CN104112812A - 一种白光led光源封装时可有效消除边缘色差效应的陶瓷荧光体及其制备方法 - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 230000000694 effects Effects 0.000 title claims abstract description 18
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 230000004075 alteration Effects 0.000 title abstract description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title abstract 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 36
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 36
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 14
- 239000002223 garnet Substances 0.000 claims description 12
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 11
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 10
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 claims description 8
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 claims description 4
- 229910052602 gypsum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010440 gypsum Substances 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N scandium oxide Chemical compound O=[Sc]O[Sc]=O HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 claims description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 9
- 239000002356 single layer Substances 0.000 abstract description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 17
- 239000006255 coating slurry Substances 0.000 description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 4
- 229910019990 cerium-doped yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical group [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000007605 air drying Methods 0.000 description 1
- 235000015895 biscuits Nutrition 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7715—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing cerium
- C09K11/7721—Aluminates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
本发明提供一种白光LED光源封装时可有效消除边缘色差效应的陶瓷荧光体及其制备方法。该陶瓷荧光体为一N层复合结构(N>1),由透光层和荧光层复合而成。复合陶瓷结构可通过所有公知的陶瓷成型工艺获得。本发明通过采用复合陶瓷结构,在保证陶瓷机械力学强度与导热的同时,可使得陶瓷荧光层薄至100um以下,从而消除了单层陶瓷荧光体封装光源出现的黄边、绿边、红边、蓝边及五彩边缘等边缘色差效应。
Description
技术领域
本发明涉及陶瓷制备领域以及LED发光技术领域,尤其涉及一种白光LED光源封装时可有效消除边缘色差效应的陶瓷荧光体及其制备方法。
背景技术
近年来,LED陶瓷封装技术作为一种新的封装技术,采用透明陶瓷荧光体替代“荧光粉+硅胶”,由于具有高导热率,高量子效率,抗色衰,无老化,可同时替代荧光粉、封胶、灯壳,低成本等传统封装技术无可比拟的优势而得到了迅速的发展。国际上Philip Luminleds公司、日本京都大学等知名机构均在从事这方面的研发工作。
但目前,单层陶瓷荧光体作为盖板封装时,往往出现严重的黄边、绿边、红边、蓝边等边缘色差问题,以及发光面上因光成份差异导致的“五彩”问题,从而导致光源品质不佳,影响光源的正常使用。
发明内容
本发明旨在解决现有技术的前述问题,而提供一种白光LED光源封装时可有效消除边缘色差效应的陶瓷荧光体及其制备方法。
为实现上述目的,本发明提供一种陶瓷荧光体,该陶瓷荧光体为一N层复合结构(N>1),由荧光层和透光层(0.5mm-20mm)单层复合或多层交叉复合而成,复合陶瓷结构可通过公知的陶瓷成型工艺获得,尤其是利用压片成型、注浆成型、凝胶注模成型、流延成型、注塑成型、挤出成型等工艺获得。
所述的一种白光LED光源封装时可有效消除边缘色差效应的陶瓷荧光体,其特征在于所述的荧光层可为稀土掺杂的石榴石结构透明陶瓷体或倍半氧化物透明陶瓷体,石榴石结构陶瓷体可为稀土掺杂的钇铝石榴石陶瓷(Re:YAG),镥铝石榴石结构陶瓷(Re:LuAG)等;倍半氧化物陶瓷体可为稀土掺杂的氧化钇陶瓷(Re:Y2O3),氧化钪陶瓷(Re:Sc2O3)或氧化镥陶瓷(Re:Lu2O3)等。
所述稀土元素可为单掺的Ce,或者Ce与Eu、Er、Nd、Pr、Gd、Tb、Sm、Tm、Dy、Yb和Lu中的一种或任意几种共掺。
稀土元素掺杂量为0.001到10wt.%。
所述的透光层为一无发光特性的透明陶瓷结构层,包括氧化铝陶瓷(Al2O3),氧化钇陶瓷(Y2O3),氧化镥陶瓷(Lu2O3),氧化钪陶瓷(Sc2O3),钇铝石榴石陶瓷(Y3Al5O12)、镥铝石榴石陶瓷(Lu3Al5O12)以及其他高导热透明材料。
陶瓷荧光体中的透光层不会吸收可见光,而荧光层吸收350nm-500nm的可见光,并发射520nm-780nm的可见光。
所述的单层复合或多层交叉复合,一方面透光层和荧光层可任意排列,透光层可在荧光层下方,也可在荧光层上方;可一层荧光层,上下各一层透光层;也可一层透光层,上下各一层荧光层;以及更多层的荧光层和透光层交叉排列等;另一方面,各个透光层及荧光层的材料体系可以是同体系的复合,也可以是不同体系的复合。
陶瓷荧光体中的荧光层厚度为0.05mm-1mm,优选地为0.05mm-0.1mm。
所述的陶瓷荧光体外形可根据LED光源封装需要为圆形、矩形及各种三维不规则形状等。
所述的复合结构陶瓷荧光体为成型后一体式烧结,烧结温度为800-1800℃,上下层之间无边界;上下表面可以抛光处理,也可以不抛光。
所述的压片成型该复合结构时,需采用双向加压液压机及可双向加压模具;所述的注浆成型该复合结构时,需采用真空除泡装置,带抽气装置的石膏模具,及隔液板;所述的凝胶注模成型该复合结构时,需采用真空除泡装置,四边可向内收缩的玻璃、塑料或金属模具,及引发剂;所述的流延成型该复合结构时,需采用真空除泡装置,流延成型机,及温控80-200℃的金属模具;所述的注塑成型该复合结构时,需采用注塑成型设备,带隔离板的注塑模具;所述的挤出成型该复合结构时,需采用挤出成型设备,带隔离板的挤出模具。
本发明通过采用复合陶瓷结构,在保证陶瓷机械力学强度与导热的同时,可使得陶瓷荧光层薄至100um以下,从而消除了单层陶瓷荧光体封装光源出现的黄边、绿边、红边、蓝边及五彩边缘等边缘色差效应。
附图说明
图1为实施例1,2的复合陶瓷荧光体结构示意图。
图中:荧光层(1);透光层(2)。
图2为实施例3,4的复合陶瓷荧光体结构示意图。
图中:荧光层(1);透光层(2);荧光层(3);透光层(4)。
具体实施方式
