CN104134760B - 沉积装置、有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents
沉积装置、有机发光显示装置及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104134760B CN104134760B CN201410078844.8A CN201410078844A CN104134760B CN 104134760 B CN104134760 B CN 104134760B CN 201410078844 A CN201410078844 A CN 201410078844A CN 104134760 B CN104134760 B CN 104134760B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- unit
- substrate
- deposit subassembly
- transmission
- transmission unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 134
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 106
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 104
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 92
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 34
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 claims abstract description 26
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 56
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000019771 cognition Effects 0.000 description 1
- 230000013228 contact guidance Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/545—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
- C23C14/546—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material using crystal oscillators
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本申请涉及一种能够实时检查形成的薄层的厚度或均匀性的沉积装置,使用该沉积装置制造有机发光显示装置的方法和使用该方法制造的有机发光显示装置。该沉积装置包括可拆卸地固定有基底的移动单元。传送单元在第一方向或者第一方向的相反方向传送移动单元。沉积单元包括至少一个用于在基底上沉积沉积材料的沉积组件。排放数据获取单元获取与从至少一个沉积组件每单位时间排放的沉积材料的量相关联的数据。发送单元发送由排放数据获取单元获取的数据。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求2013年5月3日递交的韩国专利申请10-2013-0050093的根据35U.S.C.§119的优先权及权益,该申请的公开通过引用整体合并于此。
技术领域
本发明构思涉及沉积装置,更特别地,本发明构思涉及使用沉积装置制造有机发光显示装置的方法以及使用该方法制造的有机发光显示装置。
背景技术
有机发光显示装置相比其他显示装置可具有更大的视角、更好的对比度特性和更快的响应速度,因此作为下一代显示装置备受瞩目。这样的有机发光显示装置可以包括设置在第一电极和第二电极之间的中间层(包括发光层)。第一和第二电极以及中间层可以使用各种方法被形成,这些方法中的一种可以是独立的沉积方法。当有机发光显示装置使用沉积方法被制造时,具有与将被形成的中间层等的图案相同的图案的精细金属掩模(FMM)可以被设置为紧密接触中间层等被形成在其上的基底,中间层等的材料可以被沉积在FMM上,可以形成具有期望图案的中间层等。
然而,在使用FMM的这种沉积方法中,需要使用大型FMM来通过使用大型基底制造大型有机发光显示装置,或者通过使用大型母基底来同时制造多个大型有机发光显示装置。在这种情况下,掩模可能由于其自身重量而下垂,因此难以形成具有精确的或预设的图案的中间层等。此外,对准基底和FMM以彼此紧密接触、在其上进行沉积以及从基底分离FMM的工艺是耗时的,导致制造时间长并且生产效率低。
发明内容
本发明构思的方面致力于能够实时检查所形成的薄层的厚度或均匀性的沉积装置、使用该沉积装置制造有机发光显示装置的方法、以及使用该方法制造的有机发光显示装置。然而,上述仅仅是示例,本发明构思的范围并不局限于此。
根据本发明构思的示例性实施例,提供了一种包括基底被可拆卸地固定在其上的移动单元的沉积装置。传送单元包括第一传送单元和第二传送单元,以循环移动移动单元。第一传送单元可以在第一方向传送已经可拆卸地固定有基底的移动单元,第二传送单元可以在第一方向的相反方向传送与基底分离的移动单元。沉积单元可以包括腔室和至少一个沉积组件,至少一个沉积组件以一定距离与基底分离,在第一传送单元传送被固定到移动单元的基底时,沉积材料被沉积在基底上。排放数据获取单元被设置在移动单元上,并获取与从至少一个沉积组件每单位时间排放的沉积材料的量相关联的数据。发送单元被设置在移动单元上,并可以发送由排放数据获取单元获取的数据。发送单元可以无线发送数据。
沉积装置可以进一步包括接收来自发送单元的数据的接收单元。接收单元可以被设置在腔室内。
沉积装置可以进一步包括将由接收单元接收的数据转换成关于由沉积形成的膜的厚度的数据的数据转换单元。
沉积组件可以包括排放沉积材料的沉积源。沉积源喷嘴单元包括沉积源喷嘴,并被设置在沉积源的面对第一传送单元的一侧。图案化缝隙片被设置在沉积源喷嘴单元的对面,并包括被布置在第一方向上的多个图案化缝隙。
与从沉积组件每单位时间排放的沉积材料的量相关联的数据可以被实时获取。
排放数据获取单元可以被设置在移动单元的至少一个边缘上。
可以包括至少两个排放数据获取单元。
根据本发明构思的示例性实施例,提供了一种制造有机发光显示装置的方法。该方法可以包括当基底被固定到移动单元时传送移动单元进入腔室,其中传送由第一传送单元执行。在由第一传送单元使基底相对于沉积组件移动时,通过在基底上沉积从被设置在腔室内的沉积组件排放的沉积材料来形成层,其中沉积组件以一定距离和基底分离。移动单元与基底分离。返回与基底分离的移动单元由被提供为穿过腔室的第二传送单元执行。层的形成可以包括在通过在基底上沉积从沉积组件排放的沉积材料来形成层时,获取与从沉积组件每单位时间排放的沉积材料的量相关联的数据。获取可以由排放数据获取单元执行。由排放数据获取单元获取的数据可以被无线发送。发送由发送单元执行。发送可以无线地进行。
该方法可以进一步包括接收来自发送单元的数据。接收可以由接收单元执行。该方法可以进一步包括将由接收单元接收的数据转换成关于由沉积形成的层的厚度的数据。
沉积组件可以包括排放沉积材料的沉积源。沉积源喷嘴单元包括沉积源喷嘴,并被设置在沉积源的面对第一传送单元的一侧。图案化缝隙片被设置在沉积源喷嘴单元的对面,并包括被布置在第一方向上的多个图案化缝隙。
排放数据获取单元可以被附着到移动单元的一个或多个边缘。
两个或多个传感器可以被包括在排放数据获取单元中。
根据本发明构思的示例性实施例,提供了一种包括基底的有机发光显示装置。多个薄膜晶体管被设置在基底上。多个像素电极被电连接到薄膜晶体管。多个沉积层被布置在多个像素电极上。对电极被设置在多个沉积层上。多个沉积层中的至少一个是使用上述有机层沉积装置或上述方法形成的线性图案化层。
附图说明
通过参考结合附图考虑时的下述详细描述,本公开的更完整的认知及其多个随之产生的方面由于变得更好理解而容易得到,附图中:
图1是根据本发明构思的示例性实施例的沉积装置的示意性平面图;
图2是根据本发明构思的示例性实施例的图1的沉积装置的沉积单元的示意性侧视图;
图3是根据本发明构思的示例性实施例的图1的沉积装置的沉积单元的一部分的示意性透视剖视图;
图4是根据本发明构思的示例性实施例的图3的沉积单元的该部分的示意性剖视图;
图5是根据本发明构思的示例性实施例的示出了图1的沉积装置中包括的沉积单元的沉积组件、移动单元和排放数据获取单元的示意性侧视概念图;
图6是根据本发明构思的示例性实施例的排放数据获取单元的传感器的示意性分解透视图;
图7是根据本发明构思的示例性实施例的排放数据获取单元的传感器的示意性分解透视图;
图8是根据本发明构思的示例性实施例的移动单元和排放数据获取单元的一部分的示意性平面图;和
图9是根据本发明构思的示例性实施例的使用图1等的沉积装置制造的有机发光显示装置的剖视图。
具体实施方式
下面将参考其中示出了发明构思的示例性实施例的附图更完整地描述本发明构思的各种示例性实施例。然而,本发明构思可以以不同的形式来体现,不应当被认为局限于这里所提出的实施例,相反,提供这些实施例是为了公开充分和完整,并且可以向本领域技术人员完全传达本发明构思。附图中,为了便于解释,层和区域的尺寸可能被放大或缩小。本发明构思的范围不局限于这里示出的实施例。
在下面的实施例中,x轴、y轴和z轴并不局限于直角坐标系的轴,而可以更广泛地是除了直接坐标系之外的其它轴。例如,x轴、y轴和z轴可能彼此呈直角交叉,也可能指向并不相互正交的不同方向。
图1是根据本发明构思的示例性实施例的沉积装置的示意性平面图,图2是根据本发明构思的示例性实施例的图1的沉积装置的沉积单元的示意性侧视图。
参考图1、图2和图5,沉积装置可以包括沉积单元100、装载单元200、卸载单元300、传送单元400、基底2(参考图3等)可以被可拆卸地固定到其上的移动单元430、图案化缝隙片替换单元500、排放数据获取单元600和/或发送单元610。传送单元400可包括能够在第一方向传送基底2(参考图3等)可以被可拆卸地固定到其上的移动单元430的第一传送单元410、以及能够在与第一方向相反的方向传送基底2已经从其分离的移动单元430的第二传送单元420。
装载单元200可以包括第一架212、输送室214、第一反转室218和/或缓冲室219。
沉积材料还没有被施加在其上的多个基底2可以被堆叠在第一架212上。输送机器人可以被包括在输送室214中,并可以从第一架212拾取基底2中的一个,并可以将基底设置在由第二传送单元420传送并可以位于输送室214内的移动单元430上。基底2可以由夹具等被固定到移动单元430。基底2可以被固定在其上的移动单元430被移动进入第一反转室218。在将基底2固定到移动单元430之前可以进行基底2和移动单元430的对准。
在第一反转室218中,第一反转机器人可以反转移动单元430。输送室214的输送机器人可以将基底2中的一个放置在移动单元430的顶表面上,基底2可以被设置在其上的移动单元430可以被传送到第一反转室218中。第一反转室218的第一反转机器人可以反转第一反转室218,使得基底2在沉积单元100中上下颠倒。以这种状态,第一传送单元410可以传送基底2可以被固定到其上的移动单元430。
卸载单元300可以被配置为以与上述装载单元200相反的方式操作。第二反转室328中的第二反转机器人可以反转在基底2被设置在移动单元430上的同时已经通过沉积单元100的移动单元430,然后可以移动基底2被设置在其上的移动单元430到排出室324。排出机器人等可以在排出室324中从移动单元430分离基底2,并可以将基底2装载到第二架322中。与基底2分离的移动单元430可以由第二传送单元420返回到装载单元200。
然而,本发明构思不限于上述描述。例如,当在移动单元430上设置基底2时,基底2可以被固定在移动单元430的下表面上,然后被移动进入沉积单元100。例如,第一反转室218中第一反转机器人和第二反转室328中的第二反转机器人不是必须的。第一反转室218中的第一反转机器人和第二反转室328中的第二反转机器人不需要反转第一反转室218或第二反转室328,而是可以在第一反转室218或第二反转室328内只反转基底2已经被固定在其上的移动单元430。反转室中的能够传送基底2已经被固定在其上的移动单元430的传送单元可以在移动单元430位于传送单元上方的情况下旋转180度,反转室中的传送单元可以被理解为起到了第一反转机器人或第二反转机器人的作用。反转室内的传送单元可以是第一或第二传送单元410或420的一部分。
如图1和图2所示,沉积单元100可包括多个沉积组件100-1、100-2至100-n可以被设置在其中的腔室101。参考图1,十一个沉积组件,例如第一沉积组件100-1、第二沉积组件100-2至第十一沉积组件100-11被设置在腔室101中,但是沉积组件的数量可以根据所需的沉积材料和沉积条件而改变。腔室101可以被保持在真空或接近真空的状态,并可以在沉积工艺期间被保持在真空或接近真空的状态。
基底2被固定在其上的移动单元430可以至少移动到沉积单元100,或者由第一传送单元410顺序移动到装载单元200、沉积单元100和卸载单元300,并且在卸载单元300中与基底2分离的移动单元430可以由第二传送单元420移动返回到装载单元200。移动单元430可以被第一和第二传送单元410和420循环移动。
第一传送单元410可被设置为当穿过沉积单元100时穿过腔室101,并且第二传送单元420可被设置为传送基底2从其分离的移动单元430。
在本发明构思的示例性实施例中,沉积装置可以被配置为使得第一传送单元410和第二传送单元420可被分别布置在上方和下方,这样在穿过第一传送单元410的同时沉积在其上已经完成的移动单元430在卸载单元300中与基底2分离之后,移动单元430可以由形成在第一传送单元410下方的第二传送单元420返回到装载单元200。第二传送单元420可以位于第一传送单元410的上方。
如图1所示,沉积单元100可包括一个或多个沉积源替换单元190。一个或多个沉积源替换单元可以被设置在每个沉积组件的一侧。一个或多个沉积源替换单元190可以被形成为可被抽出到每个有机层沉积组件的外部的盒式录音带型。因此,沉积组件(例如100-1)的沉积源110(参考图3)可以被容易地更换。
图1和图2例示了其中可以包括装载单元200、沉积单元100、卸载单元300和传送单元400的两套结构可以被并排布置的本发明构思的示例性实施例。在本发明构思的示例性实施例中,图案化缝隙片替换单元500可以被设置在两个沉积装置之间。
