CN103969564A - 一种二极管反向恢复特性测试仪 - Google Patents

一种二极管反向恢复特性测试仪 Download PDF

Info

Publication number
CN103969564A
CN103969564A CN201310033820.6A CN201310033820A CN103969564A CN 103969564 A CN103969564 A CN 103969564A CN 201310033820 A CN201310033820 A CN 201310033820A CN 103969564 A CN103969564 A CN 103969564A
Authority
CN
China
Prior art keywords
diode
reverse recovery
terminals
characteristic tester
wiring terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201310033820.6A
Other languages
English (en)
Inventor
高万喜
周炳
刘晓萌
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhangjiagang Ever Power Semiconductor Co.,Ltd.
Original Assignee
SUZHOU TONGGUAN MICROELECTRONICS Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SUZHOU TONGGUAN MICROELECTRONICS Co Ltd filed Critical SUZHOU TONGGUAN MICROELECTRONICS Co Ltd
Priority to CN201310033820.6A priority Critical patent/CN103969564A/zh
Publication of CN103969564A publication Critical patent/CN103969564A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及一种二极管反向恢复特性测试仪，具有电源、电感、驱动器件；电源、电感、感性负载、驱动器件串连在一起，待测元件和电流互感器串联后再与感性负载并联；所述驱动器件具有第一接线端、第二接线端和第三接线端；所述第一接线端与感性负载连接，第二接线端与电源连接，第三接线端与第二接线端之间串联有栅极电阻和多谐振荡器。本发明可根据具体测试要求来自由调节，不仅可以测试二极管的反向恢复时间，而且还可以测试二极管的其他各项反向恢复特性，不仅可以测试普通二极管，还可以测试任何含有二极管的器件，测试范围宽、精度高，测试电压范围宽，外配示波器可以清晰准确地分析二极管的各种反向恢复特性的实际特性。

Description

一种二极管反向恢复特性测试仪
技术领域
本发明涉及一种二极管特性测试仪，特别涉及一种二极管反向恢复特性测试仪。
背景技术
电力电子器件正在日新月异地向前发展着。近年来，继晶闸管、双向晶闸管、可关断晶闸管(GTO)、集成门极换向晶闸管(IGCT)等功率器件之后，又出现了绝缘栅双极晶体管(IGBT)。未来电力电子器件技术发展是超着高功率、大电流、高频化、集成化等方向发展。其中这些器件内建二极管的恢复特性是设计时要考虑一个重要方面，这些恢复特性的获取、统计、分析都取决于与之相配套的测试设备的性能好坏，同时也要不断地更新与之相配套的测试设备才能胜任其测试工作。
通常的测试二极管反向恢复特性的仪器只能测试二极管的反向恢复时间，测试反向恢复时间的范围也是有限的，同时测试的精度也不高，测试电压也是有限的，一般只有300V以下。
发明内容
本发明的目的是提供一种二极管反向恢复特性测试仪，该装置不仅能测试二极管的反向恢复时间，而且能测试二极管的方向特性，其测试范围宽、精度高，测试电压范围宽。
实现本发明目的的技术方案是：本发明具有电源、电感、驱动器件；所述电源、电感、感性负载、驱动器件串连在一起，待测元件和电流互感器串联后再与感性负载并联；所述驱动器件具有第一接线端、第二接线端和第三接线端；所述第一接线端与感性负载连接，第二接线端与电源连接，第三接线端与第二接线端之间串联有栅极电阻和多谐振荡器。
上述驱动器件为带阻尼二极管IGBT场效应管。
上述待测元件为二极管为快(超)恢复二极管或场效应管内建二极管或绝缘栅双极型晶体管内建二极管。
本发明具有积极的效果：(1)本发明使用PWM(脉冲宽度调制)控制技术，使测试条件可根据具体测试要求来自由调节，不仅可以测试二极管的反向恢复时间，而且还可以测试二极管的其他各项反向恢复特性，不仅可以测试普通二极管，还可以测试任何含有二极管的器件；(2)本发明测试范围宽、精度高，测试电压范围宽(从0V到几千V)；(3)本发明外配示波器可以清晰准确地分析二极管的各种反向恢复特性的实际特性。
附图说明
为了使本发明的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中
图1为本发明的主电路示意图。
具体实施方式
见图1，本发明具有电源1、电感2、驱动器件4；所述电源1、电感2、感性负载3、驱动器件4串连在一起，待测元件5和电流互感器6串联后再与感性负载3并联；所述驱动器件4具有第一接线端、第二接线端和第三接线端；所述第一接线端与感性负载3连接，第二接线端与电源1连接，第三接线端与第二接线端之间串联有栅极电阻7和多谐振荡器8；所述驱动器件4为带阻尼二极管IGBT场效应管；所述待测元件5为二极管为快(超)恢复二极管或场效应管内建二极管或绝缘栅双极型晶体管内建二极管。
该装置由测试脉冲宽度t1、t2的值来调节二极管的正向电流IF值大小。
该装置由驱动器件4的栅极VCE值、栅极电阻7的值与电感2的值共同来调节待测器件5的电流变化率值的大小，从而达到根据具体测试要求来自由调节的效果；也可由电源电压值、电流变化率值、测试脉冲宽度t1、t2的值共同来调节感性负载3的值，从而达到根据具体测试要求来自由调节的效果。
该装置可以测试各种反向恢复特性参数是通过电流互感器6来监测而得到的，反向恢复特性参数包括二极管的正向电流IF、反向峰值电流Irr、反向恢复时间trr、反向恢复电荷Qrr、反向恢复能量Err等参数。
该装置外配示波器可以清晰准确地分析二极管的各种反向恢复特性的实际特性是本仪器可以通过示波器显示所测试器件的实际参数，以及对其参数进行读取、统计与分析。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种二极管反向恢复特性测试仪，具有电源(1)、电感(2)、驱动器件(4)；其特征在于：所述电源(1)、电感(2)、感性负载(3)、驱动器件(4)串连在一起，待测元件(5)和电流互感器(6)串联后再与感性负载(3)并联；所述驱动器件(4)具有第一接线端、第二接线端和第三接线端；所述第一接线端与感性负载(3)连接，第二接线端与电源(1)连接，第三接线端与第二接线端之间串联有栅极电阻(7)和多谐振荡器(8)。
2.根据权利要求1所述的一种二极管反向恢复特性测试仪，其特征在于：所述驱动器件(4)为带阻尼二极管IGBT场效应管。
3.根据权利要求1所述的一种二极管反向恢复特性测试仪，其特征在于：所述待测元件(5)为二极管为快(超)恢复二极管或场效应管内建二极管或绝缘栅双极型晶体管内建二极管。
CN201310033820.6A 2013-01-30 2013-01-30 一种二极管反向恢复特性测试仪 Pending CN103969564A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310033820.6A CN103969564A (zh) 2013-01-30 2013-01-30 一种二极管反向恢复特性测试仪

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310033820.6A CN103969564A (zh) 2013-01-30 2013-01-30 一种二极管反向恢复特性测试仪

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103969564A true CN103969564A (zh) 2014-08-06

Family

ID=51239305

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310033820.6A Pending CN103969564A (zh) 2013-01-30 2013-01-30 一种二极管反向恢复特性测试仪

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103969564A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104502822A (zh) * 2014-12-30 2015-04-08 无锡罗姆半导体科技有限公司 二极管的自动过压测试方法
CN106468756A (zh) * 2015-08-18 2017-03-01 长春艾克思科技有限责任公司 二极管反向恢复时间的测试系统
CN109164369A (zh) * 2018-09-03 2019-01-08 广东电网有限责任公司 一种大功率二极管的测试电路及在线测试方法
CN109856521A (zh) * 2018-12-27 2019-06-07 北京京能新能源有限公司 器件测试系统及方法
CN111781485A (zh) * 2020-06-24 2020-10-16 珠海格力电器股份有限公司 二极管检测方法及装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3648168A (en) * 1970-12-16 1972-03-07 Honeywell Inf Systems Apparatus for measuring reverse recovery characteristics of diodes
CN2039028U (zh) * 1988-08-24 1989-06-07 浙江大学 晶闸管动态特性测试仪
JPH10115656A (ja) * 1996-10-11 1998-05-06 Shindengen Electric Mfg Co Ltd ダイオ−ド逆回復時間の測定回路
CN101320076A (zh) * 2008-07-23 2008-12-10 潘敏智 一种快恢复二极管的反向动态漏电流测试方法及测试电路
CN101344572A (zh) * 2008-09-04 2009-01-14 铁道部运输局 一种半导体功率器件斩波测试电路及方法
CN201607513U (zh) * 2010-01-15 2010-10-13 深圳市瑞凌实业股份有限公司 二极管反向恢复时间简易测试电路
CN102769451A (zh) * 2011-05-06 2012-11-07 夏普株式会社 半导体装置及电子设备
CN203178427U (zh) * 2013-01-30 2013-09-04 苏州同冠微电子有限公司 一种二极管反向恢复特性测试仪

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3648168A (en) * 1970-12-16 1972-03-07 Honeywell Inf Systems Apparatus for measuring reverse recovery characteristics of diodes
CN2039028U (zh) * 1988-08-24 1989-06-07 浙江大学 晶闸管动态特性测试仪
JPH10115656A (ja) * 1996-10-11 1998-05-06 Shindengen Electric Mfg Co Ltd ダイオ−ド逆回復時間の測定回路
CN101320076A (zh) * 2008-07-23 2008-12-10 潘敏智 一种快恢复二极管的反向动态漏电流测试方法及测试电路
CN101344572A (zh) * 2008-09-04 2009-01-14 铁道部运输局 一种半导体功率器件斩波测试电路及方法
CN201607513U (zh) * 2010-01-15 2010-10-13 深圳市瑞凌实业股份有限公司 二极管反向恢复时间简易测试电路
CN102769451A (zh) * 2011-05-06 2012-11-07 夏普株式会社 半导体装置及电子设备
CN203178427U (zh) * 2013-01-30 2013-09-04 苏州同冠微电子有限公司 一种二极管反向恢复特性测试仪

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104502822A (zh) * 2014-12-30 2015-04-08 无锡罗姆半导体科技有限公司 二极管的自动过压测试方法
CN106468756A (zh) * 2015-08-18 2017-03-01 长春艾克思科技有限责任公司 二极管反向恢复时间的测试系统
CN106468756B (zh) * 2015-08-18 2020-10-20 深圳艾克思科技有限责任公司 二极管反向恢复时间的测试系统
CN109164369A (zh) * 2018-09-03 2019-01-08 广东电网有限责任公司 一种大功率二极管的测试电路及在线测试方法
CN109856521A (zh) * 2018-12-27 2019-06-07 北京京能新能源有限公司 器件测试系统及方法
CN109856521B (zh) * 2018-12-27 2022-02-18 北京京能新能源有限公司 器件测试系统及方法
CN111781485A (zh) * 2020-06-24 2020-10-16 珠海格力电器股份有限公司 二极管检测方法及装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103969564A (zh) 一种二极管反向恢复特性测试仪
Chinthavali et al. Investigation on the parallel operation of discrete SiC BJTs and JFETs
Tong et al. Output capacitance loss characterization of silicon carbide Schottky diodes
CN104422849A (zh) 一种短路模拟试验电路及其试验方法
Yang et al. Characterization of high-voltage SiC MOSFETs under UIS avalanche stress
CN106788366B (zh) 一种用于串联igbt的均压保护电路
CN103592591A (zh) 一种针对无反并联二极管的igbt模块测试电路及方法
Zhang Characterization and realization of high switching-speed capability of SiC power devices in voltage source converter
CN104297658A (zh) 金氧半场效晶体管热阻测试装置、方法和测试板
CN203178427U (zh) 一种二极管反向恢复特性测试仪
Eni et al. Design of low impedance busbar for 10 kV, 100A 4H-SiC MOSFET short-circuit tester using axial capacitors
Tiwari et al. Design considerations and laboratory testing of power circuits for parallel operation of silicon carbide MOSFETs
CN112363037A (zh) 场效应晶体管极限性能验证电路、系统及方法
TWI764509B (zh) 用以測試元件動態特性之通用開關操作裝置及方法
CN203275469U (zh) 一种开关型电子负载
CN109752638B (zh) 一种连续测量igbt芯片输出曲线的装置及方法
CN104977517A (zh) 功率半导体器件的高温测试方法
Wei The Electromagnetic Interference Model Analysis of the Power Switching Devices
Eni et al. Characterisation of 10 kv 10 a sic mosfet
Huang et al. Impact of non-ideal waveforms on GaN power FET in magnetic resonant wireless power transfer system
CN102520753B (zh) 一种肖特基二极管的等效电路
CN116840667A (zh) 多脉冲测试电路及多脉冲测试方法
Zhong et al. Design and experimental analysis of a 1 kW, 800 kHz all-SiC boost DC-DC converter
Zhong et al. Electro-thermal analysis of 1.2 kV-100A SiC JBS diodes under surge current stress
Qi et al. Avalanche capability characterization of 1.2 kV SiC power MOSFETs compared with 900V Si CoolMOS

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: ZHANGJIAGANG EVER POWER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SUZHOU TONGGUAN MICROELECTRONICS CO., LTD.

Effective date: 20150701

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20150701

Address after: Suzhou City, Jiangsu province 215600 yangshe town Zhangjiagang Chenghang Dongyuan Town Road and road intersection southwest corner room 1

Applicant after: Zhangjiagang Ever Power Semiconductor Co.,Ltd.

Address before: Yangshe 215617 Jiangsu province Zhangjiagang Chenghang Dongyuan Town Road and road intersection southwest corner room 1

Applicant before: Suzhou Tongguan Microelectronics Co., Ltd.

RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20140806

RJ01 Rejection of invention patent application after publication