CN103885079A - 闪烁体、放射线检测装置和放射线检测系统 - Google Patents

闪烁体、放射线检测装置和放射线检测系统 Download PDF

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CN103885079A CN201310690747.XA CN201310690747A CN103885079A CN 103885079 A CN103885079 A CN 103885079A CN 201310690747 A CN201310690747 A CN 201310690747A CN 103885079 A CN103885079 A CN 103885079A
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竹田慎市
泽田觉
石井孝昌
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Abstract

本发明公开了一种闪烁体、放射线检测装置和放射线检测系统。闪烁体包括闪烁体层和覆盖层,该闪烁体层具有被配置为将放射线转换成光的多个柱晶,该覆盖层被配置为覆盖闪烁体层。闪烁体层包含突起。覆盖层覆盖闪烁体层以防止突起突破覆盖层,并含有被配置为将放射线转换成光的粒子。

Description

闪烁体、放射线检测装置和放射线检测系统
技术领域
本发明涉及闪烁体、放射线检测装置和放射线检测系统。
背景技术
存在包含闪烁体和传感器阵列的放射线检测装置,该闪烁体将放射线转换成光,该传感器阵列检测由闪烁体转换的光。例如,可通过诸如真空沉积(其使用以掺杂Tl的CsI材料为代表的基于碱卤化物的材料)的沉积形成闪烁体。闪烁体可被形成为含有多个通过沉积生长的柱晶的柱晶层。在柱晶层的表面上有时形成异常生长部分。可想到的原因是沉积时材料的暴沸和异物的捕获等。
日本专利公开No.2011-2472公开了一种向闪烁体的表面施加压力以使异常生长部分平坦化的方法。国际公开No.10/010725公开了一种通过粘接辊等清洁闪烁体面板的表面以移除异常生长部分(喷溅物)的方法。日本专利公开No.2005-181121公开了一种通过压力加工来减低异常生长部分(喷溅物)的高度并然后利用保护层覆盖异常生长部分(喷溅物)的方法。
在通过减少或移除异常生长部分的方法所获得的放射线成像装置中,放射线转换成光的效率在成像区域内极大地变化,并且获得的图像的质量较差。
发明内容
本发明提供一种有利于获得高质量图像的技术。
本发明的第一方面提供一种包括闪烁体层和覆盖层的闪烁体,该闪烁体层包含被配置为将放射线转换成光的多个柱晶,该覆盖层被配置为覆盖闪烁体层,其中,闪烁体层包含突起,并且覆盖层覆盖闪烁体层以防止突起突破覆盖层,并且含有被配置为将放射线转换成光的粒子。
本发明的第二方面提供一种放射线检测装置,包括:被限定为本发明的第一方面的闪烁体;以及被配置为检测由闪烁体转换的光的传感器阵列。
本发明的第三方面提供一种放射线检测系统,包括:被限定为本发明的第二方面的放射线检测装置;以及被配置为处理来自放射线检测装置的信号的信号处理器。
本发明的进一步的特征从以下参照附图的示例性实施例的描述将变得清晰。
附图说明
图1A和图1B是示出根据本发明的实施例的闪烁体的结构的示意性截面图;
图2A~2D是用于解释根据本发明的第一实施例的闪烁体和包含它的放射线成像装置以及制造它们的方法的截面图;
图3A~3D是用于解释根据本发明的第二实施例的闪烁体和包含它的放射线成像装置以及制造它们的方法的截面图;
图4A~4D是用于解释根据本发明的第三实施例的闪烁体和包含它的放射线成像装置以及制造它们的方法的截面图;
图5A~5C是用于解释根据本发明的第四实施例的闪烁体和包含它的放射线成像装置以及制造它们的方法的截面图;
图6是示出根据本发明的实施例的放射线检测系统的布置的示图。
具体实施方式
现在将参照附图示例性地描述本发明的优选实施例。
将参照图1A和图1B描述根据本发明的实施例的闪烁体100的结构。图1A是根据本发明的实施例的闪烁体100的示意性截面图。图1B是图1A中的部分A的示意性放大截面图。闪烁体100包含闪烁体层5和覆盖层7,该闪烁体层5包含用于将放射线转换成光的多个柱晶52,该覆盖层7覆盖闪烁体层5。闪烁体层5包含突起6。覆盖层7覆盖闪烁体层5以防止突起6突破覆盖层7。覆盖层7包含用于将放射线转换成光的粒子(particle)72。粒子72可由与形成柱晶52的材料相同或不同的材料制成。然而,形成粒子72的材料和形成柱晶52的材料优选地相同,原因在于,闪烁体层5和粒子72中将放射线转换成光的特性(例如,要被转换的光的波长)彼此接近。突起6一般是当多个柱晶52生长时通过异常生长(abnormal growth)而产生的异常生长部分。覆盖层7可以是含有粒子72的树脂层。
通过在覆盖层7中含有用于将放射线转换成光的粒子72,可抑制由突起6引起的图像质量(例如,感度(sensitivity)的变化或MTF)的降低。例如,在突起6存在的部分处闪烁体层5将放射线转换成光的效率比在剩余的部分处高。然而,在覆盖层7覆盖突起6的部分处覆盖层7的厚度比在剩余的部分处小。由此,在覆盖层7覆盖突起6的部分处粒子72的数量比在剩余的部分处粒子72的数量少。这减少了闪烁体层5中将放射线转换成光的效率的变化。粒子72的形状不限于特定的形状,并且可以是球形、柱形、长方体形或锥形。
粒子72的体积与覆盖层7的单位体积的比率优选地为10%(含)~90%(含)。如果该比率小于10%,那么由粒子72产生的光不到达传感器面板的光电转换器(像素),因此,通过在覆盖层7中含有粒子72来改善图像的效果变得不充分。如果该比率超过90%,那么固定粒子72的材料的量变得过小,从而使覆盖层7的形成变得困难。
粒子72的尺寸D2的最大值优选地小于覆盖层7的厚度RT,并且例如为5mm。覆盖层7的厚度RT可被评价为例如突起6不存在的区域的厚度。覆盖层7的厚度RT被确定为大于突起6的高度。粒子72的尺寸D2的最小值优选地小于柱晶52的直径D1,并且例如为1μm。含有粒子72的覆盖层7可通过由涂敷器(coater)、辊等向要形成覆盖层7的表面施加树脂和有机溶剂的混合溶液(粒子72在其中分散(disperse))、并然后干燥该混合溶液来形成。可替代地,含有粒子72的覆盖层7可通过在要形成覆盖层7的表面上布置粒子72、向它们施加树脂、并干燥该树脂来形成。干燥方法的示例是热风干燥、热板干燥以及红外干燥。
闪烁体层5将放射线转换成通过传感器面板的光电转换器可检测的波长的光。作为闪烁体层5的材料,可使用主要含有碱卤化物的材料。更具体地,闪烁体层5的材料的示例为:(a)CsI:Tl,(b)CsI:Na,(c)CsBr:Tl,(d)NaI:Tl,(e)LiI:Eu,以及(f)KI:Tl。
闪烁体层5的厚度优选地落在100μm~2mm的范围内,并且一般落在150μm~1mm的范围内。如果闪烁体层5的厚度变得小于100μm,那么照射的放射线转换成光的效率容易变得不充分。如果闪烁体层5的厚度变得大于2mm,那么闪烁体层5中产生的光在它到达传感器阵列之前容易在闪烁体层5中被吸收和散射,并且获得的图像的质量会降低。
突起6可在闪烁体层5的表面上随机地形成。突起6可一般通过异常生长形成。当通过沉积形成柱晶52时,由于在形成期间材料因材料(包含掺杂物)的暴沸(bumping)等而特别地沉积在闪烁体层5的表面上,因此可出现异常生长。另外,当在沉积中在形成期间在闪烁体层5的表面中捕获异物时,以及当以前沉积中的材料残存在沉积装置中并被再次沉积时,可出现异常生长。因此,异常生长可依赖于沉积装置中的沉积条件和环境。
通过异常生长形成的突起6的尺寸依赖于沉积条件,并且被预测以与要形成的闪烁体层5的厚度具有相关性。当通过沉积由CsI:Tl形成包含360μm厚的柱晶的闪烁体层时,突起的尺寸为从突起周围(10mmφ的圆形范围)的闪烁体层的表面水平(surface level)的平均(被限定为0)算起的0~200μm的高度。在这种情况下,当从与闪烁体层5垂直的顶部观看时,在观察露出在闪烁体层的表面上的部分中,突起的横向尺寸为200~600μm。当通过沉积由CsI:Tl形成包含1mm厚的柱晶的闪烁体层时,突起的尺寸从突起周围(10mmφ的圆形范围)的闪烁体层的表面水平的平均(被限定为0)算起最大为1mm。在这种情况下,当从与闪烁体层5垂直的顶部观看时,在观察露出在闪烁体层的表面上的部分中,突起的横向尺寸约为3mm。
闪烁体层表面水平测量方法的示例是通过测微计的测量、通过探针型步距规或激光显微镜的测量、以及通过截面SEM观察的测量。通过测微计的测量在室温、室内湿度以及5~10N的测量压力下被执行,并且采用3~9个点的测量结果的平均值作为结果。在通过探针型步距规的测量中,通过使用远端具有圆锥或四角锥形、顶角和相对面之间的角为60°或90°、且远端的半径为2μm~10μm的探针在1~100mm或1mm2~100mm2的测量范围中在1~15mg的探针压力下执行测量。在通过激光显微镜的测量中,从顶部垂直地观察闪烁体层的表面,并且在根据样品的10μm2~100mm2的测量范围中从最小高度部分到最大高度部分聚焦的同时对其成像。然后,从激光显微镜的系统中的散焦(defocus)计算高度的偏移,从而获得整个测量范围的高度信息。在通过截面SEM观察的测量中,可在SEM系统中从由SEM根据样品以10~10000的倍数观察的闪烁体层的截面的图像来计算表面水平。
可通过与闪烁体层5的表面水平的测量方法相同的方法测量突起6的尺寸。然而,为了避免破坏突起6的危险,优选通过激光显微镜从顶部垂直地观察闪烁体层5的表面的方法。
如上所述,覆盖层7的厚度RT被确定为大于突起6的高度。在这种情况下,突起6的高度可被测量,以基于结果来确定覆盖层7的厚度。可替代地,可基于闪烁体层5的形成条件和闪烁体层5的厚度估计突起6的高度,以基于结果来确定覆盖层7的厚度。覆盖层7具有在闪烁体层5上形成平坦表面的功能和保护闪烁体层5的功能(例如,防止水分渗透到闪烁体层5中的功能、以及保护闪烁体层5免受冲击的功能)。
覆盖层7一般由树脂形成。可考虑成膜的容易性、所要求的覆盖层7的硬度、以及水分渗透率等来选择树脂。形成覆盖层7的树脂的示例为聚酰亚胺基树脂、环氧树脂基树脂、聚烯烃基树脂、聚苯乙烯基树脂、聚酯基树脂、聚氨酯基树脂、聚乙烯基树脂、聚酰胺基树脂、纤维素基树脂、苯酚基树脂、氟基树脂以及丙烯酸基树脂。这些树脂可单独地或作为混合物被使用。
可基于含有树脂的溶液的触变性(thixotropy)考虑成膜的容易性。触变性是表示当溶液被搅拌时粘度值如何根据搅拌能力(例如,rpm)改变的指数。触变性指示动态与静态之间的粘度差,并且由称为触变指数的数值给出。溶液的触变指数可被限定为(0.3rpm下的粘度cps)/(3rpm下的粘度cps)。在该限定下,含有树脂的溶液的触变指数优选地落在1.0~5.0的范围内。如果触变指数超过5.0,那么施加中(即:动态中)的粘度变得过低,并且溶液不能形成为膜,或者即使它形成为膜,膜厚和形状也极大地变化。如果触变指数变为1.0或更小,那么施加中的粘度变得过高。可替代地,由于干燥和干燥之后的形状固定中的粘度过低,因此没有膜被形成,或者即使形成膜,膜厚和形状也极大地变化。如果施加中的粘度过高,那么含有树脂的溶液不能在应当形成膜的范围中散开(spread),或者在散开之前变干。当干燥和形状固定中的粘度过低时,即使含有树脂的溶液可在应当形成膜的范围中扩展,溶液也在干燥和形状固定期间流动,并且不能获得希望的膜厚或者形状可变得不均匀。触变性依赖于形成膜时含有树脂的溶液的成分,并且可由树脂的类型以及溶剂和添加剂的类型控制。特别地,使用以上提到的材料中的纤维素基树脂和聚乙烯基树脂的树脂具有1.2~2.0的触变指数,并且是优选的材料。
覆盖层7的硬度可通过拉伸弹性模量来评价。成膜中的含有树脂的溶液的拉伸弹性模量应当为比在闪烁体层中所产生的突起的拉伸弹性模量小的值。例如,可在由CsI:Tl制成的柱状闪烁体层中产生的突起的硬度为1.5~3.0×104kgf/cm2。由此,成膜中的含有树脂的溶液的拉伸弹性模量应当被设为比该硬度小的值。如果成膜中的含有树脂的溶液的拉伸弹性模量超过3.0×104kgf/cm2,那么溶液会在成膜中破坏喷溅物(splash)。更具体地,纤维素基树脂、聚苯乙烯基树脂以及聚乙烯基树脂是优选的材料,原因在于它们的拉伸弹性模量为1.5或更低。
当树脂层作为覆盖层被单独地使用时,希望使用具有低的水分渗透率的树脂。在这种情况下,树脂层优选地具有100cc/m2·24h/atm或更低的水蒸汽渗透率。当具有更高的水蒸汽渗透率的树脂层作为覆盖层被单独地使用时,水分的渗透不能被令人满意地缓和,并且会导致闪烁体层的潮解。在这种情况下,优选地使用具有100cc/m2·24h/atm或更低的水蒸汽渗透率的树脂,诸如聚乙烯基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚苯乙烯基树脂或环氧树脂基树脂。
将参照图2A~2D、图3A~3D、图4A~4D以及图5A~5C解释包含闪烁体层5和覆盖层7的闪烁体100以及组装闪烁体100的放射线检测装置200的实施例。
图2D示出包含闪烁体层5和覆盖层7的闪烁体100以及组装闪烁体100的放射线检测装置200的第一实施例。根据第一实施例的放射线检测装置200包含闪烁体100、支撑闪烁体100的闪烁体层5的支撑(support)基板4、以及传感器基板1。传感器基板1包含检测由闪烁体100转换的光的传感器阵列SA和用于连接传感器基板1与外部装置的连接部分3。传感器阵列SA包含二维排列的光电转换器。光电转换器可以为例如MIS传感器、PIN传感器或TFT传感器,但并不限于它们。支撑基板4可在闪烁体层5侧具有反射表面。闪烁体100的覆盖层7可通过粘接(adhesive)层8粘接到传感器基板1。闪烁体100可被密封部分9密封。
密封部分9可具有减少水分渗透到闪烁体100中的功能、减少施加到闪烁体100和传感器基板1的冲击的功能、以及防止静电带电的功能等。密封部分9的材料是抗静电性能、防湿性和缓冲(cushioning)优异的有机或无机材料。密封部分9的材料的示例是环氧树脂和氨基甲酸乙酯树脂。例如,可以通过耦合传感器基板1与闪烁体层5、向闪烁体100的周边喷涂用于形成密封部分9的树脂并干燥树脂来形成密封部分9。
将参照图2A~2D解释根据第一实施例的闪烁体100和组装闪烁体100的放射线检测装置200的制造方法。在图2A所示的步骤中,含有用于将放射线转换成光的粒子72的覆盖层7在未干燥的状态下被布置在传感器基板1上。此时,覆盖层7可被布置在传感器基板1上的粘接层8上。覆盖层7可通过诸如旋转涂敷、狭缝涂敷或丝网印刷的方法直接地或者经由粘接层8将含有粒子72的树脂施加到传感器基板1上来形成。
粘接层8可由例如压敏粘接双面涂敷片或液体硬化压敏粘接材料或粘接剂形成。为了有效地将由闪烁体层5转换的光传送到传感器阵列SA,粘接层8优选地由光学压敏粘接片或材料形成。粘接层8的厚度优选地落在例如5~50μm的范围内,并且进一步优选地落在5~20μm的范围内。如果粘接层8的厚度小于5μm,那么不能获得令人满意的粘接力,并且闪烁体层5与传感器基板1之间的耦合强度可变得不令人满意。如果粘接层8的厚度超过50μm,那么由粘接层8引起的闪烁体层5中产生的光的散射变大,并且获得的图像的质量(分辨率)会降低。
粘接层8的材料任意地为有机或无机材料。粘接层8可由例如丙烯酸基材料、环氧树脂基材料、硅基材料、天然橡胶基材料、硅石基材料、氨基甲酸乙酯基材料、乙烯基材料、聚烯烃基材料、聚酯基材料、聚氨酯基材料、聚酰亚胺基材料或纤维素基材料形成。这些材料可单独地或者作为混合物被使用。作为压敏粘接片的结构,例如,可使用在由PET等制成的芯材的两个表面上形成粘接层的结构或者由无芯单层压敏粘接层形成片的结构。
在图2B所示的步骤中,在支撑基板4上形成闪烁体层5。此时,在闪烁体层5上形成突起6。只要材料几乎不吸收放射线,支撑基板4就可由有机或无机材料形成。支撑基板4可由例如碳、CFRP、聚合材料、PET或铝形成。支撑基板4可在闪烁体层5侧具有反射表面。具有反射表面的支撑基板4可通过由材料(诸如包含铝或金的、具有高反射率的金属,或高反射率PET)形成支撑基板4或其表面来获得。可替代地,支撑基板4的表面可经受反射加工。
在图2C所示的步骤中,使由支撑基板4支撑的闪烁体层5与传感器基板1上的覆盖层7开始接触,使得闪烁体层5的突起6插入未干燥的覆盖层7中。然后,干燥覆盖层7。在图2D所示的步骤中,在闪烁体层5周围形成密封部分9,以密封闪烁体层5。通过这些步骤放射线检测装置200被获得。
将参照图3A~3D描述本发明的第二实施例。除非出现不匹配,在第二实施例中没有提到的细节可遵照第一实施例中的那些细节。图3D示出包含闪烁体层5和覆盖层7的闪烁体100以及组装闪烁体100的放射线检测装置200的第二实施例。根据第二实施例的放射线检测装置200包含闪烁体100、支撑闪烁体100的闪烁体层5的支撑基板4、以及传感器基板1。
将参照图3A~3D解释根据第二实施例的闪烁体100和组装闪烁体100的放射线检测装置200的制造方法。在图3A所示的步骤中,在支撑基板4上形成闪烁体层5。此时,在闪烁体层5上形成突起6。在图3B所示的步骤中,在包含突起6的闪烁体层5上形成包含用于将放射线转换成光的粒子72的覆盖层7。覆盖层7可通过诸如旋转涂敷、狭缝涂敷或丝网印刷的方法将含有粒子72的树脂施加到闪烁体层5上并然后干燥树脂来形成。
在图3C所示的步骤中,通过粘接层8耦合传感器基板1和闪烁体层5。在图3D所示的步骤中,在闪烁体层5周围形成密封部分9,以密封闪烁体层5。通过这些步骤放射线检测装置200被获得。
