CN104040687A - 一种纳米粒子组装三维结构的制造方法 - Google Patents

一种纳米粒子组装三维结构的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104040687A
CN104040687A CN201380002957.3A CN201380002957A CN104040687A CN 104040687 A CN104040687 A CN 104040687A CN 201380002957 A CN201380002957 A CN 201380002957A CN 104040687 A CN104040687 A CN 104040687A
Authority
CN
China
Prior art keywords
nano particle
voltage
substrate
dimensional structure
mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201380002957.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104040687B (zh
Inventor
崔虎燮
崔万秀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SNU R&DB Foundation
Original Assignee
Repeatedly First Energy Resource System Is Studied Group
Seoul National University Industry Foundation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Repeatedly First Energy Resource System Is Studied Group, Seoul National University Industry Foundation filed Critical Repeatedly First Energy Resource System Is Studied Group
Publication of CN104040687A publication Critical patent/CN104040687A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104040687B publication Critical patent/CN104040687B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00349—Creating layers of material on a substrate
    • B81C1/00373—Selective deposition, e.g. printing or microcontact printing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00023—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
    • B81C1/00031—Regular or irregular arrays of nanoscale structures, e.g. etch mask layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0174—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate for making multi-layered devices, film deposition or growing
    • B81C2201/0183—Selective deposition
    • B81C2201/0187—Controlled formation of micro- or nanostructures using a template positioned on a substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24893—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including particulate material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明涉及使用穿孔图案掩模以纳米粒子组装三维结构的制造方法。本发明包括（1）通过在接地反应器中将具有宽度（w）的穿孔图案的掩模设置在将要刻图的衬底之上的一定距离（d）处，且在所述衬底上施加电压以形成电动聚焦透镜的步骤；和（2）将带电纳米粒子引入，并且引导所述带电纳米粒子通过所述穿孔图案到达衬底，使得所述带电纳米粒子以三维形状聚焦和吸附到所述衬底上的步骤。根据本发明，可以高精度和高效率制造具有不同形状的三维结构，且不会产生噪声图。

Description

一种纳米粒子组装三维结构的制造方法
技术领域
本发明涉及一种通过使用具有穿孔图案（pattern of perforations）的掩模聚焦刻图（focused patterning）三维结构的方法，该方法不会产生噪声图案，具有高精度和高效率。
背景技术
在所需位置上，通过可选择地控制带电粒子制造微米或纳米尺寸的三维结构的刻图技术在研发具有新的物理和化学特征的材料上起着重要作用。
特别地，认为通过提高聚焦效应制造三维纳米结构将在制造未来的光学设备、电学设备或磁学设备方面有用武之地。
为了采用带电粒子刻图，在初期，刻图即带电粒子的位置控制和附着是通过在导电或绝缘支撑物上形成介电薄膜，并通过如电子束、离子束聚焦（SEM或FIB）、原子力显微镜（AFM）或微接触印刷等处理过程在介电薄膜上传递电荷来实现的。
自2003年以来公布的研究结果，公开了一种用于在所需图案位置上对带电粒子的电聚焦沉积的方法，其包括以下步骤：在支撑物上形成光敏电阻器；刻图形成的光敏电阻器；以及通过使用电场形成和离子电荷植入在光敏电阻器表面植入带电粒子且控制光敏电阻器表面的电荷。
然而，在上述支撑物上形成光敏电阻的例子中，存在以下不便之处：光敏电阻器不能重复使用；光敏电阻器刻图需要执行多次才能形成三维结构系统。进一步地，由于很难控制表面离子电荷，所以不适合作为纳米尺寸或原子水平刻图的未来技术。
另一方面，在真空沉积的情况下，可以利用具有穿孔图案的金属掩模。在这种情况下，存在以下几个问题：制造纳米尺寸的图案存在困难；当长宽比较大时，由掩模沾污导致的材料耗损较大。进一步地，电子束光刻（electron beamphotolithography,EPL）虽然可以制造纳米尺寸的图案，但由于掩模会吸附（沾污）材料，因此图案尺寸可能不规则的减小。
因此，在登记号为10-0907787的韩国专利中，本发明人提出了一种用于带电粒子的聚焦刻图的方法，该方法包括以下步骤：将具有穿孔图案的掩模设置在衬底上，然后引导带电粒子经过穿孔到达衬底，再将带电粒子聚焦沉积到衬底上（如图1所示）。参照图1，通过在接地反应器（金属室）（30）中的两个电极层（5、6）之间施加电压，可以形成等势线（9）和电场线（10）。通过电场力的作用，带电粒子（1）沿着电场线（10）移动，然后迁移到衬底（3）上。通过电动透镜将正通过绝缘板或绝缘薄膜（2）的带电粒子（1）聚焦，以形成衬底（3）上的图案结构（4）。然而，通过这种方法仅能形成二维图案。
这样，本发明人进一步研究出更为有效的方法以制造具有三维形状的纳米粒子组装结构。
[现有技术文件]
[专利文件]
（专利文件1）韩国专利登记号10-0907787
发明内容
相应地，本发明提供了一种聚焦刻图纳米粒子组装三维结构的方法，该方法不会产生噪声图，且具有高精度和高效率。
为了实现本发明的目的，本发明提供了一种纳米粒子组装三维结构的制造方法，包括以下步骤：
（i）在接地反应器中，将具有穿孔图案的掩模设置在将要刻图的衬底之上的一定距离处，该穿孔图案与预定图案对应；然后在衬底上施加电压，以形成电动聚焦透镜；
（ii）将带电纳米粒子引入反应器中，并且引导带电纳米粒子通过穿孔图案到达衬底，使得带电纳米粒子以三维形状选择地吸附到衬底上。
根据本发明的一个优选实施例，所述方法还包括通过引入带电气体离子在步骤（ii）中的掩模表面集聚离子层的步骤；所述带电气体离子通过与带电纳米粒子相同的极性充电。
根据本发明的另一个优选实施例，在集聚离子的步骤中，将具有与带电纳米粒子相反极性的，范围为0.01-10kV的电压施加到衬底上；在步骤（ii）的沉积带电纳米粒子的步骤中，将具有与带电纳米粒子相反极性的，范围为0.01-10kV的电压施加到衬底上。
在本发明的方法中，掩模的穿孔宽度（w）、与掩模和衬底之间的距离（d）之比优选在1:0.01～10的范围内。
在本发明的方法中，在步骤（ii）中，通过使用电压和电流供应设备、电池或蓄电池控制电荷或电压改变带电纳米粒子的聚焦水平的方式来改变三维结构的形状。
根据本发明的另一个优选实施例，步骤（ii）可包括在第一电压下的第一沉积和在第二电压下的第二沉积；其中第一电压和第二电压可处于0.01～10kV的范围内，且第一电压和第二电压具有与带电纳米粒子相反的极性；第一电压和第二电压的电压强度互不相等。
此外，根据本发明的另一个优选实施例，在将带电纳米粒子引导通过穿孔图案到达衬底上的步骤中，当使掩模和衬底沿彼此平行或垂直的方向运动时，通过聚焦带电纳米粒子制造带电纳米粒子的集聚吸附形成的三维结构。
本发明的有益效果
根据本发明所述的方法，可以制造出预期的三维结构，该方法不会产生噪声图，且具有高精度和高效率。并且，通过控制电荷和电压，可通过聚焦效应制造各种不同尺寸和不同形状的三维结构。相应地，本方法被认为在制造诸如等离子体传感器、太阳能电池等未来基于纳米粒子的设备方面是有用的。
附图说明
本发明的以上或其他的目标和特点，结合以下的说明书和附图中的详细介绍将是显而易见的，附图中：
图1：根据现有技术的刻图方法的示意图；
图2：根据本发明一个实施例的在衬底上组装纳米粒子三维结构的方法示意图；
图3：示出了具有与预定图案对应的穿孔图案的掩模设置在将要刻图的衬底之上的一定距离处且指明了穿孔宽度的掩模的示意图；
图4：用于解释根据电压变化的第一沉积和第二沉积的原理的示意图；
图5：根据本发明另一实施例的纳米粒子集聚的示意图；
图6：根据实施例1的沉积图案的SEM图；
图7-图9：实施例2和3以及对照实施例的实验结果；
图10-图12：示出了实施例4中沉积时间决定的沉积图案变化的SEM图；
图13-图15：示出了实施例5中电压变化决定的三维结构形状变化的SEM图。
具体实施方式
下面将参照附图进一步详细描述本发明。
图2为根据本发明的制造由带电纳米粒子组装三维结构的方法示意图。在通过在反应器中产生电场以形成带电纳米粒子组装三维结构的过程中，本发明的方法具有以下特点：将具有穿孔或开口图案的掩模设置在将要刻图的衬底之上的一定距离d处，该穿孔或开口图案具有一定宽度w；然后通过施加电压到衬底上形成电动聚焦透镜，从而引起纳米结构的三维组装。根据上述本发明的方法，通过对电荷和电压的直接控制，可改变带电纳米粒子的聚焦水平。相应地，有可能制造出具有不同形状和尺寸（从纳米级到微米级）的三维纳米结构。
在本发明的如图2所示的方法中，通过以下步骤形成电动聚焦透镜：在接地反应器中的电极上设置衬底；在该衬底之上的一定距离d处设置具有穿孔图案（宽度为w）的掩模，优选地，该掩模的一侧或两侧上具有电极或离子层；然后再在衬底上施加电压，如图3所示。
衬底和掩模之间的距离d可通过掩模上穿孔的尺寸、电压等进行各种控制。例如，当掩模上穿孔的宽度为0.5～50μm时，在衬底和掩模之间的距离d可为0.005～500μm，优选为1～50μm。
本发明所使用的具有穿孔图案的掩模可为在现有技术中所使用的任何常见掩模，但并不限于此。例如本发明人的在先专利、登记号为10-0907787的韩国专利可供参考。
进一步地，本发明中，通过引入带电气体离子在掩模表面形成离子层，所述带电气体离子通过与将要植入的带电纳米粒子相同的极性充电。同时，考虑掩模的厚度、对掩模施加的电压以及金属室，可合适的确定将要形成的离子层的厚度。通过施加电压可制备带电气体离子。例如，通过使用诸如电晕放电发生器等离子供给设备对气体施加1-10kV的电压。带电气体离子包括但不限于例如氮离子（N2+，N2-），氦离子（He+，He-）以及氩离子（Ar+，Ar-）等。
在衬底之上一定距离处设置具有穿孔图案的掩模之后的施加电压的步骤中，例如，当衬底是绝缘的，掩模的两侧具有电极层，可在两个电极层中每一个施加电压。或当衬底是导电的或半导电的，掩模的一侧具有离子层、另一侧与衬底接触。电压可施加于衬底上。通过施加电压，在反应器内侧，即衬底和掩模周围会形成电场，从而导致电动聚焦透镜的形成。所施加的电压的强度可根据掩模尺寸、带电纳米粒子的尺寸和密度进行适当选择。
通过常用方法将带电纳米粒子引入到反应器中。例如，可提前充电带电纳米粒子，然后通过使用运载气体将其引入到反应器中。或者当带电纳米粒子通过电喷射充电时，将带电纳米粒子引入到反应器中。
本发明所使用的带电纳米粒子可通过常用方法制造出来。例如，通过蒸发和冷凝的方法，将源材料（如Ag）转化为多分散粒子，然后利用放射性物质（如210-钋）通过玻尔兹曼分布使多分散粒子处于双电荷状态，然后使多分散粒子通过微分流动分析仪（differential mobility analyzer,DMA）。这样单极带电球形粒子(unipolar charged spherical particle)可被提取出来。
根据本发明的制造三维结构的材料可为诸如金、铜、锡、铟、ITO、石墨和银等导电材料、覆盖有选自氧化镉、氧化铁和氧化锡的绝缘材料的导电材料、选自硅、GaAs和CdSe的半导体材料，但不限于此。
进一步地，根据本发明另一实施例，三维结构的形状可通过在沉积反应时改变施加的电压来进行不同的改变。在这种情况下，参照图4，当施加第一电压时执行第一沉积，当施加第二电压时执行第二沉积，这样，可发生结构变化。例如，可容易的形成具有心壳（core-shell）结构的三维形状结构。
图5示出了根据本发明另一实施例的移动掩模时的纳米粒子集聚过程。因为纳米粒子沿着掩模移动路径沉积下来，所以可形成倾斜的三维结构。优选地，掩模的移动速度可为0.01～10μm/小时。
以下将会结合实施例对本发明和在此制备的锂锰复合氧化物做更为详细的描述。本发明的范围不受在此所述任何方式的限制。
<实施例1>
参照图2，将硅片设置于反应器中的电极上。
制备具有穿孔图案的掩模（氮化硅，SiN2）。该穿孔图案包括宽度为4μm的条纹图案和点图案。衬底和掩模之间的距离为8μm。
然后通过将氮气通入电晕放电发生器（电压：5kV）的常用方法制造离子。铜纳米粒子通过利用普通火花放电制成。在-3kV的离子集聚电压下，离子在衬底上集聚2分钟。然后，采用-1.5kV的沉积电压60分钟将纳米粒子沉积在衬底上。因此，如图6所示，形成具有大约1μm宽度的线图案和点图案，其中该线图案和点图案的宽度远远小于掩模穿孔的宽度。
<实施例2>
将实施例1的过程以相同方式重复一遍，与实施例1的不同之处在于：将衬底和掩模（条纹穿孔图案）之间的距离d设置为4μm，且改变离子集聚电压和沉积电压。这样，图案宽度变化可被观察到。实施例2的结果如图7所示。
<实施例3>
将实施例2的过程以相同方式重复一遍，与实施例2的不同之处在于：将衬底和掩模之间的距离设置为8μm。实施例3的结果如图8所示。
对照实施例
将实施例2的过程以相同方式重复一遍，与实施例2的不同之处在于：将衬底和掩模之间的距离设置为0μm。对比实施例的结果如图9所示。
从图7-9的结果可以确定随着掩模和衬底之间的距离增大时，图案宽度减小。
<实施例4>
将实施例1的过程以相同方式重复一遍，与实施例1的不同之处在于：将具有点图案穿孔（宽度为2μm）的掩模设置于衬底之上4μm的距离处。将离子集聚电压设置为-3kV，将沉积电压设置为-1.5kV。沉积时间为2分钟、40分钟、1小时的试验结果分别如图10、图11和图12所示。随着沉积时间的增加，参照图10-图12，可制造出直径大约为0.2μm的纳米丝结构。
<实施例5>
将实施例4的过程以相同方式重复一遍，与实施例4的不同之处在于，在-1.5kV的电压下，实施第一沉积60分钟，在-3.0kV的电压下，实施第二沉积60分钟，从而制造出心壳状三维结构（如图13-15所示）。
应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (9)

1.一种纳米粒子组装三维结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
（i）在接地反应器中，将具有穿孔图案的掩模设置在将要刻图的衬底之上的一定距离处，所述穿孔图案与预定图案对应；然后在所述衬底上施加电压，以形成电动聚焦透镜；
（ii)将带电纳米粒子引入所述反应器中，并且引导所述带电纳米粒子通过所述穿孔图案到达衬底，使得所述带电纳米粒子以三维形状选择地吸附到所述衬底上。
2.根据权利要求1所述的纳米粒子组装三维结构的制造方法，其特征在于，所述方法还包括通过引入带电气体离子在步骤（ii）中的掩模表面集聚离子层的步骤；所述带电气体离子通过与带电纳米粒子相同的极性充电。
3.根据权利要求2所述的纳米粒子组装三维结构的制造方法，其特征在于，在集聚离子的步骤中，将具有与所述带电纳米粒子相反极性的，范围为0.01-10kV的电压施加到所述衬底上。
4.根据权利要求1所述的纳米粒子组装三维结构的制造方法，其特征在于，在步骤（ii）的沉积所述带电纳米粒子的步骤中，将具有与所述带电纳米粒子相反极性的，范围为0.01-10kV的电压施加到衬底上。
5.根据权利要求1所述的纳米粒子组装三维结构的制造方法，其特征在于，所述掩模的穿孔宽度（w）、与所述掩模和所述衬底之间的距离（d）之比在1:0.01～10的范围内。
6.根据权利要求1所述的纳米粒子组装三维结构的制造方法，其特征在于，在步骤（ii）中，通过使用电压和电流供应设备、电池或蓄电池控制电荷或电压改变所述带电纳米粒子的聚焦水平的方式来改变三维结构的形状。
7.根据权利要求6所述的纳米粒子组装三维结构的制造方法，其特征在于，步骤（ii）可包括在第一电压下的第一沉积和在第二电压下的第二沉积；其中第一电压和第二电压可处于0.01～10kV的范围内，且第一电压和第二电压具有与带电纳米粒子相反的极性；第一电压和第二电压的电压强度互不相等。
8.根据权利要求1所述的纳米粒子组装三维结构的制造方法，其特征在于，在将所述带电纳米粒子引导通过所述穿孔图案到达所述衬底的步骤中，当使所述掩模和所述衬底沿彼此平行或垂直的方向运动时，通过聚焦所述带电纳米粒子制造所述带电纳米粒子的集聚吸附形成的三维结构。
9.一种通过如权利要求1-8任意一项所述的制造方法制造的纳米粒子组装的三维结构。
CN201380002957.3A 2012-07-13 2013-03-04 一种纳米粒子组装三维结构的制造方法 Active CN104040687B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2012-0076891 2012-07-13
KR1020120076891A KR101391010B1 (ko) 2012-07-13 2012-07-13 나노입자로 조립된 3차원 구조물 제조방법
PCT/KR2013/001702 WO2014010808A1 (ko) 2012-07-13 2013-03-04 나노입자로 조립된 3차원 구조물 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104040687A true CN104040687A (zh) 2014-09-10
CN104040687B CN104040687B (zh) 2016-07-06

Family

ID=49916225

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380002957.3A Active CN104040687B (zh) 2012-07-13 2013-03-04 一种纳米粒子组装三维结构的制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9321633B2 (zh)
KR (1) KR101391010B1 (zh)
CN (1) CN104040687B (zh)
WO (1) WO2014010808A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108100989A (zh) * 2017-12-20 2018-06-01 武汉大学 一种微凹坑阵列结构加工方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113478809B (zh) * 2021-07-06 2023-05-30 上海科技大学 微纳结构的增材制造方法
KR20230114045A (ko) * 2022-01-24 2023-08-01 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단 전도성 부유 마스크를 이용한 3차원 구조물의 제조방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1330356A (zh) * 2000-06-29 2002-01-09 松下电器产业株式会社 在基板上的图样形成方法及装置
KR20080104947A (ko) * 2007-05-29 2008-12-03 재단법인서울대학교산학협력재단 패턴-천공된 마스크를 이용하는 하전입자의 집속 패터닝방법 및 이에 사용되는 마스크
KR20090089787A (ko) * 2008-02-19 2009-08-24 서울대학교산학협력단 나노입자의 집속 패터닝에 의한 나노입자 구조체의 제조방법 및 이에 의해 얻어진 나노입자 구조체

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3790215B2 (ja) * 2002-12-26 2006-06-28 株式会社東芝 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
US20070101823A1 (en) 2003-06-25 2007-05-10 Prasenjit Sen Process and apparatus for producing metal nanoparticles
US6987689B2 (en) 2003-08-20 2006-01-17 International Business Machines Corporation Non-volatile multi-stable memory device and methods of making and using the same
KR100668331B1 (ko) 2004-02-25 2007-01-12 삼성전자주식회사 금속 산화물 나노구조체들을 포함하는 소자 및 그 나노구조체들의 제조방법
IL162195A0 (en) 2004-05-27 2005-11-20 Dror Halevi Nano particle generator and a method for generating nano particles by said device
KR100740984B1 (ko) 2005-04-12 2007-07-19 재단법인서울대학교산학협력재단 나노입자의 집속 증착 패터닝 방법
KR101109195B1 (ko) 2005-12-19 2012-01-30 삼성전자주식회사 3차원 구조의 발광소자 및 그의 제조방법
KR20080010663A (ko) 2006-07-27 2008-01-31 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조 방법
JP4250651B2 (ja) 2006-09-28 2009-04-08 株式会社東芝 粒子配列方法、及び、発光素子の製造方法
KR100874912B1 (ko) 2006-12-06 2008-12-19 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조방법
KR101071218B1 (ko) 2008-06-19 2011-10-10 한양대학교 산학협력단 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 유무기 복합체, 그 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 전자소자
KR100970265B1 (ko) 2008-12-15 2010-07-16 한국기계연구원 표면 플라즈몬 공명 구조를 갖는 유기 발광 표시장치 및 이의 제조 방법
KR20100105023A (ko) 2009-03-20 2010-09-29 (주)센코 금속 산화물 나노로드를 이용한 가스 센서 및 그 제조방법
KR101091639B1 (ko) 2009-06-24 2011-12-08 인하대학교 산학협력단 코어-쉘 나노섬유 네트워크 구조체의 제조 방법, 코어-쉘 나노섬유 네트워크 구조체를 포함하는 화학 센서 및 그의 제조 방법
JP2012533156A (ja) 2009-07-07 2012-12-20 ユニバーシティ オブ フロリダ リサーチ ファウンデーション，インク． 安定な全塗布型（ａｌｌｓｏｌｕｔｉｏｎｐｒｏｃｅｓｓａｂｌｅ）量子ドット発光ダイオード

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1330356A (zh) * 2000-06-29 2002-01-09 松下电器产业株式会社 在基板上的图样形成方法及装置
KR20080104947A (ko) * 2007-05-29 2008-12-03 재단법인서울대학교산학협력재단 패턴-천공된 마스크를 이용하는 하전입자의 집속 패터닝방법 및 이에 사용되는 마스크
KR20090089787A (ko) * 2008-02-19 2009-08-24 서울대학교산학협력단 나노입자의 집속 패터닝에 의한 나노입자 구조체의 제조방법 및 이에 의해 얻어진 나노입자 구조체

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108100989A (zh) * 2017-12-20 2018-06-01 武汉大学 一种微凹坑阵列结构加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9321633B2 (en) 2016-04-26
US20140212641A1 (en) 2014-07-31
KR101391010B1 (ko) 2014-04-30
KR20140009878A (ko) 2014-01-23
CN104040687B (zh) 2016-07-06
WO2014010808A1 (ko) 2014-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101670131B1 (ko) 코팅 대전층을 포함하는 접촉 대전 발전기 및 그 생성 방법
JP5085215B2 (ja) ナノ構造
KR101464284B1 (ko) 나노튜브 수직 전계 효과 트랜지스터의 형성방법
KR100907787B1 (ko) 패턴-천공된 마스크를 이용하는 하전입자의 집속 패터닝방법 및 이에 사용되는 마스크
US20100035186A1 (en) Manufacturing a graphene device and a graphene nanostructure solution
US7579050B2 (en) Method for focusing patterning nano-sized structure
US20050123687A1 (en) Method and apparatus for depositing charge and/or nanoparticles
KR101412652B1 (ko) 나노입자의 집속 패터닝에 의한 나노입자 구조체의 제조방법 및 이에 의해 얻어진 나노입자 구조체
Pablo-Navarro et al. Diameter modulation of 3D nanostructures in focused electron beam induced deposition using local electric fields and beam defocus
KR20100094090A (ko) 기판 상에 나노구조체를 선택적으로 위치시키는 방법 및 이에 의해 형성된 나노구조체를 포함하는 나노-분자 소자
CN104040687A (zh) 一种纳米粒子组装三维结构的制造方法
CN103030097B (zh) 基于静电场自聚焦的圆片级低维纳米结构的制备方法
Cole et al. Mimicking Electrodeposition in the Gas Phase: A Programmable Concept for Selected‐Area Fabrication of Multimaterial Nanostructures
KR101349976B1 (ko) 나노입자로 조립된 3차원 구조물을 이용한 광학소자
Kang et al. Assembly of charged aerosols on non-conducting substrates via ion-assisted aerosol lithography (IAAL)
Ohta et al. Parallel assembly of nanowires using lateral-field optoelectronic tweezers
KR101940138B1 (ko) 소결된 나노입자 구조물 제조 방법
Zonnevylle et al. Directed assembly of nano-particles with the help of charge patterns created with scanning electron microscope
CN113184801A (zh) 一种基于冲量差颗粒脱附的微纳结构与器件直写方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230302

Address after: Crown 1, Yue Yue Road, Seoul, Korea

Patentee after: SNU R&DB FOUNDATION

Address before: Crown 1, Yue Yue Road, Seoul, Korea

Patentee before: SNU R&DB FOUNDATION

Patentee before: Duoyuan Energy System Research Group

TR01 Transfer of patent right