CN104106123A - 用于减少能量杂质的束线配置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及用于减少能量杂质的方法及装置，可用于粒子注入的束线组合。突出部包括表面区域及其间槽部的突出部可面向束线组合内从工件角度观察的视线域内的中性原子轨迹。突出部可使中性原子轨迹的路线变作远离工件或引起其它轨迹，用于在击中工件前进一步撞击，并由此对敏感度更佳的注入进一步减少能量杂质。

Description

用于减少能量杂质的束线配置
技术领域
本发明一般涉及离子注入系统，更具体涉及一种用于减少由散射粒子引起的能量杂质的系统和方法。
背景技术
离子注入是半导体仪器的制造中所采用的物理过程，选择性将掺杂剂注入半导体工件和/或晶片材料。因此，注入行为并不依赖于掺杂剂及半导体材料间的化学交互作用。对于离子注入，掺杂剂原子/分子受到离子化并孤立、间或加速或减速、形成射束并扫过工件或晶片。掺杂离子以物理方式轰击工件、进入表面并通常在工件表面之下的晶状晶格结构中停止移动。
在离子注入中，能量杂质(EC)是以不良能量传递至晶片的总量的一小部分，由此使注入比预期更深或更浅。例如，在离子注入机中，离子束到达工件之前减速，EC可能导致装置性能欠佳而成为严重问题。离子注入系统内(诸如位于射束路径的加速器或减速器内)的各过程均可能引起EC，这可能导致离子改变其初始电荷值(例如电荷交换反应)。在高速离子靠近气体的其他分子或原子时，离子可能拾取分子或原子的电子(即电子拾取反应)或者向分子或原子失去电子(即电荷剥离反应)。前者使离子电荷数减一，例如，单电荷离子会变成中性(即电中性原子)。后者使离子电荷数加一，例如，单电荷离子变成双电荷离子。多数EC皆起因于离子束中的电荷交换，因此减少能源杂质的常规方法致力于使电荷交换反应减至最低程度。
然而，仅注重减少电荷交换会忽略EC的其他来源。因此，需要适当的系统及方法来提供敏感度更佳的注入，同时进一步减少EC。
发明内容
为对本发明公开内容的一方面或多方面作出基本理解，下文提出简述的发明内容。该发明内容并非对发明内容的详细概述，其目的既非确定本发明重要或关键元件，亦非描述其范围。确切而言，发明内容的主要目的在于以简化形式呈现发明构思，作为后文详细说明的序言。
本发明针对一种束线组合，该束线组合采用的结构(例如束道)包括多个突出部，这些突出部包括锯齿状突起或切入其壁部的凹槽，用于减少或去除向前散射的影响注入质量的中性原子。多个突出部可包括表面区域，其尺寸、形状及与其在束道的位置所成角度不同。一方面，凹槽可包括间隔，该间隔相对于其在束道的位置而变化。
在另一实施方案中，提供通过计算离子轨迹来减少能量杂质的方法。为从所计算的轨迹轰击并反射离子，可沿由工件所观视线内的离子束路径设置其间包括凹槽的突出部。例如，由工件所观视线可处于减速透镜的下游，装置的一小部分在减速透镜的上游和/或在减速透镜之中。
为实现上述及相关目的，下述内容及附图将详细阐述本发明公开内容的某些说明及实施方式。这些仅表明运用本发明原理的多种不同方式中的少数几种。在结合附图考虑的情况下，由下文的详细说明中会更清楚理解本发明的其他方面、优点及新颖性特征。
附图说明
图1是说明根据本发明一方面或多方面的离子注入系统部件的示意框图；
图2是说明根据本发明一方面或多方面的靠近端站的离子注入系统的束线组合部分的示意框图；
图3是说明根据本发明一方面或多方面的离子注入系统中减速部件下游的束线组合内的部分射束导引装置的示意框图；
图4是说明根据本发明一方面或多方面的离子注入系统部件(更具体为沿射束导引装置的第一及第二束道)的示意框图；
图5和图6是分别说明根据本发明一方面或多方面的用于消除能量杂质的方法的流程图。
具体实施方式
现将参照附图阐述本发明，其中整篇中类似标号用于表示类似元件。这些说明及下述内容实质上仅为示例，而非作出限制。因此，应当理解，所示系统及方法的变化方案及除本文所示的其他类似实施方式均视为属于本发明及其权利要求的范围。
许多现有的半导体制造工艺中进行的离子注入是浅注入和/或超浅注入，其在所成型的装置中形成浅结深和/或超浅结深。这些浅注入和/或超浅注入通常采用低能量(例如1千电子伏)，但需要相对较高的束电流。通常可以理解，通过以较高能量从离子源撷取离子束而获得高电流、低能量的离子束。然后，将离子束集中纯化并输送至相对靠近目标工件的位置。同时，将离子束的速度降至所选的低能量等级，然后将其输送至目标工件。然而，离子束可包括并非由减速牵动的能量杂质(例如中性粒子，原因在于其不带电荷)，由此其穿入目标工件的水平不同于所需水平。由此，能量杂质会损坏目标工件底层的部件和/或其它部分，导致潜在的程序控制成本。
本发明通过减少或去除源于离子束(尤其是低能离子束)的能量杂质而促进离子注入。本发明的离子注入系统或束线组合可在用于撞击那些影响能量杂质的中性粒子的不同区域采用多个凹槽。凹槽可使在不同区域中变化的突出部分开并可与从工件角度观察的视线域内的中性粒子轨迹大致成直角。
首先参照图1，以框图方式描述适于实现本发明的一方面或多方面的离子注入系统100。系统100包括用于沿射束路径产生离子束104的离子束源102。离子束源102包括例如具有相伴电源108的等离子源106。例如，等离子源106可包括较长的等离子体约束室，由该室引出离子束。
束线组合110设置于离子源102的下游，用于接收自其而出的射束104。束线组合110包括质量分析器112、减速构件114及环形能量过滤器116，减速构件114可包括例如一个或多个间隙。束线组合110位于接收射束104的路径上。质量分析器112包括场发生部件，诸如磁体(未示出)，并且其用于提供跨越射束路径的场，从而使来自离子束104的离子在根据质量(例如荷质比)变化的轨迹上转向。通过磁场的离子受到力的作用，该力引导射束路径上所需质量的各离子并使非所需质量的离子转向远离射束路径。
减速构件114内的减速间隙可用于使射束内的离子减速，从而在工件中获得所需的注入深度。因此，应当理解，术语“减速器”和/或“减速间隙”可在本文用于描述本发明的一方面或多方面，这类术语并非意在狭义理解，从而受限为减速的字面含义，而应广义理解成，除此之外，还包括加速以及方向变化。还应理解，可在由质量分析器112进行磁性分析之前或之后施用加速/减速装置。
可以理解，夹杂粒子(亦被称为能量杂质)包括中性原子和/或可能在离子束104内由离子与背景或残余粒子间的碰撞产生的其它非选择能量范围。这种冲撞会使某些离子与背景或其他粒子交换电荷，由此变成中性粒子或杂质。这些中性粒子会注入晶片上待掺杂离子的区域，由此冲淡掺杂的预期水平，对掺杂过程产生不利影响。更重要地，这些粒子呈电中性，因此它们可通过如减速器，更具体而言，它们通过由电磁产生的静电场而不受影响(例如，不受加速、减速、聚焦、转弯或其它速度和/或方向等方面的改变)。照此，由于这些粒子的能级可能会不同于已通过且由加速器/减速器调整的离子束中经转弯、聚焦、加速和/或减速的离子的能级，因此粒子注入晶片的深度可能不尽理想。这种中性粒子杂质会严重降低所制半导体装置的预期性能。
环形能量过滤器116接收来自减速间隙114的已加速/减速的离子并选择特定能量范围内的离子且排除夹杂的粒子，这些夹杂粒子包括来自离子束104的中性原子及具有其他能量的离子。环形能量过滤器116采用偏转板、聚焦电极及边缘电极，用以改变特定能量范围内离子的路径，并且环形能量过滤器116允许这些离子通过狭缝或通孔。另外，未选择的离子并不通过狭缝并由此无法污染晶片。偏转板会使所选择的离子以选择的角度偏离能量杂质的路径，当由于杂质的电中性而使中性能量杂质未受偏转板影响时，能量杂质路径也恰好是离子束104的原始路径。离子的射束被导向工件上，从而接触待掺杂工件的选择区域。应当理解，例如，可将某些类型的势垒置于能量杂质流的前方，用以阻止杂质接触工件或晶片，正如杂质转储器(未示出)。