将参照图4A~4D描述本发明的第三实施例。除非出现不匹配,在第三实施例中没有提到的细节可遵照第一实施例中的那些细节。图4D示出包含闪烁体层5和覆盖层7的闪烁体100以及组装闪烁体100的放射线检测装置200的第三实施例。根据第三实施例的放射线检测装置200包含闪烁体100、支撑闪烁体100的闪烁体层5的支撑基板4、以及传感器基板1。
将参照图4A~4D解释根据第三实施例的闪烁体100和组装闪烁体100的放射线检测装置200的制造方法。在图4A所示的步骤中,在基板13上形成闪烁体层5。此时,在闪烁体层5上形成突起6。并且,在图4A所示的步骤中,含有用于将放射线转换成光的粒子72的覆盖层7在未干燥的状态下被布置在支撑基板4上。覆盖层7可通过诸如旋转涂敷、狭缝涂敷或丝网印刷的方法将含有粒子72的树脂施加到支撑基板4上来形成。进一步地,在图4A所示的步骤中,使由支撑基板4支撑的闪烁体层5与传感器基板1上的覆盖层7开始接触,使得闪烁体层5的突起6插入未干燥的覆盖层7中。然后,干燥覆盖层7。作为结果,包含闪烁体层5和覆盖层7的闪烁体(闪烁体面板)100被形成。
在图4B所示的步骤中,闪烁体层5被从基板13移除。在图4C所示的步骤中,通过粘接层8耦合传感器基板1和闪烁体100。在图4D所示的步骤中,在闪烁体层5周围形成密封部分9,以密封闪烁体层5。通过这些步骤放射线检测装置200被获得。
将参照图5A~5C描述本发明的第四实施例。除非出现不匹配,在第四实施例中没有提到的细节可遵照第一实施例中的那些细节。图5C示出包含闪烁体层5和覆盖层7的闪烁体100以及组装闪烁体100的放射线检测装置200的第四实施例。根据第四实施例的放射线检测装置200包含闪烁体100、传感器基板1、粘接层18、反射层19、以及保护层20。
将参照图5A~5C解释根据第四实施例的闪烁体100和组装闪烁体100的放射线检测装置200的制造方法。在图5A所示的步骤中,在传感器基板1上形成闪烁体层5。此时,在闪烁体层5上形成突起6。在图5B所示的步骤中,在包含突起6的闪烁体层5上形成含有用于将放射线转换成光的粒子72的覆盖层7。覆盖层7可通过诸如旋转涂敷、狭缝涂敷或丝网印刷的方法将包含粒子72的树脂施加到闪烁体层5上并然后干燥树脂来形成。在图5C所示的步骤中,在覆盖层7上的粘接层18上形成反射层19,并且形成保护层20以覆盖反射层19。
反射层19朝向传感器基板1反射由闪烁体层5转换的光中、朝向与传感器基板1相对的一侧传播的光。反射层19可由高反射率金属薄膜(诸如铝或金)或金属箔形成。可替代地,反射层19可由高反射率塑料材料形成。反射层19的厚度优选地落在例如1~100μm的范围内。如果反射层19比1μm薄,那么形成反射层19时容易产生针孔缺陷。如果反射层19的厚度超过100μm,那么放射线的吸收变大,并且获得的图像的质量会降低。
粘接层18被用于耦合形成在闪烁体层5上的覆盖层7和反射层19。粘接层18可由例如压敏粘接双面涂敷片或液体硬化压敏粘接材料或粘接剂形成。粘接层18的厚度优选地落在例如10~200μm的范围内。如果粘接层18的厚度小于10μm,那么不能获得令人满意的粘接力,并且覆盖层7与反射层19之间的耦合强度可变得不令人满意。如果粘接层18的厚度超过200μm,那么在闪烁体层5中产生的光和由反射层19反射的光的散射变大,并且获得的图像的质量(分辨率)会降低。
粘接层18的材料可任意地为有机或无机材料。粘接层18可由例如丙烯酸基材料、环氧树脂基材料、硅基材料、天然橡胶基材料、硅石基材料、氨基甲酸乙酯基材料、乙烯基材料、聚烯烃基材料、聚酯基材料、聚氨酯基材料、聚酰亚胺基材料或纤维素基材料形成。可替代地,粘接层18可由热熔性树脂形成。这些材料可单独地或者作为混合物被使用。
热熔性树脂被限定为粘接树脂,其既不含有水分也不含有溶剂、在室温下为固态、并且由完全非挥发性热塑材料制成。热熔性树脂随着树脂温度上升而熔融,并随着树脂温度下降而凝固。热熔性树脂在熔融状态下具有与其它有机材料和无机材料的粘接性能,而在室温下变为固态并且不具有粘接性能。热熔性树脂不含有极性溶剂、溶剂以及水分中的任意一种。热熔性树脂与通过在溶剂中溶解热塑的溶剂施加方法而制备的溶剂蒸发硬化粘接树脂不同。热熔性树脂也与以环氧树脂为代表的、通过化学反应而制备的化学反应粘接树脂不同。由反射层19和保护层20制成的片和覆盖层7可通过粘接层18耦合,或者,由粘接层18、反射层19以及保护层20制成的片可与覆盖层7耦合。
保护层20防止冲击对反射层19的损坏和水分对反射层19的腐蚀。保护层20可由诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、氯乙烯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚酰亚胺的膜材料形成。保护层20的厚度优选地落在例如10~100μm的范围内。
将参照图6示例性地描述组装上述放射线检测装置200的放射线检测系统。由X射线管(放射线源)6050产生的X射线(放射线)6060穿过被检体6061的胸部并进入如图6所示的放射线检测装置6040(与上述放射线检测装置200对应)。入射的X射线包含被检体6061的体内信息。闪烁体响应于X射线的进入而发光。传感器基板的光电转换器检测光,从而从传感器基板输出图像。该信息被数字转换,经受通过用作信号处理器的图像处理器6070的图像处理,并可在控制室中的显示器6080上被观察。诸如网络6090(其包含电话、LAN或因特网)的传送处理手段可将该信息传送到远程位置。因此,该信息可在另一位置处的医生室等中的显示器6081上被显示,并且远程位置处的医生可进行诊断。另外,胶片处理器6100可将信息记录在胶片6110上。
尽管已参照示例性实施例描述了本发明,但应理解,本发明不限于所公开的示例性实施例。随附权利要求的范围应被赋予最宽的解释,以涵盖所有这样的修改以及等同的结构和功能。

Claims (8)

1.一种包括闪烁体层和覆盖层的闪烁体,该闪烁体层包含被配置为将放射线转换成光的多个柱晶,该覆盖层被配置为覆盖闪烁体层,
其中,闪烁体层包含突起,并且
覆盖层覆盖闪烁体层以防止突起突破覆盖层,并且含有被配置为将放射线转换成光的粒子。
2.根据权利要求1的闪烁体,其中,突起是当所述多个柱晶生长时由异常生长形成的。
3.根据权利要求1的闪烁体,其中,粒子的体积与覆盖层的单位体积的比率为10%(含)~90%(含)。
4.根据权利要求1的闪烁体,其中,覆盖层由含有该粒子的树脂形成。
5.根据权利要求1的闪烁体,其中,粒子由与柱晶的材料相同的材料形成。
6.根据权利要求1的闪烁体,其中,粒子具有比柱晶的直径小的尺寸。
7.一种放射线检测装置,包括:
权利要求1~6的任一项中限定的闪烁体;以及
传感器阵列,其被配置为检测由闪烁体转换的光。
8.一种放射线检测系统,包括:
权利要求7中限定的放射线检测装置;以及
信号处理器,其被配置为处理来自放射线检测装置的信号。
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