图3是根据本发明构思的示例性实施例的图1的沉积装置的沉积单元100的一部分的示意性透视剖视图。图4是根据本发明构思的示例性实施例的图3的沉积单元100的一部分的示意性剖视图。参考图3和图4,根据本发明构思的示例性实施例的沉积装置的沉积单元100可以包括至少一个沉积组件100-1和腔室101。
腔室101可被形成为中空的盒型,并容纳至少一个有机层沉积组件(例如100-1)。如图3和图4所示,传送单元400也可以被容纳在腔室101内。传送单元400可从腔室101的内部伸展到外部。
腔室101可容纳下壳体103和上壳体104。脚102可被形成,并可将沉积单元100固定在地面上,下壳体103可被设置在脚102上,并且上壳体104可被设置在下壳体103上。在这点上,下壳体103和腔室101的连接部分可以被密封,使得腔室101的内部与外部完全隔离。即使在腔室101反复收缩和膨胀时,下壳体103和上壳体104可被保持在固定位置。下壳体103和上壳体104可以用作沉积单元100中的参考系。
上壳体104可以包括沉积组件100-1和传送单元400的第一传送单元410,而下壳体103可包括传送单元400的第二传送单元420。在移动单元430在第一传送单元410和第二传送单元420之间循环移动时,可以在基底2上持续地进行沉积工艺。基底2可以被固定在移动单元430上。移动单元430可以包括承载体431和附着到承载体431的静电卡盘432。
承载体431可以包括主体部分431a、线性电机系统(LMS)磁铁431b、非接触式电源(CPS)模块431c、电源单元431d和引导槽431e。在本发明构思的示例性实施例中,承载体431可进一步包括凸轮从动件。
主体部分431a可以形成承载体431的基本部分,并可以由诸如铁的铁磁材料制成。承载体431可以被维持为与第一传送单元410的引导构件412以一定距离分离。引导槽431e可以被分别形成在主体部分431a的两侧。引导槽431e可以容纳第一传送单元410的引导构件412的引导突起412d或第二传送单元420的辊引导件422。
LMS磁铁431b可以在主体部分431a行进的方向(例如Y轴方向)上沿着主体部分431a的中心线形成。LMS磁铁431b和线圈411可被组合而构成线性电机,于是承载体431和移动单元430可在箭头A方向上被传送。承载体431和移动单元430可以由线性电机传送。移动单元430还可以通过被施加到第一传送单元410的线圈411的电流移动。多个线圈411可以,例如在Y轴方向,以预定间隔被布置在腔室101内。线圈411可以被布置在大气中,并可以被设置在大气(ATM)盒中。
CPS模块431c和电源431d可以被分别形成在主体部分431a中的LMS磁铁431b的两侧上。电源单元431d可以包括可再充电电池。可再充电电池可以提供电力,使得静电卡盘432可以夹紧基底2并维持夹紧操作。CPS模块431c可以是给电源单元431d的可再充电电池充电的无线充电模块。被形成在第二传送单元420中的充电架423可以被连接到变流器(未示出)。当承载体431由第二传送单元420传送时,磁场可以被形成在充电架423和CPS模块431c之间,并向CPS模块431c提供电力。被提供到CPS模块431c的电力可以被用来对电源单元431d充电。
静电卡盘432可以包括主体。主体可以由陶瓷和电极形成,该电极被埋在主体中并且被提供电能。随着高电压从承载体431的主体部分431a的电源单元431d施加到被埋在静电卡盘432的主体中的电极,基底2可以被附着到静电卡盘432的主体的表面上。
第一传送单元410可以在第一方向(例如+Y方向)传送移动单元430。基底2可以被附着到移动单元430。第一传送单元410可以包括如上所述的线圈411和引导构件412,并可以进一步包括磁悬浮轴承或间隙传感器。
线圈411和引导构件412可以形成在上壳体104的内表面上。例如,线圈411可以形成在上壳体104的上表面上,并且引导构件412可以分别形成在上壳体104的两个内侧表面上。
如上所述,线圈411可以和移动单元430的主体部分431a的LMS磁铁431b一起构成线性电机。线性电机可使移动单元430移动。引导构件412可引导移动单元430在第一方向(例如+Y方向)上移动。引导构件412可以被形成为穿过沉积单元100。
引导构件412可以容纳移动单元430的承载体431的两侧。引导构件可以引导承载体431沿图3所示的箭头A的方向移动。每个引导构件412可包括设置在承载体431下方的第一容纳部分412a、设置在承载体431的上方的第二容纳部分412b、以及连接第一容纳部分412a和第二容纳部分412b的连接部分412c。容纳槽可以由第一容纳部分412a、第二容纳部分412b和连接部分412c形成,引导突起412d可以被容纳在容纳槽内。
磁悬浮轴承(未示出)可以被设置在引导构件412的连接部分412c中,并可以分别对应于承载体431的两侧。磁悬浮轴承可以导致承载体431和引导构件412之间的距离,使得承载体431可以沿引导构件412移动,而不接触引导构件412。每个磁悬浮轴承可以被设置在承载体431上方的第二容纳部分412b中。磁悬浮轴承可以使承载体431沿引导构件412移动,而不接触第一和第二容纳部分412a和412b,并和第一和第二容纳部分412a和412b之间保持恒定距离。为了确保承载体431和各引导构件412之间的恒定距离,每个引导构件412可进一步包括被设置在第一容纳部分412a和/或连接部分412c中的间隙传感器(未示出),并可对应于承载体431的底部。磁悬浮轴承的磁力可以基于间隙传感器测量的值而改变,承载体431和各引导构件412之间的距离可以被实时调节。使用磁悬浮轴承和间隙传感器,承载体431的精确传送可以被反馈控制。
在沉积单元100中完成沉积后,第二传送单元420可以将在卸载单元300中基底2已经从其分离的移动单元430返回到装载单元200。第二传送单元420可以包括可以被设置在下壳体103中的线圈421、辊引导件422和充电架423。例如,线圈421和充电架423可被设置在下壳体103的顶部内表面上,辊引导件422可以被设置在下壳体103的两个侧向内表面上。线圈421可以和第一传送单元410的线圈411一样被设置在ATM盒中。
类似于线圈411,线圈421可以和移动单元430的承载体431的LMS磁铁431b一起构成线性电机。移动单元430可以由线性电机沿与第一方向(例如+Y方向)相反的方向(例如-Y方向)移动。
辊引导件422可以引导承载体431在与第一方向相反的方向移动。在这方面,辊引导件422可被形成为穿过沉积单元100。辊引导件422可以支撑分别形成在移动单元430的承载体431的两侧上的凸轮随动件(未示出),以引导移动单元430沿与第一方向(+Y方向)相反的方向(-Y方向)移动。
第二传送单元420可以被用在返回基底2已经从其分离的移动单元430的工序中,而不用在在基底2上沉积有机材料的工序中,相对于传送单元410来说可以不需要移动单元430的位置精度。磁悬浮可以被应用到移动中的移动单元430需要高位置精度的第一传送单元410,常规的辊方法可以被应用到可需要相对低的位置精度的第二传送单元420。磁悬浮也可以像在第一传送单元410中一样被应用到第二传送单元420。
在第一传送单元410在第一方向(+Y方向)传送被固定到移动单元430的基底2的同时,沉积组件100-1可以从一定的距离在基底上沉积沉积材料115,并且该一定的距离可以被保持为恒定。下面将详细地描述沉积组件100-1的结构。
每个沉积组件(例如沉积组件100-1)可以包括沉积源110、沉积源喷嘴单元120、图案化缝隙片130、屏蔽构件140、第一台150、第二台160、相机170和传感器180。图3和图4中所例示的沉积单元100的所有元件可以被设置在保持在适当真空度下的腔室101中。
沉积源110可以排放沉积材料115。尽管图3中例示了两个沉积源110,每个沉积组件中包括的沉积源100的数量并不局限于两个,每个沉积组件中可以包括一个沉积源110或多个沉积源110。沉积源110可以被布置在沉积组件(例如沉积组件100-1)的下部。容纳在沉积源110中的沉积材料115可以被升华或蒸发,并朝向基底2(例如,沿+Z方向朝上)。沉积源110可以包括充满沉积材料115的坩埚112以及对坩埚112加热以蒸发沉积材料115的加热器111。加热器111可以被包含在坩埚112中。
沉积源喷嘴单元120可以包括形成在其上的多个沉积源喷嘴121,并可以被设置在沉积源110的面对基底2的一侧。
图案化缝隙片130可以被设置为和沉积源喷嘴单元120相对,可以包括被布置在第一方向(例如X轴方向)上的多个图案化缝隙。图案化缝隙片130可以位于沉积源110和基底2之间。在沉积源110中蒸发的沉积材料115可以穿过沉积源喷嘴单元120和图案化缝隙片130并可以被沉积在构成沉积材料115可以被沉积于其上的目标的基底2上。图案化缝隙片130可以具有沿X轴延伸的孔。
图案化缝隙片130可以通过在制造精细金属掩模(FMM),特别是条纹化的FMM,的常规方法中使用的蚀刻来制造。图案化缝隙片130可以被设置为与沉积源110(以及与沉积源110相连的沉积源喷嘴单元120)间隔一定距离,该距离可以被保持为恒定。
腔室101可以被保持在和使用FMM的沉积方法中的高真空状态相同或相似的高真空状态。此外,图案化缝隙片130的温度可以充分地低于沉积源110的温度。例如,图案化缝隙片130的温度可以是大约100℃或更低。图案化缝隙片130的温度可以充分低,以降低图案化缝隙片130的热膨胀。在一个实施例中,当图案化缝隙片130的温度升高时,图案化缝隙片130的图案化缝隙的大小、位置等可能由于热膨胀而变形,图案化缝隙片130可能形成为不同于基底2上的预设图案的图案。
基底2可以被设置在腔室101中。基底2可以是用于平板显示器的基底。用于制造多个平板显示器的大型基底,比如母玻璃,可以被用作基底2。
在根据本发明构思的示例性实施例的沉积装置中,可以在沉积组件100-1或基底2相对于彼此移动的同时进行沉积。例如,在第一传送单元410在第一方向(+Y方向)传送被固定到移动单元430的基底2时,和基底2间隔一定距离的沉积组件100-1可以在基底2上沉积沉积材料115。可以在可以位于沉积组件(例如沉积组件100-1)的对面的基底2在图3所示的箭头A的方向上移动的同时,以光栅扫描方式进行沉积。尽管可以在基底2在图3中的腔室101内在+Y方向移动的同时进行沉积,本发明构思并不局限于此。例如,可以在沉积组件(例如沉积组件100-1)在-Y方向上移动并且基底2被保持在固定位置的同时进行沉积。
在根据本发明构思的示例性实施例的沉积装置中,图案化缝隙片130可以比常规的沉积方法中使用的FMM小很多。在根据本实施例的沉积装置中,沉积可以被连续进行(例如在基底2在Y轴方向上移动的同时以光栅扫描的方式)。尽管图案化缝隙片130在Y轴方向上的长度远小于基底2在Y轴方向的长度,也可以在基底2的几乎整个表面上充分地进行沉积。
如图3和图4所示,上壳体104可以包括容纳部分104-1,容纳部分104-1可以被分别形成在沉积源110以及沉积源喷嘴单元120的两侧,并可以具有突出形状。第一台150、第二台160和图案化缝隙片130可以被顺序形成在容纳部分104-1上。
第一台150可在X轴和Y轴方向对准图案化缝隙片130。第一台150可以包括多个致动器,以相对于上壳体104在X轴和Y轴方向上移动图案化缝隙片130。第二台160可以在Z轴方向对准图案化缝隙片130。第二台160可以包括多个致动器,以相对于第一台150在Z轴方向上移动图案化缝隙片130。
如上所述,图案化缝隙片130可以经由第一台150和第二台160和基底2对准。可以进行基底2和图案化缝隙片130之间的实时对准。
上壳体104、第一台150和第二台160可引导沉积材料115的流动路径,使得通过沉积源喷嘴121排放的沉积材料115不会分散到流动路径之外。沉积材料115的流动路径可以被上壳体104、第一台150和第二台160限定,沉积材料115在X轴方向的移动可以被抑制。
沉积组件(例如100-1)可以进一步包括相机170和传感器180。相机170和传感器180可以被用于图案化缝隙片130和基底2的对准。传感器180可以是共焦传感器。相机170可实时检查形成在图案化缝隙片130中的第一对准标记(未示出)和形成在基底2上的第二对准标记(未示出)。第一和第二对准标记可以被用来产生用于图案化缝隙片130和基底2在XY平面上被精确对准的数据。传感器180可产生关于图案化缝隙片130和基底2之间的距离的数据,该数据可以被用来保持图案化缝隙片130和基底2之间的适当距离。
使用相机170和传感器180可以实时测量基底2和图案化缝隙片130之间的距离。基底2可以和图案化缝隙片130实时对准。
屏蔽构件140可被设置在图案化缝隙片130和沉积源110之间。屏蔽构件140可以防止沉积材料115被沉积在基底2的非成膜区域上。屏蔽构件140可包括两个相邻的板(未示出)。基底2的非成膜区域可以由屏蔽构件140遮挡,可以在不使用单独结构的情况下有效地防止沉积材料115被沉积在基底2的非成膜区域上。
排放数据获取单元600和发送单元610可以被包括在沉积装置中。下面将参考图5详细描述根据本发明构思的示例性实施例的沉积装置。
图5是根据本发明构思的示例性实施例的示出了包括在图1的沉积装置中的例如沉积单元100的沉积组件100-1、移动单元430和排放数据获取单元600的示意性侧视概念图。如图5所示,排放数据获取单元600可以被设置在移动单元430上。排放数据获取单元600可以包括,例如,传感器601和振荡器603。发送单元610也可以被设置在移动单元430上,并且设置在振荡器603上。在移动单元430的边缘中,排放数据获取单元600的传感器601可以被设置在移动单元430的面向与移动单元430所移动的第一方向(例如+Y方向)相反的方向(例如-Y方向)的边缘上。传感器601可以是晶体传感器。然而,本发明构思并不局限于此。
如图5所示,排放数据获取单元600的传感器601可被附着到移动单元430的边缘。排放数据获取单元600的振荡器603可被附着在移动单元430的承载体431上。传感器601可被附着到可被包括在移动单元430中的承载体431和静电卡盘432中的一个。
排放数据获取单元600可以获取与每单位时间从沉积组件100-1排放的沉积材料115的量相关联的数据。从沉积源110排放并沉积在被固定到移动单元430的基底2上的沉积材料115的厚度可以使用排放数据获取单元600来测量。
当排放数据获取单元600获取与每单位时间从沉积组件100-1排放的沉积材料115的量相关联的数据时,发送单元610可以发送该数据,并且接收单元620可以接收该数据。该数据可以被无线发送。接收单元620可以通过穿过腔室101的外壁被附着到腔室101。接收单元620可以在腔室101内接收所发送的数据。接收单元620可以被连接到位于腔室101外部的数据转换单元640,并可以将关于每单位时间从沉积组件100-1排放的沉积材料115的量的数据转换成关于沉积在基底2上的沉积材料115的厚度的数据。
排放数据获取单元600可以根据各种方法获取与每单位时间从沉积组件(例如沉积组件100-1)排放的沉积材料115的量相关联的数据。例如,当沉积组件排放沉积材料115时,沉积材料115可由被附着到移动单元430的传感器601检测。传感器601的频率可根据每单位时间沉积在基底2上的沉积材料115的量而改变。因此,关于每单位时间从沉积组件排放的沉积材料115的量的数据可以是可根据每单位时间排放的沉积材料115的量而改变的传感器601的频率。
振荡器603可以测量传感器601的频率。振荡器603可被附着到移动单元430。由振荡器603测量的传感器601的频率可以经由模数(A/D)转换器被转换成数字数据,该数字数据可被发送到发送单元610。发送单元610可以发送关于接收单元620的频率的数字数据,发送可以无线进行。接收单元620可以发送数字数据到数据转换单元640,数据转换单元640可以通过使用数模(D/A)转换器等将数字数据转换成模拟数据。数据转换单元640可以将关于传感器601的频率的数据转换为关于每单位时间通过在基底2上沉积沉积材料115形成的薄膜的厚度的数据。
薄膜的厚度可在腔室101内被实时测量,并且可以在腔室101外被实时监测。
在根据本发明构思的示例性实施例的沉积装置中,当沉积材料115被沉积在基底2上时,每单位时间从沉积组件100-1排放的沉积材料115的量可以在腔室101中被测量,并且形成在基底2上的薄膜的厚度可以在无需中断有机发光显示装置的制造的情况下被测量。
在根据本发明构思的示例性实施例的沉积装置中,传感器601可包括多个传感单元602-1至602-11(参考例如图7)。在根据本发明构思的示例性实施例的沉积装置中,即使当多个沉积源被设置在单个沉积装置中,也不需要多个测试基底。在根据本发明构思的示例性实施例的沉积装置中,在通过在基底2上形成薄膜来制造有机发光显示装置的同时,能够获得与由沉积组件(例如沉积组件100-1)在基底2上形成的薄膜的厚度相关的数据。
除了数据转换单元640,可以进一步包括数据比较单元(未示出)。由数据转换单元640得到的数据或由数据转换单元640在转换过程中产生的数据可以被反馈到数据比较单元,然后数据比较单元可以比较反馈的数据与以前的数据,以确定是否反馈的数据等于以前的数据。
图6和图7是排放数据获取单元600的传感器601的示意性分解透视图。
参考图6和图7,传感器601可以包括频率获取单元601a、连接单元601b以及盖板601c。连接单元601b可以将频率获取单元601a连接到移动单元430。盖板601c可以具有传感孔601d。传感孔601d可以是偏离中心形成的孔。如图7所示,十一个传感单元,即第一至第十一传感单元602-1到602-11,可被设置在传感器601的频率获取单元601a的底面上。在传感器601中包括的传感单元的数量可以变化。传感单元的数量可以根据沉积组件的数量和沉积材料而变化。例如,十一个沉积组件100-1至100-11(参考例如图1)可与十一个传感单元602-1至602-11一一对应地匹配,使得每个传感单元,例如传感单元602-1,可以测量每单位时间从对应的沉积组件,例如沉积组件100-1,排放的沉积材料115的量。
从单个沉积组件(例如沉积组件100-1)排放的沉积材料115或从单个沉积组件的沉积源110排放的沉积材料115可以到达第一至第十一传感单元602-1至602-11。沉积材料115可以经由传感孔601d到达传感单元(例如传感单元602-1)。盖板601c可屏蔽其它传感单元(例如602-2至602-11),以防止沉积材料115到达其它传感单元(例如602-2至602-11)。每单位时间从多个沉积组件或多个沉积源分别排放的沉积材料115的量可以使用单个传感器601来测量。
第一至第十一传感单元602-1至602-11可被形成在频率获取单元601a上。例如,如图7所示,除了其它传感单元(例如602-1至602-11)之外,可以包括假传感单元602-0。
单个传感器601可以识别分别从多个沉积组件或多个沉积源每单位时间排放的沉积材料115的量。在传感器601经过第一和第二沉积组件(例如100-1和100-2)之间时,从第一沉积组件排放的沉积材料115和从第二沉积组件排放的沉积材料115可以被混合,并到达传感器601。在传感器601经过第一和第二沉积组件之间时,可以使假传感单元602-0被暴露,在传感器601经过到参与到测量的沉积组件之上时,可以使对应于参与到排放的沉积材料量的测量的沉积组件的传感单元被暴露。
图8是移动单元430和排放数据获取单元600的一部分的示意性平面图。如图8所示,在移动单元430的边缘中,传感器601可以被设置在移动单元430的面对与移动单元430所移动的第一方向(例如+Y方向)相反的方向(例如-Y方向)的边缘上。多个传感器601-1至601-n可以被设置在移动单元430上。传感器601可被设置在承载体431或静电卡盘432上。
如图8所示,第一传感器601-1和第二传感器601-2可被设置在不同的位置。第一传感器和第二传感器可单独地测量基底2上的不同位置的薄膜的厚度。薄膜的厚度可被监测,并且通过使用两个所测量的厚度值的平均,测量的精度可以增加。
传感器601-1至601-n的位置并不局限于此。传感器601-1至601-n可被设置在移动单元430的四个边缘的任何一个上。
尽管已经如上描述了沉积装置,本发明构思并不局限于此。通过使用这样的沉积装置来制造有机发光显示装置的方法也属于本发明构思的范围。
在根据本发明构思的示例性实施例的制造有机发光显示装置的示例性方法中,基底2可以被固定到其上的移动单元430可以由第一传送单元410移动进入腔室101。第一传送单元410可被设置为穿过腔室101。基底2可以相对沉积组件100-1被移动。基底2可以由第一传送单元410移动。沉积组件(例如100-1)和基底2可以彼此分隔可被保持为恒定的一定距离。沉积材料115可从沉积组件被排放。沉积材料115可被沉积在基底2上,以形成层。移动单元430可以与基底2分离,基底可以由第二传送单元420返回。第二传送单元420可被提供为穿过腔室101,使得移动单元430可以由第一传送单元410和第二传送单元420循环移动。
沉积组件可以具有和包括在根据上述示例性实施例的沉积装置中的沉积组件相同的结构。层的形成可以包括通过使用排放数据获取单元600获取和每单位时间从一个或多个沉积组件(例如100-1)排放的沉积材料115的量相关联的数据的操作。排放数据获取单元600可以被设置在移动单元430上。在通过在基底2上沉积从一个或多个沉积组件排放的沉积材料115来形成层时,排放数据获取单元600可以通过使用发送单元610发送由排放数据获取单元600获取的数据。该数据可以被无线发送。层的形成可以进一步包括通过使用接收单元620接收由发送单元610发送的数据的操作。
如图5所示,层的形成可包括将由接收单元620接收的数据转换成关于层的厚度的数据的操作。
根据该方法,当在基底2上形成层时,层的厚度可以被实时测量。层的形成与层的厚度的测量可以基本上同时进行。
图9是根据本发明构思的示例性实施例的使用图1等的沉积装置制造的有机发光显示装置的剖视图。
参考图9,有机发光显示装置的组件可以被形成在基底50上。基底50可以是上述的基底2(例如图3)或者基底2的一部分。基底50可以由例如玻璃的透明材料、塑料或金属形成。
缓冲层51、栅极绝缘层53和层间绝缘层55可以被形成在基底50的表面上,包括在基底50的整个表面的上方。包括沟道区52a、源极接触区52b和漏极接触区52c的图案化半导体层52可以被形成,薄膜晶体管(TFT)的栅电极54、源电极56和漏电极57可以和图案化半导体层52一起被形成。
覆盖TFT的钝化层58以及位于钝化层58上并具有顶表面的平整化层59可以被形成在基底上。钝化层58的顶表面可以是接近平坦的。钝化层58、TFT和平整化层59可以被形成在基底50的整个表面上。有机发光二极管(OLED)可以被形成在平整化层59上,有机发光二极管包括图案化像素电极61、覆盖基底50的几乎整个表面的对电极63、以及被插入在图案化像素电极61和对电极63之间并包括发光层的多层中间层62。中间层62的多层中的一些层可以是覆盖基底50的几乎整个表面的共用层,其它层可以是被图案化以覆盖图案化像素电极61的图案化层。图案化像素电极61可以经由孔被电连接到TFT。覆盖图案化像素电极61的边缘并包括用于限定每个像素区域的开口的像素限定层60可以被形成在平整化层59上,并可以覆盖基底50的几乎整个表面。
这样的有机发光显示装置的至少一些组件可通过使用根据上述实施例的沉积装置被形成。
中间层62可以通过使用上述根据本发明构思的示例性实施例的沉积装置被形成。可以被包括在中间层62中的空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)可以通过使用根据上述实施例的沉积装置被形成。
在沉积组件与基底分离可以被保持为恒定的一定距离的情况下,在具有沉积源、沉积喷嘴单元和图案化缝隙片的沉积组件,或者将在其上进行沉积的基底(例如在其上直到像素电极61被形成的基底)相对于另一个移动的同时,可以进行中间层62的每层的沉积。
中间层62可以被精确形成在具有例如40英寸或更大尺寸的基底的有机发光显示装置中。
根据本发明构思的示例性实施例,提供了能够实时检查形成的薄层的厚度或均匀性的沉积装置、通过使用该沉积装置制造有机发光显示装置的方法、以及使用该方法制造的有机发光显示装置。本发明构思的范围并不限于这里所描述的示例性实施例。
尽管参考其示例性实施例特别示出和描述了本发明构思,本领域普通技术人员将理解,可以在不背离本发明构思的精神和范围的情况下可以对于形式和细节进行各种改变。
Claims (15)
1.一种沉积装置,包括:
移动单元,基底被可拆卸地固定到所述移动单元;
传送单元,包括第一传送单元和第二传送单元,所述第一传送单元和所述第二传送单元的每一个被配置为移动所述移动单元,其中所述第一传送单元被配置为在第一方向传送所述移动单元,所述第二传送单元被配置为在所述第一方向的相反方向传送所述移动单元;
沉积单元,包括腔室和多个沉积组件,所述多个沉积组件以预定距离与所述基底分离,并被配置为在所述基底上沉积沉积材料;
排放数据获取单元,被配置为获取与从所述多个沉积组件每单位时间排放的所述沉积材料的量相关联的排放数据;和
发送单元,被配置为发送由所述排放数据获取单元获取的所述排放数据,
其中所述排放数据获取单元被设置在所述移动单元的至少一个边缘上,
所述排放数据获取单元包括传感器,所述传感器包括多个传感单元,所述多个传感单元的数量对应于所述多个沉积组件的数量。
2.如权利要求1所述的沉积装置,进一步包括被配置为接收由所述发送单元发送的所述排放数据的接收单元。
3.如权利要求2所述的沉积装置,其中所述接收单元被设置在所述腔室内。
4.如权利要求2所述的沉积装置,进一步包括被配置为将由所述接收单元接收的所述排放数据转换成关于由所述沉积单元形成的膜的厚度的数据的数据转换单元。
5.如权利要求1所述的沉积装置,其中所述沉积组件包括:
沉积源,被配置为排放所述沉积材料;
沉积源喷嘴单元,包括一个或多个沉积源喷嘴,所述沉积源喷嘴被设置在所述沉积源的面对所述第一传送单元的一侧;和
图案化缝隙片,被设置在所述沉积源喷嘴单元的对面,并包括被布置在所述第一方向上的多个图案化缝隙。
6.如权利要求1所述的沉积装置,其中与从所述多个沉积组件每单位时间排放的所述沉积材料的量相关联的所述排放数据被实时获取。
7.如权利要求1所述的沉积装置,进一步包括至少两个排放数据获取单元。
8.一种制造有机发光显示装置的方法,该方法包括:
当基底被固定到移动单元时传送所述移动单元进入腔室,其中所述传送由第一传送单元执行;
在由所述第一传送单元使所述基底相对于沉积组件移动时,通过在所述基底上沉积从设置在所述腔室内的多个沉积组件排放的沉积材料来形成层,其中所述多个沉积组件以预定距离和所述基底分离;和
返回与所述基底分离的所述移动单元,其中所述返回由被提供为穿过所述腔室的第二传送单元执行,
其中所述层的形成包括:
获取与从所述沉积组件每单位时间排放的所述沉积材料的量相关联的数据,其中所述获取由排放数据获取单元执行;和
发送由所述排放数据获取单元获取的所述数据,其中所述发送由发送单元执行,
其中所述排放数据获取单元被附着到所述移动单元的至少一个边缘,
所述排放数据获取单元包括传感器,所述传感器包括多个传感单元,所述多个传感单元的数量对应于所述多个沉积组件的数量。
9.如权利要求8所述的方法,进一步包括接收来自所述发送单元的所述数据,其中所述接收由接收单元执行。
10.如权利要求9所述的方法,进一步包括将由所述接收单元接收的所述数据转换成关于由所述多个沉积组件形成的所述层的厚度的数据。
11.如权利要求9所述的方法,其中所述沉积组件包括:
沉积源,排放所述沉积材料;
沉积源喷嘴单元,包括沉积源喷嘴,并被设置在所述沉积源的面对所述第一传送单元的一侧;和
图案化缝隙片,被设置在所述沉积源喷嘴单元的对面,并包括被布置在第一方向上的多个图案化缝隙。
12.如权利要求8所述的方法,其中与从所述沉积组件每单位时间排放的所述沉积材料的量相关联的所述数据被实时获取,并且所述层的形成和所述数据的获取同时进行。
13.如权利要求8所述的方法,其中所述排放数据获取单元包括至少两个传感器。
14.一种有机发光显示装置,包括:
基底;
被设置在所述基底上的多个薄膜晶体管;
被电连接到所述多个薄膜晶体管的多个像素电极;
被设置在所述多个像素电极上的多个沉积层;和
被设置在所述多个沉积层上的对电极,
其中所述多个沉积层中的至少一个是使用权利要求1至7中的任一项所述的沉积装置形成的线性图案化层。
15.如权利要求14所述的有机发光显示装置,其中所述基底具有40英寸或更大的尺寸。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2013-0050093 | 2013-05-03 | ||
KR1020130050093A KR102096049B1 (ko) | 2013-05-03 | 2013-05-03 | 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법 및 유기발광 디스플레이 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104134760A CN104134760A (zh) | 2014-11-05 |
CN104134760B true CN104134760B (zh) | 2019-06-21 |
Family
ID=50150655
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410078844.8A Active CN104134760B (zh) | 2013-05-03 | 2014-03-05 | 沉积装置、有机发光显示装置及其制造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9048460B2 (zh) |
EP (1) | EP2799592B1 (zh) |
JP (1) | JP6460632B2 (zh) |
KR (1) | KR102096049B1 (zh) |
CN (1) | CN104134760B (zh) |
TW (1) | TWI617688B (zh) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101959975B1 (ko) * | 2012-07-10 | 2019-07-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR20140118551A (ko) * | 2013-03-29 | 2014-10-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 장치, 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치 |
KR102217794B1 (ko) * | 2015-01-22 | 2021-02-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 위치 가변 마그넷 플레이트 |
JP6591657B2 (ja) * | 2017-02-24 | 2019-10-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 真空システムで使用するためのキャリア、真空処理のためのシステム、及び基板の真空処理のための方法 |
RU2657896C1 (ru) * | 2017-09-11 | 2018-06-18 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВО "МГТУ "СТАНКИН") | Устройство для синтеза покрытий |
FR3073279A1 (fr) * | 2017-11-09 | 2019-05-10 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Systeme de mesure d'un diametre et/ou d'une epaisseur d'une cible disposee dans une chambre de depot d'un equipement de depot |
CN109609909B (zh) * | 2019-01-03 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒸镀方法及系统 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1924082A (zh) * | 2005-08-31 | 2007-03-07 | 三星Sdi株式会社 | 沉积有机层的装置和控制该装置的加热单元的方法 |
CN102005541A (zh) * | 2009-08-27 | 2011-04-06 | 三星移动显示器株式会社 | 薄膜沉积设备和制造有机发光显示设备的方法 |
CN102217038A (zh) * | 2008-09-05 | 2011-10-12 | 韩商Snu精密股份有限公司 | 沉积仪器及利用该沉积仪器的沉积方法 |
CN102560364A (zh) * | 2010-11-04 | 2012-07-11 | 佳能株式会社 | 真空气相沉积系统以及制造有机电致发光元件的方法 |
CN102867924A (zh) * | 2011-07-04 | 2013-01-09 | 三星显示有限公司 | 有机层沉积设备、有机发光显示装置及其制造方法 |
CN103540896A (zh) * | 2012-07-16 | 2014-01-29 | 三星显示有限公司 | 沉积设备、制造有机发光显示设备的方法及显示设备 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6893939B1 (en) * | 2004-02-25 | 2005-05-17 | Eastman Kodak Company | Thermal physical vapor deposition source with minimized internal condensation effects |
JP4665160B2 (ja) * | 2005-01-28 | 2011-04-06 | 株式会社昭和真空 | 成膜装置に於ける成膜速度測定装置および方法 |
JP4402016B2 (ja) * | 2005-06-20 | 2010-01-20 | キヤノン株式会社 | 蒸着装置及び蒸着方法 |
KR100672483B1 (ko) | 2005-06-28 | 2007-01-24 | 엘지전자 주식회사 | 진공청소기의 집진장치 |
DE102006029039A1 (de) * | 2006-06-24 | 2007-12-27 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Überwachung von Materialbearbeitungsprozessen |
KR100846711B1 (ko) * | 2007-03-13 | 2008-07-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN101848873A (zh) * | 2007-12-19 | 2010-09-29 | 日本电气硝子株式会社 | 玻璃基板 |
KR20090079765A (ko) | 2008-01-17 | 2009-07-22 | 이태환 | 중력을 이용한 동력발생장치 |
KR101174883B1 (ko) * | 2009-08-24 | 2012-08-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법 |
JP2012102384A (ja) * | 2010-11-12 | 2012-05-31 | Canon Anelva Corp | マグネトロンスパッタ装置 |
US9064740B2 (en) * | 2011-04-20 | 2015-06-23 | Koninklijke Philips N.V. | Measurement device and method for vapour deposition applications |
-
2013
- 2013-05-03 KR KR1020130050093A patent/KR102096049B1/ko active IP Right Grant
- 2013-10-02 US US14/044,512 patent/US9048460B2/en active Active
-
2014
- 2014-02-24 EP EP14156295.9A patent/EP2799592B1/en active Active
- 2014-03-04 JP JP2014041693A patent/JP6460632B2/ja active Active
- 2014-03-05 CN CN201410078844.8A patent/CN104134760B/zh active Active
- 2014-03-06 TW TW103107595A patent/TWI617688B/zh active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1924082A (zh) * | 2005-08-31 | 2007-03-07 | 三星Sdi株式会社 | 沉积有机层的装置和控制该装置的加热单元的方法 |
CN102217038A (zh) * | 2008-09-05 | 2011-10-12 | 韩商Snu精密股份有限公司 | 沉积仪器及利用该沉积仪器的沉积方法 |
CN102005541A (zh) * | 2009-08-27 | 2011-04-06 | 三星移动显示器株式会社 | 薄膜沉积设备和制造有机发光显示设备的方法 |
CN102560364A (zh) * | 2010-11-04 | 2012-07-11 | 佳能株式会社 | 真空气相沉积系统以及制造有机电致发光元件的方法 |
CN102867924A (zh) * | 2011-07-04 | 2013-01-09 | 三星显示有限公司 | 有机层沉积设备、有机发光显示装置及其制造方法 |
CN103540896A (zh) * | 2012-07-16 | 2014-01-29 | 三星显示有限公司 | 沉积设备、制造有机发光显示设备的方法及显示设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2799592B1 (en) | 2018-04-04 |
JP6460632B2 (ja) | 2019-01-30 |
TW201502305A (zh) | 2015-01-16 |
US9048460B2 (en) | 2015-06-02 |
EP2799592A1 (en) | 2014-11-05 |
KR102096049B1 (ko) | 2020-04-02 |
US20140326962A1 (en) | 2014-11-06 |
CN104134760A (zh) | 2014-11-05 |
KR20140131127A (ko) | 2014-11-12 |
TWI617688B (zh) | 2018-03-11 |
JP2014218733A (ja) | 2014-11-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104134760B (zh) | 沉积装置、有机发光显示装置及其制造方法 | |
CN102867924B (zh) | 有机层沉积设备、有机发光显示装置及其制造方法 | |
KR101971199B1 (ko) | 유기층 증착 장치, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 | |
US20140131667A1 (en) | Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured by the method | |
US20140014921A1 (en) | Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured by the method | |
CN109722626A (zh) | 对准装置和方法、成膜装置和方法及电子器件的制造方法 | |
US20130217164A1 (en) | Organic layer deposition apparatus, and method of manufacturing organic light emitting display apparatus using the same | |
TWI643288B (zh) | 沈積基板傳送單元、包含該沈積基板傳送單元之有機層沈積設備、以及有機發光顯示裝置 | |
CN104183796A (zh) | 基底移动单元、沉积装置和制造有机发光显示装置的方法 | |
CN105940140A (zh) | 蒸镀装置、蒸镀方法和有机电致发光元件的制造方法 | |
CN109722625A (zh) | 成膜装置、成膜方法以及电子器件制造方法 | |
US20140291619A1 (en) | Method for manufacturing organic light emitting display apparatus and organic light emitting display apparatus manufactured by the same | |
CN104241318B (zh) | 通过利用有机层沉积设备制造有机发光显示装置的方法 | |
US9640784B2 (en) | Deposition apparatus, method of manufacturing organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by using the method | |
CN104167510B (zh) | 沉积装置、有机发光显示装置及其制造方法 | |
KR102069189B1 (ko) | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 | |
US9534288B2 (en) | Deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using same, and organic light-emitting display apparatus manufactured by using deposition apparatus | |
TW202006869A (zh) | 用以處理基板之設備、用以處理基板之系統、測量載體間距離之方法及載體間對齊之方法 | |
US8969114B2 (en) | Method of manufacturing organic light emitting display apparatus | |
CN111118444B (zh) | 静电卡盘系统、成膜装置、吸附方法、成膜方法及电子设备的制造方法 | |
US9455170B2 (en) | Deposition apparatus, organic light emitting display apparatus, and method of manufacturing organic light emitting display apparatus using the deposition apparatus | |
KR20200003361A (ko) | 증착용 기판 이동부 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |