CN104091883A - 一种基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器 - Google Patents
一种基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104091883A CN104091883A CN201410334718.4A CN201410334718A CN104091883A CN 104091883 A CN104091883 A CN 104091883A CN 201410334718 A CN201410334718 A CN 201410334718A CN 104091883 A CN104091883 A CN 104091883A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- superconducting nano
- wire
- photon detector
- detector based
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 title claims abstract description 88
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 35
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 49
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000029918 bioluminescence Effects 0.000 description 1
- 238000005415 bioluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
本发明提供一种基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器，包括：衬底；全介质多层薄膜反射镜，结合于所述衬底表面；超导纳米线，结合于所述全介质多层薄膜反射镜表面。所述衬底包括硅衬底、MgO衬底或蓝宝石衬底，所述全介质多层薄膜反射镜包括交替层叠的SiO2层与SiO层、交替层叠的SiO2层与Si层、交替层叠的SiO2层与TiO2层、或者交替层叠的SiO2层与Ta2O5层，所述超导纳米线的材料包括NbN、Nb、TaN、NbTiN或WSi。本发明的基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器具有高吸收效率、在较高吸收效率区对纳米线尺寸具有较大容忍度、且能避免了衬底Fabry-Perot腔对吸收效率的影响。
Description
技术领域
本发明属于光探测技术领域，涉及一种超导纳米线单光子探测器，特别是涉及一种基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器。
背景技术
超导纳米线单光子探测器件(Superconducting Nanowire Single Photon Detector，SNSPD)是一种重要的光探测器，可以实现从可见光到红外波段的单光子探测。
SNSPD工作时置于低温环境中(<4K)，器件处于超导态，并加以一定的偏置电流Ib，Ib略小于器件临界电流Ic。当单个光子入射到器件中的纳米线条上时，会拆散库珀对，形成大量的热电子，从而形成局域热点，热点在偏置电流Ib的作用下由于焦耳热进行扩散，最终使得纳米线条局部失超形成有阻区。之后热电子能量通过电声子相互作用传递并弛豫，再重新配对成超导态的库珀对。由于超导材料的热弛豫时间很短，因此当SNSPD接收到单个光子后，就会在器件两端产生一个快速的电脉冲信号，从而实现单光子的探测功能。
可见，超导纳米线单光子探测技术是近红外波段综合性能最好的单光子探测技术，在量子通信、深空通信、激光雷达、光纤传感以及生物荧光光谱等领域具有重要的应用前景。
超导纳米线单光子探测器件SNSPD主要采用低温超导超薄薄膜材料，比如NbN、Nb、TaN、NbTiN、WSi等，其典型厚度约为5-10nm，器件通常采用100nm左右宽度的曲折蜿蜒的纳米线结构。
现有的一种正面入射结构的超导纳米线单光子探测器件结构如图1所示，其包括衬底20，结合于衬底20表面的二氧化硅层40以及结合于所述二氧化硅层40表面的超导纳米线60，这种结构的结构简单，但具有较低的光吸收效率，而且衬底的法布里-珀罗(Fabry-Perot)腔会对吸收效率有一定影响。
现有的一种背面入射结构的超导纳米线单光子探测器件结构如图2所示，其包括上下表面均具有抗反射层的衬底20～40、光学腔体结构50、超导纳米线60、以及反射镜70等。这种结构具有较高的吸收效率，但仍然要面对器件到背面的耦合损耗，需要解决背面光到NbN纳米线的聚焦问题，而且，衬底Fabry-Perot腔会对吸收效率有一定影响。
因此，提供一种具有高吸收效率、较高吸收效率区对纳米线尺寸具有较大容忍度、且能避免了衬底Fabry-Perot腔对吸收效率的影响的超导纳米线单光子探测器实属必要。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器，用于解决现有技术中超导纳米线单光子探测器吸收效率低、较高吸收效率区对纳米线尺寸容忍度较低、且衬底Fabry-Perot腔对吸收效率的影响等问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器，包括：
衬底；
全介质多层薄膜反射镜，结合于所述衬底表面；
超导纳米线，结合于所述全介质多层薄膜反射镜表面。
作为本发明的基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器的一种优选方案，所述全介质多层薄膜反射镜包括交替层叠的SiO2层与SiO层、交替层叠的SiO2层与Si层、交替层叠的SiO2层与TiO2层、或者交替层叠的SiO2层与Ta2O5层。
作为本发明的基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器的一种优选方案，所述超导纳米线的材料包括NbN、Nb、TaN、NbTiN或WSi。
作为本发明的基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器的一种优选方案，所述超导纳米线为曲折蜿蜒形状。
作为本发明的基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器的一种优选方案，所述超导纳米线的宽度为50～150纳米。
作为本发明的基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器的一种优选方案，所述超导纳米线的厚度为5～10纳米。
作为本发明的基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器的一种优选方案，所述衬底包括硅衬底、MgO衬底或蓝宝石衬底。
作为本发明的基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器的一种优选方案，所述衬底的厚度为300～500微米。
如上所述，本发明提供一种基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器，包括：衬底；全介质多层薄膜反射镜，结合于所述衬底表面；超导纳米线，结合于所述全介质多层薄膜反射镜表面。所述衬底包括硅衬底、MgO衬底或蓝宝石衬底，所述全介质多层薄膜反射镜包括交替层叠的SiO2层与SiO层、交替层叠的SiO2层与Si层、交替层叠的SiO2层与TiO2层、或者交替层叠的SiO2层与Ta2O5层，所述超导纳米线的材料包括NbN、Nb、TaN、NbTiN或WSi。本发明的基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器具有高吸收效率、在较高吸收效率区对纳米线尺寸具有较大容忍度、且能避免了衬底Fabry-Perot腔对吸收效率的影响。
附图说明
图1显示为现有技术中的一种正面入射结构的超导纳米线单光子探测器件结构的结构示意图。
图2显示为现有技术中的一种背面入射结构的超导纳米线单光子探测器件结构的结构示意图。
图3～图6显示为本发明的基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器的结构示意图。
图7显示为本发明中介质薄膜反射镜的反射率以及基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器件吸收效率随波长的变化关系图。
元件标号说明
10 衬底
20 全介质多层薄膜反射镜
201 SiO2层
202 SiO层
203 TiO2层
204 Ta2O5层
205 Si层
30 超导纳米线
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图3～图6。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
实施例1
如图3所示，本实施例提供一种基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器，包括：
衬底10；
全介质多层薄膜反射镜20，结合于所述衬底10表面；
超导纳米线30，结合于所述全介质多层薄膜反射镜20表面。
作为实例，本实施例的基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器为正面入射结构的超导纳米线30单光子探测器。
作为示例，所述衬底10包括硅衬底、MgO衬底或蓝宝石衬底，所述衬底10的厚度为300～500微米。在本实施例中，所述衬底10为硅衬底10，其厚度为400微米。当然，其他种类的衬底10或厚度也可能适用于本发明，因此，并不限定于此处所列举的几种示例。
作为示例，如图3所示，本实施例中的所述全介质多层薄膜反射镜20为交替层叠的SiO2层201与SiO层202，且最上层(即与超导纳米线30接触的层)为SiO2层201。本实施例使用的全介质多层薄膜受益于成熟的光学薄膜技术，非常容易实现，工艺成本较低，使用全介质材料作为反射镜，避免金属材料对光的吸收损耗，尤其是避免了金属材料对红外波段光的损耗，而且，与衬底10表面采用反射镜结构，可以避免了衬底10Fabry-Perot腔会对吸收效率的影响。
作为示例，所述超导纳米线30为曲折蜿蜒形状，所述超导纳米线30的材料包括NbN、Nb、TaN、NbTiN或WSi。所述超导纳米线30的宽度为50纳米～150纳米，所述超导纳米线30的厚度为5纳米～10纳米。
在本实施例中，所述超导纳米线30的材料为NbN，其宽度为100纳米，厚度为7纳米，周期为200纳米，并且，所述超导纳米线30呈曲折蜿蜒结构。当然，在其它的实施例中，所述超导纳米线30的材料、尺寸和形状均可依据实际需求进行改变，并不限于此处所列举的情况。
实施例2
如图4所示，本实施例提供一种基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器，其基本结构如实施例1，其中，所述全介质多层薄膜反射镜20为交替层叠的SiO2层201与TiO2层203，且最上层(即与超导纳米线30接触的层)为SiO2层201。本实施例使用的全介质多层薄膜受益于成熟的光学薄膜技术，非常容易实现，工艺成本较低，使用全介质材料作为反射镜，避免金属材料对光的吸收损耗，尤其是避免了金属材料对红外波段光的损耗，而且，与衬底10表面采用反射镜结构，可以避免了衬底10Fabry-Perot腔会对吸收效率的影响。
如图7中，给出了本实例中介质薄膜反射镜的反射率(reflectivity)以及基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器件吸收效率(absorptance)随波长的变化关系图。可以看出在1550nm，有较高的吸收效率(大于99％)。
实施例3
如图5所示，本实施例提供一种基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器，其基本结构如实施例1，其中，所述全介质多层薄膜反射镜20为交替层叠的SiO2层201与Ta2O5层204，且最上层(即与超导纳米线30接触的层)为SiO2层201。本实施例使用的全介质多层薄膜受益于成熟的光学薄膜技术，非常容易实现，工艺成本较低，使用全介质材料作为反射镜，避免金属材料对光的吸收损耗，尤其是避免了金属材料对红外波段光的损耗，而且，与衬底10表面采用反射镜结构，可以避免了衬底10Fabry-Perot腔会对吸收效率的影响。
实施例4
如图6所示，本实施例提供一种基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器，其基本结构如实施例1，其中，所述全介质多层薄膜反射镜20为交替层叠的SiO2层201与Si层205，且最上层(即与超导纳米线30接触的层)为SiO2层201。本实施例使用的全介质多层薄膜受益于成熟的光学薄膜技术，非常容易实现，工艺成本较低，使用全介质材料作为反射镜，避免金属材料对光的吸收损耗，尤其是避免了金属材料对红外波段光的损耗，而且，与衬底10表面采用反射镜结构，可以避免了衬底10Fabry-Perot腔会对吸收效率的影响。
本发明具有以下有益效果：
第一，本发明的基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器具有较高的吸收效率，对于波长为1550nm附近的光波，吸收效率可高达99％以上。
第二，本发明的基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器在较高吸收效率区对纳米线尺寸具有较大容忍度，本发明在1550nm光波附近的200nm区域内都具有非常高的吸收效率，该区域内的吸收效率均达到90％以上。
第三、本发明的基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器可避免了衬底Fabry-Perot腔会对吸收效率的影响。
如上所述，本发明提供一种基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器，包括：衬底10；全介质多层薄膜反射镜20，结合于所述衬底10表面；超导纳米线30，结合于所述全介质多层薄膜反射镜20表面。所述衬底10包括硅衬底10、MgO衬底10或蓝宝石衬底10，所述全介质多层薄膜反射镜20包括交替层叠的SiO2层与SiO层、交替层叠的SiO2层与TiO2层、或者交替层叠的SiO2层与Ta2O5，所述超导纳米线30的材料包括NbN、Nb、TaN、NbTiN或WSi。本发明的基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器具有高吸收效率、在较高吸收效率区对纳米线尺寸具有较大容忍度、且能避免了衬底10Fabry-Perot腔对吸收效率的影响。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (8)
1.一种基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器，其特征在于，包括：
衬底；
全介质多层薄膜反射镜，结合于所述衬底表面；
超导纳米线，结合于所述全介质多层薄膜反射镜表面。
2.根据权利要求1所述的基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：所述全介质多层薄膜反射镜包括交替层叠的SiO2层与SiO层、交替层叠的SiO2层与Si层、交替层叠的SiO2层与TiO2层、或者交替层叠的SiO2层与Ta2O5层。
3.根据权利要求1所述的基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：所述超导纳米线的材料包括NbN、Nb、TaN、NbTiN或WSi。
4.根据权利要求1所述的基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：所述超导纳米线为曲折蜿蜒形状。
5.根据权利要求1所述的基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：所述超导纳米线的宽度为50～150纳米。
6.根据权利要求1所述的基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：所述超导纳米线的厚度为5～10纳米。
7.根据权利要求1所述的基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：所述衬底包括硅衬底、MgO衬底或蓝宝石衬底。
8.根据权利要求1所述的基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：所述衬底的厚度为300～500微米。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410334718.4A CN104091883A (zh) | 2014-07-15 | 2014-07-15 | 一种基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410334718.4A CN104091883A (zh) | 2014-07-15 | 2014-07-15 | 一种基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104091883A true CN104091883A (zh) | 2014-10-08 |
Family
ID=51639581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410334718.4A Pending CN104091883A (zh) | 2014-07-15 | 2014-07-15 | 一种基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104091883A (zh) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106549097A (zh) * | 2015-09-17 | 2017-03-29 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 抑制偏振敏感度的超导纳米线单光子探测器 |
| CN106549098A (zh) * | 2015-09-17 | 2017-03-29 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 窄带吸收超导纳米线单光子探测器 |
| CN107507884A (zh) * | 2017-08-10 | 2017-12-22 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 宽谱超导纳米线单光子探测器件 |
| CN108666409A (zh) * | 2018-05-10 | 2018-10-16 | 东南大学 | 一种提高超导纳米线吸收效率的结构 |
| CN109314174A (zh) * | 2015-12-30 | 2019-02-05 | 谷歌有限责任公司 | 具有用于量子计算设备的高品质界面的层间电介质的构造 |
| CN109659386A (zh) * | 2018-12-06 | 2019-04-19 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 多光谱超导纳米线单光子探测器 |
| WO2019091045A1 (zh) * | 2017-11-10 | 2019-05-16 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种调控超导纳米线的单光子探测器及其制备方法 |
| CN110890434A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-03-17 | 山东大学 | 一种铜氧基高温超导单光子探测器及其制备方法 |
| CN110931573A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-03-27 | 山东大学 | 一种无偏振选择的高效率超导纳米线单光子探测器及其制备方法 |
| CN111947778A (zh) * | 2020-08-19 | 2020-11-17 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 超导纳米线及超导纳米线单光子探测器 |
| CN112781735A (zh) * | 2019-11-08 | 2021-05-11 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 基于高反膜自对准超导纳米线单光子探测器的制备方法 |
| CN113218864A (zh) * | 2021-04-16 | 2021-08-06 | 西北工业大学 | 纳米材料改性金属有机框架薄膜制备方法及其在传感器上的应用 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102829884A (zh) * | 2012-09-10 | 2012-12-19 | 清华大学 | 具有强吸收结构的高速snspd及其制备方法 |
| CN102916083A (zh) * | 2012-10-23 | 2013-02-06 | 南京大学 | 一种基于特殊掺杂的超导铌薄膜材料的纳米线单光子探测器的制备方法 |
| WO2013093905A1 (en) * | 2011-12-23 | 2013-06-27 | Technion Research & Development Foundation Ltd. | Fiber optical superconducting nanowire single photon detector |
| US20140087952A1 (en) * | 2012-04-26 | 2014-03-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Efficient Polarization Independent Single Photon Detector |
| CN103840035A (zh) * | 2014-03-20 | 2014-06-04 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 降低纳米线单光子探测器件非本征暗计数的方法及器件 |
-
2014
- 2014-07-15 CN CN201410334718.4A patent/CN104091883A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013093905A1 (en) * | 2011-12-23 | 2013-06-27 | Technion Research & Development Foundation Ltd. | Fiber optical superconducting nanowire single photon detector |
| US20140087952A1 (en) * | 2012-04-26 | 2014-03-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Efficient Polarization Independent Single Photon Detector |
| CN102829884A (zh) * | 2012-09-10 | 2012-12-19 | 清华大学 | 具有强吸收结构的高速snspd及其制备方法 |
| CN102916083A (zh) * | 2012-10-23 | 2013-02-06 | 南京大学 | 一种基于特殊掺杂的超导铌薄膜材料的纳米线单光子探测器的制备方法 |
| CN103840035A (zh) * | 2014-03-20 | 2014-06-04 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 降低纳米线单光子探测器件非本征暗计数的方法及器件 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ESTEBAN BERMÚDEZ UREñA: ""Efficiency enhancement in superconducting nanowire single photon detectors"", 《MASTER NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY》 * |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106549098A (zh) * | 2015-09-17 | 2017-03-29 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 窄带吸收超导纳米线单光子探测器 |
| CN106549097B (zh) * | 2015-09-17 | 2019-05-10 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 抑制偏振敏感度的超导纳米线单光子探测器 |
| CN106549098B (zh) * | 2015-09-17 | 2019-12-31 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 窄带吸收超导纳米线单光子探测器 |
| CN106549097A (zh) * | 2015-09-17 | 2017-03-29 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 抑制偏振敏感度的超导纳米线单光子探测器 |
| US10770638B2 (en) | 2015-12-30 | 2020-09-08 | Google Llc | Fabrication of interlayer dielectrics with high quality interfaces for quantum computing devices |
| CN109314174A (zh) * | 2015-12-30 | 2019-02-05 | 谷歌有限责任公司 | 具有用于量子计算设备的高品质界面的层间电介质的构造 |
| CN109314174B (zh) * | 2015-12-30 | 2020-05-15 | 谷歌有限责任公司 | 具有用于量子计算设备的高品质界面的层间电介质的构造 |
| CN107507884A (zh) * | 2017-08-10 | 2017-12-22 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 宽谱超导纳米线单光子探测器件 |
| WO2019091045A1 (zh) * | 2017-11-10 | 2019-05-16 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种调控超导纳米线的单光子探测器及其制备方法 |
| US11380834B2 (en) | 2017-11-10 | 2022-07-05 | Shanghai Institute Of Microsystems And Information Technology, Chinese Academy Of Sciences | Method related to tuning the performance of superconducting nanowire single photon detector via ion implantation |
| CN108666409A (zh) * | 2018-05-10 | 2018-10-16 | 东南大学 | 一种提高超导纳米线吸收效率的结构 |
| CN109659386A (zh) * | 2018-12-06 | 2019-04-19 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 多光谱超导纳米线单光子探测器 |
| CN110931573A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-03-27 | 山东大学 | 一种无偏振选择的高效率超导纳米线单光子探测器及其制备方法 |
| CN110890434B (zh) * | 2019-10-31 | 2021-05-25 | 山东大学 | 一种铜氧基高温超导单光子探测器及其制备方法 |
| CN110890434A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-03-17 | 山东大学 | 一种铜氧基高温超导单光子探测器及其制备方法 |
| CN112781735A (zh) * | 2019-11-08 | 2021-05-11 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 基于高反膜自对准超导纳米线单光子探测器的制备方法 |
| CN112781735B (zh) * | 2019-11-08 | 2022-05-17 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 基于高反膜自对准超导纳米线单光子探测器的制备方法 |
| CN111947778A (zh) * | 2020-08-19 | 2020-11-17 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 超导纳米线及超导纳米线单光子探测器 |
| CN111947778B (zh) * | 2020-08-19 | 2021-06-18 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 超导纳米线及超导纳米线单光子探测器 |
| CN113218864A (zh) * | 2021-04-16 | 2021-08-06 | 西北工业大学 | 纳米材料改性金属有机框架薄膜制备方法及其在传感器上的应用 |
| CN113218864B (zh) * | 2021-04-16 | 2024-01-19 | 西北工业大学 | 纳米材料改性金属有机框架薄膜制备方法及其在传感器上的应用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104091883A (zh) | 一种基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器 | |
| CN103840035B (zh) | 降低纳米线单光子探测器件非本征暗计数的方法及器件 | |
| CN104091884A (zh) | 一种基于超导纳米线的高偏振比单光子探测器 | |
| Esmaeil Zadeh et al. | Single-photon detectors combining high efficiency, high detection rates, and ultra-high timing resolution | |
| CN106558632B (zh) | 高偏振消光比超导纳米线单光子探测器 | |
| Yamashita et al. | Low-filling-factor superconducting single photon detector with high system detection efficiency | |
| CN107507883B (zh) | 晶须单光子探测器件 | |
| Li et al. | Large-sensitive-area superconducting nanowire single-photon detector at 850 nm with high detection efficiency | |
| CN107507884B (zh) | 宽谱超导纳米线单光子探测器件 | |
| CN106549098B (zh) | 窄带吸收超导纳米线单光子探测器 | |
| CN107507911B (zh) | 超导纳米线单光子探测器 | |
| Wang et al. | Emerging Single‐Photon Detectors Based on Low‐Dimensional Materials | |
| CN106129141B (zh) | 微纳光纤表面制备的超导纳米线单光子探测器 | |
| JP2008071908A (ja) | 超伝導光検出素子 | |
| CN106549097B (zh) | 抑制偏振敏感度的超导纳米线单光子探测器 | |
| CN104064631B (zh) | 降低超导纳米线单光子探测器件非本征暗计数的方法及器件 | |
| Li et al. | Color camouflage, solar absorption, and infrared camouflage based on phase-change material in the visible-infrared band | |
| CN104834026A (zh) | 一种宽波段光透明的连续金属膜结构及其实现方法 | |
| CN108666388A (zh) | 集成光学薄膜滤波器的超导纳米线单光子探测器 | |
| CN104835905A (zh) | 偏振非敏感且高效率的超导纳米线单光子探测器 | |
| Hou et al. | Ultra-broadband microfiber-coupled superconducting single-photon detector | |
| CN108365049A (zh) | 大光敏面超导纳米线单光子探测器 | |
| CN105355774A (zh) | 高偏振消光比且高效率的超导纳米线单光子探测器 | |
| Ali et al. | Omnidirectional high reflectors using silica/superconductor fibonacci photonic crystal for optical communication applications | |
| CN204632809U (zh) | 偏振非敏感且高效率的超导纳米线单光子探测器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20141008 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |