CN103943923B - 基于ltcc技术的谐波抑制带通滤波器及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种基于LTCC技术的谐波抑制带通滤波器及其制造方法，采用选择第一阶跃阻抗谐振器上的第一预定点作为输入馈点并选择第二阶跃阻抗谐振器上的第二预定点作为输出馈点。输入馈线在该第一预定点与第一阶跃阻抗谐振器正交耦合，输出馈线在该第二预定点与第二阶跃阻抗谐振器正交耦合，使得第一阶跃阻抗谐振器以及第二阶跃阻抗谐振器的三次谐波无法响应，从而使得该基于LTCC技术的带通滤波器具有滤除三次谐波的效果，并且由于该第一预定点和第二预定点的位置采用精确计算得出，输入馈点和输出馈点的位置的选择更加精确和简单，具有精确度高、设计简单和生产过程简单的有益效果。

Description

基于LTCC技术的谐波抑制带通滤波器及其制造方法

技术领域

本发明涉及射频通信领域，尤其涉及一种基于LTCC技术的谐波抑制带通滤波器及其制造方法。

背景技术

随着无线通信系统的高速发展，高性能、低损耗、小型化的分布式带通滤波器得到了快速的发展和应用。然而，由于传输线的周期性变化使分布式带通滤波器受到谐波响应的影响。谐波响应不仅降低了带通滤波器的抑制水平和阻带宽度，而且影响通带的对称性。目前，多种具有谐波抑制功能的带通滤波器的设计方法已被研究，但是在宽阻带带通滤波器的设计中，如何将设计过程简单化、精确化成为一个难点。另外，低温共烧陶瓷技术(LTCC)因其可以提供三维的电路结构而被广泛地应用到小型化电路的设计中。

在以往的宽阻带带通滤波器的设计中，普遍存在设计过程复杂且没有给出详细的设计公式的问题。目前，尚缺少一种高精确、结构简单、便于设计和生产的具有抑制三次谐波功能的小型化宽阻带带通滤波器。

发明内容

针对现有技术中的带通滤波器精确度较低、设计过程复杂、不便于生产的缺陷，提供一种高精确度、便于设计和生产以及结构简单的基于LTCC技术的谐波抑制带通滤波器及其制造方法。

本发明解决技术问题采用的技术手段是：提供一种基于LTCC技术的谐波抑制带通滤波器，包括依次叠置的第一陶瓷基片单元、第二陶瓷基片单元、第三陶瓷基片单元、第四陶瓷基片单元、第五陶瓷基片单元、第六陶瓷基片单元；所述第二陶瓷基片单元的上表面设置有第一阶跃阻抗谐振器，所述第三陶瓷基片单元的上表面设置有输入馈线，所述第一阶跃阻抗谐振器包括互相电连接的第一阶梯部和第二阶梯部，所述输入馈线与所述第一阶跃阻抗谐振器正交耦合于所述第一阶梯部的第一预定点；所述第五陶瓷基片单元的上表面设置有输出馈线，所述第六陶瓷基片单元的上表面设置有第二阶跃阻抗谐振器，所述第二阶跃阻抗谐振器包括互相电连接的第三阶梯部和第四阶梯部；所述输出馈线与所述第二阶跃阻抗谐振器正交耦合于所述第三阶梯部的第二预定点；所述第二阶梯部和所述第四阶梯部相互耦合且均分别与所述第一金属接地层和第二金属接地层电连接以接地；其中，所述第一阶梯部和所述第三阶梯部的阻抗均为Z₁，所述第二阶梯部和第四阶梯部的阻抗均为Z₂，所述第二阶梯部和第四阶梯部的电长度均为θ₂，所述第一阶梯部和所述第三阶梯部的电长度均为θ₁；所述第一阶梯部的远离所述第二阶梯部的一端到所述第一预定点的电长度以及为所述第三阶梯部的远离所述第四阶梯部的一端到所述第二预定点的电长度均为θ₁₁，所述第一阶梯部的另一端到所述第一预定点的电长度以及所述第三阶梯部的另一端到所述第二预定点的电长度均为θ₁₂，并且θ₁＝θ₁₁+θ₁₂；所述第一预定点和所述第二预定点分别在所述第一阶梯部和所述第三阶梯部上的位置满足以下关系式：

$\frac{Z_1{Z}_2{\mathrm{tan\θ}}_2+Z_1^2{\mathrm{tan\θ}}_{12}}{Z_1({\mathrm{tan\θ}}_{11}{\mathrm{tan\θ}}_{12}-1)+Z_2{\mathrm{tan\θ}}_2({\mathrm{tan\θ}}_{12}+{\mathrm{tan\θ}}_{11})}=0.$

在本发明提供的基于LTCC技术的谐波抑制带通滤波器中，所述第二阶梯部为弯折的带状线，所述第四阶梯部为弯折的带状线。

在本发明提供的基于LTCC技术的谐波抑制带通滤波器中，所述第二阶梯部包括第一耦合部以及用于将所述第一耦合部与所述第一阶梯部电连接的第一电连接部；所述第四阶梯部包括第二耦合部以及用于将所述第二耦合部与所述第三阶梯部电连接的第二电连接部；所述第二耦合部和所述第一耦合部相互正对且相互耦合。

在本发明提供的基于LTCC技术的谐波抑制带通滤波器中，所述第一陶瓷基片单元的上表面设置有第一金属接地层，所述第六陶瓷基片单元的下表面设置有第二金属接地层，所述第二阶梯部和所述第四阶梯部分别通过金属化通孔与所述第一金属接地层以及所述第二金属接地层电连接。

本发明还提供了一种基于LTCC技术的谐波抑制带通滤波器的制造方法，包括以下步骤：

S1：提供依次叠置的第一陶瓷基片单元、第二陶瓷基片单元、第三陶瓷基片单元、第四陶瓷基片单元、第五陶瓷基片单元、第六陶瓷基片单元；提供第一阶跃阻抗谐振器和第二阶跃阻抗谐振器，所述第一阶跃阻抗谐振器包括电连接的第一阶梯部和第二阶梯部；所述第二阶跃阻抗谐振器包括电连接的第三阶梯部和第四阶梯部，所述第二阶梯部和所述第四阶梯部互相耦合且均接地；

S2：在所述第三陶瓷基片单元的上表面设置输入馈线，在所述第五陶瓷基片单元的上表面设置输出馈线；

S3：将所述第一阶跃阻抗谐振器设置于所述第二陶瓷基片单元的上表面，所述输入馈线与所述第一阶跃阻抗谐振器正交耦合于所述第一阶梯部的第一预定点；

将所述第二阶跃阻抗谐振器设置于所述第六陶瓷基片单元的上表面，所述输出馈线与所述第二阶跃阻抗谐振器正交耦合于所述第三阶梯部的第二预定点；

其中，所述第一阶梯部和所述第三阶梯部的阻抗均为Z₁，所述第二阶梯部和第四阶梯部的阻抗均为Z₂，所述第二阶梯部和第四阶梯部的电长度均为θ₂，所述第一阶梯部和所述第三阶梯部的电长度均为θ₁；所述第一阶梯部的远离所述第二阶梯部的一端到所述第一预定点的电长度以及为所述第三阶梯部的远离所述第四阶梯部的一端到所述第二预定点的电长度均为θ₁₁，所述第一阶梯部的另一端到所述第一预定点的电长度以及所述第三阶梯部的另一端到所述第二预定点的电长度均为θ₁₂，并且θ₁＝θ₁₁+θ₁₂；所述第一预定点和所述第二预定点分别在所述第一阶梯部和所述第三阶梯部上的位置满足以下关系式：

$\frac{Z_1{Z}_2{\mathrm{tan\θ}}_2+Z_1^2{\mathrm{tan\θ}}_{12}}{Z_1({\mathrm{tan\θ}}_{11}{\mathrm{tan\θ}}_{12}-1)+Z_2{\mathrm{tan\θ}}_2({\mathrm{tan\θ}}_{12}+{\mathrm{tan\θ}}_{11})}=0.$

在本发明提供的基于LTCC技术的谐波抑制带通滤波器的制造方法中，在所述步骤S1中：所述第二阶梯部为弯折的带状线，所述第四阶梯部为弯折的带状线。

在本发明提供的基于LTCC技术的谐波抑制带通滤波器的制造方法中，在所述步骤S1中：所述第一陶瓷基片单元的上表面设置有第一金属接地层，所述第六陶瓷基片单元的下表面设置有第二金属接地层，所述第二阶梯部和所述第四阶梯部分别通过金属化通孔与所述第一金属接地层以及所述第二金属接地层电连接。

实施本发明具有以下有益效果：采用优选公式分别在第一阶跃阻抗谐振器和第二阶跃阻抗谐振器上选择第一预定点和第二预定点作为输入馈点和输出馈点，第一阶跃阻抗谐振器和第二阶跃阻抗谐振器在第一预定点和第二预定点的三次谐波电压为零，使得该带通滤波器的三次谐波无法激励，从而实现滤除三次谐波的目的，达到一个宽阻带的效果，并且由于该预定点采用优选公式精确计算得出，具有精确度较高、结构简单、设计过程简单且便于生产的有益效果。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：

图1是本发明优选实施例中的基于LTCC技术的谐波抑制带通滤波器的立体结构示意图；

图2是图1所示实施例中的基于LTCC技术的谐波抑制带通滤波器的主视图；

图3是图1所示实施例中的第一阶跃阻抗谐振器或第二阶跃阻抗谐振器的等效结构示意图；

图4是图1所示实施例中的第一阶跃阻抗谐振器的平面安装结构示意图；

图5是图1所示实施例中的第二阶跃阻抗谐振器的平面安装结构示意图；

图6是图1所示实施例中的输入馈线的平面结构示意图；

图7是图1所示实施例中的输出馈线的平面结构示意图；

图8是图1所示实施例中的基于LTCC技术的谐波抑制带通滤波器仿真测试图。

具体实施方式

本发明采用选择第一阶跃阻抗谐振器60上的第一预定点A作为输入馈点并选择第二阶跃阻抗谐振器50上的第二预定点B作为输出馈点。该第一预定点A和第二预定点B分别为第一阶跃阻抗谐振器60和第二阶跃阻抗谐振器50的三次谐波电压零点，输入馈线10在该第一预定点A与第一阶跃阻抗谐振器60正交耦合，输出馈线20在该第二预定点B与第二阶跃阻抗谐振器50正交耦合，使得第一阶跃阻抗谐振器60以及第二阶跃阻抗谐振器50的三次谐波无法响应，从而使得该基于LTCC技术的带通滤波器具有滤除三次谐波的效果，并且由于该第一预定点A和第二预定点B的位置采用精确计算得出，输入馈点和输出馈点的位置的选择更加精确和简单，具有精确度较高而且生产过程简单的有益效果。下面结合附图对本发明作进一步详细说明。

图1示出了本发明一优选实施例中基于LTCC技术的谐波抑制带通滤波器，同时参照图2，该基于LTCC技术的谐波抑制带通滤波器包括依次叠置的第一陶瓷基片单元1a、第二陶瓷基片单元1b、第三陶瓷基片单元1c、第四陶瓷基片单元1d、第五陶瓷基片单元1e、第六陶瓷基片单元1f。每一陶瓷基单元均包括若干层陶瓷基片，每层陶瓷基片的厚度为0.1mm。

第一陶瓷基片单元1a的上表面设置有第一金属接地层31，第二陶瓷基片单元1b的上表面设置有第一阶跃阻抗谐振器60，第三陶瓷基片单元1c的上表面设置有输入馈线10，第五陶瓷基片单元1e的上表面设置有输出馈线20，第六陶瓷基片单元1f的上表面设置有第二阶跃阻抗谐振器50。第六陶瓷基片单元1f的下表面设置有第二金属接地层32。

同时参照图3所示，第一阶跃阻抗谐振器60包括互相电连接的第一阶梯部61和第二阶梯部62，输入馈线10与第一阶跃阻抗谐振器60正交耦合于第一阶梯部61的第一预定点A。优选地，第二阶梯部62为弯折的带状线，将第二阶梯部62做成弯折的带状线可以缩小尺寸，节约空间。第二阶梯部62包括第一耦合部62a以及用于将第一耦合部62a与第一阶梯部61电连接的第一电连接部62b，并且该第一耦合部62a和第一电连接部62b的互相垂直且宽度相等。

同时参照图4，第二阶跃阻抗谐振器50包括互相电连接的第三阶梯部51和第四阶梯部52；输出馈线20与第二阶跃阻抗谐振器50正交耦合于第三阶梯部51的第二预定点B；第二阶梯部62和第四阶梯部52相互耦合且均接地，具体地，第二阶梯部62和第四阶梯部52分别通过金属化通孔70与第一金属接地层31和第二金属接地层32电连接。第四阶梯部52也为弯折的带状线。

第四阶梯部52包括第二耦合部52a以及用于将第二耦合部52a与第三阶梯部51电连接的第二电连接部52b；并且该第二耦合部52a和第二电连接部52b的互相垂直且宽度相等。第二耦合部52a和第一耦合部62a相互正对且相互耦合，由于第二耦合部52a和第一耦合部62a采用的是面耦合，因此能量的传输效率更高。并且，由于第二阶梯部62和第一阶梯部61位于相互平行的平面上，而且两者相互耦合的部分在平行于陶瓷基片的平面上是相互重叠的，相对于将第一阶跃阻抗谐振器60和第二阶跃阻抗谐振器50设置于同一平面上，本发明可以减少每一陶瓷基片的面积，也即是缩小滤波器的水平尺寸。

具体地，如图5所示，第一阶梯部61和第三阶梯部51的阻抗均为Z₁，第二阶梯部62和第四阶梯部52的阻抗均为Z₂，第二阶梯部62和第四阶梯部52的电长度均为θ₂，第一阶梯部61和第三阶梯部51的电长度均为θ₁。第一阶梯部61的远离第二阶梯部62的一端到第一预定点A的电长度以及为第三阶梯部51的远离第四阶梯部52的一端到第二预定点B的电长度均为θ₁₁，第一阶梯部61的另一端到第一预定点A的电长度以及第三阶梯部51的另一端到第二预定点B的电长度均为θ₁₂，并且θ₁＝θ₁₁+θ₁₂。第一预定点A和第二预定点B分别在第一阶梯部和第三阶梯部上的位置满足以下关系式：

$\frac{Z_1{Z}_2{\mathrm{tan\θ}}_2+Z_1^2{\mathrm{tan\θ}}_{12}}{Z_1({\mathrm{tan\θ}}_{11}{\mathrm{tan\θ}}_{12}-1)+Z_2{\mathrm{tan\θ}}_2({\mathrm{tan\θ}}_{12}+{\mathrm{tan\θ}}_{11})}=0.$

该第一预定点A和第二预定点B分别为第一阶跃阻抗谐振器60和第二阶跃阻抗谐振器60的三次谐波电压零点。输入馈线10在第一预定点A与第一阶跃阻抗谐振器60正交耦合，使得该第一阶跃阻抗谐振器60的三次谐波无法响应。输出馈线20在第二预定点B与第二阶跃阻抗谐振器50正交耦合，使得该第二阶跃阻抗谐振器50的三次谐波无法响应。从而使得该基于LTCC技术的带通滤波器具有滤除三次谐波的效果，并且由于该第一预定点A和第二预定点B均采用精确计算得出，具有精确度较高而且生产过程简单的有益效果。

在本实施例中，根据该基于LTCC技术的谐波抑制带通滤波器的设计目标，例如，中心频率f₀＝2.8GHz,相对带宽FBW＝13.2％,可得到该带通滤波器设计时所需的外部品质因数Qe＝7.3，耦合系数k₁₂＝0.086。参照图3和图4，在实际电路设计过程中由于该第一阶跃阻抗谐振器60和第二阶跃阻抗谐振器50存在的寄生和开路效应，可对第一阶梯部61以及第三阶梯部51的长度值L₂进行微调以达到抑制谐波的最好效果。

本实施例采用LTCC陶瓷基片型号为A6-M,其介电常数为5.9。经过仿真优化，参照图2、图3、图4、图6以及图7所示，所设计的基于LTCC技术的谐波抑制带通滤波器的尺寸被确定如下：L₁＝3.8mm,L₂＝2.9mm,L₃＝1.37mm,L₄＝3.55mm,L₅＝4.8mm,L_p＝1.75mm,W₁＝1.1mm,W₂＝0.15mm,W₃＝0.4mm，S₁＝0.4mm,S₂＝0.2mm,S₃＝0.1mm。使用软件HFSS以及安捷伦E5071C网络分析器对本发明的基于LTCC技术的谐波抑制带通滤波器进行模拟和测量。如图8所示，测试结果显示中心频率为2.8GHz，FBW＝13.2％，通带内回波损耗大于11.6dB，插入损耗为2.2dB，本实施例的基于LTCC技术的谐波抑制带通滤波器的第一个带外谐波频率出现在约6f₀处，达到了较好的抑制效果。

本发明还提供了了一种基于LTCC技术的谐波抑制带通滤波器的制造方法，包括以下步骤：

S1：提供依次叠置的第一陶瓷基片单元1a、第二陶瓷基片单元1b、第三陶瓷基片单元1c、第四陶瓷基片单元1d、第五陶瓷基片单元1e、第六陶瓷基片单元1f；提供第一阶跃阻抗谐振器60和第二阶跃阻抗谐振器50，所述第一阶跃阻抗谐振器60包括电连接的第一阶梯部61和第二阶梯部62；所述第二阶跃阻抗谐振器50包括电连接的第三阶梯部51和第四阶梯部52，所述第二阶梯部62和所述第四阶梯部52互相耦合且均接地；

S2：在所述第三陶瓷基片单元1c的上表面设置输入馈线10，在所述第五陶瓷基片单元1e的上表面设置输出馈线20；

S3：将所述第一阶跃阻抗谐振器60设置于所述第二陶瓷基片单元1b的上表面，所述输入馈线10与所述第一阶跃阻抗谐振器60正交耦合于所述第一阶梯部61的第一预定点A；

将所述第二阶跃阻抗谐振器50设置于所述第六陶瓷基片单元1f的上表面，所述输出馈线20与所述第二阶跃阻抗谐振器50正交耦合于所述第三阶梯部51的第二预定点B；

其中，所述第一阶梯部61和所述第三阶梯部51的阻抗均为Z₁，所述第二阶梯部62和第四阶梯部52的阻抗均为Z₂，所述第二阶梯部62和第四阶梯部52的电长度均为θ₂，所述第一阶梯部61和所述第三阶梯部51的电长度均为θ₁；所述第一阶梯部61的远离所述第二阶梯部62的一端到所述第一预定点A的电长度以及为所述第三阶梯部51的远离所述第四阶梯部52的一端到所述第二预定点B的电长度均为θ₁₁，所述第一阶梯部61的另一端到所述第一预定点A的电长度以及所述第三阶梯部51的另一端到所述第二预定点B的电长度均为θ₁₂，并且θ₁＝θ₁₁+θ₁₂；所述第一预定点A和所述第二预定点B分别在所述第一阶梯部61和所述第三阶梯部51上的位置满足以下关系式：

$\frac{Z_1{Z}_2{\mathrm{tan\θ}}_2+Z_1^2{\mathrm{tan\θ}}_{12}}{Z_1({\mathrm{tan\θ}}_{11}{\mathrm{tan\θ}}_{12}-1)+Z_2{\mathrm{tan\θ}}_2({\mathrm{tan\θ}}_{12}+{\mathrm{tan\θ}}_{11})}=0.$

可以理解地，在步骤S1中：所述第二阶梯部62为弯折的带状线，所述第四阶梯部52为弯折的带状线，这样可以减小基于LTCC技术的谐波抑制带通滤波器的尺寸。

优选地，在步骤S1中：所述第一陶瓷基片单元1a的上表面设置有第一金属接地层31，所述第六陶瓷基片单元1f的下表面设置有第二金属接地层32，所述第二阶梯部62和所述第四阶梯部52分别通过金属化通孔70与所述第一金属接地层31以及所述第二金属接地层32电连接。

应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本发明型的保护之内。

Claims (7)

1.一种基于LTCC技术的谐波抑制带通滤波器，其特征在于，包括依次叠置的第一陶瓷基片单元(1a)、第二陶瓷基片单元(1b)、第三陶瓷基片单元(1c)、第四陶瓷基片单元(1d)、第五陶瓷基片单元(1e)、第六陶瓷基片单元(1f)；所述第一陶瓷基片单元(1a)的上表面设置有第一金属接地层(31)，所述第二陶瓷基片单元(1b)的上表面设置有第一阶跃阻抗谐振器(60)，所述第三陶瓷基片单元(1c)的上表面设置有输入馈线(10)，所述第一阶跃阻抗谐振器(60)包括互相电连接的第一阶梯部(61)和第二阶梯部(62)，所述输入馈线(10)与所述第一阶跃阻抗谐振器(60)正交耦合于所述第一阶梯部(61)的第一预定点(A)；所述第五陶瓷基片单元(1e)的上表面设置有输出馈线(20)，所述第六陶瓷基片单元(1f)的上表面设置有第二阶跃阻抗谐振器(50)，所述第六陶瓷基片单元(1f)的下表面设置有第二金属接地层(32)；所述第二阶跃阻抗谐振器(50)包括互相电连接的第三阶梯部(51)和第四阶梯部(52)；所述输出馈线(20)与所述第二阶跃阻抗谐振器(50)正交耦合于所述第三阶梯部(51)的第二预定点(B)；所述第二阶梯部(62)和所述第四阶梯部(52)相互耦合且均分别与所述第一金属接地层(31)和第二金属接地层(32)电连接以接地；其中，所述第一阶梯部(61)和所述第三阶梯部(51)的阻抗均为Z₁，所述第二阶梯部(62)和第四阶梯部(52)的阻抗均为Z₂，所述第二阶梯部(62)和第四阶梯部(52)的电长度均为θ₂，所述第一阶梯部(61)和所述第三阶梯部(51)的电长度均为θ₁；所述第一阶梯部(61)的远离所述第二阶梯部(62)的一端到所述第一预定点(A)的电长度以及为所述第三阶梯部(51)的远离所述第四阶梯部(52)的一端到所述第二预定点(B)的电长度均为θ₁₁，所述第一阶梯部(61)的另一端到所述第一预定点(A)的电长度以及所述第三阶梯部(51)的另一端到所述第二预定点(B)的电长度均为θ₁₂，并且θ₁＝θ₁₁+θ₁₂；所述第一预定点(A)和所述第二预定点(B)分别在所述第一阶梯部(61)和所述第三阶梯部(51)上的位置满足以下关系式：

$\frac{Z_1{Z}_2{\mathrm{tan\θ}}_2+Z_1^2{\mathrm{tan\θ}}_{12}}{Z_1({\mathrm{tan\θ}}_{11}{\mathrm{tan\θ}}_{12}-1)+Z_2{\mathrm{tan\θ}}_2({\mathrm{tan\θ}}_{12}+{\mathrm{tan\θ}}_{11})}=0.$

2.根据权利要求1所述的基于LTCC技术的谐波抑制带通滤波器，其特征在于，所述第二阶梯部(62)为弯折的带状线，所述第四阶梯部(52)为弯折的带状线。

3.根据权利要求2所述的基于LTCC技术的谐波抑制带通滤波器，其特征在于，所述第二阶梯部(62)包括第一耦合部(62a)以及用于将所述第一耦合部(62a)与所述第一阶梯部(61)电连接的第一电连接部(62b)；所述第四阶梯部(52)包括第二耦合部(52a)以及用于将所述第二耦合部(52a)与所述第三阶梯部(51)电连接的第二电连接部(52b)；所述第二耦合部(52a)和所述第一耦合部(62a)相互正对且相互耦合。

4.根据权利要求3所述的基于LTCC技术的谐波抑制带通滤波器，其特征在于，所述第二阶梯部(62)和所述第四阶梯部(52)分别通过金属化通孔(70)与所述第一金属接地层(31)以及所述第二金属接地层(32)电连接。

5.一种基于LTCC技术的谐波抑制带通滤波器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：提供依次叠置的第一陶瓷基片单元(1a)、第二陶瓷基片单元(1b)、第三陶瓷基片单元(1c)、第四陶瓷基片单元(1d)、第五陶瓷基片单元(1e)、第六陶瓷基片单元(1f)，其中，所述第一陶瓷基片单元(1a)的上表面设置有第一金属接地层(31)，所述第六陶瓷基片单元(1f)的下表面设置有第二金属接地层(32)；提供第一阶跃阻抗谐振器(60)和第二阶跃阻抗谐振器(50)，所述第一阶跃阻抗谐振器(60)包括电连接的第一阶梯部(61)和第二阶梯部(62)；所述第二阶跃阻抗谐振器(50)包括电连接的第三阶梯部(51)和第四阶梯部(52)，所述第二阶梯部(62)和所述第四阶梯部(52)互相耦合且均接地；

S2：在所述第三陶瓷基片单元(1c)的上表面设置输入馈线(10)，在所述第五陶瓷基片单元(1e)的上表面设置输出馈线(20)；

S3：将所述第一阶跃阻抗谐振器(60)设置于所述第二陶瓷基片单元(1b)的上表面，所述输入馈线(10)与所述第一阶跃阻抗谐振器(60)正交耦合于所述第一阶梯部(61)的第一预定点(A)；

将所述第二阶跃阻抗谐振器(50)设置于所述第六陶瓷基片单元(1f)的上表面，所述输出馈线(20)与所述第二阶跃阻抗谐振器(50)正交耦合于所述第三阶梯部(51)的第二预定点(B)；

其中，所述第一阶梯部(61)和所述第三阶梯部(51)的阻抗均为Z₁，所述第二阶梯部(62)和第四阶梯部(52)的阻抗均为Z₂，所述第二阶梯部(62)和第四阶梯部(52)的电长度均为θ₂，所述第一阶梯部(61)和所述第三阶梯部(51)的电长度均为θ₁；所述第一阶梯部(61)的远离所述第二阶梯部(62)的一端到所述第一预定点(A)的电长度以及为所述第三阶梯部(51)的远离所述第四阶梯部(52)的一端到所述第二预定点(B)的电长度均为θ₁₁，所述第一阶梯部(61)的另一端到所述第一预定点(A)的电长度以及所述第三阶梯部(51)的另一端到所述第二预定点(B)的电长度均为θ₁₂，并且θ₁＝θ₁₁+θ₁₂；所述第一预定点(A)和所述第二预定点(B)分别在所述第一阶梯部(61)和所述第三阶梯部(51)上的位置满足以下关系式：

$\frac{Z_1{Z}_2{\mathrm{tan\θ}}_2+Z_1^2{\mathrm{tan\θ}}_{12}}{Z_1({\mathrm{tan\θ}}_{11}{\mathrm{tan\θ}}_{12}-1)+Z_2{\mathrm{tan\θ}}_2({\mathrm{tan\θ}}_{12}+{\mathrm{tan\θ}}_{11})}=0.$

6.根据权利要求5所述的基于LTCC技术的谐波抑制带通滤波器的制造方法，其特征在于，在所述步骤S1中：所述第二阶梯部(62)为弯折的带状线，所述第四阶梯部(52)为弯折的带状线。

7.根据权利要求6所述的基于LTCC技术的谐波抑制带通滤波器的制造方法，其特征在于，在所述步骤S1中：所述第二阶梯部(62)和所述第四阶梯部(52)分别通过金属化通孔(70)与所述第一金属接地层(31)以及所述第二金属接地层(32)电连接。