CN103873991A

CN103873991A - 一种扩展扬声器驱动器频率响应范围的方法及装置

Info

Publication number: CN103873991A
Application number: CN201410066936.4A
Authority: CN
Inventors: 谭红梅
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 2014-02-26
Filing date: 2014-02-26
Publication date: 2014-06-18

Abstract

本发明公开了一种扩展扬声器驱动器频率响应范围的方法，其特征在于，其包括以下步骤：(1)设置一驱动器本体；(2)在步骤(1)所述驱动器本体内，设置一环形架，在该环形架上固定设置一截面呈“V”形的振膜，以增大振膜面积、扩大音圈直径，在该振膜下部固定设置一音圈；(3)设置一磁铁组件，在该磁铁组件内设有磁间隙，步骤(2)所述音圈设于该磁间隙内；(4)在所述环形架上部，固定设置一压缩型等化器，并在该压缩型等化器、环形架、音圈及磁铁组件的中心贯穿设置一扩散型等化器。本发明还公开了实施该方法的扬声器驱动器装置。

Description

一种扩展扬声器驱动器频率响应范围的方法及装置

技术领域

本发明涉及音响设备制造技术领域，具体涉及一种扩展扬声器驱动器频率响应范围的方法，以及实施该方法的装置。

背景技术

随着科学研究技术的不断发展，对音响的性能提出了更高的要求，其要求具有高灵敏度、大功率、以及频率响应范围宽等特性。

而等化器是其提高灵敏度、增大功率、以及增大频率响应范围的一个关键部件，但是，现有的等化器结构复杂，不利于生产制造，也不利于组装，同时，现有的驱动器的结构构造复杂，其灵敏度不高，频率响应范围小，目前市场上的扬声器驱动器一般的频率响应范围较窄，大致为400Hz～4000Hz，导致音响还原的音域也较窄，其上下限都不能满足人们对音响产品的频率响应性能需要。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术的不足，提供一种能够扩展扬声器驱动器频率响应范围的方法，以及实施该方法的装置。

本发明为实现上述目的所采用的技术方案为：

一种扩展扬声器驱动器频率响应范围的方法，其包括以下步骤：

(1)设置一驱动器本体；

(2)在步骤(1)所述驱动器本体内，设置一环形架，在该环形架上固定设置一截面呈“V”形的振膜，以增大振膜面积、扩大音圈直径，在该振膜下部固定设置一音圈；

所述的音圈包括音圈骨架及音圈线，所述音圈骨架为kapton高分子材料构件，所述振膜为peek高分子材料构件；且所述的音圈骨架及振膜，均设有向一侧或两侧表面凸出的加强肋条；该肋条呈中心对称、均匀间隔、辐射状分布，每条肋条自圆心向圆周方向延伸，其厚度是音圈骨架或振膜其他部位厚度的1.1～1.4倍；

(3)设置一磁铁组件，在该磁铁组件内设有磁间隙，步骤(2)所述音圈设于该磁间隙内；

(4)在步骤(2)所述环形架上部，固定设置一压缩型等化器，并在该压缩型等化器、环形架、音圈及磁铁组件的中心贯穿设置一扩散型等化器；

(5)振膜振动产生的声波向上方经过压缩型等化器处理后，再经过扩散型等化器处理，向外传出，扩展了驱动器的频率上限；而振膜截面呈“V”形，增大了振膜面积，并扩大了音圈直径，扩展了驱动器的响应频率的下限。

步骤(3)所述的磁间隙内径为75mm～90mm，磁间隙外径为80mm～130mm，其中内径与音圈之间的距离：音圈与外径之间的距离＝0.46∶0.54，使驱动器响应频率的下限得到扩展。

步骤(1)所述驱动器本体还包括一散热器柱和一高音缸体，其中，高音缸体为一压铸铝制备的中空腔体构件，且所述中空腔体形成一号角；在所述高音缸体底部设有一EVA垫片和一防尘网，所述的EVA垫片，为一呈环形的片材构件，所述防尘网设置于EVA垫片的中部；所述高音缸体内还设有吸音棉，所述散热器柱通过一衬盖与高音缸体连接。

步骤(3)所述磁铁组件包括一磁杯、一容置于磁杯中的磁铁、以及一设置于磁铁上、且容置于磁杯中的华司，所述的磁铁，其为由型号为N38H的钕铁硼制备的强磁铁；所述的磁杯、磁铁、华司均为一环状结构，所述的磁铁、华司的直径相等，且均小于磁杯的直径，所述的华司、磁铁与磁杯之间形成一磁间隙。

步骤(4)所述的压缩型等化器包括一等化器本体，其中部设有一圆孔，围绕所述圆孔成型有多个气室通道，所述气室通道包括朝向音膜的声波入口、与音膜相对的反射斜面、两侧面、一顶面、一底面以及一朝向圆孔的声波出口；振膜振动产生声波由声波入口传入，经反射斜面折向声波出口，然后由声波出口传输至扩散型等化器；且所述气室通道的声波入口呈螺旋线分布；所述每个气室通道的声波出口处设有延伸部，且延伸部呈尖状。