尽管能量过滤器116可良好地过滤能量杂质，但由散射产生的能量杂质仍旧成为难题。例如，虽然多数离子无障碍地通过注入器的束线，但仍有一些碰撞通孔并围绕其壁部。例如，空间电荷力会使离子束的横截面增大，直至射束射到真空罩的表面或分辨孔(例如质量分辨孔)内的开口。在离子撞击表面时，其可能嵌入表面下的材料或被表面反射且重新加入束线。这种反射通常称作“散射”，假若粒子散射后的方向是起始方向，则该散射称作“前向散射”。
在系统100中还设置端站118，用以接收来自束线组合110的经质量分析的去杂质离子束104。端站118沿利用经质量分析去杂质的离子束104注入的射束路径上支承一个或多个工件，诸如半导体晶片(未示出)。端站118可包括目标扫描系统120，用于转译或扫描一个或多个目标工件与离子束104间的相互关系。目标扫描系统120可设置用于分批式或连续式注入，例如可能需要在给定条件、操作参数和/或目标下。
图2是根据本发明一方面的一部分束线组合200的水平截面图。束线组合200使入射离子束的能级降至预期水平，使能量杂质移离离子束，并使离子束指向目标(例如晶片或工件260)。在本发明一实施方案中，束线组合200包括一列突出部或多个突出部214，例如用以通过减少碰撞工件260的散射高能粒子的数目而进一步减少能量杂质。
束线组合200包括减速部件220，还可包括管状聚焦部件224。减速组合220可包括若干载台，这些载台在沿离子束路径212射入的离子束通过部件220时相继使其减速。载台包括电极，这些电极布置且受到偏压以减速(或加速)离子。管状聚焦部件224会受到减速部件220的绝缘体的支撑，从而其可独立偏向负电势，在垂直方向聚焦沿离子束路径212的离子束并使离子束愈加降速，但保持能量高于离子基本在部件224内时管聚焦电压的最终势能。例如，管状聚焦部件224可呈长方形并且在水平方向更长。例如在管状聚焦部件224的另一侧，还可具有接地板232，其可终止管状聚焦部件的电场。
在一实施方案中，束线组合220可进一步包括环形静电过滤器230或偏转过滤器，其以可操作的方式耦合至管状部件224，以将能量杂质滤出离子束。例如，环形静电过滤器230可包括入口电极234、出口电极238、顶部偏转板242、底部偏转板236、边缘电极244以及出口狭缝240。入口电极234及出口电极238可包括允许离子束通过的通孔。入口电极234及出口电极238可用于使离子束加速进入反射区并在反射区之后使射束减速。
能量杂质(包括中性杂质)不会转弯或以特定角度转弯，因此多数中性杂质不会通过出口狭缝240和/或更靠近目标的更受限的狭缝。底部偏转板236的折角部分可促进所选离子的适当偏转，从而较大射束会转弯至预期路径，而不碰撞底板。出口狭缝240可例如偏压为0伏或地电位，这会使射束在通过出口聚焦电极238之后减速。射束在退出偏转板242和236以及出口聚焦电极238的场时减速至最终能量。它还会使偏转完全转弯。仅在小段轨迹中，离子在较高电势时被中性化并仍完成转弯，足以通过阻滞狭缝。较之常规装置，该较短路径减小中性离子向目标迸发的可能性，中性离子可能会在减速间隙之前以恒定的能量具有极大的漂移距离。
如上所述，由于向前散射的中性原子未受到注入器的电力或磁力，因而其通常并不遵循射束离子的轨迹。例如，在减速透镜或减速部件220前后的电转弯过滤器可用于将高能带电粒子移离离子束路径212，但并未改变高能中性原子的轨迹。倘若向前散射的高能中性原子到达工件，其会导致能量杂质。
