CN103923568A - 一种用于低介电材料的抛光液及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种用于低介电材料的抛光液，包括如下组分：三氧化二铝溶胶磨料1～10份，加速剂0.01～1份，表面活性剂0.01～0.1份，氧化剂0.5～0.8份，缓蚀剂0.1～3份，去离子水5～20份，以重量份计。本发明制得的抛光液抛光效率高，抛光过程中不会产生腐蚀性，抛光质量好。
Description
技术领域
本发明涉及一种抛光液及其制备方法，具体涉及一种用于低介电材料的抛光液及其制备方法。
背景技术
抛光时表面处理常用的方法之一，目的是为了消除表面的细微不平，使得表面具有镜面光泽。抛光不但能美化产品，还是保证产品质量、延长使用寿命及发展新品种的重要手段，有时也能起到产品升值的作用。
抛光可以分为机械抛光、化学抛光和电化学抛光，抛光液主要用于化学抛光和电化学抛光。机械抛光主要利用的是抛光轮与抛光膏的精细磨料对零件进行轻微切削和研磨，除去基体表面的细微不平，达到降低表面粗糙度的目的。抛光膏是由磨料和油脂两大部分组成的，由于所用的磨料不同，油脂种类的差异，使抛光膏形成了多种不同的产品，使用在不同的场合。
化学抛光时金属表面上微观的凸起处在化学抛光液中的溶解速度比在微观凹下去处的快，结果表面逐渐整平而获得光滑、光亮表面的过程。
电化学抛光是对金属制品表面进行精加工的一种电化学方法，即把金属工件置于所组成的电抛光液中，作为阳极进行处理，降低工件表面微观结构的粗糙度，从而获得镜面般的光泽表面。一般对于难以用机械、化学方式抛光的或形状较为复杂且光洁度要求高的工件多采用电化学抛光。
低介电材料抛光时，局部或整体容易产生腐蚀，抛光质量不高。
发明内容
发明目的：本发明的目的在于针对现有技术的不足，提供一种抛光质量好的用于低介电材料的抛光液。
本发明的另一目的在于提供这种用于低介电材料的抛光液的制备方法。
技术方案：本发明所述的用于低介电材料的抛光液，包括如下组分：三氧化二铝溶胶磨料1～10份，加速剂0.01～1份，表面活性剂0.01～0.1份，氧化剂0.5～0.8份，缓蚀剂0. 1～3份，去离子水5～20份，以重量份计。
优选地，所述加速剂为羟基亚乙基二膦酸或2-羟基膦酰基乙酸。
优选地，所述表面活性剂为FA/O活性剂。
优选地，所述氧化剂为过氧化氢。
优选地，所述缓蚀剂为甲基苯并三氮唑。
本发明所述的用于低介电材料的抛光液的制备方法为：将各组分混合均匀即可。
本发明与现有技术相比，其有益效果是：本发明制得的抛光液抛光效率高，抛光过程中不会产生腐蚀性，抛光质量好。
具体实施方式
下面对本发明技术方案进行详细说明，但是本发明的保护范围不局限于所述实施例。
实施例1：本发明用于低介电材料的抛光液，包括如下组分：三氧化二铝溶胶磨料5份，加速剂0.03份，表面活性剂0.05份，氧化剂0.6份，缓蚀剂1份，去离子水10份，以重量份计。所述加速剂为羟基亚乙基二膦酸。所述表面活性剂为FA/O活性剂。所述氧化剂为过氧化氢。所述缓蚀剂为甲基苯并三氮唑。
所述的用于低介电材料的抛光液的制备方法为：将各组分混合均匀即可。
实施例2：本发明用于低介电材料的抛光液，包括如下组分：三氧化二铝溶胶磨料10份，加速剂1份，表面活性剂0.1份，氧化剂0.8份，缓蚀剂3份，去离子水20份，以重量份计。所述加速剂为2-羟基膦酰基乙酸。所述表面活性剂为FA/O活性剂。所述氧化剂为过氧化氢。所述缓蚀剂为甲基苯并三氮唑。
所述的用于低介电材料的抛光液的制备方法为：将各组分混合均匀即可。
实施例3：本发明用于低介电材料的抛光液，包括如下组分：三氧化二铝溶胶磨料1份，加速剂0.01份，表面活性剂0.01份，氧化剂0.5份，缓蚀剂0. 1份，去离子水5份，以重量份计。所述加速剂为羟基亚乙基二膦酸。所述表面活性剂为FA/O活性剂。所述氧化剂为过氧化氢。所述缓蚀剂为甲基苯并三氮唑。
所述的用于低介电材料的抛光液的制备方法为：将各组分混合均匀即可。
如上所述，尽管参照特定的优选实施例已经表示和表述了本发明，但其不得解释为对本发明自身的限制。在不脱离所附权利要求定义的本发明的精神和范围前提下，可对其在形式上和细节上作出各种变化。
Claims (6)
1.一种用于低介电材料的抛光液，其特征在于包括如下组分：三氧化二铝溶胶磨料1～10份，加速剂0.01～1份，表面活性剂0.01～0.1份，氧化剂0.5～0.8份，缓蚀剂0. 1～3份，去离子水5～20份，以重量份计。
2.根据权利要求1所述的用于低介电材料的抛光液，其特征在于：所述加速剂为羟基亚乙基二膦酸或2-羟基膦酰基乙酸。
3.根据权利要求1所述的用于低介电材料的抛光液，其特征在于：所述表面活性剂为FA/O活性剂。
4.根据权利要求1所述的用于低介电材料的抛光液，其特征在于：所述氧化剂为过氧化氢。
5.根据权利要求1所述的用于低介电材料的抛光液，其特征在于：所述缓蚀剂为甲基苯并三氮唑。
6.根据权利要求1-5所述的用于低介电材料的抛光液的制备方法，其特征在于：将各组分混合均匀。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410157521.8A CN103923568A (zh) | 2014-04-21 | 2014-04-21 | 一种用于低介电材料的抛光液及其制备方法 |
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| CN103923568A true CN103923568A (zh) | 2014-07-16 |
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Country Status (1)
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| CN (1) | CN103923568A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104726029A (zh) * | 2015-03-13 | 2015-06-24 | 天津诚信盈达科技发展有限公司 | 一种抛光液及其制备方法 |
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2014
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| CN104726029A (zh) * | 2015-03-13 | 2015-06-24 | 天津诚信盈达科技发展有限公司 | 一种抛光液及其制备方法 |
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| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20140716 |