CN104142461A - 半导体器件老化测试方法 - Google Patents

Abstract

一种半导体器件老化测试方法，包括：提供待测试半导体器件；在指定测试条件内，对所述半导体器件的至少2个参数同时进行老化测试并获得测试数据，其中，选取测试的参数之间具有关联性，且所述指定测试条件至少包括指定时间；根据测试数据，获取基于测试参数的衰减关联系数，若所述衰减关联系数在指定时间内为非衰减态，更改指定测试条件，并重新测试衰减关联系数，直至所述衰减关联系数在指定时间内为衰减态；基于在指定时间内为衰减态的衰减关联系数，获取所述半导体器件老化状态。本发明提供的半导体器件老化测试耗费的时间短、花费小且测试结果准确。

Description

半导体器件老化测试方法

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种半导体器件老化测试方法。

背景技术

随着半导体器件的集成度飞速提高，半导体器件的尺寸随之下降，半导体器件的每个单元发生故障率也随之成比例地增加。为了确保半导体器件的可靠性，需要在一开始检测出有缺陷的单元。而最常用的检测有缺陷的单元的方法之一为老化测试。

老化测试是在模拟产品在现实使用条件中涉及到的各种因素对产品产生老化的情况进行相应条件加强实验的过程，针对半导体领域，老化测试通常是采用极端条件对半导体器件的相关参数进行检测，直至半导体器件的参数出现异常，通常采用的极端条件为高温、高压、或高湿度等。

但是，现有技术的老化测试通常是在极端条件下对参数进行单一的测试，即一个参数测试后再测试另一个参数，直至找到衰减最快的参数，然而这样的测试方法耗费的时间长、花费大且测试结果不准确。

发明内容

本发明解决的问题是现有老化测试方法耗费的时间长、花费大且测试结果不准确。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体器件老化测试方法，包括：提供待测试半导体器件；在指定测试条件内，对所述半导体器件的至少2个参数同时进行老化测试并获得测试数据，其中，选取测试的参数之间具有关联性，且所述指定测试条件至少包括指定时间；根据测试数据，获取基于测试参数的衰减关联系数，若所述衰减关联系数在指定时间内为非衰减态，更改指定测试条件，并重新测试衰减关联系数，直至所述衰减关联系数在指定时间内为衰减态；基于在指定时间内为衰减态的衰减关联系数，获取所述半导体器件老化状态。

可选的，所述指定测试条件还包括测试温度、测试气压、测试光强、测试电流和测试电压中的一种或多种。

可选的，所述半导体器件为存储器件、电容、电阻、或MOS晶体管。

可选的，若测试条件为测试温度、测试气压、测试光强、测试电流和测试电压中的多种时，更改指定测试条件为更改测试条件中的一种或多种。

可选的，基于在指定时间内为衰减态的衰减关联系数，建立所述半导体器件的老化数据模型；根据所述半导体器件的老化数据模型，对所述半导体器件老化测试进行模拟。

可选的，所述老化数据模型为L_t=P_t+R_t，其中L_t为待测试半导体器件寿命，P_t为待测试半导体器件确定衰减项，R_t为待测试半导体器件随机衰减项。

可选的，P_t=D_t+C_t，其中D_t为待测试半导体器件线性衰减项，C_t为待测试半导体器件周期性衰减项。

可选的， $P_t=\left(\begin{array}{c}{p}_{1t}\\ p_{2t}\\ \·\·\·\\ p_{\mathrm{nt}}\end{array}\right),$ p_nt为第n参数在t-j时间段内确定性衰减值。

可选的， $D_t=\left(\begin{array}{c}{d}_{1t}\\ d_{2t}\\ \·\·\·\\ d_{\mathrm{nt}}\end{array}\right),$ d_nt为第n参数在t-j时间段内线性衰减值。

可选的， $C_t=\left(\begin{array}{c}{c}_{1t}\\ c_{2t}\\ \·\·\·\\ c_{\mathrm{nt}}\end{array}\right)=\left(\begin{array}{c}\underset{k=1}{\overset{\mathrm{\φ}1}{\mathrm{\Σ}}}{a}_{1k}\cos ({\mathrm{\ω}}_{1k}t+{\mathrm{\φ}}_{1k})\\ \underset{k=1}{\overset{\mathrm{\φ}2}{\mathrm{\Σ}}}{a}_{2k}\cos ({\mathrm{\ω}}_{2k}t+{\mathrm{\φ}}_{2k})\\ \·\·\·\\ \underset{k=1}{\overset{\mathrm{\φn}}{\mathrm{\Σ}}}{a}_{\mathrm{nk}}\cos ({\mathrm{\ω}}_{\mathrm{nk}}t+{\mathrm{\φ}}_{\mathrm{nk}})\end{array}\right),$ c_nt为第n参数的周期性衰减值，Φ为半导体器件的周期性衰减的角频率数，ω为半导体器件的周期性衰减的角频率，a为半导体器件的周期性衰减的振幅，φ为半导体器件的周期性衰减的相位。

可选的，其中，H_j为n*n的衰减关联系数矩阵，R_t-j为半导体器件的在t-j时间段内的衰减项，N_t为半导体器件的在t-j时间段内的噪声项。

可选的， $H_j=\left(\begin{array}{cccc}{\mathrm{\η}}_{11j}& {\mathrm{\η}}_{12j}& \·\·\·& {\mathrm{\η}}_{1\mathrm{nj}}\\ {\mathrm{\η}}_{21j}& {\mathrm{\η}}_{22j}& \·\·\·& {\mathrm{\η}}_{2\mathrm{nj}}\\ \·\·\·& \·\·\·& \·\·\·& \·\·\·\\ {\mathrm{\η}}_{n1j}& {\mathrm{\η}}_{n2j}& \·\·\·& {\mathrm{\η}}_{\mathrm{nnj}}\end{array}\right),$ 其中η_ipj为第i参数和第p参数在时间段t-j内的衰减关联系数。

可选的， $R_{t-j}=\left(\begin{array}{c}{r}_{1(t-j)}\\ r_{2(t-j)}\\ \·\·\·\\ r_{n(t-j)}\end{array}\right),$ 其中r_n(t-j)为第n参数在t-j时间段内的衰减量。

可选的， $N_t=\left(\begin{array}{c}{\mathrm{\β}}_{1t}\\ {\mathrm{\β}}_{2t}\\ \·\·\·\\ {\mathrm{\β}}_{\mathrm{nt}}\end{array}\right),$ 其中β_nt为在t-j时间段内，第n参数的噪声系数。

可选的，选取的参数为具有关联性的第一参数和第二参数时，在时间段为t-j内，所述衰减关联系数η_t-j为在时间段为t-j内第一参数的变化量/单位时间内第二参数的变化量。

可选的，选取的参数为具有关联性的第一参数、第二参数和第三参数时，在时间段为t-j内，所述衰减关联系数η_t-j为时间段为t-j内的衰减关联系数，Δa为时间段为t-j内第一参数的变化量，Δb为时间段为t-j内第二参数的变化量，Δc为时间段为t-j内第三参数的变化量。

可选的，所述衰减关联系数的衰减态为经验值判断。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：本发明的实施例在评价半导体器件寿命中考虑到半导体器件参数关联性对半导体器件的寿命影响，从而能够获得与实际半导体器件寿命较吻合的半导体器件的寿命公式，采用上述半导体器件的寿命公式计算半导体器件寿命时，比较精确。

进一步的，由于考虑到半导体器件参数关联性，在实际的老化检测中测量次数较少，样品利用率高。

附图说明

图1是本发明一实施例的半导体器件老化测试方法流程示意图；

图2是本发明一实施例的衰减关联系数与时间的曲线；

图3是本发明一实施例的半导体器件寿命曲线对比示意图。

具体实施方式

老化测试是半导体领域常规的测试器件性能的测试，但是限于现有的老化测试都是基于一个参数测试完成后再进行另一参数测试，而一个参数测试通常需要耗费很长的测试时间才能出现性能劣化，并且测试完一个参数的样品通常是不可逆转的受到测试破坏，无法在下一参数测试中使用，从而使得老化测试耗费的时间长且花费大。

此外除了时间长且花费大的缺陷，发明人对上述的老化测试进行进一步分析后，发现现有技术基于单一参数测试的老化测试结果也存在不准确性。由于半导体器件的特殊性，半导体器件的很多参数会存在互相关联性，例如在MOS器件中，栅极电压（V_GS）与栅致漏极的泄漏电流(Gate induced drainleakage，GIDL)之间、存储器的输入电压和输出电压之间、在电容的工作电压和电容值之间……上述列举的参数之间存在关联性，且上述存在关联性的参数之间会互相作用，使得参数与参数的寿命互相影响；由于单一参数测试忽略上述的关联性，导致采用现有技术检测出的结果不准确。

在一具体例子中，在采用单一参数老化测试实验中，待测试的半导体器件为PMOS管，单一老化测试方法在测试PMOS管时第一次检测的参数为栅极漏电流，检测条件为90摄氏度，测试样品数量为4个，取样间隔为5分钟，测试结果为老化时间为85小时；在同样的测试条件下，第二次检测的参数为PMOS管的内置应力，而测试结果老化时间为20小时；由此可以发现，仅仅在测试完2个参数时，所花费的时间为至少105小时，且耗费了8个样品。成本高且时间长。

基于上述分析，本发明的发明人提出一种半导体器件老化测试方法，对半导体器件的、具有相互关联性的参数同时进行测试，使得老化测试过程中能够充分考虑到参数之间的互相作用而对半导体器件老化的影响，从而减少测试耗费时间和测试成本，且测试结果准确。

请参考图1，本发明提供一实施例的半导体器件老化测试方法，包括：步骤S101，提供待测试半导体器件；步骤S102，确定测试半导体器件的具有关联性的参数；步骤S103，在指定测试条件内，对具有关联性的2个参数同时进行老化测试并获得测试数据；步骤S104，根据测试数据，获取基于测试参数的衰减关联系数；步骤S105，判断所述衰减关联系数在指定时间内是否为衰减态；步骤S106，若所述衰减关联系数为非衰减态，更改指定测试条件，并重新测试衰减关联系数，直至所述衰减关联系数在指定时间内为衰减态；步骤S107，基于在指定时间内为衰减态的衰减关联系数，获取所述半导体器件老化状态。

首先，执行步骤S101，提供待测试半导体器件，所述半导体器件可以为NMOS管、PMOS管、电容、电阻、CMOS管、逻辑器件、存储器件等；本领域的技术人员可以根据需要进行老化测试的器件选择，在此特意说明，不应过分限定本发明保护的范围。

执行步骤S102，确定测试半导体器件的具有关联性的参数。

对提供的待测试半导体器件进行参数选择，选取待测试半导体器件具有关联性的参数。

所述具有关联性是指待测试半导体器件的两个参数之间具有相互作用性，在同时作用时能够导致待测试半导体器件的两个参数的寿命受到影响。

所述关联性的参数选择可以根据实际需要测试的器件类型进行选择，通常可以根据经验总结或者器件的具体生产工艺、使用状态进行选择。

在一实施例中，所述待测试半导体器件为NMOS管，具有关联性的参数可以为栅极电压（V_GS）和源漏偏压（V_DS）；在一实施例中，所述待测试半导体器件为PMOS管，具有关联性的参数可以为栅极电压（V_GS）与栅致漏极的泄漏电流(Gate induced drain leakage，GIDL)。

在一实施例中，所述待测试半导体器件为NMOS管，具有关联性的参数可以为栅极电压（V_GS）、源漏电压(V_DS)与栅致漏极的泄漏电流(Gate induceddrain leakage，GIDL)

需要说明的是，选取具有关联性的参数越多，后续测试结果越准确，且花费时间越少；但是，由于选取具有关联性的参数越多，同时测试的难度越大，因此，综合考虑实用和准确性，较佳地选择2个具有关联性参数或者3个具有关联性的参数进行老化测试。

执行步骤S103，在指定测试条件内，对具有关联性的至少2个参数同时进行老化测试并获得测试数据。

具体地，所述测试条件包括：测试温度、测试气压、测试光强、测试电流和测试电压中的一种或多种。

在本实施例中，考虑老化测试的实际操作性和半导体器件的特殊性，所述测试条件通常为测试温度。

需要说明的是，所述指定测试条件至少包括指定时间，即上述老化测试在设定的测试温度下对待测试的半导体器件的选定的至少2个参数同时进行测试，在指定时间内，每隔一定时间段对测试的参数进行采样，直至测试参数出现老化。