例1通过球磨工艺制备纯YAG粉体作为透光层粉体以及含量为0.001wt.%Ce:YAG粉体作为荧光层粉体。将准备好的透光层粉体先进行低压预压,压力为2Mpa,然后升高下模高度,留下一合适尺寸空隙,填入准备好的荧光层粉体。再次施压,压实坯体,然后将下模上压,使坯体上下压力更加均匀。然后脱模,取样,经脱脂,高温烧结,氧化退火后获得所需的复合陶瓷结构荧光体(如图1所示),荧光层部分厚度为0.5mm,陶瓷荧光体总厚度为1.5mm。该陶瓷荧光体进行LED封装,在20mA恒流驱动下,450nm蓝光芯片激发,得到白光LED,光色均匀,无色差产生。
例2通过球磨工艺混合一定量的纯YAG浆料作为透光层浆料以及含量为1wt.%Ce:YAG浆料作为荧光层浆料。将准备好的荧光层浆料和透光层浆料进行真空除泡,然后根据所需要的透光层和荧光层尺寸,在石膏模具内放置隔液板。选取透光层浆料,打开抽气装置,边抽气,边往石膏模具里注入透光层浆料,待透光层浆料固化后,取走隔液板,同样,边抽气,边沿着透光层固化后的坯体边缘注入荧光层浆料。待荧光层浆料部分固化后,脱模,风干,取样。再经脱脂,高温烧结,氧化退火后获得所需的复合陶瓷结构荧光体(如图1所示),荧光层部分厚度为0.4mm,陶瓷荧光体总厚度为2mm。该陶瓷荧光体进行LED封装,在20mA恒流驱动下,450nm蓝光芯片激发,得到白光LED,光色均匀,无色差产生。
例3通过球磨工艺混合一定量的纯YAG浆料作为透光层浆料以及含量为10wt.%Ce:YAG浆料作为荧光层浆料。将准备好的荧光层浆料和透光层浆料进行真空除泡,然后将透光层浆料注入竖直放置的玻璃模具,再加入0.2wt.%的过硫酸铵作为引发剂,待透光层浆料初步凝固,模具内部会出现一段空隙,将模具外壁向内移动,使四壁贴紧透光凝固体。后在透光凝固体上注入荧光层浆料,再次加入微量过硫酸铵,待荧光层浆料也初凝后,再以同样的方法,依次增加一层透光层,荧光层,待全部干燥后,脱模。根据所需要的透光层及荧光层尺寸,进行切割,然后自然风干,取样。再经脱脂,高温烧结,氧化退火后获得所需的复合陶瓷结构荧光体(如图2所示),荧光层部分厚度为0.1mm,陶瓷荧光体总厚度为2mm。该陶瓷荧光体进行LED封装,在20mA恒流驱动下,450nm蓝光芯片激发,得到白光LED,光色均匀,无色差产生。
例4通过球磨工艺混合一定量的纯YAG浆料作为透光层浆料以及含量为5wt.%Ce:YAG浆料作为荧光层浆料。将准备好的荧光层浆料和透光层浆料进行真空除泡,然后在成型机上分别成型荧光层和透光层素坯。根据所需要的发光层尺寸,在150℃的金属模具内叠合一定厚度的荧光层坯体;根据所需要的透光层尺寸,在150℃的金属模具内叠合一定厚度的透光层坯体。将荧光层坯体与透光层坯体,再次置于温控150℃的金属模具内叠压成一体,然后脱模,取样。再经脱脂,高温烧结,氧化退火后获得所需的复合陶瓷结构荧光体(如图2所示),荧光层部分厚度为0.25mm,陶瓷荧光体总厚度为2mm。该陶瓷荧光体进行LED封装,在20mA恒流驱动下,450nm蓝光芯片激发,得到白光LED,光色均匀,无色差产生。
上述内容只是本发明的四个具体实施例,而并非对本发明的限制,凡是依据本发明的技术实质对上面的实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰,均仍然属于本发明的技术内容和范围。
Claims (11)
1.一种白光LED光源封装时可有效消除边缘色差效应的陶瓷荧光体及其制备方法,其特征在于:该陶瓷荧光体为一N层复合结构(N>1),由荧光层和透光层(0.5mm-20mm)单层复合或多层交叉复合而成,复合陶瓷结构可通过公知的陶瓷成型工艺获得,尤其是利用压片成型、注浆成型、凝胶注模成型、流延成型、注塑成型、挤出成型等工艺获得。
2.根据权利要求1所述的一种白光LED光源封装时可有效消除边缘色差效应的陶瓷荧光体,其特征在于所述的荧光层可为稀土掺杂的石榴石结构透明陶瓷体或倍半氧化物透明陶瓷体,石榴石结构陶瓷体可为稀土掺杂的钇铝石榴石陶瓷(Re:YAG),镥铝石榴石结构陶瓷(Re:LuAG)等;倍半氧化物陶瓷体可为稀土掺杂的氧化钇陶瓷(Re:Y2O3),氧化钪陶瓷(Re:Sc2O3)或氧化镥陶瓷(Re:Lu2O3)等。
3.根据权利要求1与2所述的一种白光LED光源封装时可有效消除边缘色差效应的陶瓷荧光体,其特征在于所述稀土元素可为单掺的Ce,或者Ce与Eu、Er、Nd、Pr、Gd、Tb、Sm、Tm、Dy、Yb和Lu中的一种或任意几种共掺。
4.根据权利要求1、2与3所述的一种白光LED光源制造时可有效消除边缘色差效应的陶瓷荧光体,其特征在于稀土元素掺杂量为0.001到10wt.%。
5.根据权利要求1所述的一种白光LED光源封装时可有效消除边缘色差效应的陶瓷荧光体,其特征在于所述的透光层为一无发光特性的透明陶瓷结构层,包括氧化铝陶瓷(Al2O3),氧化钇陶瓷(Y2O3),氧化镥陶瓷(Lu2O3),氧化钪陶瓷(Sc2O3),钇铝石榴石陶瓷(Y3Al5O12)、镥铝石榴石陶瓷(Lu3Al5O12)以及其他高导热透明材料。
6.根据权利要求1所述的一种白光LED光源封装时可有效消除边缘色差效应的陶瓷荧光体,其特征在于陶瓷荧光体中的透光层不会吸收可见光,而荧光层吸收350nm-500nm的可见光,并发射520nm-780nm的可见光。
7.根据权利要求1所述的一种白光LED光源封装时可有效消除边缘色差效应的陶瓷荧光体,其特征在于所述的单层复合或多层交叉复合,一方面透光层和荧光层可任意排列,透光层可在荧光层下方,也可在荧光层上方;可一层荧光层,上下各一层透光层;也可一层透光层,上下各一层荧光层;以及更多层的荧光层和透光层交叉排列等;另一方面,各个透光层及荧光层的材料体系可以是同体系的复合,也可以是不同体系的复合。
8.根据权利要求1所述的一种白光LED光源封装时可有效消除边缘色差效应的陶瓷荧光体,其特征在于陶瓷荧光体中的荧光层厚度为0.05mm-1mm,优选地为0.05mm-0.1mm。
9.根据权利要求1所述的一种白光LED光源封装时可有效消除边缘色差效应的陶瓷荧光体,其特征在于所述的陶瓷荧光体外形可根据LED光源封装需要为圆形、矩形及各种三维不规则形状等。
10.根据权利要求1所述的一种白光LED光源封装时可有效消除边缘色差效应的陶瓷荧光体,其特征在于所述的复合结构陶瓷荧光体为成型后一体式烧结,烧结温度为800-1800℃,上下层之间无边界;上下表面可以抛光处理,也可以不抛光。
11.根据权利要求1所述的复合陶瓷结构的制备方法,其特征在于所述的压片成型该复合结构时,需采用双向加压液压机及可双向加压模具;所述的注浆成型该复合结构时,需采用真空除泡装置,带抽气装置的石膏模具,及隔液板;所述的凝胶注模成型该复合结构时,需采用真空除泡装置,四边可向内收缩的玻璃、塑料或金属模具,及引发剂;所述的流延成型该复合结构时,需采用真空除泡装置,流延成型机,及温控80-200℃的金属模具;所述的注塑成型该复合结构时,需采用注塑成型设备,带隔离板的注塑模具;所述的挤出成型该复合结构时,需采用挤出成型设备,带隔离板的挤出模具。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410054977.1A CN104112812A (zh) | 2014-02-18 | 2014-02-18 | 一种白光led光源封装时可有效消除边缘色差效应的陶瓷荧光体及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410054977.1A CN104112812A (zh) | 2014-02-18 | 2014-02-18 | 一种白光led光源封装时可有效消除边缘色差效应的陶瓷荧光体及其制备方法 |
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---|---|
CN104112812A true CN104112812A (zh) | 2014-10-22 |
Family
ID=51709531
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410054977.1A Pending CN104112812A (zh) | 2014-02-18 | 2014-02-18 | 一种白光led光源封装时可有效消除边缘色差效应的陶瓷荧光体及其制备方法 |
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Country | Link |
---|---|
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2014
- 2014-02-18 CN CN201410054977.1A patent/CN104112812A/zh active Pending
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