CN103903987B - 基于自对准的悬浮石墨烯晶体管制造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- -1 graphite alkene Chemical class 0.000 title claims abstract description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 19
- 239000010439 graphite Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 119
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 119
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 43
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 11
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 11
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 9
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 6
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 6
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 6
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 claims description 5
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 claims description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 claims description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 5
- NICDRCVJGXLKSF-UHFFFAOYSA-N nitric acid;trihydrochloride Chemical compound Cl.Cl.Cl.O[N+]([O-])=O NICDRCVJGXLKSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 4
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 4
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 4
- 235000019422 polyvinyl alcohol Nutrition 0.000 claims description 4
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Substances [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910016909 AlxOy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910002244 LaAlO3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910020776 SixNy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910020781 SixOy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910010303 TiOxNy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910003134 ZrOx Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 3
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 3
- KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolanthaniooxy)lanthanum Chemical compound O=[La]O[La]=O KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 3
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 claims description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 3
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 claims description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N methanol Natural products OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 2
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 claims description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 claims description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 abstract description 2
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- MNCMBBIFTVWHIP-UHFFFAOYSA-N 1-anthracen-9-yl-2,2,2-trifluoroethanone Chemical group C1=CC=C2C(C(=O)C(F)(F)F)=C(C=CC=C3)C3=CC2=C1 MNCMBBIFTVWHIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66015—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising semiconducting carbon, e.g. diamond, diamond-like carbon, graphene
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Abstract
本发明公开了一种基于自对准的悬浮石墨烯晶体管制造方法,涉及半导体器件的制造方法技术领域。所述方法在于:在衬底上形成金属薄膜,在金属薄膜上形成石墨烯材料再在石墨烯材料上形成金属薄膜,利用光刻胶图形,去除未被光刻胶覆盖的地方的两层金属以及石墨烯层;形成设计的源、栅和漏的金属电极,并在源漏之间形成所需要的栅光刻胶图形,腐蚀掉暴漏出来的金属以及石墨烯材料下面的金属,形成器件沟道的悬浮,在暴漏出来的石墨烯表面形成种子层,在种子层上形成栅介质,然后在栅介质上形成栅金属,最终形成悬浮石墨烯晶体管。所述方法简单易行,可有效的避免器件加工工艺对石墨烯的污染,避免衬底对沟道区石墨烯的散射,提高石墨烯晶体管的性能。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件的制作方法技术领域,尤其涉及一种基于自对准的悬浮石墨烯晶体管制造方法。
背景技术
石墨烯是一种具有理想二维晶体结构的碳质新材料,是目前已知导电性能最出色的材料,其饱和漂移速度为5.5×107cm/s,载流子迁移率大于200000cm2/Vs,适用于制作超高频器件。然而载流子的散射是影响二维的石墨烯材料特性的主要因素之一。表面陷阱、界面声子、衬底和制备工艺过程中引入的杂质等是石墨烯材料的主要散射源。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种基于自对准的悬浮石墨烯晶体管制造方法,所述方法可有效的避免衬底对沟道石墨烯的散射,避免器件加工工艺对石墨烯的污染,减小栅源和栅漏之间的间距,从而提高石墨烯晶体管的性能。
为解决上述技术问题,本发明所采取的技术方案是:一种基于自对准的悬浮石墨烯晶体管制造方法,其特征在于包括以下步骤:
1)在衬底上沉积第一层金属;
2)在第一层金属上形成石墨烯层;
3)在石墨烯层上沉积第二层金属;
4)在第二层金属上,通过光刻胶图形覆盖所需要的区域;
5)用光刻胶图形作为掩膜,去除掉暴露出来的第二层金属;
6)用光刻胶图形作为掩膜,刻蚀掉暴露出来的石墨烯层;
7)用光刻胶图形作为掩膜,去除掉暴露出来的第一层金属,然后去除光刻胶图形,形成有源区;
8)形成源极、栅极和漏极的金属电极,其中源极和漏极与有源区的金属相连接;
9)在源极和漏极之间,用光刻胶形成栅掩膜图形;
10)利用光刻胶形成的栅图形做掩膜,使用腐蚀液去除暴露出来的第二层金属,由于腐蚀液的钻蚀,也会同时腐蚀掉暴露出来的石墨烯层下面的第一层金属,形成部分悬空的石墨烯层;
11)在悬空的石墨烯层上形成栅金属,并去除栅掩膜图形的光刻胶;
12)利用栅金属的掩膜作用,自对准形成第三层金属。
优选的,在所述步骤10)和11)之间,还设有两个步骤,
第一步,利用光刻胶形成的栅图形做掩膜,在暴露出来的石墨烯层上形成栅介质种子层;
第二步,在栅介质种子层上形成栅介质;
此时,步骤11)为,在栅介质上形成栅金属,并去除栅掩膜图形的光刻胶。
优选的,所述衬底为绝缘层,所述绝缘层为SixOy、SixNy、BN、AlxOy、HfxOy、AlxNy、SiC,Si、Sapphire、玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯材料PET、聚酰亚胺PI、聚二甲基硅氧烷中的一种或两种以上的混合物,其中x=0.5-3,Y=0-2。
优选的,所述衬底还包括位于所述绝缘层下侧的基底层,所述基底层为半导体材料、导电材料或不同于绝缘层材料中的一种或两种以上的混合物。
