CN103904188A - 发光二极管及其混光方法 - Google Patents

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Abstract

一种发光二极管，包括蓝绿光光源以及橘红光光源，工作时，蓝绿光光源发出蓝绿光，橘红光光源发出橘红光，蓝绿光光源发出的蓝绿光与橘红光光源发出的橘红光混合而得到白光。由于本发明的发光二极管采用蓝绿光光源取代蓝光光源，可避免蓝光对人眼视网膜造成伤害，尤其是波长为441nm的蓝光，并且由蓝绿光与橘红光混合后得到的白光具有更好的演色性。本发明还提供一种发光二极管混光方法。

Description

发光二极管及其混光方法
技术领域
本发明涉及光的混合，尤其涉及一种发光二极管及其混光方法。
背景技术
近年来各国学者经过多项研究表明，蓝光通过提高视觉细胞对光的敏感度和光氧化反应导致细胞的死亡，损害视力。经过研究发现，蓝光照射视网膜时可产生大量活性视紫红质，显著提高视网膜感光能力，故视网膜对蓝光更敏感。试验中显示，441nm的蓝光对视网膜破坏力最强。脂褐素为视网膜细胞代谢的残留物。随着年龄增加脂褐素具有强烈吸收蓝光的特性，使视网膜色素上皮对蓝光敏感性增加。在有氧的条件下，蓝光刺激视网膜启动光氧化机制，形成严重的氧化反应，破坏机体正常的氧化还原的动态平衡，导致感光细胞凋亡，现认为脂褐素与蓝光的作用是导致黄斑变性的重要原因。大量的实验表明蓝光能够激活视网膜细胞的氧化反应，启动细胞凋亡机制，从而导致细胞的死亡和损伤。
然而，目前业界常用的制造白光发光二极管的方法为蓝光混合黄色荧光粉。如图1所示，示出了目前利用蓝光与黄光混合方法的光谱示意图。其中，蓝光频谱内包含有波峰1位于441nm附近的蓝光。因此，目前利用蓝光混合黄光的白光发光二极管中包含了相对强度较高的且对人体视网膜伤害较大的441波长的蓝光，如长期使用难免对视网膜造成伤害，进而利用蓝光混合黄光制程白光发光二极管的行业发展将受到限制。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种避免上述伤害的发光二极管混光方法及使用该混光方法的发光二极管。
一种发光二极管，包括蓝绿光光源以及橘红光光源，工作时，蓝绿光光源发出蓝绿光，橘红光光源发出橘红光，蓝绿光光源发出的蓝绿光与橘红光光源发出的橘红光混合而得到白光。
一种发光二极管混光方法，提供蓝绿光光源以及橘红光光源，蓝绿光光源发出蓝绿光，橘红光光源发出橘红光；混合蓝绿光及橘红光而得到白光。
由于本发明的发光二极管及其混光方法采用蓝绿光光源取代蓝光光源，可避免蓝光对人眼视网膜造成伤害，尤其是波长为441nm的蓝光，并且由蓝绿光与橘红光混合后得到的白光具有更好的演色性。
附图说明
图1为现有技术当中采用蓝光混合黄光的光谱示意图。
图2为本发明的发光二极管混光方法在CIE1931色坐标中的示意图。
图3使用本发明的发光二极管混光方法的第一实施例的发光二极管。
图4使用本发明的发光二极管混光方法的第二实施例的发光二极管。
主要元件符号说明
1、3 波峰
2、4 波谷
W 混光范围
10、20 发光二极管
11、21 基板
12、22 反射杯
13、23 第一芯片
14 荧光粉
15、25 封装层
24 第二芯片
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步的详细说明。
请参阅图2，示出了本发明的发光二极管混光方法在CIE1931色坐标中的示意图。本发明的发光二极管混光方法包括先提供一蓝绿光光源以及一橘红光光源。在图2中显示的CIE1931色坐标中，坐标范围在（0-0.3,0.3-0.8）(分别对应x坐标及y坐标)范围内的为蓝绿光，坐标范围在（0.4-0.8，0.2-0.5）范围内的为橘红光。在本实施例中，该蓝绿光光源与橘红光光源所发出的光线落在图2中混光范围W中。图2中显示该混光范围W为一矩形框，该矩形框的中点位置附近为白光。该矩形框的其中一短边落在蓝绿光范围内。相应地，该矩形框的另一短边落在橘红光范围内。可以理解地，该矩形框内经过其中点的任意一条直线上距离其中点相等的两个光源混合均可以得到白光。在本发明中，优选为位于临近其二短边位置处的蓝绿光以及橘红光。
该在可见光范围内，波长处于435nm-480nm的波长范围内的光为蓝光，对应图1中的波峰1附近的范围。波长处于490nm-500nm的波长范围内的光为蓝绿光，对应图1中的波峰1趋向于波谷2的范围。波长处于577nm-597nm的波长范围内的光为黄光，对应图1中的波峰3附近的范围。波长处于580nm-622nm的波长范围内的光为橘红光，对应图1中的波峰3趋向于波谷4的范围。本发明的发光二极管混光方法采用的为峰波大于490nm的蓝绿光以及峰波大于580nm的橘红光混合得到白光。可以理解地，本发明的发光二极管混光方法的光谱示意图与图1相比较两个波峰都往长波长方向移动。由于本发明的发光二极管混光方法采用峰波长大于490nm蓝绿光光源取代峰波长455nm附近的蓝光光源，因此本发明提出的发光二极管混光方法避免了对人眼视网膜造成伤害的蓝光，尤其是波长为441nm的蓝光。并且由蓝绿光与橘红光混合后得到的白光具有更好的演色性。
请参阅图3，示出了使用本发明的发光二极管混光方法的第一实施例的发光二极管10。该发光二极管10包括基板11，设置于该基板11上的反射杯12，设置于该反射杯12内的第一芯片13以及覆盖该第一芯片13并含有荧光粉14的封装层15，该荧光粉14设于该第一芯片13的出光光路上。该第一芯片13发出蓝绿光或者橘红光，相应地，该荧光粉14被第一芯片13发出的光激发后发出橘红光或者蓝绿光。也即是，该发光二极管10包含蓝绿光光源以及橘红光光源。并且该发光二极管10不限于是第一芯片13还是该荧光粉14作为蓝绿光光源。
请参阅图4，示出了使用本发明的发光二极管混光方法的第二实施例的发光二极管20。该发光二极管20包括基板21，设置于基板21上的反射杯22，设置于该反射杯22内的第一芯片23与第二芯片24，以及覆盖该第一芯片23与第二芯片24的封装层25。该第一芯片23发出蓝绿光，该第二芯片24发出橘红光。
可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种发光二极管，其特征在于：包括蓝绿光光源以及橘红光光源，工作时，蓝绿光光源发出蓝绿光，橘红光光源发出橘红光，蓝绿光光源发出的蓝绿光与橘红光光源发出的橘红光混合而得到白光。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该蓝绿光光源发出的蓝绿光峰波长大于490nm。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该蓝绿光在CIE1931色坐标中的坐标在（0-0.3，0.3-0.8）范围内。
4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该橘红光光源发出的橘红光峰波长大于580nm。
5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该橘红光在CIE1931色坐标中的坐标在（0.4-0.8，0.2-0.5）范围内。
6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该蓝绿光光源为一第一芯片，该橘红光光源为设于该第一芯片出光光路上的荧光粉，该第一芯片发出蓝绿光，该荧光粉被第一芯片发出的光激发后发出橘红光。
7.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该橘红光光源为一第一芯片，该蓝绿光光源为设于该第一芯片出光光路上的荧光粉，该第一芯片发出橘红光，该荧光粉被第一芯片发出的光激发后发出蓝绿光。
8.如权利要求6或7所述的发光二极管，其特征在于：还包括覆盖该发光芯片的封装层，该荧光粉设于封装层内。
9.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该蓝绿光光源为第一芯片，该橘红光光源为第二芯片，该第一芯片发出蓝绿光，该第二芯片发出橘红光。
10.一种发光二极管混光方法，其特征在于：提供蓝绿光光源以及橘红光光源，蓝绿光光源发出蓝绿光，橘红光光源发出橘红光；混合蓝绿光及橘红光而得到白光。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104638092A (zh) * 2015-01-27 2015-05-20 易美芯光（北京）科技有限公司 一种降低蓝光危害的led封装结构
WO2016090518A1 (zh) * 2014-12-09 2016-06-16 林伯刚 黄色背光系统及黄色背光方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104051588A (zh) * 2014-06-30 2014-09-17 深圳市红绿蓝光电科技有限公司 一种led光源
CN111326641B (zh) * 2020-02-28 2021-01-26 北京大学 一种降低白光发光二极管蓝光危害的方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1383499A (zh) * 2000-05-04 2002-12-04 皇家菲利浦电子有限公司 显示器件和照明系统的组件
CN101050850A (zh) * 2007-03-26 2007-10-10 鹤山丽得电子实业有限公司 一种合成低色温暖光的方法和采用该方法的发光装置
CN201017902Y (zh) * 2007-03-26 2008-02-06 鹤山丽得电子实业有限公司 一种低色温暖光发光装置
US20080048193A1 (en) * 2006-08-25 2008-02-28 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. White light emitting diode module
CN201209828Y (zh) * 2008-04-28 2009-03-18 吴明番 宽谱白光led

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60170194A (ja) * 1984-02-13 1985-09-03 ソニー株式会社 Ｅｌ素子
JP4366016B2 (ja) * 1998-09-28 2009-11-18 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 照明装置
US6513949B1 (en) * 1999-12-02 2003-02-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED/phosphor-LED hybrid lighting systems
JP2003298113A (ja) * 2002-04-03 2003-10-17 Toyoda Gosei Co Ltd Ｌｅｄ光源
US7586127B2 (en) * 2004-03-29 2009-09-08 Stanley Electric Co., Ltd. Light emitting diode
JP4588571B2 (ja) * 2005-06-28 2010-12-01 セイコーインスツル株式会社 照明装置及びこれを備える表示装置
TW201037059A (en) * 2009-04-01 2010-10-16 Chunghwa Picture Tubes Ltd Red light fluorescent material and manufacturing method thereof, and white light luminescent device
US20130015461A1 (en) * 2011-07-13 2013-01-17 Kun Hsin Technology Inc. Light-emitting Device Capable of Producing White Light And Light Mixing Method For Producing White Light With Same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1383499A (zh) * 2000-05-04 2002-12-04 皇家菲利浦电子有限公司 显示器件和照明系统的组件
US20080048193A1 (en) * 2006-08-25 2008-02-28 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. White light emitting diode module
TW201244186A (en) * 2006-08-25 2012-11-01 Samsung Led Co Ltd White light emitting diode module
CN101050850A (zh) * 2007-03-26 2007-10-10 鹤山丽得电子实业有限公司 一种合成低色温暖光的方法和采用该方法的发光装置
CN201017902Y (zh) * 2007-03-26 2008-02-06 鹤山丽得电子实业有限公司 一种低色温暖光发光装置
CN201209828Y (zh) * 2008-04-28 2009-03-18 吴明番 宽谱白光led

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016090518A1 (zh) * 2014-12-09 2016-06-16 林伯刚 黄色背光系统及黄色背光方法
CN104638092A (zh) * 2015-01-27 2015-05-20 易美芯光（北京）科技有限公司 一种降低蓝光危害的led封装结构

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