CN103875399A - 一种用育苗温床培育甘薯种苗的方法 - Google Patents

一种用育苗温床培育甘薯种苗的方法 Download PDF

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一种用育苗温床培育甘薯种苗的方法，本发明采用了将光能和电能向热能转化技术，温控技术、设备以及互通网格式热循环系统集成运用到甘薯育苗中，有效地解决了甘薯育苗不同阶段对温度的需求，提高对低温寡照天气的应变能力；较传统加温方法火道加热法,酿热物发热法等升温快，升温可靠，全床温度均匀，温差很小，在不同育苗阶段可以对温度进行及时调整，操作简便，节能省工，降低成本；改变传统塑料棚育苗中热量仅能从床面向薯层逐步渗透的热循环途径，利用床面与互通网格式导气槽内循环的热空气对种薯的阳面向上的一面与阴面向下的一面同时加热，改变种薯阴面周围的空气流量与温度，促使阴面不定芽的分化，提高出苗量。

Description

一种用育苗温床培育甘薯种苗的方法
技术领域
本发明涉及一种甘薯育苗的方法，尤其是涉及一种用育苗温床培育甘薯种苗的方法。
背景技术
甘薯育苗是甘薯生产中的首要环节。只有适时育苗，才能保证适时早栽，尽可能延长甘薯生长时间；避免“春薯夏栽”，“夏薯秋栽”，为高产奠定基础。我国甘薯产区遍及南北，自然条件不同，育苗方式，苗床式样多种多样，基本可分为四大类：1. 露地式 利用当地自然条件，不需要特殊的设备与管理。如地畦(阳畦)、小高垄等。2.加温式 根据当地条件，就地取材，建一定规格的加温用苗床，用柴草或煤炭为燃料加温，提高苗床温度，如回龙火炕、三道沟、一火多炕，地埋线加温等。3.酿热式 利用植物秸秆、牲畜鲜粪、落叶等在堆积发酵过程中所产生的热能，提高床温育苗。4.薄膜覆盖 如单、双膜覆盖、地膜覆盖，都能达到增加地温促进薯苗生长的效果。由于我国黄淮流域以北薯区、早春气温低，气温落差大，多采用温床加薄膜覆盖式育苗，主要是提高种薯周围的温度，促使不定芽的分化，争取早出苗，多出苗。
薯块在16～35℃的范围内温度越高，发芽出苗就快而多。16℃为薯块萌芽的最低温度，最适宜温度范围为29～32℃。薯块在35～38℃的高温条件下，4天时间，能使破伤部分迅速形成愈伤组织，并增加抗病物质甘薯酮的形成，提高抗黑斑病的能力。但薯块长期在35℃以上时，由于薯块的呼吸强度大，消耗养分多，容易发生“糠心”。温度达到40℃以上时，容易发生伤热烂薯。所以，在育苗前期尽可能提温催芽，随后把苗床温度降到31℃左右。出苗后的温度应控制在25～28℃为宜。在采用前5～6天，床温应降到20℃左右进行炼苗。所以采取灵活易控的加温方式，省工低能耗育苗，力争多出苗，出壮苗是育苗者追求的目标。
发明内容
本发明的目的是为解决传统的加温式育苗中采取煤炭或木材加热，费时费工，床面温差大，温度靠火候大小来控制，控制不准确；酿热式育苗主要利用植物秸秆、牲畜鲜粪、落叶等在堆积发酵过程中所产生的热能提高床温育苗，温度不能根据不同育苗阶段的需求灵活掌控；薄膜覆盖冷床育苗虽然节约能源，实用有效，但存在对不良环境（阴雨寡照天气）的应变能力差，人工不能精准控制温度，热空气仅能从床表土层向下渗透，种薯层升温慢，薯层上、下两面温差大等问题，提供一种用育苗温床培育甘薯种苗的方法，本发明采用了将光能和电能向热能转化技术，温控技术、设备以及互通网格式热循环系统集成运用到甘薯育苗中，有效地解决了甘薯育苗不同阶段对温度的需求，提高对低温寡照天气的应变能力；较传统加温方法火道加热法,酿热物发热法等升温快，升温可靠，全床温度均匀，温差很小，在不同育苗阶段可以对温度进行及时调整，操作简便，节能省工，降低成本；改变传统塑料棚育苗中热量仅能从床面向薯层逐步渗透的热循环途径，利用床面与互通网格式导气槽内循环的热空气对种薯的阳面向上的一面与阴面向下的一面同时加热，改变种薯阴面周围的空气流量与温度，促使阴面不定芽的分化，提高出苗量。
本发明为解决上述技术问题的不足，所采用的技术方案是：
一种用育苗温床培育甘薯种苗的方法，包括以下步骤：
一、育苗温床的准备及排薯：
A、挖设长6m、宽2m、深0.6m的苗床本体；
B、在苗床本体底部填入15-25cm厚的泥土，并植入棚骨架，踏实平整；
C、在步骤B踏实平整后的泥土顶部开设网格互通式凹槽构成导气槽，然后均匀覆盖厚4-6cm的秸秆或者树枝构成秸秆层；
Figure 2014100931677100002DEST_PATH_IMAGE001
D、在步骤C中的秸秆层上方覆盖8-12cm后的泥土，踏实平整之后铺设电热线层，电热线层中每根电热线长120米，不同根电热线间进行并联，电热线之间呈“
Figure 507331DEST_PATH_IMAGE002
”状态设置且平行线间距为5～10cm，电热线的一端与电源连接，其另一端接温控仪后接电源；
E、在电线层上铺盖厚4-6cm的细土后平整踏实；
F、精选种薯，选择直径为5-15cm的甘薯作为种薯，并将种薯首尾相接单层平摆在步骤E中的泥土上方，然后在种薯上方铺盖厚8-12cm的细土；
G、在距棚骨架边缘5~10cm处开设有间距为15-20cm的导气孔，且导气孔与步骤C中的导气槽连通；
H、在棚骨架上覆盖塑料薄膜构成保温棚；
二、育苗温床的管理：
调节控制育苗温床，保证在萌芽期种薯层温度为30-35℃，出芽后调整温度为25-28℃，在取苗前5-6天，将温度降为18-22℃时进行炼苗，苗拱土时浇1次透水，剪苗前5-6天及剪苗后第2天各浇1次水，当苗高20-30cm时剪苗。
所述的温控仪探头从床面伸入种薯层对温度进行精准探测。
所述的种薯在排种之前，用药剂处理，防止黑斑病。
所述的药剂处理为种薯采用50%多菌灵400倍浸种10分钟或50%甲基托布津500倍液浸种10分钟。
本发明的有益效果是：本发明采用了将光能和电能向热能转化技术，温控技术、设备以及互通网格式热循环系统集成运用到甘薯育苗中，有效地解决了甘薯育苗不同阶段对温度的需求，提高对低温寡照天气的应变能力；较传统加温方法火道加热法,酿热物发热法等升温快，升温可靠，全床温度均匀，温差很小，在不同育苗阶段可以对温度进行及时调整，操作简便，节能省工，降低成本；改变传统塑料棚育苗中热量仅能从床面向薯层逐步渗透的热循环途径，利用床面与互通网格式导气槽内循环的热空气对种薯的阳面向上的一面与阴面向下的一面同时加热，改变种薯阴面周围的空气流量与温度，促使阴面不定芽的分化，提高出苗量。
增设电加热层，解决阴雨寡照天气情况下无太阳光进行增温问题引入温控仪，利用探头对薯层温度进行测量，温度控制精准；采用互通网格式导气槽将床面热空气引入种薯层下方土壤，对种薯的阳面向上的一面与阴面向下的一面同时加热，改变种薯阴面周围的空气流量与温度，促使阴面不定芽的分化，提高出苗量。
利用温控仪、电热线、太阳光进行协调工作，操作简便，节能省工，避免因温度过高或过低而导致的育苗失败。
附图说明
图1为本发明中温床的剖视图。
图2为本发明中导气槽的分布示意图。
图3为本发明中电加热层内电线层中电热线的分布示意图。
图示标记：1、床面；2、棚骨架；3、导气孔；4、温控仪探头；5、覆盖层；6、种薯层；7、电线层；8、秸秆层；9、导气槽；10、温控仪；11、电源线；12、电热线。 
具体实施方式
图中所示，具体实施方式如下：
一种用育苗温床培育甘薯种苗的方法，包括以下步骤：
一、育苗温床的准备及排薯：