在本发明的一方面，可通过使束线组合200沿离子束路径212包括多个突出部而大幅减少向前散射的中性粒子，这些突出部可包括比图2所示突出部更多的形状、尺寸及角度以及彼此间关系。例如，在减速部件220之前的射束通道或射束导引装置内、减速部件之内和/或减速部件220之后的第二射束导引装置或通道250中可具有多个突出部214，如同围绕射束导引装置250壁部的突出部262。例如，这些突出部214可包括锯齿状表面，其表面包括表面区域216及其间的槽部218。
在一实施方案中，分别位于射束通道210和250内并/或位于减速部件220的至少一个电极上的突出部214和262可根据在离子束路径212上的位置渐变或在不同区间(未示出)变化。例如，突出部的表面区域可配置成面向离子束路径内中性粒子的轨迹，以防向前散射。例如，表面区域可配置成与中性粒子的轨迹约成90度。可对中性粒子和离子轨迹建模，从而预计各角度，基于这些角度，束线组合的壁部可受作用于特定离子束路径。因此，一实施方案的突出部可面向沿建模或计算的轨迹的中性粒子路径，以确保粒子在偏离工件的不同轨迹中发生反射且/或沿轨迹运动以使其在注入工件260之前在束线组合内至少再次发生撞击。
在一实施方案中，射束导引装置210和250中和/或减速部件220内的突出部的位置可位于从工件260角度观察的视线域内。换言之，视线景象可以是由工件沿离子束路径的不与其中任何其它结构或部件相交的光轴或连线内的壁部及部件。例如，以工件260为视角，突出部可围绕通道250的壁部，并且还位于射束导引装置210的侧面或壁部上。
图3是根据本发明一方面的射束导引装置300的侧剖视图。射束导引装置300包括沿离子束路径350的壁部330，离子束可通过该离子束路径350。壁部330可支承突出部360，这些突出部可围绕束线导引装置300并配置用于撞击且反射偏离工件340的轨迹(如轨迹310)中的中性粒子和/或轨迹320中的中性粒子，以在注入工件340之前在束线组合内至少再次碰撞。
射束通道350可位于例如束线组合内减速透镜(未示出)的下游。在一实施方案中，突出部360可包括削切或刻入射束通道壁部330内的锯齿部或槽部370。槽部370可配置成与中性粒子的轨迹310约成90度角。例如，入射角β相对于离子束路径变化，碰撞中性粒子的表面区域365的角θ亦可变化，从而约成90度撞击不同粒子轨迹。所示突出部360虽位于射束通道350内，而其它具有类似特征的突出部(未示出)可置于束线组合的其它部件及其在工件340的视野内的部分中，用于减少能量杂质。
在一实施方案中，槽部370可相对于其在离子束路径350上的位置而变化。例如，突出部360会沿离子束路径350渐变。在另一示例中，突出部360会根据区域变化。例如，区域380可包括不同组突出部，这些突出部具有槽部，其表面区域的角度、尺寸、深度和/或彼此间隔不同于区域390的突出部。通过建模粒子轨迹，区域380和390的突出部可分别构造成以最佳方式撞击粒子并使其沿轨迹运动反射偏离工件且/或沿轨迹运动以使粒子在束线组合内至少再次撞击之后注入工件。因此，槽部365可尤其配置用于防止和/或减少中性离子向前散射。例如，突出部或多种突出部可包括约1至7毫米的深度，例如3毫米深度，但任意理想深度均可。
此外，突出部可在一个表面上包括数以百计的突出部，例如四百个具有各自凹槽及用于在工件340的视线范围内撞击粒子的表面区域的突出部。在本发明一实施方案中，例如，所有表面均具纹路，用以减少粒子的产生，如第7,358,508号美国专利及第2011/0012033号美国专利公开文献(均属艾克塞利斯科技公司)所述。这些参考文献借由全文引用纳入本文。
图4说明根据本发明一方面不具有能量过滤器的示例性粒子注入系统400。系统400旨在说明目的，应当理解，本发明各方面不仅限于所述的离子注入系统400，亦可采用其他适当的不同配置的离子注入系统，正如上述的先前系统。
离子注入系统400包括用于沿纵向离子束路径405产生离子束404的离子束源402。离子束源402包括具有相关引出电源430的等离子源及引出装置410，该引出装置可以是任何借其引出离子束404的结构。
应当理解，由于离子束404包括相似的带电粒子，在相似带电粒子互相排斥时，射束404可能趋于爆炸或径向向外膨胀。亦可理解，在低能量、高电流(高导流系数)的射束中，射束爆炸会加剧，其中许多相似带电粒子(例如高电流)在同一方向移动相对较慢(例如低能量)，从而粒子间存在极大的排斥力。因此，引出组合通常配置成以高能量引出射束404，从而使射束爆炸降至最低限度。然而，空间电荷力仍会增加射束的横截面，例如直至射束射到真空罩的表面或分辨孔内的开口，由此使离子撞击表面并作为中性离子重新加入射束路径405。此外，在减速模式中，该示例中的射束404通常以相对较高的能量在整个系统400传输并且在撞击工件422之前在减速元件419降低，从而促进射束容纳性。
第一射束通道412可设置于离子源402的下游，用于接收来自离子源402的射束404，其包括置于路径上用于接收射束404的质量分析器414。第二射束通道420可设置于减速元件419的下游，用于进一步减少其中的能量杂质。第一射束通道412及第二射束通道420可分别包括多个突出部417和421。多个突出部417和421可分别包括用于将中性离子反射远离工件422或在撞击工件422之前射向至少再次碰撞的表面的表面区域及槽部。
在一实施方案中，突出部417和421可位于从工件422角度观察的视线域内，其可包括在第一射束通道412中的一点428、减速元件419及第二射束通道420，该点428位于离子束路径405中的质量分析器/转弯之前的第一射束通道的壁部或侧面。图4说明突出部421和417分别围绕离子束路径405且位于射束通道412的一壁部上。用于减少能量杂质的突出部(未示出)还可以位于减速元件419中，例如位于其中一阳极上。工件422视线内的突出部可根据其在离子束路径上的位置而改变尺寸、形状、深度及间隔。此外，突出部可包括与中性粒子轨迹(诸如中性原子轨迹424)约成90度角的表面区域。通过尽量正面迎对中性原子轨迹，突出部配置成撞击并反射中性粒子远离工件并/或沿轨迹运动以使其在注入工件422之前会在束线组合400内至少再次发生撞击。
形成减速元件419的一个或多个减速电极可位于能量过滤器(未示出)的上游或下游，用于进一步减少杂质，或者如图4所示并未设置能量过滤器。另外，在系统400中设置端站426，其接受来自束线412的经质量分析的离子束404，并且目标扫描系统支承一个或多个利用最终经质量分析的离子束404注入的路径上的工件422，如半导体晶片。减速抑制电源432提供与减速元件中部电极的连接。该电源供给可调整为给予预期的离子束性能、确切的转弯角度、最终的离子束能量以及优化的聚焦。
鉴于前述结构性及功能性特征，参照上述附图及具体实施方式可较好地理解根据本发明各方面的方法。然而，出于简述目的，将下述方法描述为连续执行，应当理解，本发明并不受限于说明顺序，根据本发明的某些方面会以不同顺序发生并/或与不同于本文所述的其它方面同时发生。此外，并非所述各特征均需用于实现根据本发明一方面的方法。
现参照图5和图6，分别说明根据本发明的方面用于将能量杂质从离子束路径移除的示例性方法500和600。尽管下文将方法500和600阐述为一系列行为或活动，应当理解，本发明并不限于这类行为或活动的所述顺序。例如，本局本发明的一方面或多方面，某些行为会以不同顺序发生并/或与除本文所说明和/或描述之外的其它行为或活动同时发生。此外，并非所述各步骤均需用于实现根据本发明的方法。此外，根据本发明的方法可与本文说明描述的结构以及其它未说明结构的形成和/或处理联合实施。
图5的方法500以“开始”初始化并以框图502开始。在步骤502，在从工件角度观察的离子束路径视线域内计算粒子轨迹(例如中性离子轨迹)。在一实施方案中，从工件角度观察的离子束路径视线域包括减速透镜下游的离子束路径并伸向离子束路径在减速透镜上游的一部分，直至射束通道末端的一点。在射束通道末端之前的这一点可包括射速通道侧面以不同角度弯曲至从工件角度观察不可见之前的一点。
