CN104157943A - 低损耗高稳定性高互调双频4g合路器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种低损耗高稳定性高互调双频4G合路器,在谐振腔的左侧安装有天线端口N型连接器一,在谐振腔的右侧安装有GSM、DCS端口N型连接器二和TDA、TDF、LTE端口N型连接器三,在谐振腔的内部安装有多个相互耦合的GSM信号大功率谐振电容、DCS信号大功率谐振电容、TDA信号大功率谐振电容、TDF信号大功率谐振电容、LTE信号大功率谐振电容和带外杂散信号近端和远端抑制控元件。本发明既可当单个滤波模块使用又可当合路器使用,具有损耗小、高互调、功率容量高、外型尺寸小、设计美观、信号专输通畅、安装维护方便等诸多优点。
Description
技术领域
本发明涉及通信系统收发信号滤波器件技术领域,尤其涉及一种低损耗高稳定性高互调双频4G合路器。
背景技术
无线通信技术经过多年的发展,已经从GSM时代进入3G时代,而未来更先进的4G网络已经具有可实用化的技术,在国内亦有试点,现有各类天线以及收发信机输入口的不是低损耗、高互调、选择性合路器都还是采用立体型的辐射结构和多腔谐振结构,体积庞大,结构复杂,加工困难,已成为无线通信产品微型化的主要障碍:其主要原因是它所依据的辐射转换空间和频率谐振空间是电解质常数接近于1,损耗最小的自由空气。开拓各种不同规格的解电常数并加以控制,而且解质损耗更低的新型材料代替自由空气,是实现天线和滤波器平面化、微型化和智能化的主要技术途径。
发明内容
本发明目的就是为了弥补已有技术的缺陷,提供一种低损耗高稳定性高互调双频4G合路器。
本发明是通过以下技术方案实现的:
一种低损耗高稳定性高互调双频4G合路器,包括有谐振腔,在谐振腔的顶部固定有盖板,在谐振腔内侧电镀银层,在谐振腔的左侧安装有天线端口N型连接器一,在谐振腔的右侧安装有GSM、DCS端口N型连接器二和TDA、TDF、LTE端口N型连接器三,在谐振腔的内部安装有多个相互耦合的GSM信号大功率谐振电容、DCS信号大功率谐振电容、TDA信号大功率谐振电容、TDF信号大功率谐振电容、LTE信号大功率谐振电容和带外杂散信号近端和远端抑制控元件,所有的大功率谐振电容在谐振腔内分六行分布,第一行和第二行、第三行和第四行、第五行和第六行之间分布设有信号隔离导向板,所述的GSM信号大功率谐振电容、DCS信号大功率谐振电容、TDA信号大功率谐振电容、TDF信号大功率谐振电容和LTE信号大功率谐振电容上均连接有输入传输线和输出传输线,所述的输入传输线均与天线端口N型连接器一连接,GSM信号大功率谐振电容和DCS信号大功率谐振电容连接的输出传输线与GSM、DCS端口N型连接器二连接,TDA信号大功率谐振电容、TDF信号大功率谐振电容和LTE信号大功率谐振电容连接的输出传输线与TDA、TDF、LTE端口N型连接器三连接。
所述的GSM信号大功率谐振电容、DCS信号大功率谐振电容、TDA信号大功率谐振电容、TDF信号大功率谐振电容和LTE信号大功率谐振电容的材料均为易车铁。
本发明的优点是:本发明可同时实现将要广泛应用的GSM/DCS/TDA/TDF和LTE系统信号,既可当单个滤波模块使用又可当合路器使用,具有损耗小、高互调、功率容量高、外型尺寸小、设计美观、信号专输通畅、安装维护方便等诸多优点。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
图2为本发明盖板结构示意图。
具体实施方式
如图1、2所示,一种低损耗高稳定性高互调双频4G合路器,包括有谐振腔1,在谐振腔1的顶部固定有盖板2,在谐振腔1内侧电镀银层3,在谐振腔1的左侧安装有天线端口N型连接器一4,在谐振腔1的右侧安装有GSM、DCS端口N型连接器二5和TDA、TDF、LTE端口N型连接器三6,在谐振腔1的内部安装有多个相互耦合的GSM信号大功率谐振电容7、DCS信号大功率谐振电容8、TDA信号大功率谐振电容9、TDF信号大功率谐振电容10、LTE信号大功率谐振电容11和带外杂散信号近端和远端抑制控元件12,所有的大功率谐振电容在谐振腔内分六行分布,第一行和第二行、第三行和第四行、第五行和第六行之间分布设有信号隔离导向板15,所述的GSM信号大功率谐振电容7、DCS信号大功率谐振电容8、TDA信号大功率谐振电容9、TDF信号大功率谐振电容10和LTE信号大功率谐振电容11上均连接有输入传输线13和输出传输线14,所述的输入传输线13均与天线端口N型连接器一4连接,GSM信号大功率谐振电容7和DCS信号大功率谐振电容8连接的输出传输线与GSM、DCS端口N型连接器二5连接,TDA信号大功率谐振电容9、TDF信号大功率谐振电容10和LTE信号大功率谐振电容11连接的输出传输线与TDA、TDF、LTE端口N型连接器三6连接。
所述的GSM信号大功率谐振电容、DCS信号大功率谐振电容、TDA信号大功率谐振电容、TDF信号大功率谐振电容和LTE信号大功率谐振电容的材料均为易车铁。
Claims (2)
1.一种低损耗高稳定性高互调双频4G合路器,其特征在于:包括有谐振腔,在谐振腔的顶部固定有盖板,在谐振腔内侧电镀银层,在谐振腔的左侧安装有天线端口N型连接器一,在谐振腔的右侧安装有GSM、DCS端口N型连接器二和TDA、TDF、LTE端口N型连接器三,在谐振腔的内部安装有多个相互耦合的GSM信号大功率谐振电容、DCS信号大功率谐振电容、TDA信号大功率谐振电容、TDF信号大功率谐振电容、LTE信号大功率谐振电容和带外杂散信号近端和远端抑制控元件,所有的大功率谐振电容在谐振腔内分六行分布,第一行和第二行、第三行和第四行、第五行和第六行之间分布设有信号隔离导向板,所述的GSM信号大功率谐振电容、DCS信号大功率谐振电容、TDA信号大功率谐振电容、TDF信号大功率谐振电容和LTE信号大功率谐振电容上均连接有输入传输线和输出传输线,所述的输入传输线均与天线端口N型连接器一连接,GSM信号大功率谐振电容和DCS信号大功率谐振电容连接的输出传输线与GSM、DCS端口N型连接器二连接,TDA信号大功率谐振电容、TDF信号大功率谐振电容和LTE信号大功率谐振电容连接的输出传输线与TDA、TDF、LTE端口N型连接器三连接。
2.根据权利要求1所述的低损耗高稳定性高互调双频4G合路器,其特征在于:所述的GSM信号大功率谐振电容、DCS信号大功率谐振电容、TDA信号大功率谐振电容、TDF信号大功率谐振电容和LTE信号大功率谐振电容的材料均为易车铁。
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