CN104167919B - 一种控制反激电源交载输出电压的装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种控制反激电源交载输出电压的装置,包括输出装置、待机装置、驱动装置和过压调节装置;待机装置用于启动驱动装置,驱动装置用于控制输出装置导通输出一输出电压;过压调节装置用于判断输出电压大于预设输出电压时、控制输出装置降低输出电压;其不仅可以对单组输出电压独立调节,还可对多组输出电压同时调节、且不会影响其他组在正常带载时的电压输出;确保输出电压始终维持在可控的预设范围内,提高了反激电源的稳定可靠性;避免显示器在开机瞬间处于交载情况时输出电压过高致使显示器无法正常工作,防止输出的高压对显示器电源系统的损坏,达到保护整个电路系统的目的。
Description
技术领域
本发明涉及电源技术领域,特别涉及一种控制反激电源交载输出电压的装置。
背景技术
现有的显示器电源领域,尤其是采用一个隔离变压器输出几组直流电压的反激电源领域,当一组或两组电压带额定负载,另外几组电压不带负载的情况下,带载和不带载的几组电压会出现输出电压偏低或者偏高等不正常的现象。电压偏低或者偏高都会造成整个显示器电源系统不稳定,甚至,当输出电压偏高到一定程度,还会烧坏显示屏T-CON(TimingController)板上的IC芯片,造成整个显示器不能正常工作;不仅给用户带来经济损失,还对电源生产商自身的品牌带来严重的不良影响。因此,有必要调整反激电源在交载状况时输出电压,避免输出电压偏高对显示器电源系统的损坏。
目前反激电源降低交载状况时输出电压偏高的方法是:利用光耦的反馈和增大输出假负载,通过这两种方法来降低交载时输出的偏高电压。其中,利用光耦反馈来降压的具体方法是:当电源接通后,在一组电压不带负载,其余几组电压带负载时,不带负载的那组输出电压会出现偏高于预设电压的情况。此时,光耦会接收到次级输出电压的信号,反映次级输出电压过高,光耦产生反馈使初级电源IC芯片作出调整,通过减小电源开关MOS管的输出占空比来降低次级输出电压,使次级各组输出电压输出正常。此方法是比较传统的调节方法,虽然可以在一定范围内对输出电压起到调节作用,但是,这种调节是对每组输出都有效的,其目的性不明确,反而在调节过程中会使正常输出的几组电压降低,达不到针对单组调节的目的,可靠性比较差。
增大输出假负载的方法是增大没有带负载的那一路输出电压的假负载,相当于使其处于强制带载的状况,从而使各路输出电压都处于一种带载的状况,最终使输出电压恢复正常。此方法常与光耦反馈降压一起协同使用,才能达到理想的降压效果。但是此方法也存在一定的弊端,其在使用时调节的效果不明显,还会降低整机效率,不能达到节能环保的效果。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足之处,本发明的目的在于提供一种控制反激电源交载输出电压的装置,以解决现有反激电源降低交载时输出电压偏高的方法针对性不强,调节效果不明显的问题。
为了达到上述目的,本发明采取了以下技术方案:
一种控制反激电源交载输出电压的装置,其包括输出装置、待机装置、驱动装置和过压调节装置 ;
待机装置用于启动驱动装置,驱动装置用于控制输出装置导通输出一输出电压;过压调节装置用于判断输出电压大于预设输出电压时、控制输出装置降低输出电压。
所述的控制反激电源交载输出电压的装置中,所述过压调节装置包括判断单元和控制单元;
所述判断单元用于判断输出电压是否大于预设输出电压,在输出电压大于预设输出电压时输出检测电平启动控制单元,控制单元输出控制信号控制输出装置中的MOS管进入放大状态。
所述的控制反激电源交载输出电压的装置中,所述待机装置包括第一三极管、第一电阻和第二电阻,所述第一三极管的基极通过第一电阻连接供电端、还通过第二电阻接地,第一三极管的发射极接地,第一三极管的集电极连接驱动装置。
所述的控制反激电源交载输出电压的装置中,所述输出装置包括待机MOS管,所述待机MOS管为PMOS管:
所述PMOS管的源极连接电压输入端和驱动装置,PMOS管的漏极连接电压输出端和判断单元 ,PMOS管的栅极连接驱动装置和控制单元。
所述的控制反激电源交载输出电压的装置中,所述驱动装置包括第一二极管、第三电阻和第四电阻;所述第一二极管的负极连接第一三极管的集电极和第三电阻的一端,第一二极管的正极连接第三电阻的另一端、第四电阻的一端、PMOS管的栅极和控制单元,第四电阻的另一端连接PMOS管的源极和电压输入端。
所述的控制反激电源交载输出电压的装置中,所述判断单元包括第一稳压管、第五电阻和第六电阻;所述第一稳压管的负极连接PMOS管的漏极和电压输出端,第一稳压管的正极连接第五电阻的一端,第五电阻的另一端连接控制单元、还通过第六电阻接地。
所述的控制反激电源交载输出电压的装置中,所述控制单元包括第二三极管、第三三极管、第七电阻、第八电阻和第九电阻;所述第二三极管的基极连接第五电阻的另一端,所述第二三极管的发射极接地,第二三极管的集电极连接第七电阻的一端,第七电阻的另一端连接第三三极管的基极、还通过第八电阻连接电压输入端,第三三极管的发射极连接电压输入端,第三三极管的集电极通过第九电阻连接PMOS管的栅极。
所述的控制反激电源交载输出电压的装置中,所述输出装置包括待机MOS管,所述待机MOS管为NMOS管;
所述NMOS管的漏极连接电压输入端,NMOS管的源极连接电压输出端和判断单元,NMOS管的栅极连接驱动装置和控制单元。
所述的控制反激电源交载输出电压的装置中,驱动装置包括第四三极管、第二二极管、第十电阻、第十一电阻和第十二电阻;所述第四三极管的基极通过第十电阻连接第一三极管的集电极、还通过第十一电阻连接第四三极管的发射极和驱动端,第四三极管的集电极连接第二二极管的负极和第十二电阻的一端,第二二极管的正极连接第十二电阻的另一端、NMOS管的栅极和控制单元。
所述的控制反激电源交载输出电压的装置中,所述判断单元包括第二稳压管、第十三电阻和第十四电阻;所述第二稳压管的负极连接NMOS管的源极和电压输出端,第二稳压管的正极连接第十三电阻的一端,第十三电阻的另一端连接控制单元、还通过第十四电阻接地。
所述的控制反激电源交载输出电压的装置中,所述控制单元包括第五三极管和第十五电阻,所述第五三极管的基极连接第十三电阻的另一端,第五三极管的发射极接地,第五三极管的集电极通过第十五电阻连接第十二电阻的另一端和NMOS管的栅极。
相较于现有技术,本发明提供的控制反激电源交载输出电压的装置,包括输出装置、待机装置、驱动装置和过压调节装置 ;待机装置用于启动驱动装置,驱动装置用于控制输出装置导通输出一输出电压;过压调节装置用于判断输出电压大于预设输出电压时、控制输出装置降低输出电压;其不仅可以对单组输出电压进行独立调节,还可对多组输出电压同时调节、且不会影响到其他组在正常带载时的电压输出;能确保输出电压始终维持在可控的范围内,提高了反激电源的稳定可靠性;避免了显示器在开机瞬间处于交载情况时输出电压过高导致显示器无法正常工作,还能防止输出的高压对显示器电源系统的损坏,达到保护整个电路系统的目的。
附图说明
图1为本发明实施例提供的控制反激电源交载输出电压的装置的结构框图;
图2为本发明实施例提供的控制反激电源交载输出电压的装置较佳实施例一的电路图;
图3为本发明实施例提供的控制反激电源交载输出电压的装置较佳实施例二的电路图。
具体实施方式
本发明提供一种控制反激电源交载输出电压的装置,为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下参照附图并举实施例对本发明进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
本发明提供的控制反激电源交载输出电压的装置适用于电视机、监视器等开关电源领域的输出电压调节。请参阅图1,本发明提供的控制反激电源交载输出电压的装置包括输出装置10、待机装置20、驱动装置30和过压调节装置 40。所述待机装置20通过连接驱动装置30连接输出装置10,待机装置20在电源正常工作时输出相应的电平信号启动驱动装置30。所述驱动装置30控制输出装置10导通输出一输出电压。所述过压调节装置 40连接输出装置10和驱动装置30,当过压调节装置 40检测电源交载状态下输出电压大于预设输出电压(即偏高)时、控制输出装置10从导通状态转换为放大状态,使输出电压降低,以确保输出电压始终保持在额定输出电压范围内。
其中,所述输出装置10包括待机MOS管,其分为P沟道MOS管(即PMOS管)和N沟道MOS管(即NMOS管)两种类型。待机MOS管在工作中有两种工作状态,一种是比较常用的导通或截止状态,也就是开关状态;另外一种就是放大状态。本实施例控制待机MOS管在反激电源交载时处于放大状态来调节输出电压,使输出电压保持正常。具体为:每组输出电压的过压调节装置通过检测本组输出电压的高低,来控制本组待机MOS管进入放大状态、从而降低本组输出电压,以确保该组输出电压始终处于额定输出电压的范围之内。这种方式针对性强,不会出现因为调节一组输出电压而导致其他组输出电压也发生变化的情况,防止了输出电压偏高对显示器电源系统造成的损坏,达到保护整个电路系统的目的。
下面将分别以待机MOS管为PMOS管和NMOS管为两个实施例,具体阐述控制反激电源交载输出电压的装置的电路结构和工作原理。
一、待机MOS管为PMOS管
请同时参阅图2,其为本发明实施例提供的控制反激电源交载输出电压的装置较佳实施例一的电路图。所述输出装置10包括PMOS管Qa,所述PMOS管Qa的源极连接电压输入端(用于输入电压VOUT1)和驱动装置30,PMOS管Qa的漏极连接电压输出端(用于输出一输出电压VOUT)和过压调节装置 40,PMOS管Qa的栅极连接驱动装置30和过压调节装置 40。
所述待机装置20包括第一三极管Q1、第一电阻R1和第二电阻R2,所述第一三极管Q1的基极通过第一电阻R1连接供电端V-SB、还通过第二电阻R2接地,第一三极管Q1的发射极接地,第一三极管Q1的集电极连接驱动装置30。所述第一三极管Q1为NPN三极管。
在正常带载工作时,主板为供电端V-SB供电,供电端V-SB输入一个电压值在3.3V—5V之间的高电压。该高电压经过第一电阻R1和第二电阻R2分压后,在第一三极管Q1的基极产生一个大于0.7V的电压。此时,由于第一三极管Q1的基极电压高于发射极电压0.7V以上,该第一三极管Q1处于导通状态,第一三极管Q1的集电极电压被拉低,即输出低电平至驱动装置30中。
所述驱动装置30包括第一二极管D1、第三电阻R3和第四电阻R4;所述第一二极管D1的负极连接第一三极管Q1的集电极和第三电阻R3的一端,第一二极管D1的正极连接第三电阻R3的另一端、第四电阻R4的一端、PMOS管Qa的栅极和过压调节装置 40,第四电阻R4的另一端连接PMOS管Qa的源极和电压输入端。
第一三极管Q1的集电极输出的低电平通过第三电阻R3将PMOS管Qa的栅极电压完全拉低。在PMOS管Qa源极电压(即输入电压VOUT1)的作用下,PMOS管Qa完全导通,此时输入电压VOUT1等于输出电压VOUT,输出电压VOUT按正常状态输出。其中,所述第四电阻R4为大阻值电阻,如10K;其有两个功能,1、当电源系统处于待机状态时,PMOS管Qa的源极通过第四电阻R4与PMOS管Qa的栅极相连,此时栅极电压与源极电压相同,PMOS管Qa无法导通,保证了在待机状态时无电压输出。2、用于避免第一三极管Q1导通时拉低输入电压VOUT1的电压值,以确保输入电压VOUT1的稳定性。
如果是正常工作状态,输出电压VOUT不会有偏高的现象,因此,过压调节装置 40未被触动,电压输出处于正常状态。当处于交载状态时,输出电压VOUT若偏高,过压调节装置 40就会被触发。
本实施例中,所述过压调节装置 40包括判断单元401和控制单元402;所述判断单元401判断输出电压大于预设输出电压时输出检测电平启动控制单元402,控制单元402输出控制信号控制输出装置中的PMOS管Qa进入放大状态。若判断输出电压小于或等于预设输出电压时,判断单元401不输出任何信号,控制单元402处于关闭状态,其不影响输出装置的工作状态。
其中,所述判断单元401包括第一稳压管ZD1、第五电阻R5和第六电阻R6,所述第一稳压管ZD1的负极连接PMOS管Qa的漏极和电压输出端,第一稳压管ZD1的正极连接第五电阻R5的一端,第五电阻R5的另一端连接控制单元402、还通过第六电阻R6接地。
所述控制单元402包括第二三极管Q2、第三三极管Q3、第七电阻R7、第八电阻R8和第九电阻R9;所述第二三极管的基极连接第五电阻的另一端,所述第二三极管Q2的发射极接地,第二三极管Q2的集电极连接第七电阻R7的一端,第七电阻R7的另一端连接第三三极管Q3的基极、还通过第八电阻R8连接电压输入端,第三三极管Q3的发射极连接电压输入端,第三三极管Q3的集电极通过第九电阻R9连接PMOS管Qa的栅极。
其中,所述第二三极管Q2为NPN三极管,第三三极管Q3为PNP三极管,第九电阻R9为限流电阻。
当输出电压VOUT偏高到超过第一稳压管ZD1的规格电压时,过压调节装置40就被触发开始调节输出的过高电压。本实施例选择第一稳压管ZD1的型号时,以其额定电压接近于预设输出电压为准。当输出电压VOUT高于预设输出电压,第一稳压管ZD1被反向击穿导通,导通后的输出电压VOUT经过第五电阻R5和第六电阻R6分压后生成检测电压并传输至第二三极管Q2的基极。当第二三极管Q2基极电压大于第二三极管Q2发射极的电压0.7V以上时,第二三极管Q2导通,第二三极管Q2的集电极电压被拉到低电平。此时输入电压VOUT1经过第八电阻R8和第七电阻R7分压,第三三极管Q3的基极电压逐渐变低。当第三三极管Q3的发射极电压(即输入电压VOUT1)高于第三三极管Q3的基极电压0.7V以上时,第三三极管Q3被完全导通,输入电压VOUT1通过第三三极管Q3的集电极输出,经过第九电阻R9到达PMOS管Qa的栅极。此时,PMOS管Qa的栅极电压会慢慢升高至约等于其源极电压(即VOUT1),PMOS管Qa也会由原来的导通状态逐渐转化为放大状态,PMOS管Qa处于放大状态时会导致最终的输出电压VOUT降低。直到输出电压VOUT降低到不能使第二三极管Q2导通为止(也相当于不能反向击穿第一稳压管ZD1),此时调控过程完成,输出电压VOUT维持在当前状态不变,最终输出电压也保持在额定输出电压范围内。
二、待机MOS管为NMOS管
请同时参阅图3,其为本发明实施例提供的控制反激电源交载输出电压的装置较佳实施例二的电路图。本实施例二中,输出装置包括NMOS管Qb,此处以标号10/来表示采用NMOS管类型的输出装置,与上述实施例一中的PMOS管类型的输出装置10进行区别。基于NMOS管的通断方式与PMOS管不同。对应地,驱动装置和过压调节装置(包括判断单元和控制单元)的具体电路结构也会做相应修改,而待机装置与上述实施例一相同。为此,本实施例二中,以标号30/、40/(401/、402/)来分别表示电路结构改变后的驱动装置、过压调节装置(判断单元和控制单元) ,与上述实施例一中的驱动装置30、过压调节装置 40进行区别。待机装置的标号不变,仍为20,其内部电路结构与实施例一相同,如图3所示。
所述NMOS管Qb的漏极连接电压输入端(用于输入电压VOUT1),NMOS管Qb的源极连接电压输出端(用于(输出一输出)电压VOUT)和过压调节装置 40/的判断单元401/,NMOS管Qb的栅极连接驱动装置30/和过压调节装置 40/的控制单元402/。
所述待机装置20的内部电路结构和工作原理与实施例一相同,具体请参见上述实施例一。在电源系统正常工作时,第一三极管Q1的集电极电压被拉低,即输出低电平至驱动装置30/中。基于N MOS管导通要求是其栅极电压高于其源极电压,本实施例二中增加一个驱动端V-GATE来输入驱动电压,且设置驱动电压的电压值高于输出电压VOUT来导通N MOS管。
则所述驱动装置30/包括第四三极管Q4、第二二极管D2、第十电阻R10、第十一电阻R11和第十二电阻R12;所述第四三极管Q4的基极通过第十电阻R10连接第一三极管Q1的集电极、还通过第十一电阻R11连接第四三极管Q4的发射极和驱动端V-GATE,第四三极管Q4的集电极连接第二二极管D2的负极和第十二电阻R12的一端,第二二极管D2的正极连接第十二电阻R12的另一端、NMOS管Qb的栅极和过压调节装置 40/。
其中,所述第十电阻R10为限流电阻,第十二电阻R12为NMOS管Qb的驱动电阻。第十一电阻R11为偏置电阻。第四三极管Q4为PNP三极管。
第一三极管Q1的集电极输出的低电平通过第十电阻R10将第四三极管Q4的基极电压拉低。在第十一电阻R11的偏置作用和驱动电压的高压作用下,第四三极管Q4导通,驱动电压经过第十二电阻R12到达NMOS管Qb的栅极。由于驱动电压高于输出电压VOUT,此时,NMOS管 Qb完全导通,电压正常输出。如果此时是正常工作状态,输出电压VOUT不会有偏高的现象,因此,过压调节装置 40/暂时不会工作,输出电压VOUT处于正常状态。
若处于交载状态时,此时若输出电压VOUT偏高,过压调节装置 40/就会被触动。本实施例二中,所述过压调节装置 40/的判断单元401/包括第二稳压管ZD2、第十三电阻R13和第十四电阻R14;所述第二稳压管ZD2的负极连接NMOS管 Qb的源极和电压输出端,第二稳压管ZD2的正极连接第十三电阻R13的一端,第十三电阻R13的另一端连接控制单元402/、还通过第十四电阻R14接地。
所述控制单元402/包括第五三极管Q5和第十五电阻R15。第五三极管Q5的基极连接第十三电阻的另一端,第五三极管Q5的发射极接地,第五三极管Q5的集电极通过第十五电阻R15连接第十二电阻R12的另一端和NMOS管 Qb的栅极。
其中,所述第五三极管Q5为NPN三极管。
当交载状态下输出电压VOUT偏高,且偏高到超过第二稳压管ZD2的反向击穿电压时,判断单元401/开始工作。本实施例选择第二稳压管ZD2的型号时,以其额定电压接近于预设输出电压为准。第二稳压管ZD2导通后,输出电压VOUT过第十三电阻R13、第十四电阻R14分压后,在第五三极管Q5的基极产生基极电压、即检测电平。当基极电压超过0.7V以上时,第五三极管Q5的集电极与发射极导通。此时第五三极管Q5的集电极电压被拉低、导致与第五三极管Q5的集电极相连的NMOS管Qb的栅极电压被拉低。当NMOS管Qb的栅极电压下降到和输出电压VOUT相等时,NMOS管Qb就工作在放大状态。NMOS管Qb处于放大状态时会使输出电压VOUT降低,直到输出电压VOUT低到无法打开第五三极管Q5时,整个电压调节过程调节完毕。输出电压VOUT维持在当前状态不变,最终输出电压VOUT保持在额定输出电压范围内。
综上所述,本发明提供的控制反激电源交载输出电压的装置,根据待机MOS管的导通和放大特性,在正常带载工作状态时控制待机MOS管导通输出一输出电压;检测输出电压偏高时改变待机MOS管的栅极电压,使其进入放大状态来降低输出电压;其针对性比较强,不仅可以对单组输出电压进行独立调节,也可对多组输出电压同时调节,且不会影响到其他组在正常带载时的电压输出,避免了显示器在开机瞬间处于交载情况时致使输出电压过高导致显示器无法正常工作,还能防止交载时输出的高压对显示器电源系统的损坏,达到保护整个电路系统的目的。该装置能确保输出电压始终维持在可控的范围内,提高了整个电源系统的稳定可靠性;进一步地,还可以根据输出电压的要求,选择合适的稳压管将输出电压控制在额定输出电压范围内,提高输出电压控制的精确度,更加节能环保;其结构简单,适用于批量生产。
可以理解的是,对本领域普通技术人员来说,可以根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,而所有这些改变或替换都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (10)
1. 一种控制反激电源交载输出电压的装置,其特征在于,包括输出装置、待机装置、驱动装置和过压调节装置 ;
待机装置用于启动驱动装置,驱动装置用于控制输出装置导通输出一输出电压;过压调节装置用于判断输出电压大于预设输出电压时、控制输出装置降低输出电压;
所述输出装置包括待机MOS管,所述待机MOS管为PMOS管:
所述PMOS管的源极连接电压输入端和驱动装置,PMOS管的漏极连接电压输出端和过压调节装置 ,PMOS管的栅极连接驱动装置和过压调节装置;
所述待机装置包括第一三极管、第一电阻和第二电阻,所述第一三极管的基极通过第一电阻连接供电端、还通过第二电阻接地,第一三极管的发射极接地,第一三极管的集电极连接驱动装置;
所述驱动装置包括第一二极管、第三电阻和第四电阻;所述第一二极管的负极连接第一三极管的集电极和第三电阻的一端,第一二极管的正极连接第三电阻的另一端、第四电阻的一端、PMOS管的栅极和过压调节装置,第四电阻的另一端连接PMOS管的源极和电压输入端。
2.根据权利要求1所述的控制反激电源交载输出电压的装置,其特征在于,所述过压调节装置包括判断单元和控制单元;
所述判断单元用于判断输出电压是否大于预设输出电压,在输出电压大于预设输出电压时输出检测电平启动控制单元,控制单元输出控制信号控制输出装置中的MOS管进入放大状态。
3.根据权利要求2所述的控制反激电源交载输出电压的装置,其特征在于,所述PMOS管的漏极连接判断单元 ,PMOS管的栅极连接控制单元。
4.根据权利要求2所述的控制反激电源交载输出电压的装置,其特征在于,所述判断单元包括第一稳压管、第五电阻和第六电阻;所述第一稳压管的负极连接PMOS管的漏极和电压输出端,第一稳压管的正极连接第五电阻的一端,第五电阻的另一端连接控制单元、还通过第六电阻接地。
5.根据权利要求4所述的控制反激电源交载输出电压的装置,其特征在于,所述控制单元包括第二三极管、第三三极管、第七电阻、第八电阻和第九电阻;所述第二三极管的基极连接第五电阻的另一端,所述第二三极管的发射极接地,第二三极管的集电极连接第七电阻的一端,第七电阻的另一端连接第三三极管的基极、还通过第八电阻连接电压输入端,第三三极管的发射极连接电压输入端,第三三极管的集电极通过第九电阻连接PMOS管的栅极。
6.一种控制反激电源交载输出电压的装置,其特征在于,包括输出装置、待机装置、驱动装置和过压调节装置 ;
待机装置用于启动驱动装置,驱动装置用于控制输出装置导通输出一输出电压;过压调节装置用于判断输出电压大于预设输出电压时、控制输出装置降低输出电压;
所述输出装置包括待机MOS管,所述待机MOS管为NMOS管;
所述NMOS管的漏极连接电压输入端,NMOS管的源极连接电压输出端和过压调节装置,NMOS管的栅极连接驱动装置和过压调节装置;
所述待机装置包括第一三极管、第一电阻和第二电阻,所述第一三极管的基极通过第一电阻连接供电端、还通过第二电阻接地,第一三极管的发射极接地,第一三极管的集电极连接驱动装置;
驱动装置包括第四三极管、第二二极管、第十电阻、第十一电阻和第十二电阻;所述第四三极管的基极通过第十电阻连接第一三极管的集电极、还通过第十一电阻连接第四三极管的发射极和驱动端,第四三极管的集电极连接第二二极管的负极和第十二电阻的一端,第二二极管的正极连接第十二电阻的另一端、NMOS管的栅极和过压调节装置。
7.根据权利要求6所述的控制反激电源交载输出电压的装置,其特征在于,所述过压调节装置包括判断单元和控制单元;
所述判断单元用于判断输出电压是否大于预设输出电压,在输出电压大于预设输出电压时输出检测电平启动控制单元,控制单元输出控制信号控制输出装置中的MOS管进入放大状态。
8.根据权利要求7所述的控制反激电源交载输出电压的装置,其特征在于,
NMOS管的源极连接判断单元,NMOS管的栅极连接控制单元。
9.根据权利要求8所述的控制反激电源交载输出电压的装置,其特征在于,所述判断单元包括第二稳压管、第十三电阻和第十四电阻;所述第二稳压管的负极连接NMOS管的源极和电压输出端,第二稳压管的正极连接第十三电阻的一端,第十三电阻的另一端连接控制单元、还通过第十四电阻接地。
10.根据权利要求9所述的控制反激电源交载输出电压的装置,其特征在于,所述控制单元包括第五三极管和第十五电阻,所述第五三极管的基极连接第十三电阻的另一端,第五三极管的发射极接地,第五三极管的集电极通过第十五电阻连接第十二电阻的另一端和NMOS管的栅极。
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