CN104227554A - 研磨垫 - Google Patents

Abstract

一种研磨垫，适用于具有一旋转方向的一研磨系统。该研磨垫包含一研磨层，该研磨层具有一中心区域、一周围区域、复数个主沟槽，自靠近中心区域向靠近周围区域延伸、以及复数个次沟槽，配置于相邻两个主沟槽之间，其中这些次沟槽各具有一沟槽长度，而这些沟槽长度沿旋转方向渐次缩短。

Description

研磨垫

技术领域

本案是有关于一种研磨垫，且特别是有关于一种可提供研磨液具有不同的流场分布的研磨垫。 

背景技术

随着产业的进步，平坦化制程经常被采用为生产各种组件的制程。在平坦化制程中，化学机械研磨制程经常为产业所使用。一般来说，化学机械研磨制程是藉由供应具有化学品混合物的研磨液于研磨垫上，并对研磨物件施加一压力以将其压置于研磨垫上，且让研磨对象及研磨垫彼此进行相对运动。藉由相对运动所产生的机械摩擦及研磨液的化学作用下，移除部分研磨对象的表层，而使其表面逐渐平坦，来达成平坦化的目的。

图1是习知的一种研磨层的上视示意图，此种研磨层系配置于一圆形研磨垫上。在图1中，研磨层10上配置有多个圆形沟槽11，这些圆形沟槽11是以同心圆的方式配置在研磨层10表面，主要是用来容纳或排除研磨过程中所产生的残屑或副产物，并可使研磨对象于研磨程序完成时较容易自研磨垫上移除。在进行研磨时，研磨层10与研磨对象12(例如为晶圆)的表面相接触，同时研磨垫沿着旋转方向13转动。在研磨垫转动的同时，研磨液持续地供应至研磨层10上并流经研磨层10与研磨对象12之间。其中，由于在进行研磨时，部分研磨液会因为研磨垫的转动所产生的离心力(centrifugal force)，而自圆形沟槽11流动至研磨层10表面。但大部份的研磨液仍容滞于圆形沟槽11内，仅有少部分流至研磨层10的表面，此种研磨液的流场分布会影响研磨特性。因此，提供具有使研磨液流场分布不同的研磨垫为产业选择，以因应不同研磨制程的需求是需要的的。

发明内容

习知研磨制程中，研磨层上的研磨液的流场分布十分重要，惟习知的技术尚囿于固有的研磨层表面图案配置，而使得研磨液的流场分布的可调整性受限。

本发明提供一种研磨垫，适用于具有一旋转方向的一研磨系统，研磨垫至少包括：一研磨层，研磨层具有一中心区域；一周围区域；复数个主沟槽，自靠近中心区域向靠近周围区域延伸；以及复数个次沟槽，配置于相邻两个主沟槽之间，其中这些次沟槽各具有一沟槽长度，且这些沟槽长度沿旋转方向渐次缩短。

本发明提供一种研磨垫，研磨垫至少包括：一研磨层，研磨层具有一中心区域；一周围区域；复数个主沟槽，自靠近中心区域向靠近周围区域延伸；复数虚拟延伸线，各自位于相邻两个主沟槽之间，且自靠近中心区域向靠近周围区域延伸；以及复数个次沟槽，配置于相邻两个主沟槽之间，其中这些次沟槽各具有一第一端点及一第二端点，第一端点切齐于虚拟延伸线，第二端点分布于周围区域。

本发明提供一种研磨垫，研磨垫至少包括：一研磨层，研磨层具有一中心区域；一周围区域；复数个主沟槽，自靠近中心区域向靠近周围区域延伸；以及复数个次沟槽，配置于相邻两个主沟槽之间，形成一梳状图案。

本发明提供一种研磨垫，适用于具有一旋转方向的一研磨系统，研磨垫至少包括：一研磨层，研磨层具有一中心区域及一周围区域；以及一表面图案，表面图案包括复数个自靠近中心区域向外延伸至靠近周围区域分布的第一研磨区域以及复数个位于相邻两个第一研磨区域之间的第二研磨区域，其中每一个第二研磨区域与其中一个第一研磨区域间各具有一夹角，这些夹角的方向与旋转方向相同。

本发明提供一种研磨垫，研磨垫至少包括：一研磨层，研磨层具有一中心区域及一周围区域；以及一表面图案，表面图案包括复数个自靠近中心区域向外延伸至靠近周围区域分布的第一研磨区域以及复数个位于相邻两个第一研磨区域之间的第二研磨区域，其中每一个第二研磨区域与其中一个第一研磨区域大致上呈平行。

本发明的研磨垫，系透过各种沟槽的配置，将可提供研磨液具有不同的流场分布。

附图说明

图1是习知的一种研磨层的上视示意图。

图2、图3、图4、图5及图6表示本发明的研磨垫上的研磨层的一实施例上视示意图。

【符号说明】

10、20、30、40、50、60 研磨层

11 沟槽

12 物件

13、201、301、401、501、601 旋转方向

21a-f、31a-f、41a-f、51a-f、61a-f 主沟槽

22a-l、32a-f、42a-g、51a-g、61a-g 次沟槽

23a、23b 第一研磨区域

24a、24b、34a、44a、54a、64a 虚拟延伸线

25a、25b、25c、25d、25e、25f、25g 第二研磨区域。

具体实施方式

本案的装置与方法将可由以下的实例说明而得到充分了解，并使得熟习本技艺的人士可以据以完成。然本案的实施型态并不以下列实例为限。

根据本发明的研磨垫所揭露的技术，研磨垫包括研磨层以及位于研磨层中的表面图案。其中，表面图案包括复数个主沟槽与复数个次沟槽，以及由前述主沟槽/次沟槽所定义出来的复数个第一研磨区域与第二研磨区域。其中第一/第二研磨区域的形状与数目会随着主沟槽/次沟槽的形状与数目而有所改变，换言之，可藉由调整主沟槽/次沟槽的形状与数目来定义出所需要的第一/第二研磨区域的形状与数目。至于第一/第二研磨区域及主沟槽/次沟槽的形状与数目，在此并不多加限制，端看使用需求而定，仅以下列几个实施例说明之。

请参阅图2，其表示本发明的研磨垫上的研磨层的一实施例上视示意图。在图2所示的实施例中，研磨垫包括研磨层20以及位于研磨层20中的表面图案。其中，研磨层20具有中心区域以及周围区域，中心区域具有一旋转中心，旋转中心位于研磨层20的中心点，在研磨过程中研磨层20例如是以旋转中心为中心沿着逆时针方向（即箭头201）旋转。而表面图案位于研磨层20中，包括复数个主沟槽以及复数个次沟槽。如图2所示，复数个主沟槽(21a、21b、21c、21d、21e及21f)各自具有靠近中心区域的第一端、以及靠近周围区域的第二端，而呈现自中心区域向周围区域延伸的态样。其中，复数个次沟槽系配置于复数个主沟槽每相邻两者之间。例如图2所示，复数个次沟槽(22a、22b、22c、22d、22e及22f)，系配置于两个主沟槽(21a及21b)之间，其中每一个次沟槽(22a、22b、22c、22d、22e及22f)各自具有一次沟槽长度，而这些次沟槽长度系沿研磨层20的旋转方向（即箭头201）渐次缩短。也就是说，复数个次沟槽(22a、22b、22c、22d、22e及22f)各自的沟槽长度，由长至短依序即为22a、22b、22c、22d、22e及22f所代表者。图2的各主沟槽(21a、21b、21c、21d、21e及21f)以重合于研磨层20半径方向绘示，但不以此限制本发明，在一实施例中，主沟槽亦可选择为与半径方向不互相重合，即彼此间具有一夹角。

如图2所示，相邻两个主沟槽(21b及21a)之间具有一虚拟延伸线24a。虚拟延伸线24a例如为自靠近中心区域向靠近周围区域延伸，虚拟延伸线24a的配置例如为与沿研磨垫的旋转方向(箭头201所指的方向)的相邻主沟槽21b大致上呈平行分布，以图2所示的研磨层20为例则为平行直线分布。位于相邻两个主沟槽(21b及21a)之间的复数个次沟槽(22a至22f)各自具有第一端点及第二端点，第一端点切齐于虚拟延伸线24a，而第二端点分布于主沟槽(21b与21a)间的周围区域。在一实施例中，研磨层20上的次沟槽(22a至22f)与沿研磨垫的旋转方向(箭头201所指的方向)相反方向的相邻主沟槽21a大致上呈平行分布，以图2所示的研磨层20为例则为平行直线分布。

如图2所示，位于相邻两个主沟槽(21b及21a)之间的复数次沟槽22a至22f形成一梳状图案。相邻两个主沟槽(21b及21a)的配置例如为形成具有一个类扇形区域，而复数次沟槽22a至22f于此类扇形区域中形成一梳状图案。

如图2所示，透过复数个主沟槽/次沟槽的配置，可在研磨层20上定义出复数个类扇形图案区域。举例而言，在主沟槽21b及主沟槽21a与此二主沟槽其间的复数个次沟槽22a至22f之间，具有一个第一研磨区域23a；而在主沟槽21a及主沟槽21f与此二主沟槽其间的复数个次沟槽之间，又具有另一个第一研磨区域23b。其中，上述两个第一研磨区域(23a及23b)各自具有靠近中心区域的第一端、以及靠近周围区域的第二端，而呈现自中心区域向周围区域延伸的态样。其中具有由主沟槽21a与次沟槽(22a、22b、22c、22d、22e及22f)构成复数个第二研磨区域25a（主沟槽21a与次沟槽22a间）、25b（次沟槽22a与22b间）、25c（次沟槽22b与22c间）、25d（次沟槽22c与22d间）、25e（次沟槽22d与22e间）、25f（次沟槽22e与22f间）及25g（次沟槽22f与周围区域间）。也就是说，研磨层20上具有一表面图案，此表面图案包括复数个第一研磨区域(23a、23b、…等等)自靠近中心区域向外延伸至靠近周围区域分布；以及复数个第二研磨区域(25a、25b、25c、25d、25e、25f及25g)位于相邻两个第一研磨区域(23a及23b)之间。

在一实施例中，每个第二研磨区域的第一端与相邻两个第一研磨区域(23a及23b)其中一个第一研磨区域具有一夹角，此夹角的方向与研磨垫的旋转方向相同。其中，与第二研磨区域(25a、25b、25c、25d、25e、25f及25g)具有夹角的第一研磨区域例如为沿研磨垫的旋转方向(箭头201所指的方向)的相邻第一研磨区域(23a)。此外，上述的夹角角度，例如是360度除以类扇形图案区域的数目。

在另一实施例中，每个第二研磨区域与相邻两个第一研磨区域(23a及23b)其中一个第一研磨区域大致上呈平行。其中，与第二研磨区域(25a、25b、25c、25d、25e、25f及25g)大致上呈平行的第一研磨区域例如为沿研磨垫的旋转方向(箭头201所指的方向)相反方向的相邻第一研磨区域(23b)。

呈上各实施例所述，第二研磨区域(25a、25b、25c、25d、25e、25f及25g)例如各自具有接合于第一研磨区域23a的第一端、以及靠近周围区域的第二端。同时，由于第二研磨区域(25a、25b、25c、25d、25e、25f及25g)各自的第一端会与第一研磨区域23a接合，可使得第二研磨区域(25a、25b、25c、25d、25e、25f及25g)与第一研磨区域23a共处于同一平面。也就是说，第二研磨区域(25a、25b、25c、25d、25e、25f及25g)与第一研磨区域23a彼此相连接。此外，研磨层20中的复数个第一研磨区域若为彼此相连接，则研磨层20中的复数个类扇形图案区域彼此相连接。也就是说，研磨层20的表面图案可选择为整个共处于同一平面。此外，复数个类扇形图案区域各自的面积，亦可透过调整复数个主沟槽/次沟槽的配置方式，形成彼此相等、部分相等或均不相等等组合。

请参阅图3，其表示本发明的研磨垫上的研磨层的一实施例上视示意图。在图3所示的实施例中，研磨层30于使用时系以逆时针方向（即箭头301）旋转，且研磨层30中配置有复数个主沟槽/次沟槽，并因之形成表面图案。详言之，研磨层30中具有复数个主沟槽(31a、31b、31c、31d、31e及31f)以及配置于复数个主沟槽每相邻两者之间的复数个次沟槽。例如图3所示，复数个次沟槽32a、32b、32c、32d、32e及32f等，系配置于主沟槽31a及31b之间。

在图3所示的实施例中，虚拟延伸线与配置于相邻二主沟槽之间的复数个次沟槽各自的一端的沟槽壁上缘重迭切齐。例如，虚拟延伸线34a与配置于相邻二主沟槽31a及31b之间的复数个次沟槽32a、32b、32c、32d、32e及32f等各自的一端重迭切齐。此外，在图3所示的实施例中，复数个主沟槽每相对两者之间（如31a及31d、31b及31e、与31c及31f）横跨旋转中心而相交。惟在另一实施例中，该等复数个主沟槽亦可仅有部份主沟槽横跨旋转中心而相交。至于图3所示的实施例的其它可能实施的态样，当可类似于研磨层20所述者。

请参阅图4，其表示本发明的研磨垫上的研磨层的一实施例上视示意图。在图4所示的实施例中，研磨层40于使用时系以逆时针方向（即箭头401）旋转，且研磨层40中配置有复数个主沟槽/次沟槽，并因之形成表面图案。详言之，研磨层40中具有复数个主沟槽41a、41b、41c、41d、41e及41f、以及配置于该等复数个主沟槽每相邻两者之间的复数个次沟槽配置。例如图4所示，复数个次沟槽42a、42b、42c、42d、42e、42f及42g等，系配置于主沟槽41a及41b之间。

如图4所示，该等复数个主沟槽41a、41b、41c、41d、41e及41f各自具有靠近中心区域的第一端、以及相交于研磨层40圆周的第二端，复数个次沟槽42a、42b、42c、42d、42e、42f及42g则具有切齐于虚拟延伸线44a（其位置定义方式同于研磨层20所述者）配置的第一端、以及相交于研磨层40圆周的第二端。在一实施例中，如图4所示的研磨层，其中的复数个主沟槽及次沟槽的靠近圆周部的第二端，得仅有一部分与研磨层40圆周相交、另一部分则未与研磨层40圆周相交。至于图4所示的实施例的其它可能实施的态样，当可类似于研磨层20所述者。

请参阅图5，其表示本发明的研磨垫上的研磨层的一实施例上视示意图。在图5所示的实施例中，研磨层50于使用时系以逆时针方向（即箭头501）旋转，且研磨层50中配置有复数个沟槽/次沟槽，并因之形成表面图案。详言之，研磨层50中具有复数个主沟槽51a、51b、51c、51d、51e及51f、以及配置于复数个主沟槽每相邻两者之间的复数个次沟槽。例如图5所示，复数个次沟槽52a、52b、52c、52d、52e、52f及52g等，系配置于主沟槽51a及51b之间。

如图5所示，复数个主沟槽51a、51b、51c、51d、51e及51f每相对两者之间（如51a及51d、51b及51e、与51c及51f）横跨旋转中心而相交、另一端则相交于研磨层50圆周的一端，而复数个次沟槽52a、52b、52c、52d、52e、52f及52g则具有沿虚拟延伸线55a（其位置定义方式同于研磨层30所述者）配置的第一端、以及相交于研磨层50圆周的第二端。而图5所示的实施例的其它可能实施的态样，当可类似于研磨层20所述者。

请参阅图6，其表示本发明的研磨垫上的研磨层的一实施例上视示意图。在图6所示的实施例中，研磨层60于使用时系以逆时针方向（即箭头601）旋转，且研磨层60中配置有复数个主沟槽/次沟槽，并因之形成表面图案。详言之，研磨层60中具有复数个主沟槽61a、61b、61c、61d、61e及61f、以及配置于复数个主沟槽每相邻两者之间的复数个次沟槽。例如图6所示，复数个次沟槽62a、62b、62c、62d、62e、62f及62g等，系配置于主沟槽61a及61b之间。

图6所示的实施例的其它可能实施的态样，可类似于研磨层20、30、40或50所述者。惟研磨层60中的复数个主沟槽、复数个次沟槽及复数个虚拟延伸线系以曲线形配置。而在另一实施例中，研磨层60中的复数个主沟槽、复数个次沟槽及复数个虚拟延伸线系以直线形、折线形、曲线形、或其组合配置。此外，即如图6所示，研磨层60中的主沟槽61a、61b、61c、61d、61e及61f自靠近中心区域的第一端延伸至靠近周围区域的第二端，主沟槽61a、61b、61c、61d、61e及61f自沿着延伸路径具有一弯曲方向，此弯曲方向与沿研磨垫的旋转方向(箭头601所指的方向)相同。

在一实施例中，研磨层60上的虚拟延伸线64a与沿旋转方向601的相邻主沟槽61b大致上呈平行分布，以图6所示的研磨层60为例则为平行曲线分布。在另一实施例中，研磨层60上的次沟槽(62a至62f)与沿旋转方向601相反方向的相邻主沟槽61a大致上呈平行分布，以图6所示的研磨层60为例则为平行曲线分布。

上述各实施例中研磨垫的中心区域可以是部份中空的型态，呈现为一环形研磨垫，至于中空的面积大小/及形状则依使用需要而决定。具体做法可以是先制作出一个完整的研磨垫(如图2所示)，接着再将中心部分挖空而形成环形研磨垫；或是在形成研磨垫时，即形成中空的环形研磨垫。

上述各实施例中的研磨垫也可以是一种组合式研磨垫，系由复数个小尺寸的子研磨垫组合而成，其优点在于可以生产大尺寸的研磨垫。其中，举例而言，子研磨垫的形状例如是类扇形研磨垫(例如是图3所示的6个类扇形区域)，组合而成的组合式研磨垫例如是圆形研磨垫(例如是图3所示的研磨垫)。至于复数个子研磨垫的形状/数目选择，视使用者的需求而定，在此不做限制及赘述。

上述各实施例中的研磨层，将可透过其中的主沟槽/次沟槽的配置，使得进行研磨制程时的研磨液于各主沟槽/次沟槽内流动，并使研磨液流至研磨层的表面，并进而使得研磨液具有不同的流场分布。举例而言，上述各实施例中的研磨层，复数个沟槽于研磨垫旋转时，可将研磨所产生的碎屑迅速带离工作表面，以达到润滑、清洁的功能。在一实施例中，研磨层中可包含研磨粒子，而此种研磨层于使用时所搭配的研磨液可以用不包含研磨粒子的水溶液，利用水溶液冷却研磨时工作表面的温度。在另一实施例中，研磨层中不包含研磨粒子时，则于使用时可视制程需求使用具有研磨粒子的研磨液。

上述各实施例中的研磨层，其中的复数主沟槽、复数次沟槽及复数虚拟延伸线系得以直线形、折线形、曲线形、或其组合配置，而可使得第一研磨区域及第二研磨区域呈现直线形、折线形或曲线形，且复数个主沟槽及复数个次沟槽各自的沟槽宽度可以完全相等、一部分相等或完全不等，再加上主沟槽/次沟槽的数目得以任意调整，如此即可透过上述条件改变研磨层上表面图案的态样或面积。例如在一实施例中，任一复数个主沟槽的沟槽宽度较任一复数个次沟槽者为宽。

惟必须说明的是，上述主沟槽及次沟槽的用语，系为方便清楚说明本发明，在未特别说明的情况下，并非用以具体限定该等主、次沟槽具有功能或尺寸上的主从区别。

此外，上述各实施例中所述的研磨层，可应用于制造工业组件的研磨制程，例如是应用于电子产业的组件，可包括半导体、集成电路、微机电、能源转换、通讯、光学、储存盘片、及显示器等组件，而制作这些组件所使用的研磨对象可包括半导体晶圆、ⅢⅤ族晶圆、储存组件载体、陶瓷基底、高分子聚合物基底、及玻璃基底等，但并非用以限定本发明的范围。

再者，上述各实施例中所述的研磨层，其中的复数主沟槽、复数次沟槽、或复数虚拟延伸线，当可视需求进行尺寸（如长度或沟槽宽度）、数量、或间距上的调整，以使得研磨液具有不同的流场分布。举例而言，研磨层上各相邻两主沟槽间的类扇形区域的面积可以相等或不等，各相邻两次沟槽间的间距亦可以相等或不等。

本发明的研磨垫及研磨层，藉由可使研磨液具有不同的流场分布的研磨层，以得到不同的研磨液流场分布。对于某些特定的研磨制程，可能可以得到不同的研磨特性，例如是使研磨对象的研磨率得到不同的轮廓分布，或例如是减少像是微刮痕的研磨缺陷，以提供产业选择。

惟值得注意，纵使本案已由上述的实例所详细叙述，而可由在此领域具通常知识者任施匠思而为诸般修饰，然该等修饰皆不脱离如附实施例所欲保护者。

Claims (82)

1.一种研磨垫，适用于具有一旋转方向的一研磨系统，该研磨垫至少包括：一研磨层，该研磨层具有:

    一中心区域；

    一周围区域；

    复数个主沟槽，自靠近该中心区域向靠近该周围区域延伸；以及

    复数个次沟槽，配置于相邻两个主沟槽之间，其中该些次沟槽各具有一沟槽长度，且该些沟槽长度沿该旋转方向渐次缩短。

2.如权利要求1所述的研磨垫，其中该些主沟槽重合于该研磨垫的半径方向。

3.如权利要求1所述的研磨垫，其中每一该些主沟槽与该研磨垫的半径方向间具有一夹角。

4.如权利要求1所述的研磨垫，其中该研磨层具有复数条虚拟延伸线，各自位于相邻两个主沟槽之间，且自靠近该中心区域向靠近该周围区域延伸。

5.如权利要求4所述的研磨垫，其中该些虚拟延伸线与沿该旋转方向的相邻主沟槽大致上呈一平行分布。

6.如权利要求5所述的研磨垫，其中该平行分布系为平行直线分布、或平行曲线分布。

7.如权利要求4所述的研磨垫，其中该些次沟槽具有切齐于该些虚拟延伸线配置的一第一端、以及至少部分相交于该研磨层圆周的一第二端。

8.如权利要求4所述的研磨垫，其中该些主沟槽、该些次沟槽及该些虚拟延伸线系为直线形、折线形、曲线形、或其组合配置。

9.如权利要求1所述的研磨垫，其中该些主沟槽及该些次沟槽系为直线形、折线形、曲线形、或其组合配置。

10.如权利要求1所述的研磨垫，其中该些次沟槽与沿该旋转方向相反方向的相邻主沟槽大致上呈一平行分布。

11.如权利要求10所述的研磨垫，其中该平行分布系为平行直线分布、或平行曲线分布。

12.如权利要求1所述的研磨垫，其中该些主沟槽中每相邻两者之间具有一类扇形区域。

13.如权利要求12所述的研磨垫，其中该些类扇形区域各自的面积，为完全相等、一部分相等、或完全不相等。

14.如权利要求12所述的研磨垫，其中该些类扇形区域彼此相连接。

15.如权利要求1所述的研磨垫，其中该些主沟槽中至少其中两个主沟槽横跨该研磨层的一旋转中心而相交。

16.如权利要求1或15所述的研磨垫，其中该些主沟槽中至少其中一个主沟槽相交于该研磨层的圆周。

17.如权利要求1所述的研磨垫，其中该些主沟槽自沿着延伸路径具有一弯曲方向，该弯曲方向与沿该研磨垫的该旋转方向相同。

18.如权利要求1所述的研磨垫，其中该研磨垫系为一环形研磨垫，且该中心区域包含有一中空部份。

19.如权利要求1所述的研磨垫，其中该研磨垫系为一组合式研磨垫，该组合式研磨垫系由复数个子研磨垫组合而成。

20.如权利要求19所述的研磨垫，其中该些子研磨垫的形状系为类扇形，该组合式研磨垫的形状系为圆形或环形。

21.如权利要求1所述的研磨垫，其中该些主沟槽及该些次沟槽各自具有一沟槽宽度，该沟槽宽度完全相等、一部分相等或完全不等。

22.如权利要求1所述的研磨垫，其中每一该些主沟槽的沟槽宽度大于每一该些次沟槽的沟槽宽度。

23.如权利要求1所述的研磨垫，其中各相邻两次沟槽间的间距为完全相等或完全不相等。

24. 如权利要求1所述的研磨垫，其中该研磨层内系含有研磨粒子或不含有研磨粒子。

25.一种研磨垫，该研磨垫至少包括：

   一研磨层，该研磨层具有:

     一中心区域；

     一周围区域；

     复数个主沟槽，自靠近该中心区域向靠近该周围区域延伸；

     复数条虚拟延伸线，各自位于相邻两个主沟槽之间，且自靠近该中心区域向靠近该周围区域延伸；以及

     复数个次沟槽，配置于相邻两个主沟槽之间，其中该些次沟槽各具有一第一端点及一第二端点，该第一端点切齐于该些虚拟延伸线，该第二端点分布于该周围区域。

26.如权利要求25所述的研磨垫，其中该些主沟槽重合于该研磨垫的半径方向。

27.如权利要求25所述的研磨垫，其中每一该些主沟槽与该研磨垫的半径方向间具有一夹角。

28.如权利要求25所述的研磨垫，其中该些虚拟延伸线与沿该研磨垫的一旋转方向的相邻主沟槽大致上呈一平行分布，且该平行分布系为平行直线分布、或平行曲线分布。

29.如权利要求25所述的研磨垫，其中该些主沟槽、该些次沟槽、及该些虚拟延伸线系为直线形、折线形、曲线形、或其组合配置。

30.如权利要求25所述的研磨垫，其中该些次沟槽与沿该研磨垫的一旋转方向相反方向的相邻主沟槽大致上呈一平行分布，且该平行分布系为平行直线分布、或平行曲线分布。

31.如权利要求25所述的研磨垫，其中该些主沟槽中每相邻两者之间具有一类扇形区域。

32.如权利要求31所述的研磨垫，其中该些类扇形区域各自的面积，为完全相等、一部分相等、或完全不相等。

33.如权利要求31所述的研磨垫，其中该些类扇形区域彼此相连接。

34.如权利要求25所述的研磨垫，其中该些主沟槽中至少其中两个主沟槽横跨该研磨层的一旋转中心而相交。

35.如权利要求25或34所述的研磨垫，其中该些主沟槽中至少其中一个主沟槽相交于该研磨层的圆周。

36.如权利要求25所述的研磨垫，其中该些主沟槽自沿着延伸路径具有一弯曲方向，该弯曲方向与沿该研磨垫的一旋转方向相同。

37.如权利要求25所述的研磨垫，其中该研磨垫系为一环形研磨垫，且该中心区域包含有一中空部份。

38.如权利要求25所述的研磨垫，其中该研磨垫系为一组合式研磨垫，该组合式研磨垫系由复数个子研磨垫组合而成，该些子研磨垫的形状系为类扇形，该组合式研磨垫的形状系为圆形或环形。

39.如权利要求25所述的研磨垫，其中该些主沟槽及该些次沟槽各自具有一沟槽宽度，该沟槽宽度完全相等、一部分相等或完全不等。

40.如权利要求25所述的研磨垫，其中每一该些主沟槽的沟槽宽度大于每一该些次沟槽的沟槽宽度。

41.如权利要求25所述的研磨垫，其中各相邻两次沟槽间的间距为完全相等或完全不相等。

42. 如权利要求25所述的研磨垫，其中该研磨层内系含有研磨粒子或不含有研磨粒子。

43.一种研磨垫，该研磨垫至少包括：

   一研磨层，该研磨层具有:

     一中心区域；

     一周围区域；

     复数个主沟槽，自靠近该中心区域向靠近该周围区域延伸；以及

     复数个次沟槽，配置于相邻两个主沟槽之间，形成一梳状图案。

44.如权利要求43所述的研磨垫，其中该些主沟槽重合于该研磨垫的半径方向。

45.如权利要求43所述的研磨垫，其中每一该些主沟槽与该研磨垫的半径方向间具有一夹角。

46.如权利要求43所述的研磨垫，其中该研磨层具有复数条虚拟延伸线，各自位于相邻两个主沟槽之间，且自靠近该中心区域向靠近该周围区域延伸。

47.如权利要求46所述的研磨垫，其中该些虚拟延伸线与沿该研磨垫的一旋转方向的相邻主沟槽大致上呈一平行分布，且该平行分布系为平行直线分布、或平行曲线分布。

48.如权利要求46所述的研磨垫，其中该些次沟槽具有切齐于该些虚拟延伸线配置的一第一端、以及至少部分相交于该研磨层圆周的一第二端。

49.如权利要求46所述的研磨垫，其中该些主沟槽、该些次沟槽、及该些虚拟延伸线系为直线形、折线形、曲线形、或其组合配置。

50.如权利要求43所述的研磨垫，其中该些次沟槽与沿该研磨垫的一旋转方向相反方向的相邻主沟槽大致上呈一平行分布，且该平行分布系为平行直线分布、或平行曲线分布。

51.如权利要求43所述的研磨垫，其中该些主沟槽中每相邻两者之间具有一类扇形区域。

52.如权利要求51所述的研磨垫，其中该些类扇形区域各自的面积，为完全相等、一部分相等、或完全不相等。

53.如权利要求51所述的研磨垫，其中该些类扇形区域彼此相连接。

54.如权利要求43所述的研磨垫，其中该些主沟槽中至少其中两个主沟槽横跨该研磨层的一旋转中心而相交。

55.如权利要求43或54所述的研磨垫，其中该些主沟槽中至少其中一个主沟槽相交于该研磨层的圆周。

56.如权利要求43所述的研磨垫，其中该些主沟槽自沿着延伸路径具有一弯曲方向，该弯曲方向与沿该研磨垫的该研磨垫的一旋转方向相同。

57.如权利要求43所述的研磨垫，其中该研磨垫系为一环形研磨垫，且该中心区域包含有一中空部份。

58.如权利要求43所述的研磨垫，其中该研磨垫系为一组合式研磨垫，该组合式研磨垫系由复数个子研磨垫组合而成，该些子研磨垫的形状系为类扇形，该组合式研磨垫的形状系为圆形或环形。

59.如权利要求43所述的研磨垫，其中该些主沟槽及该些次沟槽各自具有一沟槽宽度，该沟槽宽度完全相等、一部分相等或完全不等。

60.如权利要求43所述的研磨垫，其中每一该些主沟槽的沟槽宽度大于每一该些次沟槽的沟槽宽度。

61.如权利要求43所述的研磨垫，其中各相邻两次沟槽间的间距为完全相等或完全不相等。

62. 如权利要求43所述的研磨垫，其中该研磨层内系含有研磨粒子或不含有研磨粒子。

63.一种研磨垫，适用于具有一旋转方向的一研磨系统，该研磨垫至少包括：一研磨层，该研磨层具有一中心区域及一周围区域；以及

  一表面图案，该表面图案包括复数个自靠近该中心区域向外延伸至靠近该周围区域分布的第一研磨区域以及复数个位于相邻两个第一研磨区域之间的第二研磨区域，其中每一个该些第二研磨区域与其中一个该第一研磨区域间各具有一夹角，该些夹角的方向与该旋转方向相同。

64.如权利要求63所述的研磨垫，其中该其中一个该第一研磨区域系为沿该旋转方向的相邻第一研磨区域。

65.如权利要求63所述的研磨垫，其中该些第一研磨区域每相邻两者之间具有一类扇形区域。

66.如权利要求65所述的研磨垫，其中该夹角的角度约等同于360度除以该些类扇形图案区域的数目。

67.如权利要求65所述的研磨垫，其中该些第一研磨区域与该些第二研磨区域彼此相连接，且该些类扇形区域也彼此相连接。

68.如权利要求65所述的研磨垫，其中该些类扇形区域各自的面积，为完全相等、一部分相等、或完全不相等。

69.如权利要求63所述的研磨垫，其中每一个该些第二研磨区域与沿该旋转方向相反方向的相邻第一研磨区域大致上呈平行。

70.如权利要求63所述的研磨垫，其中该研磨垫系为一环形研磨垫，且该中心区域包含有一中空部份。

71.如权利要求63所述的研磨垫，其中该研磨垫系为一组合式研磨垫，该组合式研磨垫系由复数个子研磨垫组合而成，该些子研磨垫的形状系为类扇形，该组合式研磨垫的形状系为圆形或环形。

72.如权利要求63所述的研磨垫，其中该研磨层内系含有研磨粒子或不含有研磨粒子。

73.一种研磨垫，该研磨垫至少包括：

   一研磨层，该研磨层具有一中心区域及一周围区域；以及

   一表面图案，该表面图案包括复数个自靠近该中心区域向外延伸至靠近该周围区域分布的第一研磨区域以及复数个位于相邻两个第一研磨区域之间的第二研磨区域，其中每一个该些第二研磨区域与其中一个该第一研磨区域大致上呈平行。

74.如权利要求73所述的研磨垫，其中该其中一个该第一研磨区域系为沿研磨垫的一该旋转方向的相邻第一研磨区域。

75.如权利要求73所述的研磨垫，其中每一个该些第二研磨区域与其中一个该第一研磨区域间各具有一夹角，该夹角的方向与该研磨垫的一旋转方向相同。

76.如权利要求75所述的研磨垫，其中该些第一研磨区域中每相邻两者之间具有一类扇形区域，且该夹角的角度约等同于360度除以该些类扇形图案区域的数目。

77.如权利要求73所述的研磨垫，其中该些第一研磨区域中每相邻两者之间具有一类扇形区域。

78.如权利要求76或77所述的研磨垫，其中该些第一研磨区域与该些第二研磨区域彼此相连接，且该些类扇形区域也彼此相连接。

79.如权利要求76或77所述的研磨垫，其中该些类扇形区域各自的面积，为完全相等、一部分相等、或完全不相等。

80.如权利要求73所述的研磨垫，其中该研磨垫系为一环形研磨垫，且该中心区域包含有一中空部份。

81.如权利要求73所述的研磨垫，其中该研磨垫系为一组合式研磨垫，该组合式研磨垫系由复数个子研磨垫组合而成，该些子研磨垫的形状系为类扇形，该组合式研磨垫的形状系为圆形或环形。

82.如权利要求73所述的研磨垫，其中该研磨层内系含有研磨粒子或不含有研磨粒子。