CN104111397B - 一种断电检测电路及灯具 - Google Patents
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Abstract
本发明适用于电路领域，尤其涉及一种断电检测电路及灯具。预先将断电检测电路的输出端置为高电平，当电源电路提供的直流电/交流电突然断电时，第一光电耦合芯片U1和第二光电耦合芯片U2检测到该断电信号，第一光电耦合芯片U1的受控端和第二光电耦合芯片U2的受控端均截止，充电电路充电，当充电达到开关电路导通的电压时，充电电路导通以将断电检测电路的输出端置为低电平，同时，充电电路通过导通的开关电路放电直到开关电路重新关断，断电检测电路的输出端恢复高电平，从而，断电检测电路的输出端输出低电压脉冲信号；控制电路检测到该低电压脉冲信号时，对灯具中的负载电路中的过充电流泄流，防止损坏电子产品。
Description
技术领域
本发明属于电路领域，尤其涉及一种断电检测电路及灯具。
背景技术
现有的电子产品中的电源突然断电的情况下，会引起电流过充；尤其是，使用开关电源作为供电电源的电子产品，在开关电源突然断开的情况下，会引起幅值很大的过充电流，极易损坏电子产品，尤其是，电子产品中存在对大电流特别敏感的负载，例如：较小的瞬间过充电流就能够损坏LED器件。
为了防止突然断电产生的过充电流损坏电子产品，需要控制电路对该过充电流进行泄流，以免损坏电子产品。
发明内容
本发明的目的在于提供一种断电检测电路，旨在提供一种检测突然断电的状态的检测电路，提供断电信号给控制电路。
本发明是这样实现的，一种断电检测电路，所述断电检测电路的输入端和输出端分别接电源电路和控制电路，所述断电检测电路还包括：
第一光电耦合芯片U1、第二光电耦合芯片U2、充电电路以及开关电路；
所述第一光电耦合芯片U1的高电压控制端分别接所述第二光电耦合芯片U2的低电压控制端和所述电源电路，所述第一光电耦合芯片U1的低电压控制端分别接所述第二光电耦合芯片U2的高电压控制端和所述电源电路，所述第一光电耦合芯片U1的高电压受控端分别接所述第二光电耦合芯片U2的高电压受控端和所述充电电路，所述第一光电耦合芯片U1的低电压受控端分别接所述第二光电耦合芯片U2的低电压受控端和所述充电电路，所述开关电路分别接所述充电电路和所述控制电路。
本发明还提供一种灯具，所述灯具包括电源电路和控制电路，所述灯具还包括断电检测电路，所述断电检测电路还包括：
第一光电耦合芯片U1、第二光电耦合芯片U2、充电电路以及开关电路；
所述第一光电耦合芯片U1的高电压控制端分别接所述第二光电耦合芯片U2的低电压控制端和所述电源电路，所述第一光电耦合芯片U1的低电压控制端分别接所述第二光电耦合芯片U2的高电压控制端和所述电源电路，所述第一光电耦合芯片U1的高电压受控端分别接所述第二光电耦合芯片U2的高电压受控端和所述充电电路，所述第一光电耦合芯片U1的低电压受控端分别接所述第二光电耦合芯片U2的低电压受控端和所述充电电路，所述开关电路分别接所述充电电路和所述控制电路。
在本发明中，预先将断电检测电路的输出端置为高电平，当电源电路提供的直流电/交流电突然断电时，第一光电耦合芯片U1和第二光电耦合芯片U2检测到该断电信号，第一光电耦合芯片U1的受控端和第二光电耦合芯片U2的受控端均截止，充电电路充电，当充电达到开关电路导通的电压时，充电电路导通以将断电检测电路的输出端置为低电平，同时，充电电路通过导通的开关电路放电直到开关电路重新关断，断电检测电路的输出端恢复高电平，从而，断电检测电路的输出端输出低电压脉冲信号；控制电路检测到该低电压脉冲信号时，对灯具中的负载电路中的过充电流泄流，防止损坏电子产品。
附图说明
图1是本发明实施例提供的断电检测电路的电路结构图；
图2是本发明实施例提供的断电检测电路的电路图；
图3是本发明实施例提供的断电检测电路的电路图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
图1示出了本发明实施例提供的断电检测电路的结构，为了便于说明，仅示出了与本发明实施例相关的部分，详述如下。
一种断电检测电路，所述断电检测电路的输入端和输出端分别接电源电路和控制电路，所述断电检测电路还包括：
第一光电耦合芯片U1、第二光电耦合芯片U2、充电电路2以及开关电路3；
所述第一光电耦合芯片U1的高电压控制端分别接所述第二光电耦合芯片U2的低电压控制端和所述电源电路，所述第一光电耦合芯片U1的低电压控制端分别接所述第二光电耦合芯片U2的高电压控制端和所述电源电路，所述第一光电耦合芯片U1的高电压受控端分别接所述第二光电耦合芯片U2的高电压受控端和所述充电电路2，所述第一光电耦合芯片U1的低电压受控端分别接所述第二光电耦合芯片U2的低电压受控端和所述充电电路2，所述开关电路3分别接所述充电电路2和所述控制电路。
图2示出了本发明实施例提供的断电检测电路的具体电路，为了便于说明，仅示出了与本发明实施例相关的部分，详述如下。
作为本发明另一实施例，所述充电电路2包括：
滤波电容C1、二极管D1、储能电容C2、分压电阻R1、分压电阻R3以及充电电容C3；
所述滤波电容C1的正极和负极分别接电源VCC和地，所述二极管D1的阳极和阴极分别接电源VCC和所述储能电容C2的正极，所述储能电容C2的负极接地，所述分压电阻R1连接在所述二极管D1的阴极与所述第一光电耦合芯片U1的高电压受控端之间，所述分压电阻R3、充电电容C3均分别连接在所述第二光电耦合芯片U2的高电压受控端和低电压受控端之间。
作为本发明另一实施例，所述开关电路3包括：
分压电阻R2、开关管31；
所述开关管31的高电压端、控制端、低电压端分别接所述分压电阻R2的第二端、所述第二光电耦合芯片U2的高电压受控端、所述第二光电耦合芯片U2的低电压受控端，所述分压电阻R2的第一端为所述断电检测电路的输出端。
作为本发明另一实施例，所述开关管31采用N型MOS管Q1，所述N型MOS管Q1的漏极、栅极、源极分别为所述开关管31的高电位端、控制端、低电位端。
图3示出了本发明实施例提供的断电检测电路的另一具体电路，为了便于说明，仅示出了与本发明实施例相关的部分，详述如下。
作为本发明另一实施例，所述开关管31采用NPN型三极管Q2，所述NPN型三极管Q2的集电极、基极、发射极分别为所述开关管31的高电压端、控制端、低电压端。
作为本发明另一实施例，本发明还提供了一种灯具，所述灯具包括电源电路和控制电路，所述灯具还包括断电检测电路，所述断电检测电路还包括：
第一光电耦合芯片U1、第二光电耦合芯片U2、充电电路2以及开关电路3；
所述第一光电耦合芯片U1的高电压控制端分别接所述第二光电耦合芯片U2的低电压控制端和所述电源电路，所述第一光电耦合芯片U1的低电压控制端分别接所述第二光电耦合芯片U2的高电压控制端和所述电源电路，所述第一光电耦合芯片U1的高电压受控端分别接所述第二光电耦合芯片U2的高电压受控端和所述充电电路2，所述第一光电耦合芯片U1的低电压受控端分别接所述第二光电耦合芯片U2的低电压受控端和所述充电电路2，所述开关电路3分别接所述充电电路2和所述控制电路。
作为本发明另一实施例，所述充电电路2包括：
滤波电容C1、二极管D1、储能电容C2、分压电阻R1、分压电阻R3以及充电电容C3；
所述滤波电容C1的正极和负极分别接电源VCC和地，所述二极管D1的阳极和阴极分别接电源VCC和所述储能电容C2的正极，所述储能电容C2的负极接地，所述分压电阻R1连接在所述二极管D1的阴极与所述第一光电耦合芯片U1的高电压受控端之间，所述分压电阻R3、充电电容C3均分别连接在所述第二光电耦合芯片U2的高电压受控端和低电压受控端之间。
作为本发明另一实施例，所述开关电路3包括：
分压电阻R2、开关管31；
所述开关管31的高电压端、控制端、低电压端分别接所述分压电阻R2的第二端、所述第二光电耦合芯片U2的高电压受控端、所述第二光电耦合芯片U2的低电压受控端，所述分压电阻R2的第一端为所述断电检测电路的输出端。
作为本发明另一实施例，所述开关管31采用N型MOS管Q1，所述N型MOS管Q1的漏极、栅极、源极分别为所述开关管31的高电位端、控制端、低电位端。
作为本发明另一实施例，所述开关管31采用NPN型三极管Q2，所述NPN型三极管Q2的集电极、基极、发射极分别为所述开关管31的高电压端、控制端、低电压端。
为了更好地解释本发明，以开关管31采用N型MOS管Q1为例结合图2，说明断电检测电路的工作原理：
分压电阻R2的第一端由断电检测电路以外的上拉电源直接供电，当N型MOS管Q1未导通时，该上拉电源将分压电阻R2的第一端拉高至高电平。
电源VCC由电源电路供电，具体地，当电源电路提供的直流电时，经过整流、调幅向电源VCC供电，当电源电路提供的交流电时，经过全波整流、调幅向电源VCC提供稳定的直流电。当电源电路未断电时，通过电源VCC向滤波电容C1充电，同时经过二极管D1向储能电容C2充电。
当电源电路提供直流电，且未断电时，第一光电耦合芯片U1或第二光电耦合芯片U2的控制端的发光二极管发光、受控端导通，将N型MOS管Q1的栅极直接接地；当电源电路提供交流电，且未断电时，第一光电耦合芯片U1和第二光电耦合芯片U2的受控端交替导通（第一光电耦合芯片U1的控制端的发光二极管和第二光电耦合芯片U2的控制端的发光二极管交替发光，第一光电耦合芯片U1的受控端和第二光电耦合芯片U2的受控端交替导通），将N型MOS管Q1的栅极直接接地。
当电源电路提供的直流电/交流电突然断电时，储能电容C2经过分压电阻R1向充电电容C3充电，同时，滤波电容C1经过二极管D1、分压电阻R1向充电电容C3充电，当充电电容C3两端的电压足以导通N型MOS管Q1时，N型MOS管Q1导通，分压电阻R2的第一端降低为低电平，即断电检测电路的输出端为低电平；同时，充电电容C3经过导通的N型MOS管Q1放电，直到充电电容C3两端的电压不足以导通N型MOS管Q1，分压电阻R2的第一端恢复为高电平，即断电检测电路的输出端为高电平。从而，当控制电路检测到断电检测电路的输出端输出的低电压脉冲信号时，对灯具中的其它负载电路中的过充电流泄流，防止损坏电子产品。
在本发明实施例中，在灯具中，预先将断电检测电路的输出端置为高电平，当电源电路提供的直流电/交流电突然断电时，第一光电耦合芯片U1的受控端和第二光电耦合芯片U2的受控端均未导通，储能电容C2经过分压电阻R1向充电电容C3充电，同时，滤波电容C1经过二极管D1、分压电阻R1向充电电容C3充电，当充电电容C3两端的电压足以导通N型MOS管Q1时，N型MOS管Q1导通，分压电阻R2的第一端降低为低电平，充电电容C3经过导通的N型MOS管Q1放电，直到充电电容C3两端的电压不足以导通N型MOS管Q1，分压电阻R2的第一端恢复为高电平；从而，断电检测电路的输出端输出低电压脉冲信号，控制电路检测到该低电压脉冲信号时，对灯具中的负载电路中的过充电流泄流，防止损坏电子产品。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种断电检测电路，所述断电检测电路的输入端和输出端分别接电源电路和控制电路，其特征在于，所述断电检测电路还包括：
第一光电耦合芯片U1、第二光电耦合芯片U2、充电电路以及开关电路；
所述第一光电耦合芯片U1的高电压控制端分别接所述第二光电耦合芯片U2的低电压控制端和所述电源电路，所述第一光电耦合芯片U1的低电压控制端分别接所述第二光电耦合芯片U2的高电压控制端和所述电源电路，所述第一光电耦合芯片U1的高电压受控端分别接所述第二光电耦合芯片U2的高电压受控端和所述充电电路，所述第一光电耦合芯片U1的低电压受控端分别接所述第二光电耦合芯片U2的低电压受控端和所述充电电路，所述开关电路分别接所述充电电路和所述控制电路；
当所述电源电路向所述第一光电耦合芯片U1和所述第二光电耦合芯片U2提供直流电/交流电时，所述第一光电耦合芯片U1和所述第二光电耦合芯片U2为所述充电电路充电；
当所述电源电路提供的直流电/交流电突然断电时，所述充电电路向所述开关电路放电，使得所述开关电路向所述控制电路输出低电压脉冲信号，使得控制单元对其他负载电路中的过充电流泄流。
2.如权利要求1所述的断电检测电路，其特征在于，所述充电电路包括：
滤波电容C1、二极管D1、储能电容C2、分压电阻R1、分压电阻R3以及充电电容C3；
所述滤波电容C1的正极和负极分别接电源VCC和地，所述二极管D1的阳极和阴极分别接电源VCC和所述储能电容C2的正极，所述储能电容C2的负极接地，所述分压电阻R1连接在所述二极管D1的阴极与所述第一光电耦合芯片U1的高电压受控端之间，所述分压电阻R3、充电电容C3均分别连接在所述第二光电耦合芯片U2的高电压受控端和低电压受控端之间。
3.如权利要求2所述的断电检测电路，其特征在于，所述开关电路包括：
分压电阻R2、开关管；
所述开关管的高电压端、控制端、低电压端分别接所述分压电阻R2的第二端、所述第二光电耦合芯片U2的高电压受控端、所述第二光电耦合芯片U2的低电压受控端，所述分压电阻R2的第一端为所述断电检测电路的输出端。
4.如权利要求3所述的断电检测电路，其特征在于，所述开关管采用N型MOS管Q1，所述N型MOS管Q1的漏极、栅极、源极分别为所述开关管的高电位端、控制端、低电位端。
5.如权利要求3所述的断电检测电路，其特征在于，所述开关管采用NPN型三极管Q2，所述NPN型三极管Q2的集电极、基极、发射极分别为所述开关管的高电压端、控制端、低电压端。
6.一种灯具，所述灯具包括电源电路和控制电路，其特征在于，所述灯具还包括断电检测电路，所述断电检测电路还包括：
第一光电耦合芯片U1、第二光电耦合芯片U2、充电电路以及开关电路；
所述第一光电耦合芯片U1的高电压控制端分别接所述第二光电耦合芯片U2的低电压控制端和所述电源电路，所述第一光电耦合芯片U1的低电压控制端分别接所述第二光电耦合芯片U2的高电压控制端和所述电源电路，所述第一光电耦合芯片U1的高电压受控端分别接所述第二光电耦合芯片U2的高电压受控端和所述充电电路，所述第一光电耦合芯片U1的低电压受控端分别接所述第二光电耦合芯片U2的低电压受控端和所述充电电路，所述开关电路分别接所述充电电路和所述控制电路；
当所述电源电路向所述第一光电耦合芯片U1和所述第二光电耦合芯片U2提供直流电/交流电时，所述第一光电耦合芯片U1和所述第二光电耦合芯片U2为所述充电电路充电；
当所述电源电路提供的直流电/交流电突然断电时，所述充电电路向所述开关电路放电，使得所述开关电路向所述控制电路输出低电压脉冲信号，使得控制单元对其他负载电路中的过充电流泄流。
7.如权利要求6所述的灯具，其特征在于，所述充电电路包括：
滤波电容C1、二极管D1、储能电容C2、分压电阻R1、分压电阻R3以及充电电容C3；
所述滤波电容C1的正极和负极分别接电源VCC和地，所述二极管D1的阳极和阴极分别接电源VCC和所述储能电容C2的正极，所述储能电容C2的负极接地，所述分压电阻R1连接在所述二极管D1的阴极与所述第一光电耦合芯片U1的高电压受控端之间，所述分压电阻R3、充电电容C3均分别连接在所述第二光电耦合芯片U2的高电压受控端和低电压受控端之间。
8.如权利要求7所述的灯具，其特征在于，所述开关电路包括：
分压电阻R2、开关管；
所述开关管的高电压端、控制端、低电压端分别接所述分压电阻R2的第二端、所述第二光电耦合芯片U2的高电压受控端、所述第二光电耦合芯片U2的低电压受控端，所述分压电阻R2的第一端为所述断电检测电路的输出端。
9.如权利要求8所述的灯具，其特征在于，所述开关管采用N型MOS管Q1，所述N型MOS管Q1的漏极、栅极、源极分别为所述开关管的高电位端、控制端、低电位端。
10.如权利要求8所述的灯具，其特征在于，所述开关管采用NPN型三极管Q2，所述NPN型三极管Q2的集电极、基极、发射极分别为所述开关管的高电压端、控制端、低电压端。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |