CN104076853A - 一种恒流源电路 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种恒流源电路，包括电压基准发生器和恒流源发生器，其中电压基准发生器产生6V的电压基准，并输出给恒流源发生器；恒流源发生器利用电压基准产生高稳定、高精度恒流源。本发明的恒流源电路简单，不需要温度补偿，且具有电源抑制比高(可达到10^-8-10^-10)、精度高(±1ppm)、温度稳定性好(不大于±5ppm)、安全性高、负载可调等特点。

Description

一种恒流源电路

技术领域

本发明涉及一种恒流源电路，属于恒流源设计领域。

背景技术

恒流源广泛应用于激光器泵浦电路、火工品检测、I/F(电流/频率)频率转换等各种场合。目前由高精度激光陀螺仪、石英加速度计组成的惯性测量组合已大量的在运载火箭、导弹中使用，而恒流源的精度则直接决定了激光陀螺仪和石英加速度计(I/F转换)的精度，即从根本上决定了惯性测量组合的精度，从而直接影响着运载火箭、导弹武器的命中精度。而与此同时运载火箭、导弹中大量使用的火工品的在线监测则需要高安全性的恒流源，需要恒流源发生二度甚至三度故障后仍能保证其输出电流低于火工品安全检测电流，从而保证被检火工品的安全。

在目前诸多接地负载恒流源的实现方式中，较为理想的恒流源实现方式主要采用基准二极管、运算放大器和增流三极管或者场效应管三种主要器件实现。其原理框图如图1所示。

该实现方法的主要缺点如下：1、电压基准的产生采用串联电压基准二极管串联电阻R1的方式得到，众所周知：串联型电压基准二极管输出的电压基准与其工作电流紧密相关，当输入电压变化时(在实际应用中，电压的变化不可避免)，显然其工作电流将相应的增大或减少，因此其电压输出基准将随电压变化而发生波动，从而直接影响了输出恒流源的精度。2、利用三极管Q1、Q2组成的达林顿管进行增流，以达到高输出电流的目的。采用此结构虽然有效的减少了对恒流源的影响，但仍有部分电流通过三极管Q2的基极流入运算放大器，这进一步影响了恒流源的精度，特别是因温度变化导致三极管放大倍数下降时，该电流的影响将急剧加大。3、该恒流源难以适应低压火工品的测试需求。由于火工品测试对于恒流源的大小有严格的要求，因此需要恒流源具有极高的安全性，即要求至少在二度故障时仍能保证输出电流不超过火工品的极限测试电流，显然上述恒流源电路难以满足要求。例如如果运算放大器失效导致反相输入端与电源短接，则电源会通过三极管直接加到被测火工品电阻上，由于火工品电阻一般为1～2Ω左右，其测试时的极限电流一般不超过150mA，而此时电流却可以达到几安培(运算放大器采用5V供电)或十几安培(运算放大器采用15V供电)。

发明内容

本发明所解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种恒流源电路，具有高输出精度和高安全性。

本发明的技术方案是：一种恒流源电路，包括电压基准发生器和恒流源发生器，其中电压基准发生器产生6V的电压基准，并输出给恒流源发生器；恒流源发生器在6V电压基准的作用下产生高稳定、高精度的恒流源；

所述电压基准发生器包括电压基准二极管D1、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电容C1、运算放大器U2、三极管Q2、以及三极管Q3；

电压基准二极管D1的阴极分别接正端输入电压VCC和电阻R10，电阻R10的另一端与运算放大器U2的反相输入端相连，电压基准二极管D1的阳极与运算放大器U2的同相输入端相连；运算放大器U2的输出端分别连接三极管Q2的基极和电容C1，电容C1通过电阻R13接负端输入电压VEE或接地，三极管Q3的基极与三极管Q2的发射极相连，三极管Q3的集电极与三极管Q2的集电极相连接后通过电阻R13接负端输入电压VEE或接地；三极管Q3的发射端一方面通过电阻R11与运算放大器U2的反相输入端相连，另一方面通过电阻R12与运算放大器U2的同相输入端相连；

所述恒流源发生器包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、运算放大器U1、场效应管J1、以及三极管Q1；电阻R1一端接三极管Q1的集电极，另一端与电阻R2的一端相连后可通过负载接地或接负端输入电压VEE，电阻R2的另一端分别连接三极管Q1的基极和场效应管J1的源极，三极管Q1的发射极和场效应管J1的漏极相连后一方面通过电阻R4与运算放大器U1的反相输入端相连；另一方面分别与电阻R6和电阻R7组成的串联网络、电阻R8和电阻R9组成的串联网络与电压基准发生器中电压基准二极管D1的阴极相连；运算放大器U1的输出端通过电阻R3与场效应管J1的栅极连接；电阻R5一端接运算放大器同相输入端，另一端与电压基准发生器中电压基准二极管D1的阳极相连；

恒定电流由电阻R1和电阻R2相连接处流出，用以连接负载。

所述场效应管J1为N沟道结型场效应管或N沟道增强型MOS场效应管，三极管Q1为PNP型三极管。

所述恒流源发生器中电阻R1和电阻R2满足：

当场效应管J1为N沟道结型场效应管时，恒流源发生器中电阻R1和电阻R2满足：

$R1<\frac{\mathrm{VCC}-V_{\mathrm{REF}}-V_{\mathrm{BE}}-{\mathrm{RL}}_{\max }\&times;I_{\mathrm{RL}}}{\mathrm{\&beta;}\&times;I_B}$

$\frac{\mathrm{VCC}-V_{\mathrm{REF}}-V_{\mathrm{BE}}}{(I_{\mathrm{DSS}}+\frac{I_{\mathrm{RL}}-I_{\mathrm{DSS}}}{\mathrm{\&beta;}})}<R2<\frac{\mathrm{VCC}-V_{\mathrm{REF}}-V_{\mathrm{BE}}-{\mathrm{RL}}_{\max }\&times;I_{\mathrm{RL}}}{I_{\mathrm{RL}}}\&times;(\mathrm{\&beta;}+1)$

当场效应管J1为N沟道增强型MOS场效应管，恒流源发生器中电阻R1和电阻R2满足：

$R1<\frac{\mathrm{VCC}-V_{\mathrm{REF}}-V_{\mathrm{BE}}-{\mathrm{RL}}_{\max }\&times;I_{\mathrm{RL}}}{\mathrm{\&beta;}\&times;I_B}$

$\frac{\mathrm{VCC}-V_{\mathrm{REF}}-V_{\mathrm{BE}}}{I_{\mathrm{RL}}}<R2<\frac{\mathrm{VCC}-V_{\mathrm{REF}}-V_{\mathrm{BE}}-{\mathrm{RL}}_{\max }\&times;I_{\mathrm{RL}}}{I_{\mathrm{RL}}}\&times;(\mathrm{\&beta;}+1)$

所述恒流源发生器中电阻R3、电阻R4和电阻R5的阻值均为1KΩ～2KΩ之间；

所述恒流源发生器中电阻R6、电阻R7、电阻R8和电阻R9的阻值满足：

$I_{\mathrm{RL}}=\frac{V_{\mathrm{REF}}(R6+R7+R8+R9)}{(R6+R7)\&times;(R8+R9)}$

所述电压基准发生器中电阻R10、电阻R11和电阻R12的阻值满足：

$\mathrm{VCC}-\frac{(R10+R11)V_{\mathrm{REF}}}{R10}=V_{E3}$

$I_{D1}=\frac{R11\&times;V_{\mathrm{REF}}}{R10\&times;R12}$

$V_{E3}=\frac{\mathrm{VCC}+\mathrm{Vee}}{2}$

2KΩ≤R10≤20KΩ

其中，V_REF为电压基准二极管基准电压，VCC为电压基准二极管输入电压，RL_max为最大负载电阻，即恒流源所需驱动的负载电阻最大值；I_RL为恒流源发生器的输出电流；I_B为三极管Q1基极电流；β为三极管Q1的电流放大倍数；I_DSS为场效应管饱和漏极电流；V_BE为三极管Q1发射极到基极的结压降；V_E3为三极管Q3的发射级相对地电平电位，I_D1为电压基准二极管D1的工作电流；当电压基准发生器的电阻R13接负端输入电压VEE时，Vee＝VEE＝-VCC；当电压基准发生器的电阻R13接地时，Vee＝0。

所述恒流源发生器中电阻R6、电阻R7、电阻R8和电阻R9采用金属膜电阻或者合金箔电阻。

所述运算放大器U1采用双电源放大器或单电源放大器，运算放大器U2采用双电源放大器或单电源放大器。

本发明与现有技术相比的技术效果是：

(1)本发明通过选用特定电压的基准二极管，提高了恒流源精度，同时也极大的降低了环境温度对恒流源精度的影响；

(2)本发明根据电压基准二极管特点设置最优击穿电流，并通过电压基准发生器的负反馈作用，使该电流稳定在电压基准二极管的最优击穿电流值上，而不受输入电压的影响，从而得到极高电源抑制比(可达到10^-8-10^-10)，并且降低了环境温度对恒流源精度的影响；

(3)本发明通过对三极管Q1与场效应管J1成对匹配使用，避免了因电路中有源器件因环境温度等因素导致参数漂移对恒流源输出精度造成的影响。

(4)本发明通过对电阻R1、电阻R2的调节可对恒流源的带负载能力进行调节，增加了火工品电阻测试等特殊应用场合的安全性。

(5)本发明通过特殊的电路拓扑形式(采样电阻R6～R9采用串并联模式；在运算放大器输入、输出端串接电阻)使该恒流源具有极高的安全性，在火工品在线检测的应用中，在二度故障模式下，仍能保证输出电流在火工品安全检测电流范围内，从而确保火工品安全。

附图说明

图1为传统恒流源电路原理图；

图2为本发明恒流源电路组成框图；

图3为本发明恒流源电路原理图；

图4为本发明恒流源电路三度故障示意图。

具体实施方式

本发明提出的一种恒流源电路组成框图如图2所示，包括电压基准发生器和恒流源发生器，其中电压基准发生器产生6V的高稳定性电压基准，并输出给恒流源发生器；恒流源发生器利用高稳定的电压基准产生高稳定、高精度的恒流源。

如图3所示，电压基准发生器主要由电压基准二极管D1、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电容C1、运算放大器U2、三极管Q2以及三极管Q3组成。其连接关系为：电压基准二极管D1阴极(即电压基准发生器输出正端)接电源VCC和电阻R10，R10的另一端与运算放大器U2的反相输入端相连；电阻R11一端与运算放大器U2的反相输入端相连，另一端与三极管Q3的发射端相连，电阻R12的一端与U2的同相输入端相连，另一端与三极管Q3的发射端相连，三极管Q3的基极接三极管Q2的发射极，Q2的基极接U2的输出端，Q3的集电极与Q2的集电极相连后通过电阻R13接地，电容C1一端与U2的输出端连接，另一端通过电阻R13接地；电压基准二极管D1的阳极与U2的同相输入端相连，电压基准二极管D1的阴、阳极两端电压即为电压基准发生器输出的高精度基准电压。

本发明电压基准二极管D1选择电压为6V的电压基准二极管(如国营873厂的2DW232)，这种二极管具有噪声小、温度系数低(5ppm/℃)、长期稳定性高(可达到2ppm/100小时)等特点，其最佳工作电流为5mA。

恒流源发生器包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、运算放大器U1、场效应管J1、以及三极管Q1。其连接关系如下：R1一端接Q1的集电极，另一端与R2一端相连后可通过负载接地或接负端输入电压VEE，R2的另一端接Q1的基极及场效应管J1的源极；Q1的发射极和J1的漏极相连后一方面通过R4的另一端与U1的反相输入端相连，另一方面分别与R6和R8连接，R6与R7串联后与电压基准发生器的输出正端(电压基准二极管D1的阴极)相连，R8与R9串联后与电压基准发生器的输出正端(电压基准发生器中的电压基准二极管D1的阴极)相连。其中R6与R7串联后形成的串联网络与R8与R9串联后形成的串联网络并联连接，形成并联电阻阵列。J1的栅极通过R3与U1的输出端相连；R5一端与U1同相输入端相连，另一端与电压基准发生器的输出负端(电压基准发生器中的电压基准二极管D1的阳极)相连。恒定电流由电阻R1和电阻R2短接处流出，用以接负载一端。

本发明电压基准发生器为高稳定电压基准发生器，其工作原理为：R10作为输入电阻，产生恒定电流：R11作为反馈电阻，构成运算放大器的反馈通道，在该反馈电阻上形成恒定电压V_R11＝I_R10×R11，R12并接于该电压两端，且与电压基准二极管串联，以此达到稳定电压基准二极管工作电流的目的，可以得出R12上的电流此电流即为电压基准二极管的工作电流，调整R10～R12的阻值，可以得到基准二极管最优工作电流，从而得到高精度电压基准。

R10～R12的阻值满足以下公式：

$\mathrm{VCC}-\frac{(R10+R11)V_{\mathrm{REF}}}{R10}=V_{E3}---\left(1\right)$

$I_{D1}=\frac{R11\&times;V_{\mathrm{REF}}}{R10\&times;R12}---\left(2\right)$

其中，V_REF为电压基准二极管基准电压，VCC为电压基准二极管输入电压，V_E3为三极管Q3的发射级相对地电平电位，I_D1为电压基准二极管D1的工作电流。本发明中VCC＝15V、V_REF＝6V、I_D1＝5mA，本发明要求要求R10在2KΩ～20KΩ之间进行取值，如R10取值为10KΩ，同时在本实施例中电压基准发生器的电阻R13接地，则Vee＝0。则根据式子(1)计算的R11＝2.5KΩ，再根据式子(2)可求出R12＝300Ω。

结合上述式子可以得到，该电压基准二极管工作电流的温度稳定性如前所述R10取10kΩ，R11取2.5kΩ，R12取300Ω，则由于所选电压基准二极管的温度稳定性为5ppm(25℃～75℃)，因此电压基准二极管工作电流的温度稳定性可达到0.83×10^-3×5×10^-6＝4.15×10^-9，且与输入电压无关。其中dI_D1为电压基准二极管工作电流变化率，dV_REF为电压基准二极管基准电压变化率。

本发明恒流源发生器为高精密恒流源发生器，其中，场效应管J1为N沟道结型场效应管或N沟道增强型MOS场效应管。三极管Q1为PNP型三极管。运算放大器U1和运算放大器U2均为高输入阻抗、低偏置电流型运算放大器。U1采用双电源放大器或单电源放大器，U2采用双电源放大器或单电源放大器。

高精密恒流源发生器工作原理为：采用电压基准发生器产生的基准电压作为输入，利用高精度、低温度系数电阻R6～R9组成电流采样电阻阵列，从而将基准电压转化为所需电流。R6～R9组成电流采样电阻阵列一端通过电阻R4接到运算放大器U1反相输入端，一端接电压基准二极管的阴极，而基准二极管的阳极通过R5接运算放大器U1，当U1正常工作时，其反相输入端和同相输入端虚短，即相当于R6～R9组成电流采样电阻阵列的两端分别接到了电压基准发生器产生的基准电压两端，从而在该电阻阵列上形成了恒定电流：其中(R6+R7)//(R8+R9)表示R6、R7、R8和R9组成的并联电阻阵列的阻值。如果需要得到100mA的恒流源，即R6～R9的阻值单位为KΩ，本发明要求R6～R9取值均相同，于是可得到R6＝R7＝R8＝R9＝0.06KΩ＝60Ω，此四个电阻需要采用温度稳定性高的金属膜电阻或者合金箔电阻。其中，I_RL为恒流源电路输出电流。

该电流全部流经效应管J1的漏极和三极管Q1的集电极并最终经过负载流入VEE或者GND。运算放大器U1反相输入端通过R4、场效应管J1的漏-栅结以及R3接U1的输出端，从而构成负反馈通道，用于稳定输出电流。

当场效应管J1为N沟道结型场效应管时，恒流源发生器中电阻R1和电阻R2满足：

$R1<\frac{\mathrm{VCC}-V_{\mathrm{REF}}-V_{\mathrm{BE}}-{\mathrm{RL}}_{\max }\&times;I_{\mathrm{RL}}}{\mathrm{\&beta;}\&times;I_B}$

$\frac{\mathrm{VCC}-V_{\mathrm{REF}}-V_{\mathrm{BE}}}{(I_{\mathrm{DSS}}+\frac{I_{\mathrm{RL}}-I_{\mathrm{DSS}}}{\mathrm{\&beta;}})}<R2<\frac{\mathrm{VCC}-V_{\mathrm{REF}}-V_{\mathrm{BE}}-{\mathrm{RL}}_{\max }\&times;I_{\mathrm{RL}}}{I_{\mathrm{RL}}}\&times;(\mathrm{\&beta;}+1)$

当场效应管J1为N沟道增强型MOS场效应管，恒流源发生器中电阻R1和电阻R2满足：

$R1<\frac{\mathrm{VCC}-V_{\mathrm{REF}}-V_{\mathrm{BE}}-{\mathrm{RL}}_{\max }\&times;I_{\mathrm{RL}}}{\mathrm{\&beta;}\&times;I_B}$

$\frac{\mathrm{VCC}-V_{\mathrm{REF}}-V_{\mathrm{BE}}}{I_{\mathrm{RL}}}<R2<\frac{\mathrm{VCC}-V_{\mathrm{REF}}-V_{\mathrm{BE}}-{\mathrm{RL}}_{\max }\&times;I_{\mathrm{RL}}}{I_{\mathrm{RL}}}\&times;(\mathrm{\&beta;}+1)$

其中，RL_max为最大负载电阻，即恒流源所需驱动的负载电阻最大值；I_B为三极管Q1基极电流；β为三极管Q1的电流放大倍数；I_DSS为场效应管饱和漏极电流；V_BE为三极管Q1发射极到基极的结压降。

恒流源发生器中电阻R3、电阻R4和电阻R5的阻值均为1KΩ～2KΩ之间。

火工品测试过程中安全保护工作原理为：以钝感火工品测试为例。钝感火工品电阻阻值一般为1～2Ω，要求测试电流为100mA，在恒流源一度故障模式下其输出电流不得超过150mA。本发明中J1采用增强型MOS管。图2中各元器件的参数列表如下：

根据上述参数，可以知道本发明恒流源带负载能力最大为10Ω，因此完全可以检测出故障火工品。根据分析，该恒流源最恶劣的三度故障为：三极管Q1发射极-集电极击穿短路、运算放大器U1输出端与电源+15V短路，场效应管栅-源极短路。如图4中1'、2'、3'所示。

此时流过负载电阻RL上的电流为可见本发明中描述的恒流源即使发生了三度故障，其恒流源的输出仍然可以控制在150mA之内，从而确保火工品测试安全。

本发明的恒流源不需要温度补偿即可达到较高精度，且具有电源抑制比高(可达到10^-8-10^-10)、精度高(±1ppm)、温度稳定性好(不大于±5ppm)、安全性高、负载可调等特点。

本发明未详细描述内容为本领域技术人员公知技术。

Claims (5)

1.一种恒流源电路，其特征在于：包括电压基准发生器和恒流源发生器，其中电压基准发生器产生6V的电压基准，并输出给恒流源发生器；恒流源发生器在6V电压基准的作用下产生高稳定、高精度的恒流源；

所述电压基准发生器包括电压基准二极管D1、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电容C1、运算放大器U2、三极管Q2、以及三极管Q3；

电压基准二极管D1的阴极分别接正端输入电压VCC和电阻R10，电阻R10的另一端与运算放大器U2的反相输入端相连，电压基准二极管D1的阳极与运算放大器U2的同相输入端相连；运算放大器U2的输出端分别连接三极管Q2的基极和电容C1，电容C1通过电阻R13接负端输入电压VEE或接地，三极管Q3的基极与三极管Q2的发射极相连，三极管Q3的集电极与三极管Q2的集电极相连接后通过电阻R13接负端输入电压VEE或接地；三极管Q3的发射端一方面通过电阻R11与运算放大器U2的反相输入端相连，另一方面通过电阻R12与运算放大器U2的同相输入端相连；

所述恒流源发生器包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、运算放大器U1、场效应管J1、以及三极管Q1；电阻R1一端接三极管Q1的集电极，另一端与电阻R2的一端相连后可通过负载接地或接负端输入电压VEE，电阻R2的另一端分别连接三极管Q1的基极和场效应管J1的源极，三极管Q1的发射极和场效应管J1的漏极相连后一方面通过电阻R4与运算放大器U1的反相输入端相连；另一方面分别与电阻R6和电阻R7组成的串联网络、电阻R8和电阻R9组成的串联网络与电压基准发生器中电压基准二极管D1的阴极相连；运算放大器U1的输出端通过电阻R3与场效应管J1的栅极连接；电阻R5一端接运算放大器同相输入端，另一端与电压基准发生器中电压基准二极管D1的阳极相连；

恒定电流由电阻R1和电阻R2相连接处流出，用以连接负载。

2.根据权利要求1所述的一种恒流源电路，其特征在于：所述场效应管J1为N沟道结型场效应管或N沟道增强型MOS场效应管，三极管Q1为PNP型三极管。

3.根据权利要求2所述的一种恒流源电路，其特征在于：

所述恒流源发生器中电阻R1和电阻R2满足：

当场效应管J1为N沟道结型场效应管时，恒流源发生器中电阻R1和电阻R2满足：

$R1<\frac{\mathrm{VCC}-V_{\mathrm{REF}}-V_{\mathrm{BE}}-{\mathrm{RL}}_{\max }\&times;I_{\mathrm{RL}}}{\mathrm{\&beta;}\&times;I_B}$

$\frac{\mathrm{VCC}-V_{\mathrm{REF}}-V_{\mathrm{BE}}}{(I_{\mathrm{DSS}}+\frac{I_{\mathrm{RL}}-I_{\mathrm{DSS}}}{\mathrm{\&beta;}})}<R2<\frac{\mathrm{VCC}-V_{\mathrm{REF}}-V_{\mathrm{BE}}-{\mathrm{RL}}_{\max }\&times;I_{\mathrm{RL}}}{I_{\mathrm{RL}}}\&times;(\mathrm{\&beta;}+1)$

当场效应管J1为N沟道增强型MOS场效应管，恒流源发生器中电阻R1和电阻R2满足：

$R1<\frac{\mathrm{VCC}-V_{\mathrm{REF}}-V_{\mathrm{BE}}-{\mathrm{RL}}_{\max }\&times;I_{\mathrm{RL}}}{\mathrm{\&beta;}\&times;I_B}$

$\frac{\mathrm{VCC}-V_{\mathrm{REF}}-V_{\mathrm{BE}}}{I_{\mathrm{RL}}}<R2<\frac{\mathrm{VCC}-V_{\mathrm{REF}}-V_{\mathrm{BE}}-{\mathrm{RL}}_{\max }\&times;I_{\mathrm{RL}}}{I_{\mathrm{RL}}}\&times;(\mathrm{\&beta;}+1)$

所述恒流源发生器中电阻R3、电阻R4和电阻R5的阻值均为1KΩ～2KΩ之间；

所述恒流源发生器中电阻R6、电阻R7、电阻R8和电阻R9的阻值满足：

$I_{\mathrm{RL}}=\frac{V_{\mathrm{REF}}(R6+R7+R8+R9)}{(R6+R7)\&times;(R8+R9)}$

所述电压基准发生器中电阻R10、电阻R11和电阻R12的阻值满足：

$\mathrm{VCC}-\frac{(R10+R11)V_{\mathrm{REF}}}{R10}=V_{E3}$

$I_{D1}=\frac{R11\&times;V_{\mathrm{REF}}}{R10\&times;R12}$

$V_{E3}=\frac{\mathrm{VCC}+\mathrm{Vee}}{2}$

2KΩ≤R10≤20KΩ

其中，V_REF为电压基准二极管基准电压，VCC为电压基准二极管输入电压，RL_max为最大负载电阻，即恒流源所需驱动的负载电阻最大值；I_RL为恒流源发生器的输出电流；I_B为三极管Q1基极电流；β为三极管Q1的电流放大倍数；I_DSS为场效应管饱和漏极电流；V_BE为三极管Q1发射极到基极的结压降；V_E3为三极管Q3的发射级相对地电平电位，I_D1为电压基准二极管D1的工作电流；当电压基准发生器的电阻R13接负端输入电压VEE时，Vee＝VEE＝-VCC；当电压基准发生器的电阻R13接地时，Vee＝0。

4.根据权利要求1或3所述的一种恒流源电路，其特征在于：所述恒流源发生器中电阻R6、电阻R7、电阻R8和电阻R9采用金属膜电阻或者合金箔电阻。

5.根据权利要求1所述的一种恒流源电路，其特征在于：所述运算放大器U1采用双电源放大器或单电源放大器，运算放大器U2采用双电源放大器或单电源放大器。