所述采样的间隔时间可以相同也可以不同，较佳地选择采样的间隔时间相同，所述采样间隔时间可以为1秒、2秒、10秒、50秒、1分钟、2分钟、5分钟、10分钟、11分钟、30分钟、1小时……；所述采样间隔时间可以根据所述指定时间合理设置，需要说明的是，所述采样间隔时间越短，测试结果越精确。但是由于老化试验的指定时间通常都比较长，一般都是在70小时至140小时以上，采样间隔时间太短会使得数据冗长。

步骤S104，根据测试数据，获取基于测试参数的衰减关联系数；

具体地，若选取的参数为2个时，即选取具有关联性的第一参数和第二参数，在时间段为t-j内，所述衰减关联系数η_t-j为在时间段为t-j内第一参数的变化量/单位时间内第二参数的变化量。

即η=df(x1)/df(x2)，其中f(x1)为第一参数的老化函数，f(x2)为第二参数的老化函数。

由于第一参数和第二参数的老化试验时是采样结果，无法获得精确的第一参数的老化函数和第二参数的老化函数，只能选择采样间隔时间内的第一参数的变化量/采样间隔时间内的第二参数的变化量来获得离散的所述衰减关联系数η，因此，获取基于测试参数的衰减关联系数η为离散值。

在另一实施例中，若选取的参数为3个时，即选取具有关联性的第一参数、第二参数和第三参数，在时间段为t-j内，

${\mathrm{\η}}_{t-j}=\frac{\mathrm{\Δa}+\mathrm{\Δb}}{\mathrm{\Δa\Δb}}+\frac{\mathrm{\Δb}+\mathrm{\Δc}}{\mathrm{\Δb\Δc}}+\frac{\mathrm{\Δa}+\mathrm{\Δc}}{\mathrm{\Δa\Δc}}$

其中，η_t-j为时间段为t-j内的衰减关联系数，Δa为时间段为t-j内第一参数的变化量，Δb为时间段为t-j内第二参数的变化量，Δc为时间段为t-j内第三参数的变化量。

执行步骤S105，判断所述衰减关联系数在指定时间内是否为衰减态。

所述衰减关联系数的衰减态为经验值判断，即当指定时间的值大于60小时，所述衰减关联系数的绝对值小于2；在此情况下，判定所述衰减关联系数为衰减态。

若指定时间的值大于60小时，所述衰减关联系数的绝对值并非小于2，则判定所述衰减关联系数为非衰减态。

图2示出了采用在老化温度为温度120度，指定时间为100小时，对具有关联性的存储器的输入电压和输入电压同时进行老化测试后，获得的衰减关联系数与时间的曲线，从图2可以明显得到，存储器的输入电压和输入电压的衰减关联系数为衰减态。

执行步骤S106，若所述衰减关联系数为非衰减态，更改指定测试条件，并重新测试衰减关联系数，直至所述衰减关联系数在指定时间内为衰减态。

若之前步骤无法获得衰减态的衰减关联系数，则更改指定测试条件。

在本实施例中，通常变更老化温度，将老化温度上升并从新测试测试衰减关联系数。

在其他实施例中，若测试条件为测试温度、测试气压、测试光强、测试电流和测试电压中的多种时，更改指定测试条件为更改测试条件中的一种或多种。

执行步骤S107，基于在指定时间内为衰减态的衰减关联系数，获取所述半导体器件老化状态。

具体地，在一实施例中，采用基于在指定时间内为衰减态的衰减关联系数，建立所述半导体器件的老化数据模型；根据所述半导体器件的老化数据模型，对所述半导体器件老化测试进行模拟来获取所述半导体器件老化状态。

首先，设定半导体器件的老化为确定衰减项和随机衰减项之和，且确定衰减项为线性衰减项和周期衰减项之和。

根据上述设定，获取衰减关联系数后，根据所述衰减关联系数建立衰减关联矩阵Hj：

$H_j=\left(\begin{array}{cccc}{\mathrm{\η}}_{11j}& {\mathrm{\η}}_{12j}& \·\·\·& {\mathrm{\η}}_{1\mathrm{nj}}\\ {\mathrm{\η}}_{21j}& {\mathrm{\η}}_{22j}& \·\·\·& {\mathrm{\η}}_{2\mathrm{nj}}\\ \·\·\·& \·\·\·& \·\·\·& \·\·\·\\ {\mathrm{\η}}_{n1j}& {\mathrm{\η}}_{n2j}& \·\·\·& {\mathrm{\η}}_{\mathrm{nnj}}\end{array}\right)$

其中，η_ipj为第i参数和第p参数在时间段t-j内的衰减关联系数，其中η_11j定义为第i参数自影响系数，并赋值为1，同理，η_22j、η_33j、…η_nnj依次为第2参数自影响系数、第3参数自影响系数…第n参数自影响系数，上述自影响系数赋值为1。

定义半导体器件的在t-j时间段内的衰减项为R_t-j，其中

$R_{t-j}=\left(\begin{array}{c}{r}_{1(t-j)}\\ r_{2(t-j)}\\ \·\·\·\\ r_{n(t-j)}\end{array}\right)$

其中，r_n(t-j)为第n参数在t-j时间段内的衰减量；

定义半导体器件的在t-j时间段内的噪声项为N_t，其中

$N_t=\left(\begin{array}{c}{\mathrm{\β}}_{1t}\\ {\mathrm{\β}}_{2t}\\ \·\·\·\\ {\mathrm{\β}}_{\mathrm{nt}}\end{array}\right)$

其中，β_nt为在t-j时间段内，第n参数的噪声系数，所述β_nt可以根据噪声测量设备测试获得或者根据老化测试获得测试数据计算得到，如果是根据老化测试获得测试数据计算，在计算过程中忽略参数关联性对老化噪声的影响。

根据之前数据，并考虑噪声因素影响，获取半导体器件的随机衰减项R_t：

$R_t=\underset{j=1}{\overset{k}{\mathrm{\Σ}}}{H}_j{R}_{t-j}+N_t;$

并且，定义半导体器件的寿命为L_t，所述L_t为确定性衰减项P_t和随机衰减项R_t之和，而确定性衰减项P_t为线性衰减项D_t和周期性衰减项C_t之和；

即L_t=P_t+R_t=（D_t+C_t）+R_t；

其中，将P_t行列式化：

$P_t=\left(\begin{array}{c}{p}_{1t}\\ p_{2t}\\ \·\·\·\\ p_{\mathrm{nt}}\end{array}\right)$

其中p_nt为第n参数在t-j时间段内确定性衰减值；

将D_t行列式化：

$D_t=\left(\begin{array}{c}{d}_{1t}\\ d_{2t}\\ \·\·\·\\ d_{\mathrm{nt}}\end{array}\right)$

其中d_nt为第n参数在t-j时间段内线性衰减值；

将C_t行列式化：

$C_t=\left(\begin{array}{c}{c}_{1t}\\ c_{2t}\\ \·\·\·\\ c_{\mathrm{nt}}\end{array}\right)=\left(\begin{array}{c}\underset{k=1}{\overset{\mathrm{\φ}1}{\mathrm{\Σ}}}{a}_{1k}\cos ({\mathrm{\ω}}_{1k}t+{\mathrm{\φ}}_{1k})\\ \underset{k=1}{\overset{\mathrm{\φ}2}{\mathrm{\Σ}}}{a}_{2k}\cos ({\mathrm{\ω}}_{2k}t+{\mathrm{\φ}}_{2k})\\ \·\·\·\\ \underset{k=1}{\overset{\mathrm{\φn}}{\mathrm{\Σ}}}{a}_{\mathrm{nk}}\cos ({\mathrm{\ω}}_{\mathrm{nk}}t+{\mathrm{\φ}}_{\mathrm{nk}})\end{array}\right)$

其中c_nt为第n参数的周期性衰减值，Φ为半导体器件的周期性衰减的角频率数，ω为半导体器件的周期性衰减的角频率，a为半导体器件的周期性衰减的振幅，φ为半导体器件的周期性衰减的相位。

那么，将上述的公式代入至半导体器件的寿命公式中，得到：

$L_t=\left(\begin{array}{c}{d}_{1t}\\ d_{2t}\\ \·\·\·\\ d_{\mathrm{nt}}\end{array}\right)=\left(\begin{array}{c}\underset{k=1}{\overset{\mathrm{\φ}1}{\mathrm{\Σ}}}{a}_{1k}\cos ({\mathrm{\ω}}_{1k}t+{\mathrm{\φ}}_{1k})\\ \underset{k=1}{\overset{\mathrm{\φ}2}{\mathrm{\Σ}}}{a}_{2k}\cos ({\mathrm{\ω}}_{2k}t+{\mathrm{\φ}}_{2k})\\ \·\·\·\\ \underset{k=1}{\overset{\mathrm{\φn}}{\mathrm{\Σ}}}{a}_{\mathrm{nk}}\cos ({\mathrm{\ω}}_{\mathrm{nk}}t+{\mathrm{\φ}}_{\mathrm{nk}})\end{array}\right)+\underset{j=1}{\overset{k}{\mathrm{\Σ}}}{H}_j{R}_{t-j}+N_t$

获得上述半导体器件的寿命公式后，根据半导体器件的实际需求进行计算，在一实施例中，所述半导体器件为了满足军工需求，那么对于半导体器件的寿命要求比较严格，L_t设置比较大，例如L_t设置为40%，根据L_t设置获得的时间就比较短；对于民用产品，L_t设置比较小，例如L_t设置为10%，根据L_t设置获得的时间就比较长。

请参考图3，图3为采用本实施例的半导体器件的寿命测试方法与现有的单一参数寿命测量方法的比较图，其中a曲线为半导体器件的实际寿命曲线，b曲线是采用本发明实施例获得的半导体器件的寿命曲线，c曲线是采用现有技术获得的半导体器件的寿命曲线，由图3可以清楚获知，本发明实施例获得的半导体器件寿命曲线比现有技术获得的半导体器件寿命更接近半导体器件的实际寿命曲线。

本发明的实施例在评价半导体器件寿命中考虑到半导体器件参数关联性对半导体器件的寿命影响，从而能够获得与实际半导体器件寿命较吻合的半导体器件的寿命公式，采用上述半导体器件的寿命公式计算半导体器件寿命时，比较精确。

进一步的，由于考虑到半导体器件参数关联性，在实际的老化检测中测量次数较少，样品利用率高。

本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (17)

1.一种半导体器件老化测试方法，其特征在于，包括：

提供待测试半导体器件；

在指定测试条件内，对所述半导体器件的至少2个参数同时进行老化测试并获得测试数据，其中，选取测试的参数之间具有关联性，且所述指定测试条件至少包括指定时间；

根据测试数据，获取基于测试参数的衰减关联系数，若所述衰减关联系数在指定时间内为非衰减态，更改指定测试条件，并重新获取衰减关联系数，直至所述衰减关联系数在指定时间内为衰减态；

基于在指定时间内为衰减态的衰减关联系数，获取所述半导体器件老化状态。

2.如权利要求1所述的半导体器件老化测试方法，其特征在于，所述指定测试条件还包括测试温度、测试气压、测试光强、测试电流和测试电压中的一种或多种。

3.如权利要求1所述的半导体器件老化测试方法，其特征在于，所述半导体器件为存储器件、电容、电阻、或MOS晶体管。

4.如权利要求2所述的半导体器件老化测试方法，其特征在于，若测试条件为测试温度、测试气压、测试光强、测试电流和测试电压中的多种时，更改指定测试条件为更改测试条件中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的半导体器件老化测试方法，其特征在于，基于在指定时间内为衰减态的衰减关联系数，建立所述半导体器件的老化数据模型；根据所述半导体器件的老化数据模型，对所述半导体器件老化测试进行模拟。

6.如权利要求5所述的半导体器件老化测试方法，其特征在于，所述老化数据模型为L_t=P_t+R_t，其中L_t为待测试半导体器件寿命，P_t为待测试半导体器件确定衰减项，R_t为待测试半导体器件随机衰减项。

7.如权利要求6所述的半导体器件老化测试方法，其特征在于，P_t=D_t+C_t，其中D_t为待测试半导体器件线性衰减项，C_t为待测试半导体器件周期性衰减项。

8.如权利要求7所述的半导体器件老化测试方法，其特征在于， $P_t=\left(\begin{array}{c}{p}_{1t}\\ p_{2t}\\ \·\·\·\\ p_{\mathrm{nt}}\end{array}\right),$ p_nt为第n参数在t-j时间段内确定性衰减值。

9.如权利要求7所述的半导体器件老化测试方法，其特征在于， $D_t=\left(\begin{array}{c}{d}_{1t}\\ d_{2t}\\ \·\·\·\\ d_{\mathrm{nt}}\end{array}\right),$ d_nt为第n参数在t-j时间段内线性衰减值。

10.如权利要求7所述的半导体器件老化测试方法，其特征在于， $C_t=\left(\begin{array}{c}{c}_{1t}\\ c_{2t}\\ \·\·\·\\ c_{\mathrm{nt}}\end{array}\right)=\left(\begin{array}{c}\underset{k=1}{\overset{\mathrm{\φ}1}{\mathrm{\Σ}}}{a}_{1k}\cos ({\mathrm{\ω}}_{1k}t+{\mathrm{\φ}}_{1k})\\ \underset{k=1}{\overset{\mathrm{\φ}2}{\mathrm{\Σ}}}{a}_{2k}\cos ({\mathrm{\ω}}_{2k}t+{\mathrm{\φ}}_{2k})\\ \·\·\·\\ \underset{k=1}{\overset{\mathrm{\φn}}{\mathrm{\Σ}}}{a}_{\mathrm{nk}}\cos ({\mathrm{\ω}}_{\mathrm{nk}}t+{\mathrm{\φ}}_{\mathrm{nk}})\end{array}\right),$ c_nt为第n参数的周期性衰减值，Φ为半导体器件的周期性衰减的角频率数，ω为半导体器件的周期性衰减的角频率，a为半导体器件的周期性衰减的振幅，φ为半导体器件的周期性衰减的相位。

11.如权利要求6所述的半导体器件老化测试方法，其特征在于，其中，H_j为n*n的衰减关联系数矩阵，R_t-j为半导体器件的在t-j时间段内的衰减项，N_t为半导体器件的在t-j时间段内的噪声项。

12.如权利要求11所述的半导体器件老化测试方法，其特征在于， $H_j=\left(\begin{array}{cccc}{\mathrm{\η}}_{11j}& {\mathrm{\η}}_{12j}& \·\·\·& {\mathrm{\η}}_{1\mathrm{nj}}\\ {\mathrm{\η}}_{21j}& {\mathrm{\η}}_{22j}& \·\·\·& {\mathrm{\η}}_{2\mathrm{nj}}\\ \·\·\·& \·\·\·& \·\·\·& \·\·\·\\ {\mathrm{\η}}_{n1j}& {\mathrm{\η}}_{n2j}& \·\·\·& {\mathrm{\η}}_{\mathrm{nnj}}\end{array}\right),$ 其中η_ipj为第i参数和第p参数在时间段t-j内的衰减关联系数。

13.如权利要求11所述的半导体器件老化测试方法，其特征在于， $R_{t-j}=\left(\begin{array}{c}{r}_{1(t-j)}\\ r_{2(t-j)}\\ \·\·\·\\ r_{n(t-j)}\end{array}\right),$ 其中r_n(t-j)为第n参数在t-j时间段内的衰减量。

14.如权利要求11所述的半导体器件老化测试方法，其特征在于， $N_t=\left(\begin{array}{c}{\mathrm{\β}}_{1t}\\ {\mathrm{\β}}_{2t}\\ \·\·\·\\ {\mathrm{\β}}_{\mathrm{nt}}\end{array}\right),$ 其中β_nt为在t-j时间段内，第n参数的噪声系数。

15.如权利要求1所述的半导体器件老化测试方法，其特征在于，选取的参数为具有关联性的第一参数和第二参数时，在时间段为t-j内，所述衰减关联系数η_t-j为在时间段为t-j内第一参数的变化量/单位时间内第二参数的变化量。

16.如权利要求1所述的半导体器件老化测试方法，其特征在于，选取的参数为具有关联性的第一参数、第二参数和第三参数时，在时间段为t-j内，所述衰减关联系数η_t-j为时间段为t-j内的衰减关联系数，Δa为时间段为t-j内第一参数的变化量，Δb为时间段为t-j内第二参数的变化量，Δc为时间段为t-j内第三参数的变化量。

17.如权利要求1所述的半导体器件老化测试方法，其特征在于，所述衰减关联系数的衰减态为经验值判断。