CN103954605B - 基于sers机理的微流检测器及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种基于SERS机理的微流检测器及其制备方法。该微流检测器包括至少一个微流道结构，该微流道结构包括：基底，具有上表面以及从上表面向下凹入的沟槽，沟槽具有检测区；金属光栅，形成在沟槽的检测区内，金属光栅限定了沟槽的供待测物质通过的多个微流道。本发明通过将金属光栅集成在微流道结构中，可以使得基于SERS机理的微流检测器对待测物质分子拉曼信号的增强以指数形式增加，其增加幅度远高于仅使用金属光栅基于SERS机理来检测的灵敏度，从而更适合于探测浓度极低的分子信号。此外，本发明的微流检测器可控性好，产品尺寸较小、便于携带。

Description

基于SERS机理的微流检测器及其制备方法

技术领域

本发明涉及微纳米结构器件技术领域，特别是涉及一种基于SERS机理的微流检测器及其制备方法。

背景技术

当光被原子或分子散射时，绝大多数光子发生弹性散射，即散射光的频率与入射光的频率相同，称之为瑞利散射；还有一小部分光子发生非弹性散射，即散射光的频率与入射光不同，也称之为拉曼散射。

拉曼散射可以准确地反映分子的震动能级的信息，因此被当做是分子“指纹”，从而被广泛地应用于物质的检测中。同时拉曼散射光谱检测是一种不需要对待检测样品进行标记的物质结构分析手段，具有非破坏性、无需接触等特点。随着激光技术和弱信号探测接收技术的发展，作为一种可实现物质结构分子水平检测的手段，拉曼散射光谱检测有望在生物检测、疾病诊断、环境监测、化学分析等领域获得实际和广泛的应用。然而，由于拉曼散射截面小，拉曼散射光谱检测的分析灵敏度低，很多分子或者基团的拉曼光谱很难获得。虽然通过提高激励激光功率可以在一定程度上提高拉曼散射光谱的强度，但对于生物样品，强度太大的激光会破坏样品的生物活性，因此很多应用转而利用了表面增强拉曼散射效应来提高样品的拉曼散射光谱强度。

表面增强拉曼散射(surface-enhanced Roman scattering，SERS)是一种异常的表面光学现象，是指粗糙的贵金属表面在入射光激发的情况下增强吸附在其表面的物质分子的拉曼散射光谱信号的一种现象。分子拉曼散射信号的增强来源于粗糙表面在光照射下所产生的表面电子振荡，当入射光的频率与金属自身的等离子体的频率相匹配时，电子振荡达到最大，于是在金属表面产生一个与入射光频率相同的附加局域电磁场，它所覆盖的区域存在着入射光和表面等离子体被激发后叠加在一起的电磁场。由于分子的拉曼散射源于分子自身的极化与外界电场的相互作用，所以处在这个叠加电场中的分子除了受原入射电磁场的作用外还受这个局域增强电磁场的作用，因此激发出的拉曼散射信号也相应地得到了加强。与普通拉曼散射光谱信号相比，表面增强拉曼散射信号的强度有多个量级的增强，甚至可以达到单分子拉曼散射信号的探测。表面增强拉曼散射是这种粗糙化金属表面上最为突出的效应，在粗糙化的金、银、铜等金属的表面上，与普通的拉曼散射光谱强度相比，SERS的增强可达到106。

自从SERS出现后，其领域的发展是相当迅猛的，在应用方面，科学家们利用SERS技术测量分子以及物质的拉曼光谱，建立完整的拉曼库；制作表面承载基底，应用拉曼光谱的指纹特性，在探测器方面和分子检测方面具有巨大的潜力，SERS有望成为单分子检测的重要工具，即利用SERS技术测量分子和物质的拉曼光谱，对分子结构进行研究和探索。

但是目前的一些基于表面增强拉曼散射的机理制备的检测器件，大多数的报道主要基于纳米粗糙面或纳米结构的开放式表面增强拉曼散射活性基底及其制备方法，如溶胶颗粒法、金属电极的电化学氧化还原法、金属纳米小球排布法、气液固化学生长法及物理化学刻蚀法等等。在这些开放式活性基底上尤其是在纳米粗糙面或纳米结构上分布待测试剂时，一般采用浸泡-蒸发法和滴定-蒸发法。当采用浸泡-蒸发法时，可以在开放式活性基底的纳米粗糙面或纳米结构上均匀吸附一层待分析物分子，但是这种方法所需要的试剂剂量大，同时浸泡耗费的时间往往需要几个小时甚至更长。当采用滴定-蒸发法分布待分析物时，所需的试剂剂量在水平方向上只需要覆盖活性基底整个表面，但其高度可能达到毫米量级，因此试剂用量仍旧较大；且该方法也同样需要耗费较长的溶剂蒸发时间；此外，采用该方法在开放式活性基底上分布分子时，由于咖啡环效应等因素的影响，分子在活性基底上的分布不能达到很好的均匀性，从而影响所检测到的拉曼散射信号的一致性；另外，从应用角度上说，采用蒸发法分布待分析物分子不适用于对液体环境有特殊要求的生物分子的活体检测。

因此，目前所存在的一些检测器件不仅检测到的拉曼散射信号一致性差，而且灵敏度低、可控性差。如何基于SERS机理制备出灵敏度高且可控性好的检测器件成为目前研究的重要方向。

发明内容

本发明的目的是要提供一种基于SERS机理的微流检测器及其制备方法，该微流检测器不仅灵敏度高，可以探测到浓度极低的待测物质的分子信号，而且可控性强。

根据本发明的一个方面，提供了一种基于SERS机理的微流检测器，包括至少一个微流道结构，微流道结构包括：基底，具有上表面以及从上表面向下凹入的沟槽，沟槽具有检测区；金属光栅，形成在沟槽的检测区内，金属光栅限定了沟槽的供待测物质通过的多个微流道。

进一步地，沟槽的深度为100～10000nm，优选为500nm。

进一步地，金属光栅的高度设置成不低于基底的上表面所在的水平面。

进一步地，金属光栅为由相互间隔开的多个金属薄片构成的线型光栅，每一金属薄片沿竖向设置且与沟槽的延伸方向基本平行地延伸；优选地，金属光栅的周期为100～1000nm，占空比为0.01～0.99；进一步优选地，金属光栅的周期为200～900nm，占空比为0.2～0.7。

进一步地，沟槽还具有分别位于检测区两侧的引流区和回流区；其中，在横向于沟槽的延伸方向上的宽度方向上，引流区和回流区的宽度大于检测区的宽度。

进一步地，引流区和回流区为矩形槽结构，引流区和/或回流区的宽度为1～10000μm，优选为500μm～800μm。

进一步地，沟槽还具有前级区和后级区；其中，前级区位于检测区与引流区之间，并从引流区朝着检测区以渐缩的方式延伸；并且，后级区位于检测区与回流区之间，并从回流区朝着检测区以渐缩的方式延伸。

进一步地，前级区和后级区内形成有周期性排列的导流柱；优选地，导流柱的周期为100～1500nm，每一导流柱为直径为50～700nm的圆柱体。

进一步地，还包括由透明材料形成的封装部，封装部设置在基底的上表面处，以从沟槽的上方封闭沟槽。

进一步地，形成封装部的透明材料为PDMS薄膜或硼硅玻璃薄膜。

进一步地，基底的材料为Si或SiO2；和/或金属光栅的材料选自Au、Ag、Cu和Al中的一种或多种。

根据本发明的另一方面，提供了一种基于SERS机理的微流检测器的制备方法，包括以下步骤：步骤S1、设置基底并在基底的上表面上形成沟槽；步骤S2、在沟槽内套刻光栅结构图案；以及步骤S3、在光栅结构图案内沉积金属以形成金属光栅；金属光栅限定了沟槽的供待测物质通过的多个微流道。

进一步地，步骤S1中在基底的上表面上形成沟槽的步骤包括：步骤S11、在基底的上表面上涂覆紫外光刻胶层；步骤S12、对紫外光刻胶层进行光刻曝光和显影处理，以在基底上形成待刻蚀沟槽图案；以及步骤S13、采用反应离子束刻蚀法对待刻蚀沟槽图案进行刻蚀，以在基底的上表面上形成沟槽。

进一步地，步骤S2中在沟槽内套刻光栅结构图案的步骤包括：步骤S21、在沟槽内旋涂电子束光刻胶；步骤S22、采用电子束曝光、显影技术对电子束光刻胶进行处理，形成光栅结构图案；以及步骤S23、在光栅结构图案上电沉积金属，形成金属光栅。

进一步地，还包括对基底的上表面进行封装的步骤；优选采用采用热压法或者阳极键合法对基底进行封装。

本申请的发明人发现，按照本发明的微流检测器通过将金属光栅集成在微流道结构中，可以使得基于SERS机理的微流检测器对待测物质分子拉曼信号的增强以指数形式增加，其增加幅度远高于仅使用金属光栅基于SERS机理来检测的灵敏度，从而更适合于探测浓度极低的分子信号。而且，采用本发明的微流检测器进行检测时，待测物质更容易在金属光栅的表面上形成均匀分布，从而提高了SERS检测信号的一致性，较浸泡-蒸发法和滴定-蒸发法的检测时间显著缩短。此外，采用本发明的微流检测器还能够有效减少甚至避免测试环境引入的噪声，提高SERS检测信号的信噪比，从而也可以有效保障检测信号的一致性。

采用本发明的微流检测器进行SERS检测有利于提高检测的可控性。一方面，可以通过设置多个并列的微流道结构，以同时检测多种待测物质，从而节约了检测时间并提升了检测效率。另一方面，可通过在一个微流道结构中形成一对或多对入液口/出液口，从而可用于一种待测物质的测试或不同待测物质混合和反应前后的信号检测与对比。进一步，还可以通过设计金属光栅的尺寸来控制待测物质的流动速度，使得检测速度可控。

该产品不仅尺寸较小，便于携带，可以作为检测人员随声携带的检查工具，而且制备方法相对简单，成本低廉，可用于大规模生产，因此，本发明所提供的微流检测器可广泛应用于生物、化学、医学、农业等领域检测液体待分析物和/或胶体待分析物和/或气体待分析物。

根据下文结合附图对本发明具体实施例的详细描述，本领域技术人员将会更加明了本发明的上述以及其他目的、优点和特征。

附图说明

后文将参照附图以示例性而非限制性的方式详细描述本发明的一些具体实施例。附图中相同的附图标记标示了相同或类似的部件或部分。本领域技术人员应该理解，这些附图未必是按比例绘制的。附图中：

图1为根据本发明一种典型实施例的微流检测器的立体结构示意图；

图2为图1中沿剖切面A-A截取的剖面结构示意图；

图3为对检测区的模拟探测示意图，光源直接从检测光栅区域顶部入射，从而产生热点区域，当待测物质分子随溶液流体通过热点区域时，其拉曼信号即被激发并检测出来；

图4为与图3所对应的理论模拟示意图，展示了当光源入射光栅检测区时，可以激发出SERS的热点区域。

图5a-5h为根据本发明一种典型实施例的制作微流检测器的检测区的工艺流程示意图。

具体实施方式

为了解决现有技术中的检测器所存在的灵敏度低以及可控性差的问题，根据本发明的一种典型实施方式，提供了一种基于SERS机理的微流检测器。如图1所示，该微流检测器包括一个微流道结构，该微流道结构包括基底10和金属光栅20。基底10具有上表面11以及从上表面11向下凹入的沟槽。该沟槽具有检测区121。金属光栅20形成在沟槽的检测区121内，并且该金属光栅20限定了沟槽的供待测物质通过的多个微流道21。尽管在图1中仅示出了一个示例性的微流道结构，但是可以理解，在其它实施例中，该微流检测器可以包括更多个与图1相似的微流道结构，这些微流道结构可以以例如并列的方式形成在同一个基底10上。

在本发明的微流检测器中，沟槽的深度主要影响热点SERS区域的形成和有效体积，为了得到灵敏度更高且可控性更好的微流检测器，在本发明的一种典型实施例中，沟槽的深度为100～10000nm，如果沟槽的深度小于100nm，封装时沟槽容易被堵塞；若沟槽的深度大于10000nm，会造成灵敏检测区域与分子流动区域不匹配，甚至探测信号被过高的侧壁阻挡的问题，降低了微流检测器测试时的灵敏度，使得可控性变差。在一个优选实施例中，沟槽的深度为500nm。

金属光栅20凸出于基底10的上表面11所在的水平面的竖直高度为x，其中x可以在0≤x≤500nm中选择。在x＝0的实施例中，其表示金属光栅20与基底10的上表面11平齐。在其它实施例中，金属光栅20可以凸出于基底10的上表面11所在的水平面，但是其所凸出的竖直高度x≤500nm。当金属光栅20与基底10的上表面11平齐或凸出的高度不高于500nm时，有利于后续的薄膜封装，同时也避免了待测物质泄漏的问题。

在本发明的一个具体实施例中，如图1～2所示，金属光栅20为由相互间隔开的多个金属薄片构成的线型光栅，每一金属薄片沿竖向设置且与沟槽的延伸方向基本平行地延伸。该金属光栅20的周期可以选自100～1000nm，占空比可以选自0.01～0.99。采用线型光栅结构有助于增加液体流动性，加工方便。在其它实施例中，该光栅结构还可以采用圆柱形光栅结构、金属颗粒堆砌结构等。

考虑到SERS热点区域的顺利形成及覆盖体积，本发明将金属光栅20的周期和占空比控制在上述范围内。如果金属光栅20的周期小于100nm时，则导致SERS热点区域过少，不利于对所流过的待测物质中的分子进行全面检测；如果金属光栅的周期大于1000nm，则会出现SERS热点区域不能优化或者无法形成SERS热点、更不容易形成大面积有效的SERS热点。如果金属光栅20的占空比低于0.01，则会出现金属层过薄，流通空间过大的问题，不利于SERS热点的有效形成，甚至完全不能形成SERS热点。相反，如果金属光栅20的占空比高于0.99，则会出现溶液通过区域过小，一则造成通道阻塞，不利于溶液通过；二则无法形成SERS热点。在一个优选实施例中，金属光栅20的周期可以选自200～900nm，占空比可以选自0.2～0.7。

在本发明的一个典型实施例中，如图1所示，微流检测器的沟槽还具有分别位于检测区121两侧的引流区122和回流区123。其中，在横向于沟槽的延伸方向上的宽度方向上，引流区122和回流区123的宽度大于检测区121的宽度。

在一个实施例中，既可以在检测区121的一端单独设置引流区122或回流区123。在其它实施例中，也可以分别在检测区121的两端同时设置引流区122和回流区123。引流区122和回流区123的形状结构既可以相同也可以不同，通过设置引流区122和回流区123，可以保证待测物质顺利从引流区122进入到检测区被检测，之后从回流区123处汇合后流出。在横向于沟槽的延伸方向的宽度方向上，优选将引流区122和回流区123的宽度设置为大于检测区121的宽度，从引流区到检测区逐级分流，有利于形成有效的压力势差，从检测区到回流区设置的目的是使已检测溶液及时流出并且不受几何尺寸的限制。

在一个优选实施例中，如图1所示，引流区122和回流区123为矩形槽结构，引流区122和/或回流区123的宽度为1～10000μm，优选为500μm～800μm。引流区122和回流区123的宽度范围是根据金属光栅20的尺寸而设计的。将引流区122和回流区123设置为矩形槽结构更有利于待测物质的顺利流入和流出。

除了具有上述引流区122和回流区123结构外，如图1所示，在本发明的一个更为优选的实施例中，沟槽还具有前级区124和后级区125。前级区124位于检测区121与引流区122之间，并从引流区122朝着检测区121以渐缩的方式延伸；并且，后级区125位于检测区121与回流区123之间，并从回流区123朝着检测区121以渐缩的方式延伸。

通过设置前级区124和后级区125，可以对流入沟槽内的待测物质进行分流，使得待测物质较缓慢地进入检测区121，避免了微流体系堵塞现象，使得待测物质有序进入检测区域，否则会导致待测物质进入检测区121时流速较急，影响拉曼散射信号的一致性，进而降低检测时的灵敏度，并使得可控性变差。

在一个具体实施例中，如图1所示，前级区124和后级区125内形成有周期性排列的导流柱126。优选地，导流柱126的周期为100～1500nm，在一个实施例中，每一导流柱126为直径为50～700nm的圆柱体。在其它实施例中，还可以采用圆锥体导流柱、棱锥体导流柱等，只要能够起到分流和导流的作用即可。

图3为对检测区的模拟探测示意图，光源直接从检测光栅区域顶部入射，从而产生热点区域，当待测物质分子随溶液流体通过热点区域时，其拉曼信号即被激发并检测出来。图4为与图3所对应的理论模拟示意图，展示了当光源入射光栅检测区时，可以激发出SERS的热点区域。从图3和图4中可以看出，当光源从顶部入射到光栅检测区域时，可以形成有效的SERS热点区域，只有在这些SERS热点区域才能顺利发挥增强拉曼的效果，才可以实现超灵敏分子探测。

根据本发明的一种典型实施例，微流道结构还包括由透明材料形成的封装部30。其中，封装部30设置在基底10的上表面11处，以从沟槽的上方封闭沟槽。封装必须由透明材料制作，否则，检测光源无法穿透，不能形成有效的热点SERS区域。

在本发明的一个实施例中，形成封装部30的透明材料为PDMS薄膜或硼硅玻璃薄膜。优选采用与基底10想适配的材料作为封装部30。当采用Si作为基底10时，优选采用与Si膨胀系数近似的硼硅玻璃，将硼硅玻璃裁取出与基底10大小尺寸相等的小块进行封装。

优选地，基底10的材料可以为Si或SiO2。金属光栅20的材料可以选自Au、Ag、Cu和Al中的一种或多种。

根据本发明的另一方面，还提供了一种基于SERS机理的微流检测器的制备方法，如图5a-5h所示。制备方法包括以下步骤：步骤S1、设置基底10并在基底10的上表面11上形成沟槽；步骤S2、在沟槽内套刻光栅结构图案；以及步骤S3、在光栅结构图案内沉积金属以形成金属光栅20；金属光栅20限定了沟槽的供待测物质通过的多个微流道21。该制备方法简单，不需要大型仪器设备，适合大规模生产。

如图5a-5c所示，具体地，步骤S1中在基底10的上表面11上形成沟槽的步骤包括：步骤S11、在基底10的上表面11上涂覆紫外光刻胶层14；步骤S12、对紫外光刻胶层14进行光刻曝光和显影处理，以在基底10上形成待刻蚀沟槽图案；以及步骤S13、采用反应离子束刻蚀法对待刻蚀沟槽图案进行刻蚀。必要时采用反应离子束刻蚀进一步刻蚀显影不彻底的紫外光刻胶，直至露出基片，通过反应离子束刻蚀法在基底10的上表面11上形成沟槽。

刻蚀沟槽后对基底10进行清洁，之后套刻光栅结构图案以在该光栅结构图案中进行沉积形成金属光栅20。如图5d-5g所示，在一个实施例中，步骤S2中在沟槽内套刻光栅结构图案的步骤包括：步骤S21、在沟槽内旋涂电子束光刻胶15；步骤S22、采用电子束曝光、显影技术对电子束光刻胶15进行处理，形成光栅结构图案；以及步骤S23、在光栅结构图案上电沉积金属，形成金属光栅20。

如图5h所示，在一个优选实施例中，还包括对基底10的上表面11进行封装的步骤；优选采用采用热压法或者阳极键合法对基底10进行封装。

本发明优选采用上述工艺制作，但并不局限于此。基于目前用于微纳加工的技术较为成熟，包括光学曝光技术、电子束曝光技术、聚焦离子束加工技术、扫描探针加工技术、微纳米尺度的复制技术、各种沉积法与刻蚀法图形转移技术、间接纳米加工技术与自组装纳米加工技术。紫外曝光分辨率优于0.5微米的真空接触式双面掩模对准系统；电子束直写系统的分辨率可达2纳米、对准和拼接精度可达20nm。由于微纳加工的便捷，使得基于SERS基地的灵敏检测器的制造成为可能，并且制作时间短，工艺简单。

下面将会结合更具体的实施例进一步说明本发明的方法。

实施例1

1)取洁净Si基片作为基底，并在Si基底的上表面上旋凃紫外光刻胶层，其中紫外光刻胶层的厚度为1.5μm。

2)对紫外光刻胶层进行曝光和显影处理，在基底上形成待刻蚀沟槽图案，并采用反应离子束刻蚀法对待刻蚀沟槽图案进行刻蚀，在基底的上表面上形成深度为500nm的沟槽。

3)在沟槽内旋涂电子束光刻胶，厚度为600nm；采用电子束曝光、显影技术对电子束光刻胶进行处理，形成光栅结构图案；采用电化学沉积法在光栅结构图案上电沉积金属Au，在检测区就得到了由多个Au薄片构成的线型光栅，该Au光栅与基底的上表面平齐，周期为200nm、占空比为0.2。

采用与制备检测区的Au光栅相同的工艺步骤对沟槽的其它部位进行处理，形成宽度为800μm的矩形引流区和回流区，在引流区和检测区之间形成梯形结构的前级区，并且在回流区和检测区之间形成梯形结构的后级区，前级区和后级区内具有周期为100nm且直径为50nm的圆柱体导流柱。

4)采用Piranha溶液洗去基底上残余的电子束光刻胶；然后采用PDMS膜进行热压封装，得到了具有微流道结构的微流检测器。

实施例2

1)取洁净Si基片作为基底，并在Si基底的上表面上旋凃紫外光刻胶层，其中紫外光刻胶层的厚度为1.5μm。

2)对紫外光刻胶层进行曝光和显影处理，在基底上形成待刻蚀沟槽图案，并采用反应离子束刻蚀法对待刻蚀沟槽图案进行刻蚀，在基底的上表面上形成深度为500nm的沟槽。

3)在沟槽内旋涂电子束光刻胶，厚度为600nm；采用电子束曝光、显影技术对电子束光刻胶进行处理，形成光栅结构图案；采用电化学沉积法在光栅结构图案上电沉积金属Au，在检测区就得到了由多个Au薄片构成的线型光栅，该Au光栅凸出于基底的上表面的竖直高度x为500nm，周期为900nm、占空比为0.7。

采用与制备检测区的Au光栅相同的工艺步骤对沟槽的其它部位进行处理，形成宽度为800μm的矩形引流区和回流区，在引流区和检测区之间形成梯形结构的前级区，并且在回流区和检测区之间形成梯形结构的后级区，前级区和后级区内具有周期为150nm且直径为700nm的圆柱体导流柱。

4)采用Piranha溶液洗去基底上残余的电子束光刻胶；然后采用PDMS膜进行热压封装，得到了具有微流道结构的微流检测器。

采用实施例1、实施例2中的微流检测器对待测物质进行检测，发现检测限可以达到10-4M。而采用现有的基于SERS原理的检测器对同样的待测物质溶液进行检测，其检测限仅为10-3M。说明本发明的微流检测器的灵敏度远远高于现有的检测器。

至此，本领域技术人员应认识到，虽然本文已详尽示出和描述了本发明的多个示例性实施例，但是，在不脱离本发明精神和范围的情况下，仍可根据本发明公开的内容直接确定或推导出符合本发明原理的许多其他变型或修改。因此，本发明的范围应被理解和认定为覆盖了所有这些其他变型或修改。

Claims (13)

1.一种基于SERS机理的微流检测器，包括至少一个微流道结构，所述微流道结构包括：

基底(10)，具有上表面(11)以及从所述上表面(11)向下凹入的沟槽，所述沟槽具有检测区(121)；

金属光栅(20)，通过沉积金属形成在所述沟槽的所述检测区(121)内，

所述金属光栅(20)为由相互间隔开的多个金属薄片构成的线型光栅，每一所述金属薄片沿竖向设置且与所述沟槽的延伸方向基本平行地延伸；和

由透明材料形成的封装部(30)，所述封装部(30)设置在所述基底(10)的所述上表面(11)处，以从所述沟槽的上方封闭所述沟槽，从而与所述金属光栅一起限定了所述沟槽的供待测物质通过的相互不连通的多个微流道(21)。

2.根据权利要求1所述的微流检测器，其中，所述沟槽的深度为100～10000nm。

3.根据权利要求2所述的微流检测器，其中，所述沟槽的深度为500nm。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的微流检测器，其中，所述金属光栅(20)的高度设置成使得所述金属光栅(20)不低于所述基底(10)的所述上表面(11)所在的水平面。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的微流检测器，其中，所述金属光栅(20)的周期为100～1000nm，占空比为0.01～0.99。

6.根据权利要求5所述的微流检测器，其中，所述金属光栅(20)的周期为200～900nm，占空比为0.2～0.7。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的微流检测器，其中，所述沟槽还具有分别位于所述检测区(121)两侧的引流区(122)和回流区(123)；

其中，在横向于所述沟槽的延伸方向上的宽度方向上，所述引流区(122)和所述回流区(123)的宽度大于所述检测区(121)的宽度。

8.根据权利要求7所述的微流检测器，其中，所述引流区(122)和所述回流区(123)为矩形槽结构，所述引流区(122)和/或所述回流区(123)的所述宽度为1～10000μm。

9.根据权利要求8所述的微流检测器，其中，所述引流区(122)和/或所述回流区(123)的所述宽度为500μm～800μm。

10.根据权利要求7所述的微流检测器，其中，所述沟槽还具有前级区(124)和后级区(125)；

所述前级区(124)位于所述检测区(121)与所述引流区(122)之间，并从所述引流区(122)朝着所述检测区(121)以渐缩的方式延伸；以及

所述后级区(125)位于所述检测区(121)与所述回流区(123)之间，并从所述回流区(125)朝着所述检测区(121)以渐缩的方式延伸。

11.根据权利要求10所述的微流检测器，其中，所述前级区(124)和所述后级区(125)内形成有周期性排列的导流柱(126)。

12.根据权利要求11所述的微流检测器，其中，所述导流柱(126)的周期为100～1500nm，每一所述导流柱为直径为50～700nm的圆柱体。

13.根据权利要求1所述的微流检测器，其中，形成所述封装部(30)的所述透明材料为PDMS薄膜或硼硅玻璃薄膜。