CN103915476A

CN103915476A - 有机发光装置

Info

Publication number: CN103915476A
Application number: CN201310712107.4A
Authority: CN
Inventors: 姜真求; 申荣训
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2012-12-28
Filing date: 2013-12-20
Publication date: 2014-07-09
Also published as: DE102013114566A1; CN108417734B; GB2510959A; KR20140086500A; GB2510959B; US20140183474A1; US9035433B2; CN108417734A; GB201322100D0; KR102022886B1

Abstract

有机发光装置。一种有机发光装置包括：第一基板；薄膜晶体管层，该薄膜晶体管层形成在所述第一基板上；发光二极管层，该发光二极管层形成在薄膜晶体管层上；以及钝化层，该钝化层形成在发光二极管层上，所述钝化层包括第一无机绝缘膜和第二无机绝缘膜，其中，第一无机绝缘膜中含有的H含量小于所述第二无机绝缘膜中含有的H含量。

Description

有机发光装置

技术领域

本发明涉及有机发光装置，更具体地，涉及有机发光装置的钝化层。

背景技术

虽然液晶显示装置已经广泛用作平板显示装置，但是液晶显示装置需要背光作为单独的光源并且在亮度和对比度方面具有技术局限性。就这一点而言，已经增加了对亮度和对比度比较优秀的有机发光装置的关注。

有机发光装置具有在阴极与阳极之间插入发光层的结构，其中，阴极中产生电子，并且阳极中产生空穴。如果阴极中产生的电子和阳极中产生的空穴被注入到发光层中，则通过所注入的电子和空穴的复合产生激发子，然后所产生的激发子从被激发状态改变为基态，借此发出光。这样，有机发光装置显示图像图像。

下文中，将参照附图描述根据相关技术的有机发光装置。

图1是例示根据相关技术的有机发光装置的简要截面图。

如图1所示，相关技术的有机发光装置包括第一基板10、发光装置层20、钝化层30、粘合层40和第二基板50。

发光装置层20形成在第一基板10上。发光装置层20包括形成在第一基板10上的薄膜晶体管层21和形成在薄膜晶体管层21上的发光二极管层22。

钝化层30形成在发光装置层20上。钝化层30用于防止水渗透到发光装置层20中。该钝化层30包括诸如SiNx等的无机绝缘膜。

粘合层40形成在钝化层30上。粘合层40用于将基板50粘合到钝化层30上。

第二基板50形成在粘合层40上，并且用于保护有机发光装置不受外部影响。

相关技术的上述有机发光装置具有以下问题。

可以通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）或溅射来沉积用作钝化层的诸如SiNx等的无机绝缘膜。如果利用溅射法来沉积无机绝缘膜，则可能损坏构成发光二极管层22的有机发光层。因此，主要利用PECVD法来沉积无机绝缘膜。

而且，如果利用PECVD法来沉积无机绝缘膜，则应当在小于有机发光层的玻璃转换温度Tg的温度执行沉积工序。因此，在100℃或更低的温度下，针对无机绝缘膜执行沉积工序。同时，通过这种沉积工序获得的无机绝缘膜含有从诸如SiH₄和NH₃等的源气分解的大量氢（H）。

如上所述，根据相关技术的发光装置，钝化层30含有大量H。如果钝化层30含有大量H，则H随着时间流逝向下移动，借此H可以被扩散到薄膜晶体管层21的有源层中。这样，如果H被扩散到有源层中，则H使构成有源层的半导体氧化，借此改变了薄膜晶体管的阈值电压。因此，出现了所显示的图像质量劣化的问题。

发明内容

因此，本发明致力于提供一种有机发光装置，该有机发光装置能够基本解决由于相关技术的限制和缺陷而引起的一个或更多问题。

本发明的优点是提供一种降低钝化层中含有的H含量、以最小化扩散到薄膜晶体管的有源层中的H量，从而提高图像质量的有机发光装置。

本发明的附加优点和特征将在下面的描述中部分地得到描述，并且，在某种程度上，对于阅读下面内容的本领域普通技术人员将变得明确，或者可以通过本发明的实践来得到了解。通过书面的说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构可以实现和获得本发明的目的和其它优点。

为了实现这些目的和其它优点，并且根据本发明的目的，如本文具体实施和广泛描述的，根据本发明的有机发光装置包括第一基板；薄膜晶体管层，该薄膜晶体管层形成在所述第一基板上；发光二极管层，该发光二极管层形成在所述薄膜晶体管层上；以及钝化层，该钝化层形成在所述发光二极管层上，所述钝化层包括第一无机绝缘膜和第二无机绝缘膜，其中，所述第一无机绝缘膜中含有的H含量小于所述第二无机绝缘膜中含有的H含量。

应该理解，对本发明的以上概述和以下详述都是示例性和解释性的，并旨在对所要求保护的本发明提供进一步的解释。

附图说明

包括附图来提供对本发明的进一步理解，附图被结合到本申请中且构成本申请的一部分，附图示出了本发明的实施方式，且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：

图1是例示根据相关技术的有机发光装置的简要截面图；

图2是例示根据本发明的一个实施方式的有机发光装置的简要截面图；

图3的（a）至图3的（c）是例示根据本发明的多个实施方式的钝化层的截面图；以及

图4是例示根据本发明的一个实施方式的有机发光装置的薄膜晶体管层的详细截面图。

具体实施方式

下面将详细描述本发明的示例性实施方式，在附图中例示出了本发明的示例性实施方式的示例。在可能的情况下，贯穿附图将使用相同的附图标记来指代相同或类似的部件。

本说明书中公开的术语“上”意味着元件直接形成在另一个元件上，此外，第三元件部插入在这些元件之间。

下文中，将参照附图对本发明的优选实施方式进行详细描述。

图2是例示根据本发明的一个实施方式的有机发光装置的简要截面图。

如图2所示，根据本发明的一个实施方式的有机发光装置包括第一基板100、薄膜晶体管层200、发光二极管层300、盖帽层400、钝化层500、粘合层600和第二基板700。

虽然玻璃主要用作第一基板100，但是可以弯曲的透明塑料（例如，聚酰亚胺）也可以用作第一基板100。如果聚酰亚胺用作第一基板100的材料，考虑到在第一基板100上执行高温沉积工序，则可以使用具有优秀耐热性的聚酰亚胺（聚酰亚胺可以耐高温）。

薄膜晶体管层200形成在第一基板100上。薄膜晶体管层200包括多条线（诸如选通线、数据线和电源线）、开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管，其中，多个线与开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管连接。而且，通过组合薄膜晶体管的多条线和电极，可以形成电容器。后面将参照图4描述薄膜晶体管层200的细节。

发光二极管层300形成在薄膜晶体管层200上。

发光二极管层300包括堤岸层310、第一电极320、发光部330和第二电极340。

堤岸层310构图在薄膜晶体管层200上。更详细地，堤岸层310形成在除了发光区域之外的区域中。发光区域由堤岸层310限定。堤岸层310包括，但不限于，有机绝缘材料（例如，聚酰亚胺、感光亚克力或BCB）。

第一电极320构图在薄膜晶体管层200上。第一电极320与薄膜晶体管层200内部形成的漏极电连接。如果根据底部发光法应用本发明，则第一电极320包括透明导电材料。如果根据顶部发光法应用本发明，则第一电极320包括对反射有利的不透明导电材料。

发光部330形成在第一电极320上。虽然未示出，但是发光部330可以由按照一定的顺序沉积空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层的结构形成。可以省略空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的一层或两层或更多层。有机发光层可以形成为发出相同颜色的光，例如，白光，或者可以形成为每像素发出不同颜色的光，例如，红光、绿光或蓝光。

第二电极340形成在发光部330上。第二电极340可以以全部像素共有的电极的形式形成，而不针对每个像素进行分类。换言之，第二电极340可以形成在堤岸层310以及发光部330上。如果根据底部发光法应用本发明，则第二电极340包括对反射有利的不透明导电材料。如果根据顶部发光法应用本发明，则第二电极340包括透明导电材料。

盖帽层400形成在发光二极管层300上。盖帽层400用于增强光提取效果。盖帽层400可以由构成发光部330的上述材料制成。例如，盖帽层400可以由构成空穴传输层或空穴注入层的材料或者构成有机发光层的基质材料制成。然而，可以省略盖帽层400。

钝化层500形成在盖帽层400上。钝化层500形成为覆盖发光二极管层300的上部和侧部，从而保护发光二极管层300并且防止外部水渗透到发光二极管层300中。

钝化层500包括第一无机绝缘膜510和第二无机绝缘膜520。第一无机绝缘膜510形成在盖帽层400上，并且第二无机绝缘膜520形成在第一无机绝缘膜510上。

第一无机绝缘膜510和第二无机绝缘膜520各包括，但不限于，SiNx、SiOx、SiON或AlOx。

虽然第一无机绝缘膜510和第二无机绝缘膜520可以由相同材料制成，但是它们可以由彼此不同的各个材料制成。如果第一无机绝缘膜510和第二无机绝缘膜520由相同材料制成，则通过仅在相同沉积室改变工艺条件，可以由连续工序来沉积第一无机绝缘膜510和第二无机绝缘膜520。

在本说明书中，如果任一个无机绝缘膜由与另一个无机绝缘膜相同的材料制成，则这表示构成两个无机绝缘膜的材料的基本化合物结构彼此相同并且表示构成两个无机绝缘膜的材料的构成彼此相同。例如，如果第一无机绝缘膜510和第二无机绝缘膜520由SiNx结构制成，则它们由相同材料制成。

根据本发明，第一无机绝缘膜510中含有的H含量小于第二无机绝缘膜520中含有的H含量。

更具体地，优选的是，第一无机绝缘膜510中含有的H含量大于10%且小于30%。而且，优选的是，第二无机绝缘膜520中含有的H含量大于30%且小于40%。

在本说明书中，“H含量”表示无机绝缘膜中含有H的化合物的比例。

例如，如果第一无机绝缘膜510或第二无机绝缘膜520含有利用SiH₄、NH₃和N₂作为源气通过PECVD沉积的SiNx，则除了SiNx之外，第一无机绝缘膜510或第二无机绝缘膜520会附加含有诸如Si:H和N:H等的化合物。此时，第一无机绝缘膜510或第二无机绝缘膜520中的Si:H和N:H的比例变为“H含量”。%的单位是体积百分比。

可以由傅里叶变换红外（FT-IR）光谱法来测量H含量。因此，在本说明书中，H含量是由FT-IR光谱法测量的值。

因此，在第一无机绝缘膜510或第二无机绝缘膜520含有SiNx、Si:H和N:H的情况下，如果第一无机绝缘膜510中含有的H含量是10%并且第二无机绝缘膜520中含有的H含量是30%，则意味着由FT-IR光谱法测量的Si:H和N:H的含量在第一无机绝缘膜510中是10%，并且由FT-IR光谱法测量的Si:H和N:H的含量在第二无机绝缘膜520中是30%。

如上所述，根据本发明，因为钝化层500包括H含量小于第二无机绝缘膜520的H含量的第一无机绝缘膜510，优选地是，包括H含量大于10%且小于30%的第一无机绝缘膜510，所以与相关技术相比，减小了扩散到薄膜晶体管层200的有源层中的H的含量，借此降低了薄膜晶体管的阈值电压的变化。因此，与相关技术相比，可以提高图像质量。

通过改变源气的构成比与沉积工艺条件，可以调节第一无机绝缘膜510的H含量和第二无机绝缘膜520的H含量。例如，在使用相同类型的源气的情况下，可以减小源气中含有H的源气的构成比，以获得H含量相对小的第一无机绝缘膜510，并且可以增大含有H的源气的构成比，以获得H含量相对大的第二无机绝缘膜520。

而且，在低于发光部330中的有机发光层的玻璃转换温度Tg的温度执行沉积工序的情况下，如果在玻璃转换温度Tg或更低的温度范围内增加沉积温度，则可以增大被蒸发为气体的H的含量，以获得H含量相对小的第一无机绝缘膜510。如果在玻璃转换温度Tg或更低的温度范围内降低沉积温度，则可以获得H含量相对大的第二无机绝缘膜520。

如上所述，优选的是，第一无机绝缘膜510中含有的H含量大于10%且小于30%。这是因为如果H含量小于10%，则难以控制工序，并且如果H含量大于30%，则由于增大了钝化层500中H含量，而无法期待图像质量的提高。

而且，优选的是，第二无机绝缘膜520中含有的H含量大于30%且小于40%。这是因为如果H含量小于30%，则可能劣化作为钝化层500的主功能的水渗透防止功能，并且如果H含量大于40%，则由于增大了钝化层500中H含量，而无法期待图像质量的提高。

结果，为了解决由于钝化层500中含有的H被扩散到薄膜晶体管层200的有源层中而使图像质量劣化的问题，优选地，降低钝化层500中含有的H含量。然而，因为如果降低了钝化层500中含有的H含量，则可能劣化作为钝化层500的主功能的水渗透防止功能，所以在减小钝化层500中含有的H含量方面有限制。

因此，在本发明中，通过组合H含量相对小的第一无机绝缘膜和H含量相对大的第二无机绝缘膜来形成钝化层500，借此最小化由于H被扩散到有源层中而使得图像质量劣化的问题并且允许第二无机绝缘膜520期望地执行水渗透防止功能。

第一无机绝缘膜510和第二无机绝缘膜520以它们合适的厚度形成，以执行上述功能。具体地，优选的是，第一无机绝缘膜50的厚度与第二无机绝缘膜520的厚度之比在2:8至8:2的范围。如果第一无机绝缘膜50的厚度与第二无机绝缘膜520的厚度之比离开了上述厚度范围，则无法解决由于H被扩散到有源层中而使得图像质量劣化的问题，或者可能劣化水渗透防止功能。

如下面参照图3的（a）至图3的（c）所描述的，可以以各种方式改变包括第一无机绝缘膜510和第二无机绝缘膜520在内的钝化层500。

图3的（a）至图3的（c）是例示根据本发明的多个实施方式的钝化层的截面图。

参照图3的（a），根据本发明的另一个实施方式的钝化层500包括形成在盖帽层400上的第二无机绝缘膜520和形成在第二无机绝缘膜520上的第一无机绝缘膜510。

在图2中在盖帽层400上首先形成第一无机绝缘膜510，而在图3的（a）中在盖帽层400上首先形成第二无机绝缘膜520。

参照图3（b）和图3的（c），根据本发明的又一个实施方式的钝化层500包括形成在第一无机绝缘膜510或第二无机绝缘膜520上的第三无机绝缘膜530。

参照图3的（b），第一无机绝缘膜510、第二无机绝缘膜520和第三无机绝缘膜530按照适当顺序形成在盖帽层400上。形成在第二无机绝缘膜520上的第三无机绝缘膜530含有比第二无机绝缘膜520的H含量小的H含量。

H含量小于第二无机绝缘膜520的H含量的第三无机绝缘膜530以与第一无机绝缘膜510相同的方式具有大于10%且小于30%的H含量。具体地，第三无机绝缘膜530可以具有，但不限于，与第一无机绝缘膜510相同的H含量。而且，H含量小于第二无机绝缘膜520的H含量的第三无机绝缘膜530可以具有，但不限于，与第一无机绝缘膜510相同的材料。

在图3的（b）中，优选的是，第一无机绝缘膜530的厚度和第三无机绝缘膜530的厚度之和与第二无机绝缘膜520的厚度之比在2:8至8:2的范围。

参照图3的（c），第二无机绝缘膜510、第一无机绝缘膜520和第三无机绝缘膜530按照适当顺序形成在盖帽层400上。形成在第一无机绝缘膜510上的第三无机绝缘膜530含有比第一无机绝缘膜510的H含量大的H含量。

H含量大于第一无机绝缘膜510的第三无机绝缘膜530以与第二无机绝缘膜520相同的方式具有大于30%且小于40%的H含量。具体地，第三无机绝缘膜530可以具有，但不限于，与第二无机绝缘膜520相同的H含量。而且，H含量大于第一无机绝缘膜510的第三无机绝缘膜530可以具有，但不限于，与第二无机绝缘膜520相同的材料。

在图3的（c）中，优选的是，第一无机绝缘膜530的厚度与第二无机绝缘膜520的厚度的第三无机绝缘膜530的厚度之和的比在2:8至8:2的范围。

而且，虽然未示出，但是在图3的（b）中的第三无机绝缘膜530上可以还形成有第四无机绝缘膜。在这种情况下，第四无机绝缘膜具有大于30%且小于40%的H含量。而且，图3的（c）中，在图3c中的第三无机绝缘膜530上可以还形成有第四无机绝缘膜。在这种情况下，第四无机绝缘膜具有大于10%且小于30%的H含量。

最后，钝化层500可以由三层、四层或五层以上的无机绝缘膜制成。此时，交替地形成H含量相对大的无机绝缘膜和H含量相对小的无机绝缘膜。而且，优选的是，基于30%的H含量的具有相对大的H含量的无机绝缘膜的厚度之和与基于30%的H含量的具有相对小的H含量的无机绝缘膜的厚度之和的比在2:8至8:2的范围。

再次参照图2，粘合层600形成在钝化层500与第二基板700之间，以将第二基板700粘合到钝化层500上。

可以使用粘合膜作为粘合层600，或者可以使液体粘合材料硬化来形成粘合层600。

第二基板700可以由，但不限于，强化玻璃形成，以保护发光装置不受外部物理冲撞或擦刮的影响。可以弯曲的透明塑料例如聚酰亚胺可以用作第二基板700。

图4是例示根据本发明的一个实施方式的有机发光装置的薄膜晶体管层的详细截面图。附图通篇使用将相同的附图标记指代与上述实施方式相同或类似部件，并且将省略相同元件的重复描述。

如图4所示，根据本发明的一个实施方式的发光装置包括：第一基板100、栅极210、栅绝缘膜220、有源层230、蚀刻阻挡件240、源极250a、漏极250b、第一保护膜260、滤色器270、平整层280、第二保护膜290和发光二极管层300。

栅极210构图在第一基板100上。栅极120可以包括Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd、Cu或它们的合金，并且可以由上述金属或合金的单层、或两种或更多种金属或合金的多层制成。

栅绝缘膜220形成在栅极210上，以使栅极210与有源层230绝缘。栅绝缘膜220可以由，但不限于，诸如二氧化硅或氮化硅等的基于无机物基绝缘材料制成。栅绝缘膜220可以由诸如感光亚克力或BCB等的有机物基材料制成。

有源层230构图在栅绝缘膜220上。有源层230可以由，但不限于，诸如In-Ga-Zn-O（IGZO）等的氧化物半导体制成。有源层230可以由硅基半导体制成。

蚀刻阻挡件240构图在有源层230上。蚀刻阻挡件240用于防止有源层230的沟道区域在用于构图源极250a和漏极250b的蚀刻工序期间被蚀刻。蚀刻阻挡件240可以由，但不限于，诸如氧化硅或氮化硅等的无机绝缘材料制成。根据具体情况，可以省略蚀刻阻挡件240。

源极250a和漏极250b彼此面对地构图在蚀刻阻挡件240上。使源极250a从蚀刻阻挡件240起朝向有源层230的一个方向延伸，并且与有源层230连接。使漏极250b从蚀刻阻挡件240起朝向有源层230的另一个方向延伸，并且与有源层230连接。源极250a和漏极250b可以包括Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd、Cu或它们的合金，并且可以由上述金属或合金的单层、或两种或更多种金属或合金的多层制成。

第一保护膜260形成在源极250a和漏极250b上。第一保护膜260可以由，但不限于，诸如氧化硅或氮化硅等的无机绝缘材料制成。

滤色器270形成在第一保护膜260上。滤色器270被形成为与发光二极管层300的发光二极管层300交叠，借此从发光部330发出的光可以通过穿过滤色器270朝向第一基板100发射。该滤色器270可以由每像素分别形成的红滤色器、绿滤色器和蓝滤色器制成。然而，如果发光部330各像素发出红光、绿光或蓝光，则可以省略滤色器270。

平整层280形成在滤色器270上，以减小发光装置的表面阶梯差。平整层280可以由，但不限于，诸如感光亚克力或BCB等的有机绝缘材料制成。

第二保护膜290形成在平整层280上。第二保护膜290可以由，但不限于，诸如氧化硅或氮化硅等的无机绝缘材料制成。可以省略第二保护膜290。

如上所述，发光二极管层300包括堤岸层310、第一电极320、发光部330和第二电极340。

堤岸层310和第一电极320形成在第二保护膜290上。

第一电极320与漏极250b连接。换言之，因为在第一保护膜260、平整层280和第二保护膜290的预定区域形成有接触孔，所以漏极250b由接触孔露出，并且第一电极320通过接触孔与漏极250b连接。

发光部330形成在第一电极320上，并且第二电极340形成在发光部330上。

根据本发明的一个实施方式，形成图4示出的薄膜晶体管层200和发光二极管层300。根据本发明的薄膜晶体管层200和发光二极管层300不限于图4，并且可以对薄膜晶体管200和发光二极管层300做出本领域中已知的各种修改。

例如，图4涉及底栅结构的薄膜晶体管，其中栅极210形成在有源层230下。本发明还包括顶栅结构的薄膜晶体管，其中栅极210形成在有源层230上。

如上所述，可以如下获得本发明的优点。

根据本发明，因为钝化层包括H含量相对小的第一无机绝缘膜，所以与相关技术相比，减少了扩散到薄膜晶体管层的有源层中的H含量，借此减小薄膜晶体管的阈值电压的变化。因此，与相关技术相比，可以提高图像质量。

对于本领域技术人员而言，很明显，可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下对本发明做出各种修改和变化。因此，本发明旨在涵盖落入所附权利要求书及其等同物的范围内的本发明的修改和变型。

Claims

1.一种有机发光装置，该有机发光装置包括：

第一基板；

薄膜晶体管层，该薄膜晶体管层形成在所述第一基板上；

发光二极管层，该发光二极管层形成在所述薄膜晶体管层上；以及

钝化层，该钝化层形成在所述发光二极管层上，所述钝化层包括第一无机绝缘膜和第二无机绝缘膜，

其中，所述第一无机绝缘膜中含有的H含量小于所述第二无机绝缘膜中含有的H含量。

2.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述第一无机绝缘膜中含有的H含量大于10%且小于30%。

3.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述第二无机绝缘膜中含有的H含量大于30%且小于40%。

4.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述第一无机绝缘膜和所述第二无机绝缘膜各包括SiNx、SiOx、SiON或AlOx。

5.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述第一无机绝缘膜和所述第二无机绝缘膜由彼此相同的材料制成。

6.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述第一无机绝缘膜的厚度与所述第二无机绝缘膜的厚度之比在2:8至8:2的范围。

7.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述第一无机绝缘膜形成在所述发光二极管层上，并且所述第二无机绝缘膜形成在所述第一无机绝缘膜上。

8.根据权利要求7所述的有机发光装置，其中，在所述第二无机绝缘膜上还形成有第三无机绝缘膜，并且所述第三无机绝缘膜中含有的H含量大于10%且小于30%。

9.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述第二无机绝缘膜形成在所述发光二极管层上，并且所述第一无机绝缘膜形成在所述第二无机绝缘膜上。

10.根据权利要求9所述的有机发光装置，其中，在所述第一无机绝缘膜上还形成有第三无机绝缘膜，并且所述第三无机绝缘膜中含有的H含量大于30%且小于40%。