CN104103479A - 磁分析器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种磁分析器，包括轭铁和设于轭铁外的磁铁，所述轭铁包围形成的离子飞行管道内设有束板，所述束板上开有多个穿透束板的离子通道，每个所述离子通道对应一特定质荷比离子的偏转半径。本发明能够一次性析出多种离子，实现了阱注入工艺多种离子的一次性注入，提高了离子注入的效率，降低了制造周期，提高了生产效率。
Description
技术领域
本发明涉及离子注入领域，特别是涉及一种磁分析器。
背景技术
在一般的互补型金属氧化物半导体（CMOS）制造流程中，第一步往往是定义MOSFET的有源区。现在的许多亚微米工艺通常采用双阱工艺来定义nMOS和pMOS晶体管的有源区，阱注入工艺在决定了晶体管阈值电压的同时，还涉及到CMOS电路门锁效应和其它一些可靠性方面的问题。
传统的制造工艺中，每个阱的形成都至少包括三到五步主要步骤，严重影响制造周期（cycle time）。为满足客户快速抢占市场的需求，在既定产能的条件下，有效改善cycle time刻不容缓。
发明内容
基于此，有必要提供一种能提高离子注入的效率的磁分析器。
一种磁分析器，包括轭铁和设于轭铁外的磁铁，所述轭铁包围形成的离子飞行管道内设有束板，所述束板上开有多个穿透束板的离子通道，每个所述离子通道对应一特定质荷比离子的偏转半径。
在其中一个实施例中，所述离子通道是通孔。
在其中一个实施例中，所述离子通道是狭缝。
在其中一个实施例中，所述束板的材质为石墨。
在其中一个实施例中，还包括固定设置于所述束板上的固定件和与所述固定件活动连接的挡片，所述挡片可将所述离子通道遮挡。
上述磁分析器能够一次性析出多种离子，实现了阱注入工艺多种离子的一次性注入，提高了离子注入的效率，降低了制造周期（cycle time），提高了生产效率。
附图说明
图1是一实施例中磁分析器的结构示意图；
图2是一实施例中束板的剖视图。
具体实施方式
为使本发明的目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
阱注入使用的离子注入设备包含磁分析器，用于选择出需要注入的离子。传统的磁分析器一次只能选择出一种质荷比的离子，对于需要注入多种离子的阱注入工艺，制造周期（cycle time）较长。
因此，本发明提供一种可以一次析出多种离子的磁分析器，包括软磁材料的轭铁，轭铁外壁贴设有磁铁，通过轭铁包围形成供离子束通过的离子飞行管。请参照图1，本发明在轭铁包围形成的离子飞行管道内增设了一块束板10。图2是一实施例中束板10的剖视图，束板10上开有多个穿透束板的离子通道，每个离子通道对应一特定质荷比的离子的偏转半径。我们知道根据带电粒子在磁场中运动的原理，质荷比不同的离子在某一吸极电压和磁场强度条件下，其偏转半径不同，本发明于磁分析器预设的电场强度和磁场强度条件下，计算出阱注入工艺所需几种特定离子的偏转半径，再于束板10上开设出与偏转半径对应的离子通道。
图2所示实施例中需要析出3种离子，其偏转半径分别为R1、R2、R3。磁分析器在工作时，被选择的偏转半径为R1、R2、R3的离子都能通过磁分析器，其余离子则被束板所阻挡。通过磁分析器的离子再通过聚焦装置聚焦在一起，从而实现多种离子一次性注入。离子通道可以是至少一个通孔，也可以是缝隙。
上述磁分析器能够一次性析出多种离子，实现了阱注入工艺多种离子的一次性注入，降低了制造周期（cycle time），提高了生产效率。
在其中一个实施例中，束板为石墨束板。
在优选的实施例中，可以于束板上每个离子通道处增设活动机构，每个活动机构可以实现对应离子通道的遮挡/打开，以适应不同的阱注入工艺。在其中一个实施例中，磁分析器包括固定设置于束板上的固定件和与固定件活动连接的挡片，通过移动挡片可以实现对离子通道的遮挡/打开。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (5)
1.一种磁分析器，包括轭铁和设于轭铁外的磁铁，其特征在于，所述轭铁包围形成的离子飞行管道内设有束板，所述束板上开有多个穿透束板的离子通道，每个所述离子通道对应一特定质荷比离子的偏转半径。
2.根据权利要求1所述的磁分析器，其特征在于，所述离子通道是通孔。
3.根据权利要求1所述的磁分析器，其特征在于，所述离子通道是狭缝。
4.根据权利要求1所述的磁分析器，其特征在于，所述束板的材质为石墨。
5.根据权利要求1所述的磁分析器，其特征在于，还包括固定设置于所述束板上的固定件和与所述固定件活动连接的挡片，所述挡片可将所述离子通道遮挡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310114301.2A CN104103479B (zh) | 2013-04-02 | 2013-04-02 | 磁分析器 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN201310114301.2A CN104103479B (zh) | 2013-04-02 | 2013-04-02 | 磁分析器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN104103479A true CN104103479A (zh) | 2014-10-15 |
| CN104103479B CN104103479B (zh) | 2017-02-15 |
Family
ID=51671523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310114301.2A Active CN104103479B (zh) | 2013-04-02 | 2013-04-02 | 磁分析器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN104103479B (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS59108253A (ja) * | 1983-11-07 | 1984-06-22 | Hitachi Ltd | イオン打込み装置 |
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2013
- 2013-04-02 CN CN201310114301.2A patent/CN104103479B/zh active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| CN104103479B (zh) | 2017-02-15 |
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