CN104157752A - N型层粗化的led生长方法 - Google Patents
N型层粗化的led生长方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104157752A CN104157752A CN201410428148.5A CN201410428148A CN104157752A CN 104157752 A CN104157752 A CN 104157752A CN 201410428148 A CN201410428148 A CN 201410428148A CN 104157752 A CN104157752 A CN 104157752A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- type layer
- alligatoring
- layer
- led
- doped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 230000012010 growth Effects 0.000 title claims abstract description 45
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 230000007773 growth pattern Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 19
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims description 7
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 230000034655 secondary growth Effects 0.000 abstract 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 35
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 34
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 18
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 4
- 238000005842 biochemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000209202 Bromus secalinus Species 0.000 description 1
- 241001025261 Neoraja caerulea Species 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Chemical group 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000002061 nanopillar Substances 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000026267 regulation of growth Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明实施例提供一种N型层粗化的LED生长方法。该方法包括:在衬底的上表面通入金属源和氨气,通过所述金属源和氨气反应,在所述衬底的上表面形成无定型的缓冲层;在所述无定型的缓冲层的上表面生长非掺杂层;在所述非掺杂层的上表面生长重掺杂的N型层,其中,所述重掺杂的N型层的上表面形成V形坑,所述V形坑作为粗化的一种形式存在;采用纵向生长模式保持所述V形坑的形状,在所述重掺杂的N型层的上表面依次生长低掺N型层、量子阱层,P型层,从而形成完整的LED结构。本实施例无需二次生长,无需对P型层进行改造,不会对芯片制程产生过大影响。
Description
技术领域
本发明实施例涉及半导体制造技术,尤其涉及一种N型层粗化的LED生长方法。
背景技术
以氮化镓(GaN)为代表的宽禁带材料,是继硅(Si)和砷化镓(GaAs)之后的第三代半导体材料,GaN可以用来制作发光二极管、激光器、探测器、高频高功率晶体管等电子器件。
目前,用GaN材料生产发光二级管(Light Emitting Diode,简称LED)已经比较成熟,且运用面越来越广泛,特别是在景观照明,路灯照明,背光源,室内照明等多个领域均有很好表现。但随着LED越来越广泛的使用,LED暴露出来的问题也愈加突出:对照明领域的应用来说,由于亮度的提升不但能满足更加苛刻的使用环境,还能够降低单位流明光的使用成本,因此目前对亮度的需求越来越强烈。
亮度主要取决于LED的外量子效率(External quantum efficiency,简称EQE)。而LED的EQE取决于内量子效率(Internal quantum efficiency,简称IQE)和光提取效率(Light Extraction Effieieney,简称LEE)的乘积,提高外量子效率的方法大致可以从提高IQE和LEE两方面入手。因GaN的折射率为2.4,光的出射角仅有24.6度,光的提取效率仅有4.5%。于是,图形化蓝宝石衬底(Patterned Sapphire Substrate,简称PSS)被用来改善LED的外量子效率。同时纳米压印技术(Nanoimprinting),氮化硅(SiN)纳米网格技术,氮化钛(TiN)纳米柱技术,表面粗化技术等都曾被用用来改善LED的光提取效率。
尽管近年来这些技术的使用使得GaN-LED取得了显著的光电性能提升,但在现有的N型层粗化的LED生长方法中,不仅需要二次生长,还需要对P型层进行改造。因此,GaN的生长技术还有进一步提高的空间。
发明内容
本发明提供了一种N型层粗化的LED生长方法,该方法在保证其他性能不恶化的基础上进行,无需二次生长,且可以和其他改善光电参数的方法并行使用。异于其他表面粗化技术,N型粗化方法在N型层就已经形成,无需对P型层进行改造,不会对芯片制程产生过大影响。
本发明实施例提供一种N型层粗化的LED生长方法,包括:
在衬底的上表面通入金属源和氨气,通过所述金属源和氨气反应,在所述衬底的上表面形成无定型的缓冲层;
在所述无定型的缓冲层的上表面生长非掺杂层;
在所述非掺杂层的上表面生长重掺杂的N型层,其中,所述重掺杂的N型层形成V形坑,所述V形坑作为粗化的一种形式存在;
采用纵向生长模式保持所述V形坑的形状,在所述重掺杂的N型层的上表面依次生长低掺N型层、量子阱层,P型层,从而形成完整的LED结构。
可选地,所述衬底的材质为蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃、铜、镍、铬中的任一种。
可选地,所述N型层粗化的LED生长方法可通过如下任一生长设备实现:
金属有机化学气相沉积MOCVD设备、分子束外延MBE设备或氢化物气相外延HVPE设备。
可选地,所述重掺杂的N型层的掺杂浓度在1020的数量级。
可选地,所述重掺杂的N型层的厚度为500~3500nm。
可选地,所述重掺杂的N型层的上表面形成的V形坑无规则排列。
可选地,所述纵向生长模式为保持纵向生长速率大于横向生长速率的生长模式。
可选地,所述重掺杂的N型层中的掺杂物质为如下物质中的至少一种:
硅Si、碳C、铅Pb、氧O、硫S。
可选地,所述低掺杂的N型层中的掺杂物质为如下物质中的至少一种:
硅Si、碳C、铅Pb、氧O、硫S。
本发明实施例提供的N型层粗化的LED生长方法,通过在衬底的上表面通入金属源和氨气,通过金属源和氨气反应,在衬底的上表面形成无定型的缓冲层;在无定型的缓冲层的上表面生长非掺杂层;在非掺杂层的上表面生长重掺杂的N型层,其中,重掺杂的N型层形成V形坑,V形坑作为粗化的一种形式存在;采用纵向生长模式保持V形坑的形状,在重掺杂的N型层的上表面依次生长低掺N型层、量子阱层,P型层,从而形成完整的LED结构,相对P型层粗化可能会影响芯片制程,N型层粗化对后面芯片制程影响较小;N型层粗化能够有效提高光提取效率;N型层粗化无需增加过多的原材料消耗,仅N型重掺杂时需要增加N型的掺杂源,所需增加原材料微少,适合大批量生产使用,不仅无需增加更多的生长时间,还粗化方法简单易行,容易实现产业化。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为重掺杂N型层V形坑示意图;
图2为本发明N型层粗化的LED生长方法实施例一的流程示意图;
图3为本发明N型层粗化LED结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明实施例的目的在于从N型GaN层就开始形成非周期变化的波浪起伏状粗化表面,通过调节生长速率、温度及V/III等参数,使粗化的N型层表面保持至P型GaN层生长结束。此粗化效果类似于直接在P型层表面粗化的效果,具有提高GaN-LED光提取效率的性能。
本发明的基本原理是利用重掺杂的N型GaN层形成V形坑作为粗化表面,如图1所示,图1为重掺杂N型层V形坑示意图。因N型掺杂原子和Ga原子的半径差较大,当N型GaN层重掺杂(可以掺Si)时,如图1中的重掺杂的N型层101所示,GaN会形成较大的晶格应力,重掺时会导致GaN层以形成V形坑来释放应力,如图1中的重掺杂表面形成的V形坑102所示。本实施例利用重掺杂的N型GaN层的应力释放形成的V型坑来实现的,调节生长过程中的温度、压力和V/III,使得外延表面的V型坑可保持到P型层生长结束,形成表面粗化效果。
图2为本发明N型层粗化的LED生长方法实施例一的流程示意图。下面结合图3所示实施例,对本发明实施例提供的方法进行详细说明。图3为本发明N型层粗化LED结构示意图。本实施例N型层粗化的LED生长方法可通过如下任一生长设备实现:金属有机化学气相沉积(Metal-organicChemical Vapor Deposition,简称MOCVD)设备、分子束外延(MolecularBeam Epitaxy,简称MBE)设备或氢化物气相外延(Hydride Vapor PhaseEpitaxy,简称HVPE)设备。如图2所示,本实施例提供的方法,包括:
步骤201、在衬底的上表面通入金属源和氨气,通过所述金属源和氨气反应,在所述衬底的上表面形成无定型的缓冲层;
当衬底材料301层的表面温度升高到530℃左右时,通入金属源和氨气(NH3)反应3-5分钟,金属源和NH3在此温度下分解并发生化学反应,形成无定型的缓冲层。金属源反应物及缓冲层具有下列特性:①能够在高温时分解成金属原子;②金属原子能够和N原子发生反应,形成、无定型的GaN缓冲层;③缓冲层的厚度可以为10~50nm。
所述衬底的材质为蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃、铜、镍、铬中的任一种。
步骤202、在所述无定型的缓冲层的上表面生长非掺杂层;
将反应室温度提高到800~1000℃,此时缓冲层进行分解聚合,形成均匀分布的成核岛,随后在此基础上压力维持在200~600托,通入三甲基镓和NH3,使晶核岛长大并合并,不掺入任何杂质形成未掺杂的GaN层302,此层厚度大概为500~2000nm。
步骤203、在所述非掺杂层的上表面生长重掺杂的N型层,其中,所述重掺杂的N型层的上表面形成V形坑,所述V形坑作为粗化的一种形式存在;
反应室继续升温至1000~1100℃,反应室压力控制在200~600托。在GaN的生长过程中掺入N型杂质,形成重掺杂的N型层303,掺杂浓度在~1020cm-3的数量级,此层的厚度可以为500~3500nm。因此层重掺导致波浪V形坑形成,可选地,重掺杂的N型层的上表面形成的V形坑无规则排列。
步骤204、采用纵向生长方法保持所述V形坑的形状,在所述重掺杂的N型层的上表面依次生长低掺N型层、量子阱层,P型层,从而形成完整的LED结构。
重掺层生长完成之后,需要在此层上面在继续生长一层N型GaN,此N型层采用低掺,掺杂浓度在5×1018cm-3~5×1019cm-3之间,厚度约100nm~1000nm,形成低掺杂的N型层304。为了保证V形状粗糙表面的延续,此层生长采用纵向生长模式,既纵向生长速率大于横向生长速率。为了实现纵向生长模式需要调节温度至900~1000℃,反应室压力提高到300~500托。
在已经生长好的低掺N型GaN上生长量子阱层305,量子阱采用GaN/InGaN多量子阱的结构,周期厚度为5~30nm(其中阱宽为2~5nm,垒宽为5~25nm),其周期数为2~20。此层依然采用纵向生长模式,温度控制在700~900℃,反应室压力控制在450~650托,量子阱层305生成之后,V形坑状起伏依然存在。
在已生长好的量子阱层205的结构上生长掺Mg的GaN层,此层的厚度为0~500nm,掺Mg浓度可以为1x1017~1x1020cm-3,此层为LED结构的P型GaN层206。此层生长过程中保持纵向生长模式不变,温度控制在800~1000℃,反应室压力控制在300~500托,最终形成粗化的表面。
可选地,所述重掺杂的N型层中的掺杂物质为如下物质中的至少一种:
硅Si、碳C、铅Pb、氧O、硫S。
可选地,所述低掺杂的N型层中的掺杂物质为如下物质中的至少一种:
硅Si、碳C、铅Pb、氧O、硫S。
本发明实施例提供的N型层粗化的LED生长方法,通过在衬底的上表面通入金属源和氨气,通过金属源和氨气反应,在衬底的上表面形成无定型的缓冲层;在无定型的缓冲层的上表面生长非掺杂层;在非掺杂层的上表面生长重掺杂的N型层,其中,重掺杂的N型层形成V形坑,V形坑作为粗化的一种形式存在;采用纵向生长模式保持V形坑的形状,在重掺杂的N型层的上表面依次生长低掺N型层、量子阱层,P型层,从而形成完整的LED结构,相对P型层粗化可能会影响芯片制程,N型层粗化对后面芯片制程影响较小;N型层粗化能够有效提高光提取效率;N型层粗化无需增加过多的原材料消耗,仅N型重掺杂时需要增加N型的掺杂源,所需增加原材料微少,适合大批量生产使用,不仅无需增加更多的生长时间,还粗化方法简单易行,容易实现产业化。
下面采用具体的实施例,进行详细说明。
实施例一
N型层粗化的GaN蓝光LED
1、在维易科MOCVD K465I机台上,使用图形化蓝宝石衬底,当衬底材料301的表面温度升高到530℃左右时,保持生长压力为500托。通入三甲基镓(60ml/min)和氨气(NH3)50l/min反应3分钟,三甲基镓和NH3在此温度下分解并发生化学反应,形成无定型的缓冲层,此层的厚度为20nm。
2、将反应室温度提高到1000℃,此时缓冲层进行分解聚合,形成均匀分布的成核岛,随后在此基础上压力维持在500托,通入三甲基镓(200ml/min)和NH350l/min反应30分钟。此生长过程能使晶核岛长大并合并,不掺入任何杂质形成未掺杂的GaN层302。此层厚度大概为1000nm。
3、反应室继续升温至1020℃,反应室压力控制在200托,通入三甲基镓(300ml/min)和NH360l/min反应45分钟。在GaN的生长过程中掺入N型杂质硅(Si),此N型层采用重掺,掺杂浓度为2×1020cm-3,形成重掺杂的N型层303。此层的厚度为1500nm,形成粗糙的V形坑。
4、重掺杂的N型层生长完成之后,反应室温度降为980℃,提高反应室压力至350托,通入三甲基镓(300ml/min)和NH370l/min反应25分钟;此N型层采用低掺,掺杂源为Si,掺杂浓度为8×1018cm-3,得到低掺杂的N型层304,厚度约800nm。
5、在已经生长好的低掺杂的N型层上生长量子阱层,量子阱采用GaN/InGaN多量子阱的结构。将反应室温度降至840℃,压力调为300托,通入氮气、三乙基镓(360ml/min)氨气,在氮气气氛下生长GaN量子垒,掺入Si杂质,掺杂浓度为1×1018cm-3。生长时间为3分钟,厚度为12nm;继续将反应室温度降至760℃,压力维持在300托,通入氮气、三乙基镓(120ml/min)、三甲基铟(400ml/min)和氨气,在氮气气氛下生长InGaN量子阱,生长时间为2分钟,厚度为3nm,In含量约为10%;以上两步循环生长8个周期,形成8个周期的GaN/InGaN量子阱结构,即量子阱层305。
6、将温度升至900℃,压力调为350托,通入氮气、三乙基镓(360ml/min)和氨气,掺入Mg杂质,Mg的掺杂浓度为1×1019cm-3。生长时间为10分钟,此层为P型GaN层,即图3中的P型层306。
7、对此LED进行退火处理,显微镜可观察到外延片表面呈粗糙状。芯片加工成1mm2大小的芯片,通入350mA的电流,发光波长约460nm,发光效率为180lm/W,且抗静电能力在人体模式下4000V通过率为98%。
实施例二:
N型层粗化的GaN绿光LED
1、在维易科MOCVD K465I机台上,使用图形化蓝宝石衬底,当衬底材料301的表面温度升高到530℃左右时,保持生长压力为500托。通入三甲基镓(60ml/min)和氨气(NH3)50l/min反应3分钟,三甲基镓和NH3在此温度下分解并发生化学反应,形成无定型的缓冲层,此层的厚度为20nm。
2、将反应室温度提高到1000℃,此时缓冲层进行分解聚合,形成均匀分布的成核岛,随后在此基础上压力维持在500托,通入三甲基镓(200ml/min)和NH350l/min反应30分钟。此生长过程能使晶核岛长大并合并,不掺入任何杂质形成未掺杂的GaN层302。此层厚度大概为1000nm。
3、反应室继续升温至1020℃,反应室压力控制在200托,通入三甲基镓(300ml/min)和NH360l/min反应45分钟。在GaN的生长过程中掺入N型杂质硅(Si),此N型层采用重掺,掺杂浓度为2×1020cm-3,形成重掺杂的N型层303。此层的厚度为1500nm,形成粗糙的V形坑。
4、重掺杂的N型层生长完成之后,反应室温度降为980℃,提高反应室压力至350托,通入三甲基镓(300ml/min)和NH370l/min反应25分钟;此N型层采用低掺,掺杂源为Si,掺杂浓度为8×1018cm-3,得到低掺杂的N型层304,厚度约800nm。
5、在已经生长好的低掺N型GaN上生长量子阱层,量子阱采用GaN/InGaN多量子阱的结构。将反应室温度降至840℃,压力调为300托,通入氮气、三乙基镓(360ml/min)氨气,在氮气气氛下生长GaN量子垒,掺入Si杂质,掺杂浓度为1×1018cm-3。生长时间为3分钟,厚度为12nm;继续将反应室温度降至720℃,压力维持在300托,通入氮气、三乙基镓(120ml/min)、三甲基铟(400ml/min)和氨气,在氮气气氛下生长InGaN量子阱,生长时间为1分50秒,厚度为2.4nm,In含量约为20%;以上两步循环生长10个周期,形成10个周期的GaN/InGaN量子阱结构,即量子阱层305
6、将温度升至900℃,压力调为350托,通入氮气、三乙基镓(360ml/min)氨气,掺入Mg杂质,Mg的掺杂浓度为1×1019cm-3。生长时间为10分钟,此层为206P型GaN层,即图3中的P型层306。
7、对此LED进行退火处理,显微镜可观察到外延片表面呈粗糙状。芯片加工成300×300μm2大小的芯片,通入20mA的电流,发光波长约520nm,发光效率为120lm/W,且抗静电能力在人体模式下4000V通过率为95%。
综上,本发明实施例,相对P型层粗化可能会影响芯片制程,N型层粗化对后面芯片制程影响较小;N型层粗化能够有效提高光提取效率;N型层粗化无需增加过多的原材料消耗,仅N型重掺杂时需要增加N型的掺杂源,所需增加原材料微少,适合大批量生产使用,不仅无需增加更多的生长时间,还粗化方法简单易行,容易实现产业化。
本领域普通技术人员可以理解:实现上述各方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成。前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中。该程序在执行时,执行包括上述各方法实施例的步骤;而前述的存储介质包括:ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (9)
1.一种N型层粗化的LED生长方法,其特征在于,包括:
在衬底的上表面通入金属源和氨气,通过所述金属源和氨气反应,在所述衬底的上表面形成无定型的缓冲层;
在所述无定型的缓冲层的上表面生长非掺杂层;
在所述非掺杂层的上表面生长重掺杂的N型层,其中,所述重掺杂的N型层的上表面形成V形坑,所述V形坑作为粗化的一种形式存在;
采用纵向生长模式保持所述V形坑的形状,在所述重掺杂的N型层的上表面依次生长低掺N型层、量子阱层,P型层,从而形成完整的LED结构。
2.根据权利要求1所述的N型层粗化的LED生长方法,其特征在于:所述衬底的材质为蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃、铜、镍、铬中的任一种。
3.根据权利要求1所述的N型层粗化的LED生长方法,其特征在于:所述N型层粗化的LED生长方法可通过如下任一生长设备实现:
金属有机化学气相沉积MOCVD设备、分子束外延MBE设备或氢化物气相外延HVPE设备。
4.根据权利要求1所述的N型层粗化的LED生长方法,其特征在于:所述重掺杂的N型层的掺杂浓度在1020的数量级。
5.根据权利要求1所述的N型层粗化的LED生长方法,其特征在于:所述重掺杂的N型层的厚度为500~3500nm。
6.根据权利要求1所述的N型层粗化的LED生长方法,其特征在于:所述重掺杂的N型层的上表面形成的V形坑无规则排列。
7.根据权利要求1所述的N型层粗化的LED生长方法,其特征在于:所述纵向生长模式为保持纵向生长速率大于横向生长速率的生长模式。
8.根据权利要求1所述的N型层粗化的LED生长方法,其特征在于:所述重掺杂的N型层中的掺杂物质为如下物质中的至少一种:
硅Si、碳C、铅Pb、氧O、硫S。
9.根据权利要求1所述的N型层粗化的LED生长方法,其特征在于:所述低掺杂的N型层中的掺杂物质为如下物质中的至少一种:
硅Si、碳C、铅Pb、氧O、硫S。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410428148.5A CN104157752B (zh) | 2014-08-27 | 2014-08-27 | N型层粗化的led生长方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410428148.5A CN104157752B (zh) | 2014-08-27 | 2014-08-27 | N型层粗化的led生长方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104157752A true CN104157752A (zh) | 2014-11-19 |
CN104157752B CN104157752B (zh) | 2017-09-29 |
Family
ID=51883207
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410428148.5A Active CN104157752B (zh) | 2014-08-27 | 2014-08-27 | N型层粗化的led生长方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104157752B (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105552188A (zh) * | 2015-12-16 | 2016-05-04 | 清华大学 | 半导体结构及其制造方法 |
CN105720137A (zh) * | 2016-02-18 | 2016-06-29 | 圆融光电科技股份有限公司 | 发光二极管外延结构及其生长方法和发光二极管 |
CN111244236A (zh) * | 2020-01-15 | 2020-06-05 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种led芯片结构及其制作方法 |
CN111697112A (zh) * | 2020-06-12 | 2020-09-22 | 东莞理工学院 | 一种基于ain/pss复合衬底的深紫外发光二极管及其制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101331616A (zh) * | 2005-12-14 | 2008-12-24 | 昭和电工株式会社 | 氮化镓类化合物半导体发光元件及其制造方法 |
CN103081137A (zh) * | 2010-09-02 | 2013-05-01 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发光二极管芯片 |
US20130214292A1 (en) * | 2012-02-21 | 2013-08-22 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor element and manufacturing method thereof |
CN103311391A (zh) * | 2012-03-06 | 2013-09-18 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管晶粒及其制作方法 |
CN103824915A (zh) * | 2014-03-13 | 2014-05-28 | 华延芯光(北京)科技有限公司 | 一种氮化镓基发光二极管及其制备方法 |
-
2014
- 2014-08-27 CN CN201410428148.5A patent/CN104157752B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101331616A (zh) * | 2005-12-14 | 2008-12-24 | 昭和电工株式会社 | 氮化镓类化合物半导体发光元件及其制造方法 |
CN103081137A (zh) * | 2010-09-02 | 2013-05-01 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发光二极管芯片 |
US20130214292A1 (en) * | 2012-02-21 | 2013-08-22 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor element and manufacturing method thereof |
CN103311391A (zh) * | 2012-03-06 | 2013-09-18 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管晶粒及其制作方法 |
CN103824915A (zh) * | 2014-03-13 | 2014-05-28 | 华延芯光(北京)科技有限公司 | 一种氮化镓基发光二极管及其制备方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105552188A (zh) * | 2015-12-16 | 2016-05-04 | 清华大学 | 半导体结构及其制造方法 |
CN105552188B (zh) * | 2015-12-16 | 2018-11-30 | 清华大学 | 半导体结构及其制造方法 |
CN105720137A (zh) * | 2016-02-18 | 2016-06-29 | 圆融光电科技股份有限公司 | 发光二极管外延结构及其生长方法和发光二极管 |
CN111244236A (zh) * | 2020-01-15 | 2020-06-05 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种led芯片结构及其制作方法 |
CN111697112A (zh) * | 2020-06-12 | 2020-09-22 | 东莞理工学院 | 一种基于ain/pss复合衬底的深紫外发光二极管及其制备方法 |
CN111697112B (zh) * | 2020-06-12 | 2021-10-01 | 东莞理工学院 | 一种基于AlN/PSS复合衬底的深紫外发光二极管及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104157752B (zh) | 2017-09-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN115799416B (zh) | 一种深紫外发光二极管外延片及其制备方法 | |
CN109075226B (zh) | Iii族氮化物层叠体及iii族氮化物发光元件 | |
CN106098870B (zh) | Led外延接触层生长方法 | |
CN106129198B (zh) | Led外延生长方法 | |
KR102112249B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 | |
CN105932118A (zh) | 提高空穴注入的led外延生长方法 | |
CN103219438A (zh) | 改善应力释放和载流子存储的发光二极管浅阱生长方法 | |
CN105023979A (zh) | 一种GaN基LED外延片及其制备方法 | |
CN103730554A (zh) | 一种氮化镓基led外延片的生长方法 | |
CN102208503A (zh) | 一种发光二极管外延结构及其制造方法 | |
CN113097359B (zh) | 半导体发光元件 | |
CN104051586A (zh) | 一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法 | |
CN103811601A (zh) | 一种以蓝宝石衬底为基板的GaN基LED多阶缓冲层生长方法 | |
CN104576852A (zh) | 一种GaN基LED外延结构的发光量子阱应力调控方法 | |
CN104157752A (zh) | N型层粗化的led生长方法 | |
CN105977351A (zh) | 一种紫外led有源区多量子阱的生长方法 | |
Lei et al. | A GaN-based LED with perpendicular structure fabricated on a ZnO substrate by MOCVD | |
CN107068817B (zh) | Led外延生长方法 | |
CN103325902A (zh) | 一种GaN基LED的外延结构及其生长方法 | |
CN105098001A (zh) | 发光设备及其制造方法 | |
CN101138073A (zh) | 氮化物半导体材料及氮化物半导体结晶的制造方法 | |
CN105870269B (zh) | 提高空穴注入的发光二极管外延生长方法 | |
CN107863421A (zh) | 发光器件及其制造方法 | |
CN116779736A (zh) | 发光二极管外延片及其制备方法、led | |
CN109888069B (zh) | InGaN/GaN量子阱结构及LED外延片制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP03 | Change of name, title or address | ||
CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 243000 Anhui Province Economic and Technological Development Zone Ma'anshan City Baoqing Road No. 399 Building 1 Patentee after: Epitop Photoelectric Technology Co., Ltd. Address before: 243000 Anhui province Ma'anshan City West Road Economic Development Zone No. 259 South 1- layer Patentee before: EpiTop Optoelectronic Co., Ltd. |