
将所述S0和S1发送至控制电路,控制电路根据的值选择合适的xL1和xL2,使得激励振子和寄生振子之间的电磁耦合发射的信号为
在第二方面的第二种可能实现方式中,所述填充单元具体用于:
假定交织后的信息比特为an,n=1,…,N1,交织后的检校比特为bm,m=1,…,N2
建立第一个流和第二个流,所述第一个流和第二个流包含的比特位数相等,所述第一个流和第二个流包含的比特位数都为k,所述
判断交织后的信息比特的比特数是否小于等于第一个流包含的比特位数;
当交织后的信息比特的比特数小于等于第一个流包含的比特位数时,将交织后的信息比特填充到第一个流,将交织后的校验比特填充到第一个流剩余的比特位和第二个流的比特位;
当交织后的信息比特的比特数大于第一个流包含的比特位数时,将交织后的信息比特填充到第一个流和第二个流,将交织后的校验比特填充到第二个流剩余的比特位。
在第二方面的第三种可能实现方式中,所述填充单元具体用于:
假定交织后的信息比特为an,n=1,…,N1,交织后的检校比特为bm,m=1,…,N2
建立第一个流和第二个流,所述第一个流和第二个流包含的比特位数相等,所述第一个流和第二个流包含的比特位数都为k,所述
确定交织后的信息比特的比特数与第一个流包含的比特位数数值关系;
时,将交织后的信息比特填充到第一个流的前N1位,将交织后的校验比特填充到第一个流的剩余比特位和第二个流;
时,将交织后的信息比特填充到第一个流的前位和第二个流的前位,将交织后的检校比特填充到第一个流和第二流的剩余比特位;
时,将交织后的信息比特按顺序填充到第一个流的前位、第二个流的前位和第一个流的剩余比特位,将交织后的检校比特填充到第一个流和第二个流的剩余比特位;
时,将交织后的信息比特按顺序填充到第一个流的前位、第二个流的前位、第一个流的后位和第二个流的第位至第位,将交织后的检校比特填充到第二个流的第(N1-k+1)位至第二个流的第k位。
结合第二方面的第三种可能的实现方式,在第二方面的第四种可能的实现方式中,所述调制单元具体用于:
采用16QAM星座点映射的方法调制第一个流和第二流,将16QAM星座点对应的比特分为高可靠度比特位置和低可靠度比特位置;
用信息比特填充S0和S1中对应的高可靠度比特位置;
信息比特填充完后,再用校验比特填充S0和S1中剩余比特位置。
从上述技术方案看出,本发明实施例通过尽量将信息比特放入第一个流,第一个流通过功率放大器来发射,尽量保证了信息比特传输的可靠性,解决了现有技术存在的,天线传输可靠性不高的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明现有技术提供的单载波射频天线Single RF架构图;
图2是本发明现有技术提供的天线增益组成元素B0(θ),B1(θ),B2(θ)的幅度信息图;
图3是本发明一实施例提供的提高单射频MIMO传输可靠性方法的实施场景图;
图4是本发明另一实施例提供的提高单射频MIMO传输可靠性方法的实现流程图;
图5是本发明另一实施例提供的实施填充方法的示意图;
图6是本发明另一实施例提供的实施填充方法的示意图;
图7是本发明另一实施例提供的16QAM星座图;
图8是本发明另一实施例提供的提高单射频MIMO传输可靠性装置的组成结构图;
图9是本发明另一实施例提供的提高单射频MIMO传输可靠性装置的组成结构图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
图3示出了本发明一实施例提供的提高单射频MIMO传输可靠性方法的实施场景。
原始的信息比特经过编码后分为信息比特和校验比特,分别对他们进行交织,将交织后的信息比特和校验比特填充到第一个流和第二个流中,然后进行调制,将第一个流发送至功率放大器,通过激励振子发射,将第一个流和第二流发送至控制电路,控制电路通过控制激励振子和寄生振子之间的电磁耦合发射。
图4示出了本发明另一实施例提供的提高单射频MIMO传输可靠性方法的实现流程,该实施例的执行主体是提高单射频MIMO传输可靠性装置,该方法过程详述如下:
在步骤S401中,接收原始的信息比特,将原始的信息比特经过编码后分为信息比特和校验比特。
需要说明的是,将原始的信息比特经过编码后分为信息比特和校验比特属于现有技术,因此不做特别说明;将原始的信息比特经过编码后分为信息比特和校验比特的目的是将重要信息和相对来说重要级别较低的信息分离。
在步骤S402中,对所述信息比特和所述校验比特分别交织。
需要说明的是,交织也是本领域公知技术,因此不做特别说明。
在步骤S403中,将交织后的信息比特和校验比特填充到第一个流和第二个流。
需要说明的是,这里“第一个流”和“第二个流”仅仅是为了指代和区分的方便,并不是用于代表顺序。
在步骤S404中,将所述第一个流和第二个流调制,得到第一个流映射调制符号为S0,第二个流映射调制符号为S1。
在步骤S405中,将S0发送至功率放大器,通过激励振子发射第一个流的信息。
在步骤S406中,将S0和S1发送至控制电路,控制电路通过控制激励振子和寄生振子之间的电磁耦合发射第二个流的信息。
可选的,实现所述步骤S406的方法具体包括:
将所述S0和S1发送至控制电路,控制电路根据的值选择合适的xL1和xL2,使得激励振子和寄生振子之间的电磁耦合发射的信号为
可选的,实现步骤S403的方法如图5所示,具体包括:
假定交织后的信息比特为an,n=1,…,N1,交织后的检校比特为bm,m=1,…,N2
建立第一个流和第二个流,所述第一个流和第二个流包含的比特位数相等,所述第一个流和第二流包含的比特位数都为k,所述
判断交织后的信息比特的比特数是否小于等于第一个流包含的比特位数;
当交织后的信息比特的比特数小于等于第一个流包含的比特位数时,将交织后的信息比特填充到第一个流,将交织后的校验比特填充到第一个流剩余的比特位和第二个流的比特位;
当交织后的信息比特的比特数大于第一个流包含的比特位数时,将交织后的信息比特填充到第一个流和第二个流,将交织后的校验比特填充到第二个流剩余的比特位。
在本实施例中,上述实现S403的方法是为了将信息比特尽量填充到第一个流,因为第一个流上的比特将会被送入功率放大器进行功率放大,可以有效保证信息比特的最大可靠度传输。
可选的,实现步骤S403的方法如图6所示,具体包括:
假定交织后的信息比特为an,n=1,…,N1,交织后的检校比特为bm,m=1,…,N2
建立第一个流和第二个流,所述第一个流和第二个流包含的比特位数相等,所述第一个流和第二流包含的比特位数都为k,所述
确定交织后的信息比特的比特数与第一个流包含的比特位数数值关系;
时,将交织后的信息比特填充到第一个流的前N1位,将交织后的校验比特填充到第一个流的剩余比特位和第二个流;
时,将交织后的信息比特填充到第一个流的前位和第二个流的前位;将交织后的检校比特填充到第一个流和第二流的剩余比特位;
时,将交织后的信息比特按顺序填充到第一个流的前位、第二个流的前位和第一个流的剩余比特位,将交织后的检校比特填充到第一个流和第二个流的剩余比特位;
时,将交织后的信息比特按顺序填充到第一个流的前位、第二个流的前位、第一个流的后位和第二个流的第位至第(N1-k)位,将交织后的检校比特填充到第二个流的第(N1-k+1)位至第二个流的第k位。
优选的,实现步骤S404的方法具体包括:
采用图6所示的方法对将交织比特和校验比特填充后,可以采用图7所示的16QAM星座图进行调制。
采用16QAM星座点映射的方法调制第一个流和第二流,将16QAM星座点对应的比特分为高可靠度比特位置和低可靠度比特位置;
用信息比特填充S0和S1中对应的高可靠度比特位置;
信息比特填充完后,再用校验比特填充S0和S1中剩余比特位置。
如7所示,4个比特b0b1b2b3映射到16QAM星座图上,其映射规则表示如下:
整个平面划分为4个象限,分别为:
I象限:x>0,y>0,b0b1=00;
II象限:x<0,y>0,b0b1=01;
III象限:x<0,y<0,b0b1=11;
IV象限:x>0,y<0,b0b1=10。
星座映射时,首先根据b0b1的值选择星座点的象限,再根据b2b3的值选择映射的象限的星座点位置,由此可知b0b1具有高可靠度,b2b3具有低可靠度。
在本实施例,上述优选方法通过采用16QAM星座点映射的方法调制第一个流和第二个流,利用16QAM调制是不同比特之间的可靠度不同,采用不同的映射规则,进一步提升了性能,达到了信息比特高可靠传输的目的。
图8示出了本发明另一实施例提供的提高单射频MIMO传输可靠性装置的组成结构,为了便于说明,仅示出了与本发明实施例相关的部分。
该提高单射频传输可靠性装置包括:
分离单元81,用于接收原始的信息比特,将原始的信息比特经过编码后分为信息比特和校验比特;
交织单元82,用于对所述信息比特和所述校验比特分别交织;
填充单元83,用于将交织后的信息比特和校验比特填充到第一个流和第二个流;
调制单元84,用于将所述第一个流和第二个流调制,得到第一个流映射调制符号为S0,所述第二个流映射调制符号为S1;
第一发送单元85,用于将S0发送至功率放大器,通过激励振子发射第一个流的信息;
第二发送单元86,用于将S0和S1发送至控制电路,控制电路通过控制激励振子和寄生振子之间的电磁耦合发射第二流的信息。
可选的,所述第二发送单元76具体用于:
将所述S0和S1发送至控制电路,控制电路根据的值选择合适的xL1和xL2,使得激励振子和寄生振子之间的电磁耦合发射的信号为
可选的,所述填充单元83具体用于:
假定交织后的信息比特为an,n=1,…,N1,交织后的检校比特为bm,m=1,…,N2
建立第一个流和第二个流,所述第一个流和第二个流包含的比特位数相等,所述第一个流和第二流包含的比特位数都为k,所述
判断交织后的信息比特的比特数是否小于等于第一个流包含的比特位数;
当交织后的信息比特的比特数小于等于第一个流包含的比特位数时,将交织后的信息比特填充到第一个流,将交织后的校验比特填充到第一个流剩余的比特位和第二个流的比特位;
当交织后的信息比特的比特数大于第一个流包含的比特位数时,将交织后的信息比特填充到第一个流和第二个流,将交织后的校验比特填充到第二个流剩余的比特位。
可选的,所述填充单元83具体用于:
假定交织后的信息比特为an,n=1,…,N1,交织后的检校比特为bm,m=1,…,N2
建立第一个流和第二个流,所述第一个流和第二个流包含的比特位数相等,所述第一个流和第二个流包含的比特位数都为k,所述
确定交织后的信息比特的比特数与第一个流包含的比特位数数值关系;
时,将交织后的信息比特填充到第一个流的前N1位,将交织后的校验比特填充到第一个流的剩余比特位和第二个流;
时,将交织后的信息比特填充到第一个流的前位和第二个流的前位,将交织后的检校比特填充到第一个流和第二流的剩余比特位;
时,将交织后的信息比特按顺序填充到第一个流的前位、第二个流的前位和第一个流的剩余比特位,将交织后的检校比特填充到第一个流和第二个流的剩余比特位;
时,将交织后的信息比特按顺序填充到第一个流的前位、第二个流的前位、第一个流的后位和第二个流的第位至第(N1-k)位,将交织后的检校比特填充到第二个流的第(N1-k+1)位至第二个流的第k位。
可选的,所述调制单元84具体用于:
采用16QAM星座点映射的方法调制第一个流和第二流,将16QAM星座点对应的比特分为高可靠度比特位置和低可靠度比特位置;
用信息比特填充S0和S1中对应的高可靠度比特位置;
信息比特填充完后,再用校验比特填充S0和S1中剩余比特位置。
本发明实施例提供的提高单射频MIMO传输可靠性装置可以使用在前述对应的提高单射频传输可靠性方法,详情参见的方法图4对应的实施例的相关描述,在此不再赘述。
图9示出了本发明另一实施例提供的提高单射频MIMO传输可靠性装置的组成结构,为了便于说明,仅示出了与本发明实施例相关的部分。
该提高单射频传输可靠性装置包括:
分离器91,用于接收原始的信息比特,将原始的信息比特经过编码后分为信息比特和校验比特;
交织器92,用于对所述信息比特和所述校验比特分别交织;
填充器93,用于将交织后的信息比特和校验比特填充到第一个流和第二个流;
调制器94,用于将所述第一个流和第二个流调制,得到第一个流映射调制符号为S0,第二个流映射调制符号为S1。
第一发送器95,用于将S0发送至功率放大器,通过激励振子发射第一个流的信息;
第二发送器96,用于将S0和S1发送至控制电路,控制电路通过控制激励振子和寄生振子之间的电磁耦合发射第二个流的信息。
可选的,所述第二发送器96具体用于:
将所述S0和S1发送至控制电路,控制电路根据的值选择合适的xL1和xL2,使得激励振子和寄生振子之间的电磁耦合发射的信号为
可选的,所述填充器93具体用于:
假定交织后的信息比特为an,n=1,…,N1,交织后的检校比特为bm,m=1,…,N2
建立第一个流和第二个流,所述第一个流和第二个流包含的比特位数相等,所述第一个流和第二个流包含的比特位数都为k,所述
判断交织后的信息比特的比特数是否小于等于第一个流包含的比特位数;
当交织后的信息比特的比特数小于等于第一个流包含的比特位数时,将交织后的信息比特填充到第一个流,将交织后的校验比特填充到第一个流剩余的比特位和第二个流的比特位;
当交织后的信息比特的比特数大于第一个流包含的比特位数时,将交织后的信息比特填充到第一个流和第二个流,将交织后的校验比特填充到第二个流剩余的比特位。
可选的,所述填充器93具体用于:
假定交织后的信息比特为an,n=1,…,N1,交织后的检校比特为bm,m=1,…,N2
建立第一个流和第二个流,所述第一个流和第二个流包含的比特位数相等,所述第一个流和第二流包含的比特位数都为k,所述
确定交织后的信息比特的比特数与第一个流包含的比特位数数值关系;
时,将交织后的信息比特填充到第一个流的前N1位,将交织后的校验比特填充到第一个流的剩余比特位和第二个流;
时,将交织后的信息比特填充到第一个流的前位和第二个流的前位;将交织后的检校比特填充到第一个流和第二流的剩余比特位;
时,将交织后的信息比特按顺序填充到第一个流的前位、第二个流的前位和第一个流的剩余比特位,将交织后的检校比特填充到第一个流和第二个流的剩余比特位;
时,将交织后的信息比特按顺序填充到第一个流的前位、第二个流的前位、第一个流的后位和第二个流的第位至第(N1-k)位,将交织后的检校比特填充到第二个流的第(N1-k+1)位至第二个流的第k位。
可选的,所述调制器84具体用于:
采用16QAM星座点映射的方法调制第一个流和第二流,将16QAM星座点对应的比特分为高可靠度比特位置和低可靠度比特位置;
用信息比特填充S0和S1中对应的高可靠度比特位置;
信息比特填充完后,再用校验比特填充S0和S1中剩余比特位置。
本领域普通技术人员还可以理解,实现上述实施例方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件来完成,所述的程序可以在存储于可读取存储介质中,所述的存储介质,包括ROM/RAM等。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种提高单射频多进多出MIMO传输可靠性方法,其特征在于,所述方法包括:
接收原始的信息比特,将原始的信息比特经过编码后分为信息比特和校验比特;
对所述信息比特和所述校验比特分别交织;
将交织后的信息比特和校验比特填充到第一个流和第二个流;
将所述第一个流和第二个流调制,得到第一个流映射调制符号为S0,第二个流映射调制符号为S1;
将S0发送至功率放大器,通过激励振子发射第一个流的信息;
将S0和S1发送至控制电路,控制电路通过控制激励振子和寄生振子之间的电磁耦合发射第二流的信息。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将S0和S1发送至控制电路,控制电路通过控制激励振子和寄生振子之间的电磁耦合发射具体为:
将所述S0和S1发送至控制电路,控制电路根据的值选择合适的xL1和xL2,使得激励振子和寄生振子之间的电磁耦合发射的信号为
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将交织后的信息比特和校验比特填充至第一个流和第二个流具体为:
假定交织后的信息比特为an,n=1,…,N1,交织后的校验比特为bm,m=1,…,N2
建立第一个流和第二个流,所述第一个流和第二个流包含的比特位数相等,所述第一个流和第二流包含的比特位数都为k,所述
判断交织后的信息比特的比特数是否小于等于第一个流包含的比特位数;
当交织后的信息比特的比特数小于等于第一个流包含的比特位数时,将交织后的信息比特填充到第一个流,将交织后的校验比特填充到第一个流剩余的比特位和第二个流的比特位;
当交织后的信息比特的比特数大于第一个流包含的比特位数时,将交织后的信息比特填充到第一个流和第二个流,将交织后的校验比特填充到第二个流剩余的比特位。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将交织后的信息比特和校验比特分别填充至第一个流和第二个流具体为:
假定交织后的信息比特为an,n=1,…,N1,交织后的检校比特为bm,m=1,…,N2
建立第一个流和第二个流,所述第一个流和第二个流包含的比特位数相等,所述第一个流和第二流包含的比特位数都为k,所述
确定交织后的信息比特的比特数与第一个流包含的比特位数数值关系;
时,将交织后的信息比特填充到第一个流的前N1位,将交织后的校验比特填充到第一个流的剩余比特位和第二个流;
时,将交织后的信息比特填充到第一个流的前位和第二个流的前位;将交织后的检校比特填充到第一个流和第二流的剩余比特位;
时,将交织后的信息比特按顺序填充到第一个流的前位、第二个流的前位和第一个流的剩余比特位,将交织后的检校比特填充到第一个流和第二个流的剩余比特位;
时,将交织后的信息比特按顺序填充到第一个流的前位、第二个流的前位、第一个流的后位和第二个流的第位至第(N1-k)位,将交织后的检校比特填充到第二个流的第(N1-k+1)位至第二个流的第k位。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述将所述第一个流和第二个流调制具体为:
采用16QAM星座点映射的方法调制第一个流和第二流,将16QAM星座点对应的比特分为高可靠度比特位置和低可靠度比特位置;
用信息比特填充S0和S1中对应的高可靠度比特位置;
信息比特填充完后,再用校验比特填充S0和S1中剩余比特位置。
6.一种提高单射频MIMO传输可靠性装置,其特征在于,所述装置包括:
分离单元,用于接收原始的信息比特,将原始的信息比特经过编码后分为信息比特和校验比特;
交织单元,用于对所述信息比特和所述校验比特分别交织;
填充单元,用于将交织后的信息比特和校验比特填充到第一个流和第二个流;
调制单元,用于将所述第一个流和第二个流调制,得到第一个流映射调制符号为S0,所述第二个流映射调制符号为S1;
第一发送单元,用于将S0发送至功率放大器,通过激励振子发射第一个流的信息;
第二发送单元,用于将S0和S1发送至控制电路,控制电路通过控制激励振子和寄生振子之间的电磁耦合发射第二流的信息。
7.如权利要求6所述的装置,其特征在于,所述第二发送单元具体用于:
将所述S0和S1发送至控制电路,控制电路根据的值选择合适的xL1和xL2,使得激励振子和寄生振子之间的电磁耦合发射的信号为
8.如权利要求6所述的装置,其特征在于,所述填充单元具体用于:
假定交织后的信息比特为an,n=1,…,N1,交织后的检校比特为bm,m=1,…,N2
建立第一个流和第二个流,所述第一个流和第二个流包含的比特位数相等,所述第一个流和第二个流包含的比特位数都为k,所述
判断交织后的信息比特的比特数是否小于等于第一个流包含的比特位数;
当交织后的信息比特的比特数小于等于第一个流包含的比特位数时,将交织后的信息比特填充到第一个流,将交织后的校验比特填充到第一个流剩余的比特位和第二个流的比特位;
当交织后的信息比特的比特数大于第一个流包含的比特位数时,将交织后的信息比特填充到第一个流和第二个流,将交织后的校验比特填充到第二个流剩余的比特位。
9.如权利要求6所述的装置,其特征在于,所述填充单元具体用于:
假定交织后的信息比特为an,n=1,…,N1,交织后的检校比特为bm,m=1,…,N2
建立第一个流和第二个流,所述第一个流和第二个流包含的比特位数相等,所述第一个流和第二个流包含的比特位数都为k,所述
确定交织后的信息比特的比特数与第一个流包含的比特位数数值关系;
时,将交织后的信息比特填充到第一个流的前N1位,将交织后的校验比特填充到第一个流的剩余比特位和第二个流;
时,将交织后的信息比特填充到第一个流的前位和第二个流的前位,将交织后的检校比特填充到第一个流和第二流的剩余比特位;
时,将交织后的信息比特按顺序填充到第一个流的前位、第二个流的前位和第一个流的剩余比特位,将交织后的检校比特填充到第一个流和第二个流的剩余比特位;
时,将交织后的信息比特按顺序填充到第一个流的前位、第二个流的前位、第一个流的后位和第二个流的第位至第(N1-k)位,将交织后的检校比特填充到第二个流的第(N1-k+1)位至第二个流的第k位。
10.如权利要求9所述的装置,其特征在于,所述调制单元具体用于:
采用16QAM星座点映射的方法调制第一个流和第二流,将16QAM星座点对应的比特分为高可靠度比特位置和低可靠度比特位置;
用信息比特填充S0和S1中对应的高可靠度比特位置;
信息比特填充完后,再用校验比特填充S0和S1中剩余比特位置。
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