CN104183771A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

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CN104183771A CN201310194905.2A CN201310194905A CN104183771A CN 104183771 A CN104183771 A CN 104183771A CN 201310194905 A CN201310194905 A CN 201310194905A CN 104183771 A CN104183771 A CN 104183771A
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周明杰
冯小明
黄辉
王平
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Shenzhen Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
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Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种有机电致发光器件,包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极、增透膜层和封装盖板,所述封装盖板和玻璃基板形成封闭空间,所述阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和增透膜层容置在所述封闭空间内;所述增透膜的材质为镧金属化合物,相对于增透膜常用的有机材料,所述镧金属化合物不仅对可见光具有非常高的透过率,而且热稳定性更佳,能起到较好的增透效果,有利于提高器件的使用寿命;本发明还公开了该有机电致发光器件的制备方法。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光领域,特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光二极管(OLED)具有一种类似三明治的结构,其上下分别是阴极和阳极,二个电极之间夹着单层或多层不同材料种类和不同结构的有机材料功能层,依次为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。有机电致发光器件是载流子注入型发光器件,在阳极和阴极加上工作电压后,空穴从阳极,电子从阴极分别注入到工作器件的有机材料层中,两种载流子在有机发光材料中形成空穴-电子对发光,然后光从电极一侧发出。
目前,OLED的发展十分迅速,研究者们开发了多种结构的OLED发光装置,例如顶发射发光装置,倒置型发光装置。通常显示装置需要不透明的硅材料作为衬底,出光只能从顶部的阴极发,因而在显示装置的OLED器件常采用顶发射的结构,其中,顶部阴极的材质通常采用薄层金属薄膜,但是其透过率只有60%-70%之间,影响器件的出光效率,因此要获得高效的出光效率,需要提高阴极表面的透过率。对于常用的金属薄膜阴极而言,通常的做法是在阴极表面覆盖增透膜,由于光线在增透膜两个界面的干涉相消作用,进而提高光线在阴极处的透过率。常用的增透材料分有机材料和无机材料,有机材料如N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(NPD),4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA),缺点是折射率较低,且热稳定性能不够好,对于无机材料,常用如硫化锌(ZnS),硒化锌(ZnSe),优点是可以采用真空热蒸镀工艺制备,且折射率较高,但是透光范围比较窄,对长波段的增透比较明显,但对于短波段如400nm-500nm左右的增透效果比较差,因此还需要对增透膜进行优化改进。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供了一种有机电致发光器件,包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极、增透膜层和封装盖板,所述封装盖板和玻璃基板形成封闭空间,所述阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和增透膜层容置在所述封闭空间内,所述增透膜层采用了热稳定性高的镧金属化合物材料,提高了器件对可见光的透过率和使用寿命,本发明还公开了该有机电致发光器件的制备方法,该制备方法取材容易,工艺简单。
一方面,本发明提供了一种有机电致发光器件,包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极、增透膜层和封装盖板,所述封装盖板和玻璃基板形成封闭空间,所述阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和增透膜层容置在所述封闭空间内,所述增透膜的材质为镧金属化合物。
优选地,所述增透膜层的厚度为60nm-200nm。
优选地,所述镧金属化合物为镧金属氧化物、镧金属氟化物或镧金属硼化物。
更优选地,所述镧金属氧化物为氧化镧(La2O3),所述镧金属氟化物为氟化镧(LaF3),所述镧金属硼化物为六硼化镧(LaB6)。
优选地,所述阳极的材质为金、银、铝、镍或铂,厚度为70nm-200nm。
具体地,所述空穴注入层的材质为本领域常用的材质,优选为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基联苯胺(TPD)、N,N,N',N’-四(甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)或2,7-双(N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基)-9,9-螺二芴(MeO-Sprio-TPD),所述空穴注入层的厚度为20nm。
具体地,所述空穴传输层的材质为本领域常用的材质,优选为酞菁锌(ZnPc)、酞菁铜(CuPc)、酞菁氧钒(VOPc)或酞菁氧钛(TiOPc),所述空穴传输层的厚度为30nm。
优选地,所述发光层的材质为主体材料掺杂一种或多种客体材料的混合物,所述客体材料的掺杂质量分数为1%-10%,其中,所述主体材料为4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB),所述客体材料为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱(FIr6)、二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(MDQ)2(acac))、三(1-苯基-异喹啉)合铱(Ir(piq)3)或三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3),所述发光层的厚度为2-20nm。
具体地,所述电子传输层的材质为本领域常用的半导体导电氧化物薄膜,优选为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑(PBD)、(8-羟基喹啉)-铝(Alq3)、4,7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP),所述电子传输层的厚度为40nm。
优选地,所述电子注入层的材质为氟化锂(LiF)、氟化钠(NaF)、氟化镁(MgF2)、氟化铯(CsF),所述电子注入层的厚度为1nm。
优选地,所述阴极的材质为银、铝、镁、钐或镱,厚度为18nm-35nm。
优选地,所述封装盖板为玻璃盖板。
现有技术有机电致发光器件通常采用有机材料作为增透膜层的材料,由于有机材料的热稳定性能较差,长时期使用,器件内部产热容易导致有机材料发生降解,或者导致有机薄膜的形态发生变化,影响器件使用寿命;一些常用的无机材料如ZnS或ZnSe透光范围比较窄,对于短波段如400nm-500nm左右的增透效果比较差。
本发明采用的镧金属化合物如La2O3、LaF3或LaB6作为增透膜层的材料,相对于有机材料,这些无机材料具有更好的热稳定性,易于成膜和加工,相对于传统的无机材料ZnS或ZnSe等,La2O3、LaF3或LaB6等镧金属化合物对可见光具有更高的透过率,其透光范围包括0.2μm-2μm,且其折射率在2.0以上,能够获得较好的增透效果,因此不仅有利于器件寿命的提高,还能改善了上述现有技术出现的问题。
另一方面,本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下操作步骤:
(1)取洁净玻璃基板置于真空镀膜室中,设置真空度为1×10-4Pa,采用真空热蒸镀的方法在所述玻璃基板的表面依次蒸镀制备阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和增透膜层,所述阳极和阴极的蒸镀速率为0.2nm/s-2nm/s,所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的蒸镀速率为0.01nm/s-1nm/s,所述增透膜层的蒸镀速率为0.01nm/s-1nm/s,其中,所述增透膜的材质为镧金属化合物;
(2)在所述增透膜上覆盖封装盖板,所述封装盖板和玻璃基板通过光固化粘合剂连接形成封闭空间,将所述阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和增透膜层容置在所述封闭空间内,得到所述有机电致发光器件。
优选地,所述增透膜层的厚度为60nm-200nm。
优选地,所述镧金属化合物为镧金属氧化物、镧金属氟化物或镧金属硼化物。
更优选地,所述镧金属氧化物为La2O3,所述镧金属氟化物为LaF3,所述镧金属硼化物为LaB6
优选地,所述阳极的材质为金、银、铝、镍或铂,厚度为70nm-200nm。
具体地,所述空穴注入层的材质为本领域常用的材质,优选为NPB、TPD、MeO-TPD或MeO-Sprio-TPD,所述空穴注入层的厚度为20nm。
具体地,所述空穴传输层的材质为本领域常用的材质,优选为ZnPc、CuPc、VOPc或TiOPc,所述空穴传输层的厚度为30nm。
优选地,所述发光层的材质为主体材料掺杂一种或多种客体材料的混合物,所述客体材料的掺杂质量分数为1%-10%,其中,所述主体材料为CBP、Alq3、TPBi、NPB,所述客体材料为DCJTB、FIrpic、FIr6、Ir(MDQ)2(acac)、Ir(piq)3或(Ir(ppy)3),所述发光层的厚度为2-20nm。
具体地,所述电子传输层的材质为本领域常用的半导体导电氧化物薄膜,优选为PBD、Alq3、Bphen TPBi或BCP,所述电子传输层的厚度为40nm。
优选地,所述电子注入层的材质为LiF、NaF、MgF2或CsF,所述电子注入层的厚度为1nm。
优选地,所述阴极的材质为银、铝、镁、钐或镱,厚度为18nm-35nm。
制备完阴极后,在阴极上覆盖封装盖板进行封装,并在封装盖板和玻璃基底形成的密闭空间中设置干燥剂,便于测试和防止水、氧对器件的侵蚀。
优选地,所述封装盖板为玻璃盖板。
优选地,所述封装盖板与所述玻璃基板形成的封闭空间中设置有干燥剂。
优选地,所述干燥剂为氧化钡(BaO)或氧化钙(CaO)。
优选地,所述光固化粘合剂为光固化聚丙烯酸树脂或光固化环氧树脂。
本发明提供的有机电致发光器件的制备方法,该方法采用大量镧金属化合物无机材料制备器件的增透膜层,取材容易,工艺简单;本发明还在器件的阴极上设置了封装盖板,封装盖板与玻璃基板形成的密闭空间设置有干燥剂,因而可以更好地阻挡外界水、氧对器件的侵蚀,进一步提高器件的使用寿命。
实施本发明实施例,具有以下有益效果:
(1)本发明提供的有机电致发光器件采用的镧金属化合物如La2O3、LaF3或LaB6作为器件增透膜层的材料,相对于传统的有机材料,镧金属化合物具有更好的热稳定性,易于成膜和加工,且能避免有机材料在器件使用过程中易变形、不耐用的缺陷,相对于传统的无机材料如ZnS或ZnSe等,镧金属化合物La2O3、LaF3或LaB6对可见光具有更高的透过率,其透光范围为0.2μm-2μm,且折射率在2.0以上,能够获得较好的增透效果,因此有利于提高器件的寿命和发光效率;
(2)本发明提供的有机电致发光器件在阴极上设置了封装盖板,并在封装盖板与所述玻璃基板形成的封闭空间中设置有干燥剂,可以更好地阻挡外界水、氧对器件的侵蚀,进一步提高器件的使用寿命;
(3)本发明提供的有机电致发光器件的制备方法,该方法采用大量无机材料制备器件的功能层,取材容易,工艺简单。
附图说明
图1是本发明实施例1提供的有机电致发光器件的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式中的附图,对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。
实施例1
一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下操作步骤:
(1)提供玻璃基板,将所述玻璃基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗,清洗干净后依次用异丙醇,丙酮在超声波中处理20分钟,然后再用氮气吹干;将洁净后的玻璃基板置于真空度为1×10-5Pa的真空镀膜室中,采用热蒸镀的方法,在玻璃基板表面依次蒸镀制备阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和增透膜层,其中,阳极的材质为Ag,厚度为70nm,蒸镀速率为0.5nm/s,空穴注入层的材质为CuPC,厚度为20nm,蒸镀速度为0.3nm/s,空穴传输层的材质为NPB,厚度为30nm,蒸镀速度为0.4nm/s,发光层的材质为TPBi掺杂Ir(ppy)3(Ir(ppy)3的掺杂质量分数为10%),厚度为15nm,蒸镀速度为0.2nm/s,电子传输层的材质为TPBi,厚度为40nm,蒸镀速度为0.5nm/s,电子注入层的材质为LiF,厚度为1nm,蒸镀速度为0.01nm/s,阴极的材质为Al,厚度为20nm,蒸镀速度为0.1nm/s,增透膜层的材质为LaB6,厚度为80nm,蒸镀速度为0.4nm/s;
(2)随后在阴极上覆盖玻璃盖板,所述玻璃盖板通过光固化环氧树脂和玻璃基板连接,玻璃基板和玻璃盖板形成封闭空间,阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和增透膜层容置在该封闭空间内,制得有机电致发光器件,该器件包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和玻璃盖板,具体结构表示为:玻璃基板/Ag(70nm)/CuPC(20nm)/NPB(30nm)/TPBi:Ir(ppy)3(10%,15nm)/TPBi(40nm)/LiF(1nm)/Al(20nm)/LaB6(80nm)/玻璃盖板,其中,斜杠“/”表示层状结构,TPBi:Ir(ppy)3中的冒号“:”表示混合,TPBi:Ir(ppy)3(10%,15nm)中10%表示Ir(ppy)3的掺杂质量分数为10%,下同。
图1为本实施例1制备的有机电致发光器件的结构示意图,本实施例制备的有机电致发光器件,包括依次层叠的玻璃基板101、阳极102、空穴注入层103、空穴传输层104、发光层105、电子传输层106、电子注入层107、阴极108、增透膜层109和玻璃盖板110,其中,阳极102的材质为Ag,厚度为70nm,空穴注入层103的材质为CuPC,厚度为20nm,空穴传输层104的材质为NPB,厚度为30nm,发光层105的材质为TPBi掺杂Ir(ppy)3(Ir(ppy)3的掺杂质量分数为10%),厚度为15nm,电子传输层106的材质为TPBi,厚度为40nm,电子注入层107的材质为LiF,厚度为1nm,阴极108的材质为Al,厚度为20nm,增透膜层109的材质为LaB6,厚度为80nm,该实施例1提供的有机电致发光器件的具体结构可以表示为:玻璃基板/Ag(70nm)/CuPC(20nm)/NPB(30nm)/TPBi:Ir(ppy)3(10%,15nm)/TPBi(40nm)/LiF(1nm)/Al(20nm)/LaB6(80nm)/玻璃盖板,其中,斜杠“/”表示层状结构,TPBi:Ir(ppy)3中的冒号“:”表示混合,TPBi:Ir(ppy)3(10%,15nm)中10%表示Ir(ppy)3的掺杂质量分数为10%。
实施例2
一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下操作步骤:
(1)提供玻璃基板,将所述玻璃基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗,清洗干净后依次用异丙醇,丙酮在超声波中处理20分钟,然后再用氮气吹干;将洁净后的玻璃基板置于真空度为1×10-4Pa的真空镀膜室中,采用热蒸镀的方法,在玻璃基板表面依次蒸镀制备阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和增透膜层,其中,阳极的材质为Au,厚度为100nm,蒸镀速率为1nm/s,空穴注入层的材质为ZnPC,厚度为20nm,蒸镀速度为0.3nm/s,空穴传输层的材质为TPD,厚度为30nm,蒸镀速度为0.4nm/s,发光层的材质为CBP掺杂FIrpic(FIrpic的掺杂质量分数为8%),厚度为20nm,蒸镀速度为0.3nm/s,电子传输层的材质为BPhen,厚度为40nm,蒸镀速度为0.5nm/s,电子注入层的材质为CsF,厚度为1nm,蒸镀速度为0.01nm/s,阴极的材质为Ag,厚度为18nm,蒸镀速度为0.2nm/s,增透膜层的材质为LaF3,厚度为60nm,蒸镀速度为0.3nm/s;
(2)随后在阴极上覆盖玻璃盖板,所述玻璃盖板通过光固化环氧树脂和玻璃基板连接,玻璃基板和玻璃盖板形成封闭空间,阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和增透膜层容置在该封闭空间内,制得有机电致发光器件,该器件包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和玻璃盖板,具体结构表示为:玻璃基板/Au(100nm)/ZnPC(20nm)/TPD(30nm)/CBP:FIrpic(8%,20nm)/BPhen(40nm)/CsF(1nm)/Ag(18nm)/LaF3(60nm)/玻璃盖板。
实施例3
一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下操作步骤:
(1)提供玻璃基板,将所述玻璃基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗,清洗干净后依次用异丙醇,丙酮在超声波中处理20分钟,然后再用氮气吹干;将洁净后的玻璃基板置于真空度为1×10-3Pa的真空镀膜室中,采用热蒸镀的方法,在玻璃基板表面依次蒸镀制备阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和增透膜层,其中,阳极的材质为Al,厚度为200nm,蒸镀速率为2nm/s,空穴注入层的材质为VOPC,厚度为20nm,蒸镀速度为0.3nm/s,空穴传输层的材质为MeO-TPD,厚度为30nm,蒸镀速度为0.4nm/s,发光层的材质为Alq3掺杂DCJTB(Alq3的掺杂质量分数为1%),厚度为2nm,蒸镀速度为0.05nm/s,电子传输层的材质为Alq3,厚度为40nm,蒸镀速度为0.5nm/s,电子注入层的材质为NaF,厚度为1nm,蒸镀速度为0.01nm/s,阴极的材质为Sm,厚度为35nm,蒸镀速度为0.3nm/s,增透膜层的材质为La2O3,厚度为200nm,蒸镀速度为1nm/s;
(2)随后在阴极上覆盖玻璃盖板,所述玻璃盖板通过光固化环氧树脂和玻璃基板连接,玻璃基板和玻璃盖板形成封闭空间,阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和增透膜层容置在该封闭空间内,制得有机电致发光器件,该器件包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和玻璃盖板,具体结构表示为:玻璃基板/Al(200nm)/VOPC(20nm)/MeO-TPD(30nm)/Alq3:DCJTB(1%,2nm)/Alq3(40nm)/NaF(1nm)/Sm(35nm)/La2O3(200nm)/玻璃盖板。
实施例4
一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下操作步骤:
(1)提供玻璃基板,将所述玻璃基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗,清洗干净后依次用异丙醇,丙酮在超声波中处理20分钟,然后再用氮气吹干;将洁净后的玻璃基板置于真空度为1×10-4Pa的真空镀膜室中,采用热蒸镀的方法,在玻璃基板表面依次蒸镀制备阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和增透膜层,其中,阳极的材质为Ni,厚度为80nm,蒸镀速率为0.8nm/s,空穴注入层的材质为TiOPC,厚度为20nm,蒸镀速度为0.3nm/s,空穴传输层的材质为MeO-Sprio-TPD,厚度为30nm,蒸镀速度为0.4nm/s,发光层的材质为DPVBi,厚度为15nm,蒸镀速度为0.2nm/s,电子传输层的材质为PBD,厚度为40nm,蒸镀速度为0.5nm/s,电子注入层的材质为MgF2,厚度为1nm,蒸镀速度为0.01nm/s,阴极的材质为Yb,厚度为30nm,蒸镀速度为0.4nm/s,增透膜层的材质为La2O3,厚度为100nm,蒸镀速度为0.5nm/s;
(2)随后在阴极上覆盖玻璃盖板,所述玻璃盖板通过光固化环氧树脂和玻璃基板连接,玻璃基板和玻璃盖板形成封闭空间,阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和增透膜层容置在该封闭空间内,制得有机电致发光器件,该器件包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和玻璃盖板,具体结构表示为:玻璃基板/Ni(80nm)/TiOPC(20nm)/MeO-Sprio-TPD(30nm)/DPVBi(15nm)/PBD(40nm)/MgF2(1nm)/Yb(30nm)/La2O3(100nm)/玻璃盖板。
对比实施例
为体现为本发明的创造性,本发明还设置了对比实施例1-4,所述对比实施例1-4与实施例1-4的区别分别在于对比实施例1-4制备的有机电致发光器件无增透膜层;
本发明还提供了对比实施例5、6,所述对比实施例5与实施例1的区别在于:对比实施例5制备的有机电致发光器件的增透膜层采用的材质为m-MTDATA,所述对比实施例6与实施例1的区别在于:对比实施例6制备的有机电致发光器件的增透膜层采用的材质为ZnS;
各对比实施例制备的有机电致发光器件的结构分别为:
对比实施例1:玻璃基板/Ag(70nm)/CuPC(20nm)/NPB(30nm)/TPBi:Ir(ppy)3(10%,15nm)/TPBi(40nm)/LiF(1nm)/Al(20nm)/玻璃盖板,分别对应玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和玻璃盖板,相对于实施例1,对比实施例1制备的有机电致发光器件无增透膜层,其中,斜杠“/”表示层状结构,TPBi:Ir(ppy)3中的冒号“:”表示混合,TPBi:Ir(ppy)3(10%,15nm)中10%表示Ir(ppy)3的掺杂质量分数为10%,下同;
对比实施例2:玻璃基板/Au(100nm)/ZnPC(20nm)/TPD(30nm)/CBP:FIrpic(8%,20nm)/BPhen(40nm)/CsF(1nm)/Ag(18nm)/玻璃盖板,分别对应玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和玻璃盖板,相对于实施例2,对比实施例2制备的有机电致发光器件无增透膜层;
对比实施例3:玻璃基板/Al(200nm)/VOPC(20nm)/MeO-TPD(30nm)/Alq3:DCJTB(1%,2nm)/Alq3(40nm)/NaF(1nm)/Sm(35nm)/玻璃盖板,分别对应玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和玻璃盖板,相对于实施例3,对比实施例3制备的有机电致发光器件无增透膜层;
对比实施例4:玻璃基板/Ni(80nm)/TiOPC(20nm)/MeO-Sprio-TPD(30nm)/DPVBi(15nm)/PBD(40nm)/MgF2(1nm)/Yb(30nm)/玻璃盖板,分别对应玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和玻璃盖板,相对于实施例4,对比实施例4制备的有机电致发光器件无增透膜层;
对比实施例5:玻璃基板/Ag(70nm)/CuPC(20nm)/NPB(30nm)/TPBi:Ir(ppy)3(10%,15nm)/TPBi(40nm)/LiF(1nm)/Al(20nm)/m-MTDATA(80nm)/玻璃盖板,分别对应玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极、增透膜层和玻璃盖板,相对于实施例1,对比实施例5制备的有机电致发光器件的增透膜层采用的材质为m-MTDATA;
对比实施例6:玻璃基板/Ag(70nm)/CuPC(20nm)/NPB(30nm)/TPBi:Ir(ppy)3(10%,15nm)/TPBi(40nm)/LiF(1nm)/Al(20nm)/ZnS(80nm)/玻璃盖板,分别对应玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极、增透膜层和玻璃盖板,相对于实施例1,对比实施例6制备的有机电致发光器件的增透膜层采用的材质为ZnS;
为有效证明本发明有机电致发光器件及其制备方法的有益效果,采用光纤光谱仪(美国海洋光学Ocean Optics公司,型号:USB4000)、电流-电压测试仪(美国Keithly公司,型号:2400)和色度计(日本柯尼卡美能达公司,型号:CS-100A)测试本发明提供的实施例1-4与对比实施例1-6制得的有机电致电致发光器件的发光效率,结果如表1所示:
表1实施例1-4和对比实施例1-6制备的器件的发光效率
实施例 发光效率(lm/W) 对比实施例 发光效率(lm/W)
实施例1 23.5 对比实施例1 14.2
实施例2 18.3 对比实施例2 11.5
实施例3 16.5 对比实施例3 11.3
实施例4 15.3 对比实施例4 9.8
- - 对比实施例5 19.5
- - 对比实施例6 17.8
表1是实施例1-4和对比实施例1-6所制作的器件的发光效率数据。从表中可以看出,相比对比实施例,实施例1-4制备的有机电致发光器件的发光效率均提高了50%以上,说明本发明提供的有机电致发光器件采用的增透膜效果显著,这是因为本发明使用了热稳定性好且对可见光透过率高的金属镧化合物作为增透膜的材料,不但能避免有机材料不耐热易变形的问题,有利于提高器件的使用寿命,还能提高器件的发光效率。
表2是实施例1和对比实施例5-6所制作的器件的使用发光效率数据和寿命测试结果,其中,T70寿命是器件起始亮度设定为1000cd/cm2时,亮度衰减至起始值的70%时的使用时间。从表中可以看出,相比对比例实施例5,实施例1制备的有机电致发光器件的使用寿命提高了29%,相比对比例实施例6,实施例1制备的有机电致发光器件的发光效率提高了32%。测试结果充分表明实施例1采用的无机增透膜材料优于对比实施例5所采用的有机材料,因而提高了器件的稳定性,进而提高了使用寿命;此外,由于实施例1采用的LaB6材料和对比实施例6采用的ZnS材料都是无机材料,因而实施例1和对比实施例6在增透膜的稳定性方面差别不大,T70使用寿命分别为1870小时和1730小时,但由于实施例1采用的LaB6材料为镧系化合物,其透过率优于ZnS材料,所以相对对比实施例6,实施例1拥有更高的发光效率。
表2实施例1和对比实施例5-6所制作的器件的发光效率和使用寿命测试结果
实施例 发光效率(lm/W) T70寿命(h)
实施例1 23.5 1870
对比实施例5 19.5 1450
对比实施例6 17.8 1730
以上所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件,其特征在于,包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极、增透膜层和封装盖板,所述封装盖板和玻璃基板形成封闭空间,所述阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和增透膜层容置在所述封闭空间内,所述增透膜的材质为镧金属化合物。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述增透膜层的厚度为60nm-200nm。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述镧金属化合物为镧金属氧化物、镧金属氟化物或镧金属硼化物。
4.如权利要求3所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述镧金属氧化物为氧化镧,所述镧金属氟化物为氟化镧,所述镧金属硼化物为六硼化镧。
5.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述封装盖板为玻璃盖板。
6.一种有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括以下操作步骤:
(1)取洁净玻璃基板置于真空镀膜室中,设置真空度为1×10-5Pa-1×10-3Pa,采用真空热蒸镀的方法在所述玻璃基板的表面依次蒸镀制备阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和增透膜层,所述阳极和阴极的蒸镀速率为0.2nm/s-2nm/s,所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的蒸镀速率为0.01nm/s-1nm/s,所述增透膜层的蒸镀速率为0.01nm/s-1nm/s,其中,所述增透膜的材质为镧金属化合物;
(2)在所述增透膜上覆盖封装盖板,所述封装盖板和玻璃基板通过光固化粘合剂连接形成封闭空间,将所述阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和增透膜层容置在所述封闭空间内,得到所述有机电致发光器件。
7.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述增透膜层的厚度为60nm-200nm。
8.如权利要求6所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述镧金属化合物为镧金属氧化物、镧金属氟化物或镧金属硼化物。
9.如权利要求8所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述镧金属氧化物为氧化镧,所述镧金属氟化物为氟化镧,所述镧金属硼化物为六硼化镧。
10.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述封装盖板为玻璃盖板。
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