优选的,所述步骤2)中石墨烯层的形成可以是直接沉积或外延在衬底上或者在其他材料上生长,然后经过剥离转移到衬底上,石墨烯层为一层以上。
优选的,所述步骤1)中的第一层金属为可以被化学溶液腐蚀的金属,Au,Ti,Pt,,Pd,Ag,Cr,Cu,Al中的一种或两种以上的混合物;第一层金属由物理气相沉积、化学气相沉积、真空蒸发、电镀、化学镀层或者以上几种方法联合形成,第一层金属厚度在0.1nm到1000nm之间;第二层金属的选择和形成方式可参照第一层金属,可以与第一层金属相同也可以不同;所述步骤4)中光刻胶图形是通过平版印刷术形成所需要的图形,图形为设计的石墨烯晶体管有源区;所述步骤5)和步骤)7中使用氢氟酸、王水、碘化钾和碘的混合液、氨水与双氧水的混合液、硼酸溶液、盐酸溶液或硝酸与冰乙酸的混合液将暴露出来的第二层金属和第一层金属去除;步骤6)中暴露出来的石墨烯层通过氧等离子刻蚀或干法刻蚀去除。
优选的,步骤8)中源极、栅极和漏极的金属电极为钌、铑、钯、银、锇、铱、铂、金、钛、铝、铬、锗、钼、镍、钨、铜、钴、铁中的一种或至少两种相互组合的合金,厚度在0.1nm到1000nm之间;步骤9)中光刻胶栅掩膜图形为一层以上,栅图形可以是直栅、T型栅、T-T型栅、Y型栅、Γ型栅或V型栅;所述步骤10)中使用氢氟酸、王水、碘化钾和碘的混合液、氨水与双氧水的混合液、硼酸溶液、盐酸溶液或硝酸与冰乙酸的混合液将暴露出来的第二层金属和第一层金属去除。
优选的,所述步骤11)中栅介质种子层为吸附的NO2、聚乙烯醇PVA、蒽甲醇或金属氧化物,种子层的厚度小于10nm;步骤12)中栅介质在种子层上形成,栅介质(13)为HfO2、ZrO2、La2O3、Al2O3、TlO2、SrTiO3、LaAlO3、Y2O3、HfOxNy、ZrOxNy、La2OxNy、Al2OxNy、TiOxNy、SrTiOxNy、LaAlOxNy、Y2OxNy、硅酸盐中的一种或两种的混合物,其中x=0.5-3,Y=0-2;步骤12)中栅介质可以由物理气相淀积PVD,化学气相淀积CVD,原子层气相淀积ALD,分子束外延MBE和溶胶凝胶Sol-Gel方法中的一种或至少两种方法相结合形成。
优选的,所述步骤13)中栅金属为钌、铑、钯、银、锇、铱、铂、金、钛、铝、铬、锗、钼、镍、钨、铜、钴、铁中一种或两种以上的混合物,金属厚度在0.1nm到1000nm之间。
优选的,所述步骤8)可以在步骤13)或步骤14)之后进行。
采用上述技术方案所产生的有益效果在于:所述方法因石墨烯层为悬浮状态,完全消除了衬底对沟道石墨烯材料的影响,有效的避免器件加工工艺对石墨烯的污染,使源漏间距和栅长相当,减小栅源和栅漏之间的间距,减小石墨烯晶体管的栅-源、栅-漏之间的通道电阻,从而提高石墨烯晶体管的性能。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
图1是衬底经过实施例一中的步骤1)处理后的结构示意图;
图2是图1经过实施例一中的步骤2)处理后的结构示意图;
图3是图2经过实施例一中的步骤3)处理后的结构示意图;
图4是图3经过实施例一中的步骤4)处理后的结构示意图;
图5是图4经过实施例一中的步骤5)-步骤7)处理后的结构示意图;
图6是实施例一中的步骤7)去除光刻胶图形后的结构示意图;
图7是图6经过实施例一中的步骤8)处理后的结构示意图;
图8是经过实施例一中的步骤8)处理后的立体结构示意图;
图9是图7经过实施例一中的步骤9)处理后的结构示意图;
图10是图9经过实施例一中的步骤10)处理后的结构示意图;
图11是图10经过实施例一中的步骤11)处理后的结构示意图;
图12是图11经过实施例一中的步骤12)处理后的结构示意图;
图13-15是图12经过实施例一中的步骤13)处理后的结构示意图;
图16是图14经过实施例一中的步骤14)处理后的结构示意图;
是使用本方法后形成的石墨烯晶体管的结构示意图;
图17是T型栅金属的结构示意图;
其中:1、衬底 2、绝缘层 3、基底层 4、第一层金属 5、石墨烯层 6、第二层金属 7、光刻胶图形 8、源极 9、漏极10、栅极 11、栅掩膜图形 12、种子层 13、栅介质 14、栅金属15、第三层金属 16、栅帽 17、栅根。
具体实施方式
下面结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明,但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广,因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
实施例一
一种基于自对准的悬浮石墨烯晶体管制造方法,其特征在于包括以下步骤:
步骤1)在衬底1上沉积第一层金属4,如图1所示。所述步骤1)中衬底1可以只包括绝缘层2,绝缘层2包括一种非导电的介电材料,如SixOy、SixNy、BN等,或一种非导电的金属氧化物,如AlxOy、HfxOy等,或一种非导电金属氮化物,如AlxNy等,或一种绝缘的半导体材料,如SiC,Si等,或一种绝缘材料,如Sapphire、玻璃等,或一种有机材料,如聚对苯二甲酸乙二醇酯材料(PET),聚酰亚胺(Polyimide,PI)薄膜材料,聚二甲基硅氧烷等,或者是以上至少两种的相互组合。衬底1还可以在绝缘层2下面设置基底层3,所述基底层3可以是一种半导体材料,或一种导电材料,或一种其他的绝缘材料或者以上至少两种的相互组合。其中x=0.5-3,Y=0-2。
所述步骤1)中的第一层金属4选择可以被化学溶液腐蚀的金属,例如Au,Ti,Pt,Ag,Cr,Cu,Pd等或者以上至少两种相互组合的合金。第一层金属4可以由物理气相沉积、化学气相沉积、真空蒸发、电镀(首先在表面形成导电种子层)、化学镀层(首先在表面形成导电种子层)或者以上几种方法联合形成。典型的金属厚度可以在1nm到1000nm之间,当然还可以是更小或更厚的厚度,需要根据需要进行设置。
步骤2)在第一层金属4上形成石墨烯层5,如图2所示。所述步骤2)中石墨烯层5的形成可以是直接沉积或外延在第一层金属4上或者在其他材料上生长,然后经过剥离,转移到第一层金属4上,石墨烯层5可以是一层,或者是多层。
步骤3)在石墨烯层5上沉积第二层金属6,如图3所示。所述步骤3)中第二层金属6的选择和形成方法参照第一层金属4,金属6可以和金属4相同,也可以不同。
步骤4)在第二层金属6上,通过光刻胶图形7覆盖所需要的区域,如图4所示。所述步骤4)中的光刻胶图形7可以是通过平版印刷术形成所需要的图形,例如矩形形状,矩形的面积为设计的石墨烯晶体管有源区。
步骤5)用光刻胶图形7作为掩膜,去除掉暴露出来的第二层金属6;步骤6)用光刻胶图形7作为掩膜,刻蚀掉暴露出来的石墨烯层5;步骤7)用光刻胶图形7作为掩膜,去除掉暴露出来的第一层金属4,然后去除光刻胶图形7,如图5-6所示。所述步骤5)中暴露出来的第二层金属去除,可以用化学腐蚀去除,例如氢氟酸、王水、碘化钾和碘的混合液、氨水与双氧水的混合液、硼酸溶液、盐酸溶液或硝酸与冰乙酸的混合液等,则在设计的石墨烯晶体管有源区上留下一层金属。所述步骤6)中有源区以外的石墨烯层可用刻蚀方法去除,例如氧等离子刻蚀,干法刻蚀等。所述步骤7)中暴露出来的第一层金属去除参照步骤5)中的方法。
步骤8)形成源极8、栅极10和漏极9的金属电极,其中源极8和漏极9与有源区的金属相连接,如图7-8所示。
所述步骤8)中源极8、栅极10和漏极9可以选择贵金属,还可以选择一般的金属,例如钌、铑、钯、银、锇、铱、铂、金、钛、铝、铬、锗、钼、镍、钨、铜、钴、铁等,或者以上至少两种相互组合的合金,金属厚度在0.1nm到1000nm之间,其厚度范围还可以根据不同的需求变大或减小。金属电极形成方法参照第一层金属4。
步骤9)在源极8和漏极9之间,用光刻胶形成栅掩膜图形11,如图9所示。所述步骤9)中光刻胶栅掩膜图形为一层以上光刻胶,栅掩膜图形可以是直栅、T型栅、T-T型栅、Y型栅、Γ型栅、V型栅等。
步骤10)利用光刻胶形成的栅图形做掩膜,使用腐蚀液去除暴露出来的第二层金属6,由于腐蚀液的钻蚀,也会同时腐蚀掉暴露出来的石墨烯层下面的第一层金属4,形成部分悬空的石墨烯层,如图10所示。所述步骤10)中金属去除的参照步骤5)。如果第一层金属4和第二层金属6为不同种类的金属,可以先去除一种金属再去除另一种金属。
步骤11)利用光刻胶形成的栅图形做掩膜,在暴露出来的石墨烯层5上形成栅介质种子层12,如图11所示。所述步骤11)中栅介质种子层可以是吸附的NO2,或者是一层聚合物,如聚乙烯醇(PVA)、9蒽甲醇(polysen)等,或者是一层金属,然后形成成金属氧化物,典型的金属厚度小于2nm。金属的形成可以是物理气相沉积、化学气相沉积、真空蒸发、磁控溅射等。随后金属放在包含氧气气氛环境中,例如空气、含氧容器等,形成金属氧化物。典型的例子如Al金属,在空气中氧化形成Al2O3种子层,种子层的厚度一般小于10nm,根据不同的介质,种子层厚度范围可以有相应的变化。
步骤12)在栅介质种子层12上形成栅介质13,如图12所示。所述步骤12)中栅介质可以是氧化物或者氮氧化物,例如HfO2、ZrO2、La2O3、Al2O3、TlO2、SrTiO3、LaAlO3、Y2O3、HfOxNy、ZrOxNy、La2OxNy、Al2OxNy、TiOxNy、SrTiOxNy、LaAlOxNy、Y2OxNy、硅酸盐和合金或者以上至少两种的相互组合,x取值范围在0.5-3,Y取值范围在0-2。
步骤13)在栅介质13上形成栅金属14,并去除栅掩膜图形的光刻胶;所述步骤13)中栅金属14可以选择贵金属,还可以选择一般的金属,例如钌、铑、钯、银、锇、铱、铂、金、钛、铝、铬、锗、钼、镍、钨、铜、钴、铁等或者以上至少两种相互组合的合金。金属厚度在0.1nm到1000nm之间,其厚度范围还可以根据不同的需求变大或减小。栅金属的形成方法参照第一层金属4,栅金属14的形状可以是直栅,如图13所示,或者是栅的上部分比下部分大,例如,T型栅、T-T型栅、Y型栅、Γ型栅、V型栅等,如图14所示,或者是栅的上部分比下部分小,例如倒梯形栅等,如图15所示。
步骤14)利用栅金属14的掩膜作用,自对准形成第三层金属15,如图15所示。所述步骤14)中金属15的种类、厚度和形成方法可以参照金属14,此步骤还可以取消不做。
在本实施例中,所述步骤13)中栅金属14选择可以自能够在表面形成一层氧化膜的金属,例如Al、Ti等或者至少两种金属的相互组合,则步骤11)和步骤12)也可以省略不做。所述步骤8)还可以在步骤13)或步骤14)后进行,只是工艺顺序的调整,不会对最终的器件造成影响。
综上所述,所述方法因石墨烯层为悬浮状态,完全消除了衬底对沟道石墨烯材料的影响,有效的避免器件加工工艺对石墨烯的污染,使源漏间距和栅长相当,减小栅源和栅漏之间的间距,减小石墨烯晶体管的栅-源、栅-漏之间的通道电阻,从而提高石墨烯晶体管的性能。
Claims (10)
1.一种基于自对准的悬浮石墨烯晶体管制造方法,其特征在于包括以下步骤:
1)在衬底(1)上沉积第一层金属(4);
2)在第一层金属(4)上形成石墨烯层(5);
3)在石墨烯层(5)上沉积第二层金属(6);
4)在第二层金属(6)上通过光刻胶图形(7)覆盖所需要的区域;
5)用光刻胶图形(7)作为掩膜,去除掉暴露出来的第二层金属(6);
6)用光刻胶图形(7)作为掩膜,刻蚀掉暴露出来的石墨烯层(5);
7)用光刻胶图形(7)作为掩膜,去除掉暴露出来的第一层金属(4),然后去除光刻胶图形(7),形成有源区;
8)形成源极(8)、栅极(10)和漏极(9)的金属电极,其中源极(8)和漏极(9)与有源区的金属相连接;
9)在源极(8)和漏极(9)之间,用光刻胶形成栅掩膜图形(11);
10)利用光刻胶形成的栅图形做掩膜,使用腐蚀液去除暴露出来的第二层金属(6),由于腐蚀液的钻蚀,也会同时腐蚀掉暴露出来的石墨烯层(5)下面的第一层金属(4),形成部分悬空的石墨烯层,悬空石墨烯层之外的石墨烯层通过第一金属层和第二金属层进行夹持;
11)在悬空的石墨烯层(5)上形成栅金属(14),并去除栅掩膜图形的光刻胶;
12)利用栅金属(14)的掩膜作用,自对准形成第三层金属(15)。
2.根据权利要求1所述的基于自对准的悬浮石墨烯晶体管制造方法,其特征在于:在所述步骤10)和11)之间,还设有两个步骤,
第一步,利用光刻胶形成的栅图形做掩膜,在暴露出来的石墨烯层(5)上形成栅介质种子层(12);
第二步,在栅介质种子层(12)上形成栅介质(13);
此时,步骤11)为,在栅介质(13)上形成栅金属(14),并去除栅掩膜图形的光刻胶。
3.根据权利要求1所述的基于自对准的悬浮石墨烯晶体管制造方法,其特征在于:所述衬底为绝缘层(2),所述绝缘层(2)为SixOy、SixNy、BN、AlxOy、HfxOy、AlxNy、SiC,Si、Sapphire、玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯材料PET、聚酰亚胺PI、聚二甲基硅氧烷中的一种或两种以上的混合物,其中x=0.5-3,Y=0-2。
4.根据权利要求3所述的基于自对准的悬浮石墨烯晶体管制造方法,其特征在于:所述衬底(1)还包括位于所述绝缘层(2)下侧的基底层(3),所述基底层为半导体材料、导电材料或不同于绝缘层(2)材料中的一种或两种以上的混合物。
5.根据权利要求1所述的基于自对准的悬浮石墨烯晶体管制造方法,其特征在于:所述步骤2)中石墨烯层(5)的形成可以是直接沉积或外延在衬底(1)上或者在其他材料上生长,然后经过剥离转移到衬底(1)上,石墨烯层(5)为一层以上。
6.根据权利要求1所述的基于自对准的悬浮石墨烯晶体管制造方法,其特征在于:所述步骤1)中的第一层金属(4)为可以被化学溶液腐蚀的金属,Au,Ti,Pt,Pd,Ag,Cr,Cu,Al中的一种或两种以上的混合物;第一层金属(4)由物理气相沉积、化学气相沉积、真空蒸发、电镀、化学镀层或者以上几种方法联合形成,第一层金属(4)厚度在0.1nm到1000nm之间;第二层金属(6)的选择和形成方式可参照第一层金属(4),可以与第一层金属(4)相同也可以不同;所述步骤4)中光刻胶图形(7)是通过平版印刷术形成所需要的图形,图形为设计的石墨烯晶体管有源区;所述步骤5)和步骤)7中可选择氢氟酸、王水、碘化钾和碘的混合液、氨水与双氧水的混合液、硼酸溶液、盐酸溶液或硝酸与冰乙酸的混合液中的一种或者两种以上的腐蚀液,将暴露出来的第二层金属(6)和第一层金属(4)去除;步骤6)中暴露出来的石墨烯层通过氧等离子刻蚀或干法刻蚀去除。
7.根据权利要求1所述的基于自对准的悬浮石墨烯晶体管制造方法,其特征在于:步骤8)中源极(8)、栅极(10)和漏极(9)的金属电极为钌、铑、钯、银、锇、铱、铂、金、钛、铝、铬、锗、钼、镍、钨、铜、钴、铁中的一种或至少两种相互组合的合金,厚度在0.1nm到1000nm之间;步骤9)中光刻胶栅掩膜图形为一层以上,栅图形可以是直栅、T型栅、T-T型栅、U型栅、G型栅或V型栅;所述步骤10)中可选择氢氟酸、王水、碘化钾和碘的混合液、氨水与双氧水的混合液、硼酸溶液、盐酸溶液或硝酸与冰乙酸的混合液中的一种或两种以上的腐蚀液,将暴露出来的第二层金属(6)和第一层金属(4)去除。
8.根据权利要求1所述的基于自对准的悬浮石墨烯晶体管制造方法,其特征在于:所述步骤11)中栅介质种子层(12)为吸附的NO2、聚乙烯醇PVA、蒽甲醇或金属氧化物,种子层的厚度小于10nm;步骤12)中栅介质(13)在种子层(12)上形成,栅介质(13)为HfO2、 ZrO2、La2O3、Al2O3、TlO2、SrTiO3、LaAlO3、Y2O3、HfOxNy、ZrOxNy、La2OxNy、Al2OxNy、TiOxNy、SrTiOxNy、LaAlOxNy、Y2OxNy、硅酸盐中的一种或两种的混合物,其中x=0.5-3,Y=0-2;步骤12)中栅介质可以由物理气相淀积PVD,化学气相淀积CVD,原子层气相淀积ALD,分子束外延MBE和溶胶凝胶Sol-Gel方法中的一种或至少两种方法相结合形成。
9.根据权利要求1所述的基于自对准的悬浮石墨烯晶体管制造方法,其特征在于:所述步骤13)中栅金属(14)为钌、铑、钯、银、锇、铱、铂、金、钛、铝、铬、锗、钼、镍、钨、铜、钴、铁中一种或两种以上的混合物,金属厚度在0.1nm到1000nm之间。
10.根据权利要求1所述的基于自对准的悬浮石墨烯晶体管制造方法,其特征在于:所述步骤8)可以在步骤11)或步骤12)之后进行。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410113118.5A CN103903987B (zh) | 2014-03-25 | 2014-03-25 | 基于自对准的悬浮石墨烯晶体管制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410113118.5A CN103903987B (zh) | 2014-03-25 | 2014-03-25 | 基于自对准的悬浮石墨烯晶体管制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103903987A CN103903987A (zh) | 2014-07-02 |
CN103903987B true CN103903987B (zh) | 2017-07-18 |
Family
ID=50995253
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410113118.5A Active CN103903987B (zh) | 2014-03-25 | 2014-03-25 | 基于自对准的悬浮石墨烯晶体管制造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103903987B (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108807211B (zh) * | 2018-06-27 | 2020-08-18 | 中国科学院微电子研究所 | 一种用于测量二维半导体材料的磁阻的装置及其制作方法 |
CN110137075B (zh) * | 2019-05-14 | 2021-06-11 | 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 | 一种离子注入氧化实现自对准石墨烯晶体管的制造方法 |
CN112309846B (zh) * | 2020-09-27 | 2023-01-17 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种二维材料场效应晶体管的制备方法 |
CN112259609B (zh) * | 2020-09-28 | 2022-07-22 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 通过腐蚀自对准工艺实现的碳纳米管晶体管器件制造方法 |
CN114703536B (zh) * | 2021-09-24 | 2023-12-05 | 南京大学 | 一种微区电镀装置及其在制备声表面波声子晶体中的应用 |
CN114739504B (zh) * | 2022-03-09 | 2023-11-14 | 大连理工大学 | 基于石墨烯-水凝胶的柔性水听器及其制造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103187283A (zh) * | 2011-12-29 | 2013-07-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 石墨烯场效应晶体管及其制作方法 |
CN103295912A (zh) * | 2013-05-21 | 2013-09-11 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种基于自对准技术的石墨烯晶体管制造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013004718A (ja) * | 2011-06-16 | 2013-01-07 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2014
- 2014-03-25 CN CN201410113118.5A patent/CN103903987B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103187283A (zh) * | 2011-12-29 | 2013-07-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 石墨烯场效应晶体管及其制作方法 |
CN103295912A (zh) * | 2013-05-21 | 2013-09-11 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种基于自对准技术的石墨烯晶体管制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103903987A (zh) | 2014-07-02 |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |