CN104099092A - 镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料、制备方法及其应用 - Google Patents
镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料、制备方法及其应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104099092A CN104099092A CN201310121138.2A CN201310121138A CN104099092A CN 104099092 A CN104099092 A CN 104099092A CN 201310121138 A CN201310121138 A CN 201310121138A CN 104099092 A CN104099092 A CN 104099092A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- dysprosium
- luminescent material
- alkali
- conversion luminescent
- borosilicate glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
一种镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料，其化学式为aSiO2-bB2O3-cRF：xDy3+，其中，a为50～75，b为15～40，c为4～10，x为1～6，R为锂、钠、钾、铷和铯中的一种。该镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料的光致发光光谱中，镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料的激发波长为796nm，在482nm波长区由Dy3+离子4F9/2→6F15/2的跃迁辐射形成发光峰，可以作为蓝光发光材料。本发明还提供该镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料的制备方法及使用该镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料的有机发光二极管。
Description
技术领域
本发明涉及一种镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料、制备方法及有机发光二极管。
背景技术
有机发光二极管（OLED）由于组件结构简单、生产成本便宜、自发光、反应时间短、可弯曲等特性，而得到了极广泛的应用。但由于目前得到稳定高效的OLED蓝光材料比较困难，极大的限制了白光OLED器件及光源行业的发展。
上转换荧光材料能够在长波（如红外）辐射激发下发射出可见光，甚至紫外光，在光纤通讯技术、纤维放大器、三维立体显示、生物分子荧光标识、红外辐射探测等领域具有广泛的应用前景。但是，可由红外，红绿光等长波辐射激发出蓝光发射的镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料，仍未见报道。
发明内容
基于此，有必要提供一种可由长波辐射激发出蓝光的镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料、制备方法及使用该镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料的有机发光二极管。
一种镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料，其化学式为aSiO2-bB2O3-cRF：xDy3+，其中，a为50～75，b为15～40，c为4～10，x为1～6，R为锂、钠、钾、铷和铯中的一种。
所述a为65，b为28，c为5，x为2。
一种镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料的制备方法，包括以下步骤：
步骤一、根据aSiO2-bB2O3-cRF：xDy3+各元素的化学计量比称取SiO2，B2O3，RF和Dy2O3粉体，其中a为50～75，b为15～40，c为4～10，x为1～6，R为锂、钠、钾、铷和铯中的一种；
步骤二、将所述步骤一中称取的粉体混合均匀得到前驱体；
步骤三、将所述步骤二中的前驱体在800℃～1100℃下灼烧0.5小时～5小时；
步骤四、将所述步骤三中处理后的前躯体冷却到100℃～300℃，再保温0.5小时～3小时，冷却到室温，得到化学通式为aSiO2-bB2O3-cRF：xDy3+的镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料。
所述SiO2，B2O3，RF和Dy2O3粉体各组分摩尔比为（50～75）：（15～40）：（4～10）：（1～6）。
所述SiO2，B2O3，RF和Dy2O3粉体各组分摩尔比为65：28：5：2。
步骤二中所述混合是将所述粉体在刚玉钵中研磨20分钟～60分钟。
步骤三中将所述前驱体在950℃下灼烧3小时。
步骤四中的冷却温度为200℃，保温时间为2小时。
一种有机发光二极管，包括依次层叠的基板、阴极、有机发光层、阳极及透明封装层，其特征在于，所述透明封装层中分散有镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料，所述镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料的化学式为aSiO2-bB2O3-cRF：xDy3+，其中，a为50～75，b为15～40，c为4～10，x为1～6，R为锂、钠、钾、铷和铯中的一种。
优选的，a为65，b为28，c为5，x为2。
上述镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料的制备方法较为简单，成本较低，同时反应过程中无三废产生，较为环保；制备的镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料的光致发光光谱中，镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料的激发波长为796nm，在482nm波长区由Dy3+离子4F9/2→6F15/2的跃迁辐射形成发光峰，可以作为蓝光发光材料。
附图说明
图1为一实施方式的有机发光二极管的结构示意图。
图2为实施例1制备的镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料的光致发光谱图。
图3为实施例1制备的镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料的拉曼光谱。
图4为实施例1制备的透明封装层中掺杂有镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料形成发白光的有机发光二极管的光谱图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料及其制备方法进一步阐明。
一实施方式的镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料，其化学式为aSiO2-bB2O3-cRF：xDy3+，其中，a为0～75，b为15～40，c为4～10，x为1～6，R为锂、钠、钾、铷和铯中的一种。
优选的，a为65，b为28，c为5，x为2。
该镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料的光致发光光谱中，镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料的激发波长为796nm，当材料受到长波长（如796nm）的辐射的时候，Dy3+离子就处于了4F9/2激发态，然后向6F15/2跃迁，就发出482nm的蓝光，可以作为蓝光发光材料。
上述镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料的制备方法，包括以下步骤：
步骤S11、根据aSiO2-bB2O3-cRF：xDy3+各元素的化学计量比称取SiO2，B2O3，RF和Dy2O3粉体，其中，a为50～75，b为15～40，c为4～10，x为1～6，R为锂、钠、钾、铷和铯中的一种。
该步骤中，所述SiO2，B2O3，RF和Dy2O3粉体各组分摩尔比为（50～75）：（15～40）：（4～10）：（1～6）。
该步骤中，所述SiO2，B2O3，RF和Dy2O3粉体各组分摩尔比为65：28：5：2。
步骤S13、将步骤S11中称取的粉体混合均匀得到前驱体。
该步骤中，将粉体在刚玉钵中研磨20分钟～60分钟得到混合均匀的前驱体，优选的研磨40分钟。
步骤S15、将前驱体在800℃～1100℃下灼烧0.5小时～5小时，
优选的，前驱体在950℃下灼烧3小时。
步骤S17、将步骤S15中处理后的前躯体之后冷却到100℃～300℃，再保温0.5小时～3小时，冷却到室温，得到化学通式为aSiO2-bB2O3-cRF：xDy3+的镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料，其中，a为50～75，b为15～40，c为4～10，x为1～6，R为锂、钠、钾、铷和铯中的一种。
优选的，将步骤S15中处理后的前躯体冷却到200℃，再保温2小时。
上述镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料的制备方法较为简单，成本较低，同时反应过程中无三废产生，较为环保；制备的镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料的光致发光光谱中，镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料的激发波长为796nm，在482nm波长区由Dy3+离子4F9/2→6F15/2的跃迁辐射形成发光峰，可以作为蓝光发光材料。
请参阅图1，一实施方式的有机发光二极管100，该有机发光二极管100包括依次层叠的基板1、阴极2、有机发光层3、透明阳极4以及透明封装层5。透明封装层5中分散有镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料6，镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料的化学式为aSiO2-bB2O3-cRF：xDy3+，其中，a为50～75，b为15～40，c为4～10，x为1～6，R为锂、钠、钾、铷和铯中的一种，该器件中的有机发光层3发出红绿光，部分红绿光激发透明封装层5中分散有镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料6发出蓝色光，最后红绿蓝三色就混成白光。
下面为具体实施例。
实施例1
选用纯度为99.99%的粉体，将SiO2，B2O3，LiF和Dy2O3粉体各组分按摩尔比为65：28：5：2在刚玉研钵中研磨40分钟使其均匀混合，然后在马弗炉中950℃下灼烧3小时，然后冷却到200℃保温2小时，再随炉冷却到室温取出，得到块体材料，粉碎后可得到化学通式为65SiO2-28B2O3-5LiF：2Dy3+上转换荧光粉。
有机发光二极管制备的过程
依次层叠的基板1使用钠钙玻璃、阴极2使用金属Ag层、有机发光层3使用Ir(piq)2(acac)中文名叫二(1-苯基-异喹啉)(乙酰丙酮)合铱(III)、透明阳极4使用氧化铟锡ITO，以及透明封装层5聚四氟乙烯。透明封装层5中分散有镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料6，镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料的化学式为65SiO2-28B2O3-5LiF：2Dy3+。
请参阅图2，图2所示为得到的镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料的光致发光光谱图。由图2可以看出，本实施例得到的镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料的激发波长为796nm，在482nm波长区由Dy3+离子4F9/2→6F15/2的跃迁辐射形成发光峰，该镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料可作为蓝光发光材料。
请参阅图3，图3中曲线为实施1制备的镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料的拉曼光谱，图中的拉曼峰所示为碱氟硼硅玻璃特征峰，没有出现掺杂元素以及其它杂质的峰，说明掺杂元素与基质材料形成了良好的键合。
请参阅图4，图4曲线1为透明封装层中掺杂有镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料形成发白光的有机发光二极管的光谱图，曲线2为透明封装层中未掺杂有镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料料的对比。图中可看出，镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料可以由长波的红色光，激发出短波的蓝色光，蓝光与红光混合后形成白光。
实施例2
选用纯度为99.99%的粉体，将SiO2，B2O3，LiF和Dy2O3粉体各组分按摩尔比为50：40：9：1在刚玉研钵中研磨20分钟使其均匀混合，然后在马弗炉中1100℃下灼烧5小时，然后冷却到100℃保温3小时，再随炉冷却到室温取出，得到块体材料，粉碎后可得到化学通式为50SiO2-40B2O3-9LiF：Dy3+的上转换荧光粉。
实施例3
选用纯度为99.99%的粉体，将SiO2，B2O3，LiF和Dy2O3粉体各组分按摩尔数为75：15：4：6，在刚玉研钵中研磨60分钟使其均匀混合，然后在马弗炉中800℃下灼烧3小时，然后冷却到300℃保温0.5小时，再随炉冷却到室温取出，得到块体材料，粉碎后可得到化学通式75SiO2-15B2O3-4LiF：6Dy3+的上转换荧光粉。
实施例4
选用纯度为99.99%的粉体，将SiO2，B2O3，NaF和Dy2O3粉体各组分按摩尔数为65：28：5：2在刚玉研钵中研磨40分钟使其均匀混合，然后在马弗炉中950℃下灼烧3小时，然后冷却到200℃保温2小时，再随炉冷却到室温取出，得到块体材料，粉碎后可得到化学通式为65SiO2-28B2O3-5NaF：2Dy3+的上转换荧光粉。
实施例5
选用纯度为99.99%的粉体，将SiO2，B2O3，NaF和Dy2O3粉体各组分按摩尔数为50：40：9：1，在刚玉研钵中研磨20分钟使其均匀混合，然后在马弗炉中1100℃下灼烧0.5小时，然后冷却到100℃保温3小时，再随炉冷却到室温取出，得到块体材料，粉碎后可得到化学通式为50SiO2-40B2O3-9NaF：Dy3+的上转换荧光粉。
实施例6
选用纯度为99.99%的粉体，将SiO2，B2O3，NaF和Dy2O3粉体各组分按摩尔数为75：15：4：6，在刚玉研钵中研磨60分钟使其均匀混合，然后在马弗炉中800℃下灼烧5小时，然后冷却到300℃保温0.5小时，再随炉冷却到室温取出，得到块体材料，粉碎后可得到化学通式为75SiO2-15B2O3-4NaF：6Dy3+的上转换荧光粉。
实施例7
选用纯度为99.99%的粉体，将SiO2，B2O3，KF和Dy2O3粉体各组分按摩尔数为68：28：5：2，在刚玉研钵中研磨40分钟使其均匀混合，然后在马弗炉中950℃下灼烧3小时，然后冷却到200℃保温2小时，再随炉冷却到室温取出，得到块体材料，粉碎后可得到化学通式为65SiO2-28B2O3-5KF：2Dy3+的上转换荧光粉。
实施例8
选用纯度为99.99%的粉体，将SiO2，B2O3，KF和Dy2O3粉体各组分按摩尔数为50：40：9：1，在刚玉研钵中研磨20分钟使其均匀混合，然后在马弗炉中1100℃下灼烧0.5小时，然后冷却到100℃保温3小时，再随炉冷却到室温取出，得到块体材料，粉碎后可得到化学通式为50SiO2-40B2O3-9KF：Dy3+的上转换荧光粉。
实施例9
选用纯度为99.99%的粉体，将SiO2，B2O3，KF和Dy2O3粉体各组分按摩尔数为75：15：4：6，在刚玉研钵中研磨60分钟使其均匀混合，然后在马弗炉中800℃下灼烧5小时，然后冷却到300℃保温0.5小时，再随炉冷却到室温取出，得到块体材料，粉碎后可得到化学通式为75SiO2-15B2O3-4KF：6Dy3+的上转换荧光粉。
实施例10
选用纯度为99.99%的粉体，将SiO2，B2O3，RbF和Dy2O3粉体各组分按摩尔数为68：28：5：2，在刚玉研钵中研磨40分钟使其均匀混合，然后在马弗炉中950℃下灼烧3小时，然后冷却到200℃保温2小时，再随炉冷却到室温取出，得到块体材料，粉碎后可得到化学通式为65SiO2-28B2O3-5RbF：2Dy3+的上转换荧光粉。
实施例11
选用纯度为99.99%的粉体，将SiO2，B2O3，RbF和Dy2O3粉体各组分按摩尔数为50：40：9：1，在刚玉研钵中研磨20分钟使其均匀混合，然后在马弗炉中1100℃下灼烧0.5小时，然后冷却到100℃保温3小时，再随炉冷却到室温取出，得到块体材料，粉碎后可得到化学通式为50SiO2-40B2O3-9RbF：Dy3+的上转换荧光粉。
实施例12
选用纯度为99.99%的粉体，将SiO2，B2O3，RbF和Dy2O3粉体各组分按摩尔数为75：15：4：6，在刚玉研钵中研磨60分钟使其均匀混合，然后在马弗炉中800℃下灼烧5小时，然后冷却到300℃保温0.5小时，再随炉冷却到室温取出，得到块体材料，粉碎后可得到化学通式为75SiO2-15B2O3-4RbF：6Dy3+的上转换荧光粉。
实施例13
选用纯度为99.99%的粉体，将SiO2，B2O3，CsF和Dy2O3粉体各组分按摩尔数为68：28：5：2，在刚玉研钵中研磨40分钟使其均匀混合，然后在马弗炉中950℃下灼烧3小时，然后冷却到200℃保温2小时，再随炉冷却到室温取出，得到块体材料，粉碎后可得到化学通式为65SiO2-28B2O3-5CsF：2Dy3+的上转换荧光粉。
实施例14
选用纯度为99.99%的粉体，将SiO2，B2O3，CsF和Dy2O3粉体各组分按摩尔数为50：40：9：1，在刚玉研钵中研磨20分钟使其均匀混合，然后在马弗炉中1100℃下灼烧0.5小时，然后冷却到100℃保温3小时，再随炉冷却到室温取出，得到块体材料，粉碎后可得到化学通式为50SiO2-40B2O3-9CsF：Dy3+的上转换荧光粉。
实施例15
选用纯度为99.99%的粉体，将SiO2，B2O3，CsF和Dy2O3粉体各组分按摩尔数为75：15：4：6，在刚玉研钵中研磨60分钟使其均匀混合，然后在马弗炉中800℃下灼烧5小时，然后冷却到300℃保温0.5小时，再随炉冷却到室温取出，得到块体材料，粉碎后可得到化学通式为75SiO2-15B2O3-4CsF：6Dy3+的上转换荧光粉。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料，其特征在于：其化学通式为aSiO2-bB2O3-cRF：xDy3+，其中，a为50～75，b为15～40，c为4～10，x为1～6，R为锂、钠、钾、铷和铯中的一种。
2.根据权利要求1所述的镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料，其特征在于，所述a为65，b为28，c为5，x为2。
3.一种镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、根据aSiO2-bB2O3-cRF：xDy3+各元素的化学计量比称取SiO2，B2O3，RF和Dy2O3粉体，其中a为50～75，b为15～40，c为4～10，x为1～6，R为锂、钠、钾、铷和铯中的一种；
步骤二、将所述步骤一中称取的粉体混合均匀得到前驱体；
步骤三、将所述前驱体在800℃～1100℃下灼烧0.5小时～5小时;
步骤四、将所述步骤三中处理后的前躯体冷却到100℃～300℃，再保温0.5小时～3小时，冷却到室温，得到化学通式为aSiO2-bB2O3-cRF：xDy3+的镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料。
4.根据权利要求3所述的镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料的制备方法，其特征在于，所述SiO2，B2O3，RF和Dy2O3粉体各组分摩尔比为（50～75）：（15～40）：（4～10）：（1～6）。
5.根据权利要求3所述的镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料的制备方法，其特征在于，所述SiO2，B2O3，RF和Dy2O3粉体各组分摩尔比为65：28：5：2。
6.根据权利要求3所述的镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料的制备方法，其特征在于，步骤二中所述混合是将所述粉体在刚玉钵中研磨20分钟～60分钟。
7.根据权利要求3所述的镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料的制备方法，其特征在于，步骤三中将所述前驱体在950℃下灼烧3小时。
8.根据权利要求3所述的镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料的制备方法，其特征在于，步骤四中的冷却温度为200℃，保温时间为2小时。
9.一种有机发光二极管，该有机发光二极管包括依次层叠的基板、阴极、有机发光层、阳极及透明封装层，其特征在于，所述透明封装层中分散有镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料，所述镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料的化学式为aSiO2-bB2O3-cRF：xDy3+，其中，a为50～75，b为15～40，c为4～10，x为1～6，R为锂、钠、钾、铷和铯中的一种。
10.根据权利要求9所述的有机发光二极管，其特征在于，所述a为65，b为28，c为5，x为2。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310121138.2A CN104099092A (zh) | 2013-04-09 | 2013-04-09 | 镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料、制备方法及其应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310121138.2A CN104099092A (zh) | 2013-04-09 | 2013-04-09 | 镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料、制备方法及其应用 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104099092A true CN104099092A (zh) | 2014-10-15 |
Family
ID=51667643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310121138.2A Pending CN104099092A (zh) | 2013-04-09 | 2013-04-09 | 镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料、制备方法及其应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104099092A (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0847964A1 (en) * | 1996-12-12 | 1998-06-17 | Sumita Optical Glass, Inc. | An oxide fluorescent glass capable of exhibiting visible fluorescence |
| KR20070080088A (ko) * | 2006-02-06 | 2007-08-09 | 베이징 후아롱 슈퍼그로우 테크놀로지 디벨롭먼트 주식회사 | 합성 야광옥 및 그 제조방법 |
| CN101074372A (zh) * | 2007-06-22 | 2007-11-21 | 济南朗星科技有限公司 | 一种硅酸盐长余辉发光材料及其制备方法 |
| JP2008013674A (ja) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | Stanley Electric Co Ltd | 波長変換材料、その製造方法およびそれを用いた発光装置 |
| CN101171205A (zh) * | 2005-05-11 | 2008-04-30 | 日本电气硝子株式会社 | 荧光体复合玻璃、荧光体复合玻璃生片和荧光体复合玻璃的制造方法 |
-
2013
- 2013-04-09 CN CN201310121138.2A patent/CN104099092A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0847964A1 (en) * | 1996-12-12 | 1998-06-17 | Sumita Optical Glass, Inc. | An oxide fluorescent glass capable of exhibiting visible fluorescence |
| CN101171205A (zh) * | 2005-05-11 | 2008-04-30 | 日本电气硝子株式会社 | 荧光体复合玻璃、荧光体复合玻璃生片和荧光体复合玻璃的制造方法 |
| KR20070080088A (ko) * | 2006-02-06 | 2007-08-09 | 베이징 후아롱 슈퍼그로우 테크놀로지 디벨롭먼트 주식회사 | 합성 야광옥 및 그 제조방법 |
| JP2008013674A (ja) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | Stanley Electric Co Ltd | 波長変換材料、その製造方法およびそれを用いた発光装置 |
| CN101074372A (zh) * | 2007-06-22 | 2007-11-21 | 济南朗星科技有限公司 | 一种硅酸盐长余辉发光材料及其制备方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| L. NAGLI ET AL.，: ""The luminescence properties of Dy-doped high silicate glass"", 《JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS》 * |
| 倪亚茹等，: ""高掺杂氧化镝的BSA玻璃的制备稳定性研究"", 《材料科学与工艺》 * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104212447A (zh) | 铥掺杂双碱土铝硅酸盐上转换发光材料、制备方法及其应用 | |
| CN104099091A (zh) | 钕镱共掺杂碱土氟化物盐玻璃上转换发光材料、制备方法及其应用 | |
| CN104059650A (zh) | 铥掺杂碱铋氟硼酸盐玻璃上转换发光材料、制备方法及其应用 | |
| CN103965908A (zh) | 镝掺杂磷碲酸盐玻璃上转换发光材料、制备方法及其应用 | |
| CN103805181A (zh) | 镝掺杂氟硅玻璃上转换发光材料、制备方法及其应用 | |
| CN104178166A (zh) | 镨掺杂硫代镓酸镧上转换发光材料、制备方法及其应用 | |
| CN103965896A (zh) | 镨钬共掺杂锆铝氧化物玻璃上转换发光材料、制备方法及其应用 | |
| CN103059858A (zh) | 硅酸钇上转换发光的荧光粉及其制备方法和应用 | |
| CN104650882A (zh) | 铽镱共掺杂碱镓钨酸盐上转换发光材料、制备方法及其应用 | |
| CN103965909A (zh) | 镝掺杂亚碲酸盐玻璃上转换发光材料、制备方法及其应用 | |
| CN104099090A (zh) | 镝掺杂碱氟硅酸玻璃上转换发光材料、制备方法及其应用 | |
| CN104449737A (zh) | 钬镱共掺杂银硒盐上转换发光材料、制备方法及其应用 | |
| CN103965899A (zh) | 钕掺杂氟氧锗酸盐玻璃上转换发光材料、制备方法及其应用 | |
| CN104099092A (zh) | 镝掺杂碱氟硼硅玻璃上转换发光材料、制备方法及其应用 | |
| CN104449681A (zh) | 钕镱共掺杂碱土硫化物上转换发光材料、制备方法及其应用 | |
| CN104212444A (zh) | 钕掺杂氟化双碱土盐上转换发光材料、制备方法及其应用 | |
| CN104650910A (zh) | 镨掺杂磷酸铈玻璃上转换发光材料、制备方法及其应用 | |
| CN106118647A (zh) | 一种钕掺杂氯锗酸盐上转换发光材料、制备方法及其应用 | |
| CN103805191A (zh) | 镝掺杂镓铋酸盐玻璃上转换发光材料、制备方法及其应用 | |
| CN103965895A (zh) | 镝掺杂硼硅玻璃上转换发光材料、制备方法及其应用 | |
| CN104212453A (zh) | 镨掺杂硅酸氧钇上转换发光材料、制备方法及其应用 | |
| CN104650866A (zh) | 铥掺杂硫化锗氯碱盐玻璃上转换发光材料、制备方法及其应用 | |
| CN104059649A (zh) | 铥掺杂铅锗钨氟氧玻璃上转换发光材料、制备方法及其应用 | |
| CN103805190A (zh) | 镨掺杂氟磷酸盐玻璃上转换发光材料、制备方法及其应用 | |
| CN104059645A (zh) | 钬掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料、制备方法及其应用 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20141015 |