A、挖设长6m、宽2m、深0.6m的苗床本体；苗床的长与宽可根据地块的面积和育苗量的大小灵活调整。
B、在苗床本体底部填入15-25cm厚的泥土，并植入棚骨架，踏实平整；
C、在步骤B踏实平整后的泥土顶部开设网格互通式凹槽构成导气槽，然后均匀覆盖厚4-6cm的秸秆或者树枝构成秸秆层；
Figure 224752DEST_PATH_IMAGE001
D、在步骤C中的秸秆层上方覆盖8-12cm后的泥土，踏实平整之后铺设电热线层，电热线层中每根电热线长120米，不同根电热线间进行并联，电热线之间呈“
Figure 557644DEST_PATH_IMAGE002
”状态设置且平行线间距为5～10cm，电热线的一端与电源连接，其另一端接温控仪后接电源；
E、在电线层上铺盖厚4-6cm的细土后平整踏实；
F、精选种薯，选择直径为5-15cm的甘薯作为种薯，并将种薯首尾相接单层平摆在步骤E中的泥土上方，然后在种薯上方铺盖厚8-12cm的细土；
G、在距棚骨架边缘5~10cm处开设有间距为15-20cm的导气孔，且导气孔与步骤C中的导气槽连通；
H、在棚骨架上覆盖塑料薄膜构成保温棚；
二、育苗温床的管理：
调节控制育苗温床，保证在萌芽期种薯层温度为30-35℃，出芽后调整温度为25-28℃，在取苗前5-6天，将温度降为18-22℃时进行炼苗，苗拱土时浇1次透水，剪苗前5-6天及剪苗后第2天各浇1次水，当苗高20-30cm时剪苗。
所述的温控仪探头从床面伸入种薯层对温度进行精准探测。
所述的种薯在排种之前，用药剂处理，防止黑斑病。
所述的药剂处理为种薯采用50%多菌灵400倍浸种10分钟或50%甲基托布津500倍液浸种10分钟。
采用本发明中育苗方法的育苗温床具体结构如图所示为以下结构一种甘薯育苗用的育苗温床，包括温床本体，温床本体的床面1上设置有棚骨架2，棚骨架2上盖设有用于给育苗温床保温增温的塑料薄膜构成保温棚，所述的温床本体由上向下依次包括覆盖层5、种薯层6、电加热层和秸秆层8，电加热层为植入土壤中的、由电热线12构成的电线层7，电热线12之间呈平行设置且间距为5～10cm，其一端与电源线11连接，另一端上连接有温控仪10，温控仪探头4从床面1伸入种薯层6内对温度进行精准探测。
所述的覆盖层5厚8-12cm。
所述的种薯层6厚5-15cm。
所述的电加热层中的电线层7与种薯层6之间的间距为4-6cm，电线层7与秸秆层8之间的间距为8-12cm。
所述的秸秆层8下方的土壤上开设有网格互通式的导气槽9。
所述的床面1上开设有导气孔3，所述导气孔3距离保温棚边缘距离为5~10cm。
所述的导气孔3与导气槽9相通。
本发明在使用时，将种薯首尾相接单层平摆，放置在种薯层中，同时设置导气孔3的型号为10×15cm，之后开始育苗，
床面通气孔与床底网格互通式导气槽相连通，将床面热空气引入种薯层下方对种薯的阴面进行加热，缩小种薯阴阳两面的温差，促使不定芽的分化，提高出苗量。
太阳光加热为主、电加热为辅的加热方式，充分利用光能，增加对不良气候的应变能力，确保育苗不同阶段对温度的需求。
增设温控仪，利用探头对种薯层周围的温度进行精准探测，节能省工，避免因温度过高或过低造成的不出苗问题。
结合图进一步说明：a、建议苗床东西长6米、宽2米、深0.6米床的长与宽可根据地块的面积和育苗量的大小灵活调整；b、棚骨架2；c、骨架上方加盖塑料薄膜，对苗床增温保温，保持水分；d、床面1四周距棚边距5~10厘米内设10×15cm的导气孔3，导气孔3与导气槽9相通，目的是将床面热空气引入种薯层下方对种薯的阴面进行加热，缩小种薯阴阳两面的温差，促使不定芽的分化；床面1与种薯层6间细土厚即为覆盖层约10cm；e、种薯层6厚约5～15公分，种薯首尾相接单层平摆；f、温控仪探头4探测种薯层土壤温度；g、种薯层与电线层间土层厚约5cm; h、电线层，线分布如图3，线间距5～10cm，辅助太阳光对苗床加热；i电线层与至于秸秆层间土层厚约10cm；j、秸秆层采用植物秸秆或树枝用于覆盖导气槽，厚约5cm；k、网格互通式导气槽层9见图2。　
本发明主要采用以下技术：
1、网格互通式导气槽，充分利用光能对种薯层上下土壤进行加热，提高光利用效率。
2、用以太阳光加热为主，电加热为辅的加热方式来确保育苗不同阶段对温度的需求。
3、增设温控仪，避免因温度过高或过低造成的不出苗问题。
4、光能和电能向热能转化技术，温控设备与技术，互通网格式热循环系统的集成运用，有效地解决了甘薯育苗不同阶段对温度的需求，提高对低温寡照天气的应变能力；升温可靠，全床温度均匀，温差很小，在不同育苗阶段可以对温度进行及时调整，操作简便，节能省工，降低成本，改善种薯阴面周围的空气流量与温度，促使阴面不定芽的分化，提高出苗量。
将光能和电能向热能转化技术，温控技术、设备以及互通网格式热循环系统集成运用到甘薯育苗中，有效地解决了甘薯育苗不同阶段对温度的需求，提高对低温寡照天气的应变能力。
运用床面与互通网格式导气槽改变传统塑料棚育苗中热量仅能从床面向薯层逐步渗透的热循环途径，将塑料棚内的热空气通过导气槽引入薯层下方的土层，对种薯的阴面加热，改变种薯阴面周围的空气流量与温度，促使阴面不定芽的分化，提高出苗量。
本发明所列举的技术方案和实施方式并非是限制，与本发明所列举的技术方案和实施方式等同或者效果相同方案都在本发明所保护的范围内。

Claims (4)

1.一种用育苗温床培育甘薯种苗的方法，其特征在于：包括以下步骤：
一、育苗温床的准备及排薯：
A、挖设长6m、宽2m、深0.6m的苗床本体；
B、在苗床本体底部填入15-25cm厚的泥土，并植入棚骨架，踏实平整；
C、在步骤B踏实平整后的泥土顶部开设网格互通式凹槽构成导气槽，然后均匀覆盖厚4-6cm的秸秆或者树枝构成秸秆层；
Figure 2014100931677100001DEST_PATH_IMAGE002
D、在步骤C中的秸秆层上方覆盖8-12cm后的泥土，踏实平整之后铺设电热线层，电热线层中每根电热线长120米，不同根电热线间进行并联，电热线之间呈“”状态设置且平行线间距为5～10cm，电热线的一端与电源连接，其另一端接温控仪后接电源；
E、在电线层上铺盖厚4-6cm的细土后平整踏实；
F、精选种薯，选择直径为5-15cm的甘薯作为种薯，并将种薯首尾相接单层平摆在步骤E中的泥土上方，然后在种薯上方铺盖厚8-12cm的细土；
G、在距棚骨架边缘5~10cm处开设有间距为15-20cm的导气孔，且导气孔与步骤C中的导气槽连通；
H、在棚骨架上覆盖塑料薄膜构成保温棚；
二、育苗温床的管理：
调节控制育苗温床，保证在萌芽期种薯层温度为30-35℃，出芽后调整温度为25-28℃，在取苗前5-6天，将温度降为18-22℃时进行炼苗，苗拱土时浇1次透水，剪苗前5-6天及剪苗后第2天各浇1次水，当苗高20-30cm时剪苗。
2.根据权利要求1所述的一种用育苗温床培育甘薯种苗的方法，其特征在于：所述的温控仪探头从床面伸入种薯层对温度进行精准探测。
3.根据权利要求1所述的一种用育苗温床培育甘薯种苗的方法，其特征在于：所述的种薯在排种之前，用药剂处理，防止黑斑病。
4.根据权利要求3所述的一种用育苗温床培育甘薯种苗的方法，其特征在于：所述的药剂处理为种薯采用50%多菌灵400倍浸种10分钟或50%甲基托布津500倍液浸种10分钟。
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