在步骤504，突出部设置在从工件角度观察的离子束路径视线域内的壁部。突出部可包括分别由槽部分开的表面区域，这些表面区域以相对于所计算轨迹约成90度的方向面向轨迹。在一实施方案中，突出部可包括分别根据在离子束路径的位置而不同的角度。突出部配置成撞击并反射中性粒子以使其沿轨迹运动远离开工件并/或沿轨迹运动以使其在注入工件之前会在束线组合内至少再次发生撞击。另外，突出部间的槽部可包括分别不同的深度、尺寸和/或间隔并配置成防止中性粒子向前散射。
根据一实施方案，槽部及突出部的平面可具纹路。槽部深度可例如是1至7毫米并置于减速透镜下游围绕离子束路径的壁部及减速透镜上游的壁部上。例如，减速透镜还可包括至少一个电极(如阳极)，其中突出部位于该电极上。此外，槽部可包括至少100个槽部。此外，轨迹可包括从工件角度观察的视线域内沿束线路径相对于束线组合壁部不同的入射角度。方法在“结束”步骤结束。
图6说明在“开始”初始化的方法600。方法600在步骤602开始，其中在从工件角度观察的离子束路径视线域内计算粒子轨迹。可对轨迹建模，从而可在束线组合中从工件角度观察的视线域内预计其路径。
在步骤604，设置分别包括突出部的多个区域。这些区域位于从工件角度观察的离子束路径视线域内并可将形状配置成反射撞击其上的多数中性粒子。粒子可由突出部反射远离工件，这些突出部包括由槽部分开的表面区域，表面区域以大约90度面向所计算的轨迹。在一实施方案中，多个区域可包括突出部，其角度根据在离子束路径的位置而在区域中存在差异。方法在“结束”步骤结束。
尽管上文已就某些方面及实施方式阐明本发明的内容，但基于对本发明说明书及附图的阅读和理解，本领域的技术人员应想到等同变化及修改。特别关于由上述部件(组合、器件、电路、系统等)执行的各种功能，若非特别注明，则用于描述这些部件的术语(包括提及“装置”)旨在对应于执行所述部件的特定功能(即功能上等同)的任意部件，即便其在结构上不等同于执行本文所述的本发明典型实施方式所公开的结构亦然。就此而言，还应当认知，本发明可包括计算机可读介质，其具有用于执行本发明各方法步骤的计算机可执行指令。另外，虽然仅就多个实施方式中的一种方式公开本发明的特定特征，如若适于或利于任何指定或特定应用，这一特征可结合其它实施方式的一个或多个其它特征。此外，就术语“包括”、“包含”、“具有”、“带有”或其变体用于说明书或权利要求而言，这些术语旨在以类似于术语“包括”的方式具有包容性。同样，本文采用的术语“示例性”仅表示举例说明，而非最佳实施方式。

Claims (19)

1.一种将能量杂质从一束线组合的离子束路径移除的方法，该方法包括：
在从一工件角度观察的所述离子束路径的视线域内计算所述离子束路径内的粒子轨迹；以及
设置突出部，所述突出部设置于在所述从工件角度观察的所述离子束路径的视线域内围绕所述离子束路径的壁部，所述突出部包括分别由槽部分开的表面区域，所述表面区域分别约呈90度面向所计算的轨迹。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述从工件角度观察的所述离子束路径的视线域包括在一减速透镜下游的所述离子束路径并延伸至所述离子束路径在所述减速透镜上游的一部分，在一射束通道的一侧伸至射束通道末端的一点。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述突出部分别包括根据在所述离子束路径的位置而不同的角度，并且配置成撞击并反射中性粒子以使其沿一轨迹运动远离工件并/或沿一轨迹运动以使其在注入工件之前会在所述束线组合内至少再次发生一次撞击。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述槽部可包括分别不同的深度、尺寸和/或其间的间隔并分别配置成减少中性粒子向前散射。
5.如权利要求2所述的方法，其中所述在射束通道末端之前的点包括所述射速通道侧面以不同角度弯曲至从工件角度观察不可见之前的一点，所述轨迹包括相对于所述壁部不同的入射角度。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述槽部包括约1至7毫米的深度并置于一减速透镜下游围绕所述离子束路径的壁部及该减速透镜上游的壁部上。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述突出部包括至少100个槽部，所述槽部位于一减速透镜上游的壁部上、所述减速透镜的至少一电极上以及所述减速透镜下游的壁部上。
8.如权利要求1所述的方法，该方法进一步包括设置一减速透镜及一位于所述减速透镜下游的能量过滤器。
9.如权利要求2所述的方法，其中所述减速透镜包括至少一电极，该电极包括突出部，所述突出部具有由其上槽部分开的表面区域，所述表面区域配置成撞击并反射中性粒子以使其沿一轨迹运动远离工件或沿一轨迹运动以使其在到达工件之前在所述束线组合内至少再次发生一次撞击。
10.一种将能量杂质从一束线组合的一离子束路径移除的方法，该方法包括：
在从一工件角度观察的所述离子束路径视线域内计算所述离子束路径内的粒子轨迹；以及
设置多个区域，所述区域分别包括位于所述从工件角度观察的所述离子束路径的视线域内的突出部，所述突出部形状配置成将撞击其上的中性粒子反射远离工件，所述突出部包括分别由槽部分开的表面区域，所述表面区域约呈90度面向所述轨迹。
11.如权利要求10所述的方法，其中所述从工件角度观察的所述离子束路径的视线域包括所述离子束路径在一减速透镜下游围绕所述离子束路径的一部分，并进一步包括所述离子束路径在所述减速透镜上游的一部分，该部分处于工件的视角内。
12.如权利要求10所述的方法，其中所述多个区域分别包括突出部，其角度根据在离子束路径的位置而在所述多个区域中存在差异。
13.如权利要求10所述的方法，其中所述槽部可包括分别不同的深度、尺寸和/或其间的间隔并分别配置成减少中性粒子向前散射。
14.如权利要求10所述的方法，其中所述多个区域中的所述突出部配置成撞击并反射中性粒子以使其沿一轨迹运动远离工件并/或沿一轨迹运动以使其在注入工件之前在束线组合内至少再次发生一次撞击。
15.如权利要求10所述的方法，其中在所述多个区域中，所述突出部的所述表面区域在形状上相对于在射束路径上的位置存在差异。
16.一种束线组合，该束线组合包括：
一离子束源，用于生成在一离子束路径中用于注入一工件的离子束；
一选择性地使所生成的离子束减速的减速部件；
一位于所述减速部件下游的射束通道，其包括突出部，所述突出部位于围绕所述离子束路径的壁部；以及
一位于所述减速部件上游的射束通道，其包括位于所述射束通道上游部分的突出部，
其中所述突出部包括由槽部分开的表面区域，所述表面区域约呈90度面向中性粒子轨迹，并且所述突出部分别配置成撞击并反射中性粒子以使其沿一轨迹运动远离工件并/或沿一轨迹运动以使其在注入工件之前在所述束线组合内至少再次额外发生一次撞击。
17.如权利要求16所述的束线组合，该束线组合进一步包括一偏转过滤器，其将能量杂质从所述离子束移除并将所述离子束导向所述工件。
18.如权利要求16所述的束线组合，其中所述突出部分别包括根据在所述离子束路径的位置而不同的角度，所述槽部包括分别不同的深度、尺寸及其间的距离，用以减少中性粒子向前散射。
19.如权利要求16所述的束线组合，其中所述减速部件包括至少一电极，该电极包括位于其上的突出部。
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