CN104218929A - 真正的逆向电流阻断电路、方法、负载开关及便携式设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种真正的逆向电流阻断(TRCB)电路，该电路包括：双向TRCB电路及金属氧化物半导体场效应管(MOS)；其中，所述双向TRCB电路，配置为当所述MOS进行第一方向或第二方向的电流传输时，阻断产生的逆向电流。本发明同时公开了一种TRCB方法、负载开关以及便携式设备，采用本发明的方案，能采用一个具有双向TRCB控制功能的MOS实现双向电流的传输，从而降低了生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及逆向电流阻断(RCB，Reverse Current Blocking)技术，尤其涉及一种真正的逆向电流阻断(TRCB，True Reverse Current Blocking)电路、方法、负载开关(load switch)及便携式设备(Portable Device)。
背景技术
近年来，随着Portable Device的发展，为了节省电能，除了应用高效率的电源管理集成电路(IC，Integration Circuit)外，还需要多个load switch，以实现为Portable Device中被用户使用的负载供电，将未被使用的负载的供电关断的目的。
load switch是在电源与负载之间，用逻辑电平来控制通、断，使负载得电或失电的电源通道器件。为了提高传统的load switch的工作可靠性，人们为loadswitch增加了功能，比如：TRCB功能。这里，所述TRCB功能是指：在功率器件导通和关断的情况下，均能阻断产生的电流传输方向逆向的电流。
目前，实现TRCB功能的TRCB电路即使在金属氧化物半导体场效应管(MOS)处于导通状态时，也只允许单向电流流过MOS。如图1所示，当需要在输入点VIN和输出点VOUT实现双向电流传输时，则需要两个具有TRCB功能的MOS并联实现；具体地，当电流方向为从输入点VIN到输出点VOUT时，通过具有TRCB功能的MOS A来实现，当电流方向为从输出点VOUT到输入点VIN时，通过具有TRCB功能的MOS B来实现，如此，会增加生产成本。除此以外，当两个具有TRCB功能的MOS集成在印刷电路板(PCB，PrintedCircuit Board)上时，会增加PCB板的面积。
发明内容
为了解决现有技术中的问题，本发明提供一种TRCB电路、方法、load switch及Portable Device。
为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：
本发明提供了一种TRCB电路，该电路包括：双向TRCB电路及MOS；其中，
所述双向TRCB电路，配置为当所述MOS进行第一方向或第二方向的电流传输时，阻断产生的逆向电流。
本发明还提供了一种load switch，包括过热保护电路；该load switch还包括TRCB电路；
所述TRCB电路包括：双向TRCB电路及MOS；其中，
所述双向TRCB电路，配置为当所述MOS进行第一方向或第二方向的电流传输时，阻断产生的逆向电流。
本发明又提供了一种便携式设备，包括：外壳、中央处理器(CPU，CentralProcessing Unit)、以及load switch；所述load switch包括过热保护电路；所述load switch还包括TRCB电路；所述TRCB电路包括：双向TRCB电路及MOS；其中，
所述双向TRCB电路，配置为当所述MOS进行第一方向或第二方向的电流传输时，阻断产生的逆向电流。
本发明还提供了一种TRCB方法，该方法包括：
当MOS进行第一方向或第二方向的电流传输时，阻断产生的逆向电流。
本发明提供的TRCB电路、方法、load switch及Portable Device，当MOS进行第一方向或第二方向的电流传输时，阻断产生的逆向电流，如此，能采用一个具有双向TRCB控制功能的MOS实现双向电流的传输，从而降低了生产成本。
另外，本发明的实现方案中，采用一个具有双向TRCB控制功能的MOS实现双向电流的传输，当所述具有双向TRCB控制功能的MOS集成在PCB上时，能有效地减少PCB的占用面积，进一步降低了生产成本。
附图说明
图1为现有技术实现双向电流传输的电路示意图；
图2为本发明实施例一种TRCB电路结构示意图；
图3为本发明实施例双向TRCB电路结构示意图；
图4为本发明实施例另一种TRCB电路结构示意图；
图5a为本发明实施例TRCB电路第一方向的电流流向示意图；
图5b为本发明实施例TRCB电路第二方向的电流流向示意图。
具体实施方式
本发明的基本思想是：当MOS进行第一方向或第二方向的电流传输时，阻断产生的逆向电流。
下面结合附图及具体实施例对本发明再作进一步详细的说明。
本发明实施例的一种TRCB电路，如图2所示，包括：双向TRCB电路21及MOS 22；其中，
所述双向TRCB电路21，配置为当所述MOS 22进行第一方向或第二方向的电流传输时，阻断产生的逆向电流。
具体地，当所述MOS 22进行第一方向电流传输时，所述双向TRCB电路21阻断产生的所述第一方向的逆向电流；当所述MOS 22进行第二方向的电流传输时，所述双向TRCB电路21阻断产生的所述第二方向的逆向电流。
其中，所述第一方向与所述第二方向的方向相反。
所述MOS 22可以是P沟道金属氧化物半导体场效应管(PMOS)或N沟道金属氧化物半导体场效应管(NMOS)。
所述双向TRCB电路21，具体配置为当所述MOS 22进行第一方向或第二方向的电流传输时，通过控制所述MOS 22阻断产生的逆向电流。
所述双向TRCB电路21，如图3所示，具体包括：电流传输方向获取电路211以及检测电路212；其中，
所述传输电流方向获取电路211，配置为获取电流传输方向，并向所述检测电路212通知获取的电流传输方向；
所述检测电路212，配置为收到所述传输电流方向获取电路211通知的电流传输方向后，当所述MOS 22进行第一方向或第二方向的电流传输时，依据获取的电流传输方向，检测产生的逆向电流，并在检测到逆向电流后，关断所述MOS 22。
本发明实施例的另一种TRCB电路，如图4所示，所述双向电路TRCB 21还可以进一步包括开关电路213，配置为控制所述MOS 22进行第一方向或第二方向的电流传输。这里，假设第一方向为从输入点IN到输出点OUT，第二方向为从输出点OUT到输入点IN。
在实际应用时，如图4所示，可以由比较器和同或门组成所述检测电路212，所述开关电路213可以包括开关Q1及开关Q2，所述MOS 22具体为PMOS。
其中，开关Q1的一端连接输入点IN，另一端连接MOS 22的衬底，开关Q2的一端连接输出点OUT，另一端连接MOS 22的衬底，比较器的正极与输出点OUT连接，负极与输入点IN连接，输出端与同或门的第二输入端in2连接，同或门的第一输入端in1输入的信号为电流传输方向获取电路211获取的电流传输方向信号；同或门的输出端连接MOS 22的栅极。这里，在实际应用过程中，同或门的输出端与MOS 22的栅极之间还可以连接有其它功能性电路，比如：电平转换电路，配置为将同或门输出的信号的逻辑电平转换成与导通或关断MOS 22所对应的驱动电压。
如图4所示，当设置电流方向为从输入点IN到输出点OUT时，即：输入点IN的电压高于输出点OUT时，电流传输方向获取电路211获取的电流传输方向信号为低电平信号，同时，开关Q1闭合，开关Q2断开，比较器向同或门输出高电平信号，同或门向MOS 22输出低电平信号，导通MOS 22，电流从输入点IN经MOS 22流至输出点OUT；在电流传输过程中，比较器实时比较输入点IN的电压与输出点OUT的电压，当输出点OUT的电压大于输入点IN的电压时，向同或门输出低电平信号，同或门向MOS 22输出高电平信号，关断MOS 22。
相应的，当设置电流方向为从输出点OUT到输入点IN时，即：输出点OUT的电压高于输入点IN时，电流传输方向获取电路211获取的电流传输方向信号为高电平控制信号，同时，开关Q1断开，开关Q2闭合，比较器向同或门输出低电平信号，同或门向MOS 22输出低电平信号，导通MOS 22，电流从输出点OUT经MOS 22流至输入点IN；在电流传输过程中，比较器实时比较输入点IN的电压与输出点OUT的电压，当输入点IN的电压大于输出点OUT的电压时，向同或门输出高电平信号，同或门向MOS 22输出高电平信号，关断MOS22。
这里，所述电流传输方向获取电路211可以是一个IC，接收人工向所述IC输入相应的电流传输方向，从而使所述电流传输方向获取电路211获知电流传输方向，或者，所述电流传输方向获取电路211可以是能感知电流传输方向的感应电路，从而获取到电流传输方向。
举个例子来说，当本发明的TRCB电路与二次电池连接时，所述电流传输方向获取电路211根据充电器的状态即可感知电流传输方向，具体地，当有充电器存在时，所述电流传输方向获取电路211感知充电方向为电流传输方向；当无充电器存在时，所述电流传输方向获取电路211感知放电方向为电流传输方向；这里，所述二次电池是指可以多次充电的电池。
当将本发明提供的TRCB电路放在应用环境中后，比如将本发明提供的TRCB电路与二次电池连接后，图5a和图5b所示，假设输入点为IN，输出点为OUT，输入点IN与MOS 22的源极连接，第一方向为从输入点IN到输出点OUT，第二方向为从输出点OUT到输入点IN，输出点OUT与MOS 22的漏极连接，MOS 22的栅极为G。当电流传输方向为从输入点IN到输出点OUT时，即电流传输方向为第一方向时，双向TRCB电路21获取到电流传输方向为从输入点IN到输出点OUT，在MOS 22进行电流传输的过程中，根据获取的电流传输方向，检测是否产生逆向电流，当检测到逆向电流时，关断MOS 22；相应的，当电流传输方向为从输出点OUT到输入点IN时，即电流传输方向为第二方向时，双向TRCB电路21获取到电流传输方向为从输出点OUT到输入点IN，在MOS 22进行电流传输的过程中，根据获取的电流传输方向，检测是否产生逆向电流，当检测到逆向电流时，关断MOS 22。
基于上述TRCB电路，本发明还提供了一种load switch，该load switch包括：过热保护电路及TRCB电路；其中，如图2所示，所述TRCB电路包括：包括：双向TRCB电路21及MOS 22；其中，
所述双向TRCB电路21，配置为当所述MOS 22进行第一方向或第二方向的电流传输时，阻断产生的逆向电流。
具体地，当所述MOS 22进行第一方向电流传输时，所述双向TRCB电路21，阻断产生的所述第一方向的逆向电流；当所述MOS 22进行第二方向的电流传输时，所述双向TRCB电路21阻断产生的所述第二方向的逆向电流。
其中，所述第一方向与所述第二方向的方向相反。
所述MOS 22可以是PMOS或NMOS。
所述双向TRCB电路21，具体配置为当所述MOS 22进行第一方向或第二方向的电流传输时，通过控制所述MOS 22阻断产生的逆向电流。
所述双向TRCB电路21，如图3所示，具体包括：电流传输方向获取电路211以及检测电路212；其中，
所述传输电流方向获取电路211，配置为获取电流传输方向，并向所述检测电路212通知获取的电流传输方向；
所述检测电路212，配置为收到所述传输电流方向获取电路211通知的电流传输方向后，当所述MOS 22进行第一方向或第二方向的电流传输时，依据获取的电流传输方向，检测产生的逆向电流，并在检测到逆向电流后，关断所述MOS 22。
本发明实施例的另一种TRCB电路，如图4所示，所述双向电路TRCB 21还可以进一步包括开关电路213，配置为控制所述MOS 22进行第一方向或第二方向的电流传输。这里，假设第一方向为从输入点IN到输出点OUT，第二方向为从输出点OUT到输入点IN。
在实际应用时，如图4所示，可以由比较器和同或门组成检测电路212，所述开关电路213可以包括开关Q1及开关Q2，所述MOS 22具体为PMOS。
其中，开关Q1的一端连接输入点IN，另一端连接MOS 22的衬底，开关Q2的一端连接输出点OUT，另一端连接MOS 22的衬底，比较器的正极与输出点OUT连接，负极与输入点IN连接，输出端与同或门的第二输入端in2连接，同或门的第一输入端in1输入的信号为电流传输方向获取电路211获取的电流传输方向信号；同或门的输出端连接MOS 22的栅极。这里，在实际应用过程中，同或门的输出端与MOS 22的栅极之间还可以连接有其它功能性电路，比如：电平转换电路，配置为将同或门输出的信号的逻辑电平转换成与导通或关断MOS 22所对应的驱动电压。
如图4所示，当设置电流方向为从输入点IN到输出点OUT时，即：输入点IN的电压高于输出点OUT时，电流传输方向获取电路211获取的电流传输方向信号为低电平信号，同时，开关Q1闭合，开关Q2断开，比较器向同或门输出高电平信号，同或门向MOS 22输出低电平信号，导通MOS 22，电流从输入点IN经MOS 22流至输出点OUT；在电流传输过程中，比较器实时比较输入点IN的电压与输出点OUT的电压，当输出点OUT的电压大于输入点IN的电压时，向同或门输出低电平信号，同或门向MOS 22输出高电平信号，关断MOS 22。
相应的，当设置电流方向为从输出点OUT到输入点IN时，即：输出点OUT的电压高于输入点IN时，电流传输方向获取电路211获取的电流传输方向信号为高电平控制信号，同时，开关Q1断开，开关Q2闭合，比较器向同或门输出低电平信号，同或门向MOS 22输出低电平信号，导通MOS 22，电流从输出点OUT经MOS 22流至输入点IN；在电流传输过程中，比较器实时比较输入点IN的电压与输出点OUT的电压，当输入点IN的电压大于输出点OUT的电压时，向同或门输出高电平信号，同或门向MOS 22输出高电平信号，关断MOS22。
这里，所述电流传输方向获取电路211可以是一个IC，接收人工向所述IC输入相应的电流传输方向，从而使所述电流传输方向获取电路211获知电流传输方向，或者，所述电流传输方向获取电路211可以是能感知电流传输方向的感应电路，从而获取到电流传输方向。
举个例子来说，当本发明的TRCB电路与二次电池连接时，所述电流传输方向获取电路211根据充电器的状态即可感知电流传输方向，具体地，当有充电器存在时，所述电流传输方向获取电路211感知充电方向为电流传输方向；当无充电器存在时，所述电流传输方向获取电路211感知放电方向为电流传输方向；这里，所述二次电池是指可以多次充电的电池。
当将本发明提供的TRCB电路放在应用环境中后，比如将本发明提供的TRCB电路与二次电池连接后，图5a和图5b所示，假设输入点为IN，输出点为OUT，输入点IN与MOS 22的源极连接，第一方向为从输入点IN到输出点OUT，第二方向为从输出点OUT到输入点IN，输出点OUT与MOS 22的漏极连接，MOS 22的栅极为G。当电流传输方向为从输入点IN到输出点OUT时，即电流传输方向为第一方向时，双向TRCB电路21获取到电流传输方向为从输入点IN到输出点OUT，在MOS 22进行电流传输的过程中，根据获取的电流传输方向，检测是否产生逆向电流，当检测到逆向电流时，关断MOS 22；相应的，当电流传输方向为从输出点OUT到输入点IN时，即电流传输方向为第二方向时，双向TRCB电路21获取到电流传输方向为从输出点OUT到输入点IN，在MOS 22进行电流传输的过程中，根据获取的电流传输方向，检测是否产生逆向电流，当检测到逆向电流时，关断MOS 22。
其中，过热保护电路，配置为对功率器件进行过热保护。
基于上述load switch，本发明还提供了一种Portable device，该Portabledevice包括：外壳、CPU、以及load switch；所述load switch进一步包括：过热保护电路及TRCB电路；其中，如图2所示，所述TRCB电路包括：包括：双向TRCB电路21及MOS 22；其中，
所述双向TRCB电路21，配置为当所述MOS 22进行第一方向或第二方向的电流传输时，阻断产生的逆向电流。
具体地，当所述MOS 22进行第一方向电流传输时，所述双向TRCB电路21，阻断产生的所述第一方向的逆向电流；当所述MOS 22进行第二方向的电流传输时，所述双向TRCB电路21阻断产生的所述第二方向的逆向电流。
其中，所述第一方向与所述第二方向的方向相反。
所述MOS 22可以是PMOS或NMOS。
所述双向TRCB电路21，具体配置为当所述MOS 22进行第一方向或第二方向的电流传输时，通过控制所述MOS 22阻断产生的逆向电流。
所述双向TRCB电路21，如图3所示，具体包括：电流传输方向获取电路211以及检测电路212；其中，
所述传输电流方向获取电路211，配置为获取电流传输方向，并向所述检测电路212通知获取的电流传输方向；
所述检测电路212，配置为收到所述传输电流方向获取电路211通知的电流传输方向后，当所述MOS 22进行第一方向或第二方向的电流传输时，依据获取的电流传输方向，检测产生的逆向电流，并在检测到逆向电流后，关断所述MOS 22。
本发明实施例的另一种TRCB电路，如图4所示，所述双向电路TRCB 21还可以进一步包括开关电路213，配置为控制所述MOS 22进行第一方向或第二方向的电流传输。这里，假设第一方向为从输入点IN到输出点OUT，第二方向为从输出点OUT到输入点IN。
在实际应用时，如图4所示，可以由比较器和同或门组成所述检测电路212，所述开关电路213可以包括开关Q1及开关Q2，所述MOS 22具体为PMOS。
其中，开关Q1的一端连接输入点IN，另一端连接MOS 22的衬底，开关Q2的一端连接输出点OUT，另一端连接MOS 22的衬底，比较器的正极与输出点OUT连接，负极与输入点IN连接，输出端与同或门的第二输入端in2连接，同或门的第一输入端in1输入的信号为电流传输方向获取电路211获取的电流传输方向信号；同或门的输出端连接MOS 22的栅极。这里，在实际应用过程中，同或门的输出端与MOS 22的栅极之间还可以连接有其它功能性电路，比如：电平转换电路，配置为将同或门输出的信号的逻辑电平转换成与导通或关断MOS 22所对应的驱动电压。
如图4所示，当设置电流方向为从输入点IN到输出点OUT时，即：输入点IN的电压高于输出点OUT时，电流传输方向获取电路211获取的电流传输方向信号为低电平信号，同时，开关Q1闭合，开关Q2断开，比较器向同或门输出高电平信号，同或门向MOS 22输出低电平信号，导通MOS 22，电流从输入点IN经MOS 22流至输出点OUT；在电流传输过程中，比较器实时比较输入点IN的电压与输出点OUT的电压，当输出点OUT的电压大于输入点IN的电压时，向同或门输出低电平信号，同或门向MOS 22输出高电平信号，关断MOS 22。
相应的，当设置电流方向为从输出点OUT到输入点IN时，即：输出点OUT的电压高于输入点IN时，电流传输方向获取电路211获取的电流传输方向信号为高电平控制信号，同时，开关Q1断开，开关Q2闭合，比较器向同或门输出低电平信号，同或门向MOS 22输出低电平信号，导通MOS 22，电流从输出点OUT经MOS 22流至输入点IN；在电流传输过程中，比较器实时比较输入点IN的电压与输出点OUT的电压，当输入点IN的电压大于输出点OUT的电压时，向同或门输出高电平信号，同或门向MOS 22输出高电平信号，关断MOS22。
这里，所述电流传输方向获取电路211可以是一个IC，接收人工向所述IC输入相应的电流传输方向，从而使所述电流传输方向获取电路211获知电流传输方向，或者，所述电流传输方向获取电路211可以是能感知电流传输方向的感应电路，从而获取到电流传输方向。
举个例子来说，当本发明的TRCB电路与二次电池连接时，所述电流传输方向获取电路211根据充电器的状态即可感知电流传输方向，具体地，当有充电器存在时，所述电流传输方向获取电路211感知充电方向为电流传输方向；当无充电器存在时，所述电流传输方向获取电路211感知放电方向为电流传输方向；这里，所述二次电池是指可以多次充电的电池。
当将本发明提供的TRCB电路放在应用环境中后，比如将本发明提供的TRCB电路与二次电池连接后，图5a和图5b所示，假设输入点为IN，输出点为OUT，输入点IN与MOS 22的源极连接，第一方向为从输入点IN到输出点OUT，第二方向为从输出点OUT到输入点IN，输出点OUT与MOS 22的漏极连接，MOS 22的栅极为G。当电流传输方向为从输入点IN到输出点OUT时，即电流传输方向为第一方向时，双向TRCB电路21获取到电流传输方向为从输入点IN到输出点OUT，在MOS 22进行电流传输的过程中，根据获取的电流传输方向，检测是否产生逆向电流，当检测到逆向电流时，关断MOS 22；相应的，当电流传输方向为从输出点OUT到输入点IN时，即电流传输方向为第二方向时，双向TRCB电路21获取到电流传输方向为从输出点OUT到输入点IN，在MOS 22进行电流传输的过程中，根据获取的电流传输方向，检测是否产生逆向电流，当检测到逆向电流时，关断MOS 22。
其中，所述过热保护电路，配置为对功率器件进行过热保护。
基于上述TRCB电路，本发明还提供了一种TRCB方法，该方法包括：当MOS进行第一方向或第二方向的电流传输时，阻断产生的逆向电流。
其中，所述第一方向与所述第二方向的方向相反。所述MOS可以是PMOS或NMOS。
所述阻断产生的逆向电流，具体为：
通过控制所述MOS阻断产生的逆向电流。
所述当MOS进行第一方向或第二方向的电流传输时，阻断产生的逆向电流，具体为：获取电流传输方向；当所述MOS进行所述第一方向或所述第二方向的电流传输时，依据获取的电流传输方向，检测产生的逆向电流，并在检测到逆向电流后，关断所述MOS。
该方法还可以进一步包括：控制所述MOS进行所述第一方向或所述第二方向的电流传输。
以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。
Claims (27)
1.一种真正的逆向电流阻断(TRCB)电路，其特征在于，该电路包括：双向TRCB电路及金属氧化物半导体场效应管(MOS)；其中，
所述双向TRCB电路，配置为当所述MOS进行第一方向或第二方向的电流传输时，阻断产生的逆向电流。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，
所述第一方向与所述第二方向的方向相反。
3.根据权利要求1或2所述的电路，其特征在于，
所述MOS为P沟道金属氧化物半导体场效应管(PMOS)、或为N沟道金属氧化物半导体场效应管(NMOS)。
4.根据权利要求1或2所述的电路，其特征在于，所述双向TRCB电路，具体配置为当所述MOS进行第一方向或第二方向的电流传输时，通过控制所述MOS阻断产生的逆向电流。
5.根据权利要求1或2所述的电路，其特征在于，所述双向TRCB电路包括：电流传输方向获取电路以及检测电路；其中，
所述传输电流方向获取电路，配置为获取电流传输方向，并向所述检测电路通知获取的电流传输方向；
所述检测电路，配置为收到所述传输电流方向获取电路通知的电流传输方向后，当所述MOS进行第一方向或第二方向的电流传输时，依据获取的电流传输方向，检测产生的逆向电流，并在检测到逆向电流后，关断所述MOS。
6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述双向TRCB电路还包括：开关电路，配置为控制所述MOS进行第一方向或第二方向的电流传输。
7.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，
所述传输电流方向获取电路为接收输入电流传输方向的集成电路、或为感知电流传输方向的感应电路。
8.一种负载开关，包括过热保护电路；其特征在于，该负载开关还包括TRCB电路；
所述TRCB电路包括：双向TRCB电路及MOS；其中，
所述双向TRCB电路，配置为当所述MOS进行第一方向或第二方向的电流传输时，阻断产生的逆向电流。
9.根据权利要求8所述的负载开关，其特征在于，
所述第一方向与所述第二方向的方向相反。
10.根据权利要求8或9所述的负载开关，其特征在于，
所述MOS为PMOS、或为NMOS。
11.根据权利要求8或9所述的负载开关，其特征在于，所述双向TRCB电路，具体配置为当所述MOS进行第一方向或第二方向的电流传输时，通过控制所述MOS阻断产生的逆向电流。
12.根据权利要求8或9所述的负载开关，其特征在于，所述双向TRCB电路包括：电流传输方向获取电路以及检测电路；其中，
所述传输电流方向获取电路，配置为获取电流传输方向，并向所述检测电路通知获取的电流传输方向；
所述检测电路，配置为收到所述传输电流方向获取电路通知的电流传输方向后，当所述MOS进行第一方向或第二方向的电流传输时，依据获取的电流传输方向，检测产生的逆向电流，并在检测到逆向电流后，关断所述MOS。
13.根据权利要求12所述的负载开关，其特征在于，所述双向TRCB电路还包括：开关电路，配置为控制所述MOS进行第一方向或第二方向的电流传输。
14.根据权利要求12所述的负载开关，其特征在于，
所述传输电流方向获取电路为接收输入电流传输方向的集成电路、或为感知电流传输方向的感应电路。
15.一种便携式设备，包括：外壳、CPU以及负载开关；所述负载开关包括过热保护电路；其特征在于，所述负载开关还包括TRCB电路；所述TRCB电路包括：双向TRCB电路及MOS；其中，
所述双向TRCB电路，配置为当所述MOS进行第一方向或第二方向的电流传输时，阻断产生的逆向电流。
16.根据权利要求15所述的便携式设备，其特征在于，
所述第一方向与所述第二方向的方向相反。
17.根据权利要求15或16所述的便携式设备，其特征在于，
所述MOS为PMOS、或为NMOS。
18.根据权利要求15或16所述的便携式设备，其特征在于，所述双向TRCB电路，具体配置为当所述MOS进行第一方向或第二方向的电流传输时，通过控制所述MOS阻断产生的逆向电流。
19.根据权利要求15或16所述的便携式设备，其特征在于，所述双向TRCB电路包括：电流传输方向获取电路以及检测电路；其中，
所述传输电流方向获取电路，配置为获取电流传输方向，并向所述检测电路通知获取的电流传输方向；
所述检测电路，配置为收到所述传输电流方向获取电路通知的电流传输方向后，当所述MOS进行第一方向或第二方向的电流传输时，依据获取的电流传输方向，检测产生的逆向电流，并在检测到逆向电流后，关断所述MOS。
20.根据权利要求19所述的便携式设备，其特征在于，所述双向TRCB电路还包括：开关电路，配置为控制所述MOS进行第一方向或第二方向的电流传输。
21.根据权利要求19所述的便携式设备，其特征在于，
所述传输电流方向获取电路为接收输入电流传输方向的集成电路、或为感知电流传输方向的感应电路。
22.一种TRCB方法，其特征在于，该方法包括：
当MOS进行第一方向或第二方向的电流传输时，阻断产生的逆向电流。
23.根据权利要求22所述的方法，其特征在于，
所述第一方向与所述第二方向的方向相反。
24.根据权利要求22或23所述的方法，其特征在于，
所述MOS为PMOS、或为NMOS。
25.根据权利要求22或23所述的方法，其特征在于，所述阻断产生的逆向电流，为：
通过控制所述MOS阻断产生的逆向电流。
26.根据权利要求22或23所述的方法，其特征在于，
所述当MOS进行第一方向或第二方向的电流传输时，阻断产生的逆向电流，为：
获取电流传输方向；
当所述MOS进行所述第一方向或所述第二方向的电流传输时，依据获取的电流传输方向，检测产生的逆向电流，并在检测到逆向电流后，关断所述MOS。
27.根据权利要求26所述的方法，其特征在于，该方法还包括：
控制所述MOS进行所述第一方向或所述第二方向的电流传输。
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| US20080192520A1 (en) * | 2007-02-13 | 2008-08-14 | Hispano Suiza | Unipolar or bipolar chopping converter with two magnetically coupled windings |
| US20080198523A1 (en) * | 2005-05-24 | 2008-08-21 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Circuit Breaker for a Solar Module |
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-
2013
- 2013-05-30 CN CN201310217646.0A patent/CN104218929A/zh active Pending
Patent Citations (5)
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