一种实施所述扩展扬声器驱动器频率响应范围方法的装置，其包括一驱动器本体；在该驱动器本体内，设置一环形架，在该环形架上固定设置一截面呈“V”形的振膜，在该振膜下部固定设置一音圈；设置一磁铁组件，在该磁铁组件内设有磁间隙，所述音圈设于该磁间隙内；在所述环形架上部，固定设置一压缩型等化器，并在该压缩型等化器、环形架、音圈及磁铁组件的中心贯穿设置一扩散型等化器；所述的音圈包括音圈骨架及音圈线，所述音圈骨架为kapton高分子材料构件，所述振膜为peek高分子材料构件；且所述的音圈骨架及振膜，均设有向一侧或两侧表面凸出的加强肋条；该肋条呈中心对称、均匀间隔、辐射状分布，每条肋条自圆心向圆周方向延伸，其厚度是音圈骨架或振膜其他部位厚度的1.1～1.4倍。

所述的磁间隙内径为75mm～90mm，磁间隙外径为80mm～130mm，其中内径与音圈之间的距离：音圈与外径之间的距离＝0.46∶0.54。

所述驱动器本体还包括一散热器柱和一高音缸体，其中，高音缸体为一压铸铝制备的中空腔体构件，且所述中空腔体形成一号角；在所述高音缸体底部设有一EVA垫片和一防尘网，所述的EVA垫片，为一呈环形的片材构件，所述防尘网设置于EVA垫片的中部；所述高音缸体内还设有吸音棉，所述散热器柱通过一衬盖与高音缸体连接。

所述磁铁组件包括一磁杯、一容置于磁杯中的磁铁、以及一设置于磁铁上、且容置于磁杯中的华司，所述的磁铁，其为由型号为N38H的钕铁硼制备的强磁铁；所述的磁杯、磁铁、华司均为一环状结构，所述的磁铁、华司的直径相等，且均小于磁杯的直径，所述的华司、磁铁与磁杯之间形成一磁间隙。

所述的压缩型等化器包括一等化器本体，其中部设有一圆孔，围绕所述圆孔成型有多个气室通道，所述气室通道包括朝向音膜的声波入口、与音膜相对的反射斜面、两侧面、一顶面、一底面以及一朝向圆孔的声波出口；振膜振动产生声波由声波入口传入，经反射斜面折向声波出口，然后由声波出口传输至扩散型等化器；且所述气室通道的声波入口呈螺旋线分布；所述每个气室通道的声波出口处设有延伸部，且延伸部呈尖状。

本发明的有益效果是：本发明通过将振膜设计为截面呈“V”形、并设有加强肋条的独特结构，增大了振膜面积，扩大了音圈直径，并通过将音圈到磁间隙内径和音圈到磁间隙外径的比例设为0.46∶0.54，以扩展驱动器响应频率的下限；通过设置压缩型等化器和扩散型等化器，高频声波通过压缩型等化器和扩散型等化器处理后，能够向外传播，以扩展驱动器的响应频率的上限，从而扩展驱动器的总体频率响应范围，使得其频率响应范围可达到350～6000Hz，其还原出的音域宽广、音色饱满。

附图说明

图1驱动器整体结构示意图；

图2是图1的爆炸结构示意图；

图3为图2局部结构示意图；

图4为图1的装配示意图。

图中：1.高音缸体 2.环形架 3.振膜 4.音圈

5.压缩型等化器 6.扩散型等化器 7.EVA垫片

8.防尘网 9.衬盖 10.散热器柱 11.号角

12.吸音棉 13.磁杯 14.磁铁 15.华司

具体实施方式

实施例：参见图1至图4，本实施例提供的扩展扬声器驱动器频率响应范围的方法，其包括以下步骤：

(1)设置一驱动器本体；

(2)在步骤(1)所述驱动器本体内，设置一环形架2，在该环形架2上固定设置一截面呈“V”形的振膜3，以增大振膜面积、扩大音圈直径，在该振膜3下部固定设置一音圈4；

所述的音圈4进一步包括音圈骨架及音圈线，所述音圈骨架为kapton高分子材料构件，所述振膜3为peek高分子材料构件；且所述的音圈骨架及振膜3，均设有向一侧或两侧表面凸出的加强肋条；该肋条呈中心对称、均匀间隔、辐射状分布，每条肋条自圆心向圆周方向延伸，其厚度是音圈骨架或振膜其他部位厚度的1.1～1.4倍；

(3)设置一磁铁组件，在该磁铁组件内设有磁间隙，步骤(2)所述音圈4设于该磁间隙内；

(4)在步骤(2)所述环形架2上部，固定设置一压缩型等化器5，并在该压缩型等化器5、环形架2、音圈4及磁铁组件的中心贯穿设置一扩散型等化器6；

(5)振膜3振动产生的声波向上方经过压缩型等化器5处理后，再经过扩散型等化器6处理，向外传出，扩展了驱动器的频率上限；而振膜截面呈“V”形，增大了振膜面积，并扩大了音圈直径，扩展了驱动器的响应频率的下限。

步骤(3)所述的磁间隙内径为75mm～90mm，磁间隙外径为80mm～130mm，其中内径与音圈3之间的距离：音圈3与外径之间的距离为0.46∶0.54，使驱动器响应频率的下限得到扩展。

步骤(1)所述驱动器本体还包括一散热器柱10和一高音缸体1，其中，高音缸体1为一压铸铝制备的中空腔体构件，且所述中空腔体形成一号角11；在所述高音缸体1底部设有一EVA垫片7和一防尘网8，所述的EVA垫片7，为一呈环形的片材构件，所述防尘网8设置于EVA垫片7的中部；所述高音缸体1内还设有吸音棉12，所述散热器柱10通过一衬盖9与高音缸体1连接。

步骤(3)所述磁铁组件包括一磁杯13、一容置于磁杯13中的磁铁14、以及一设置于磁铁14上、且容置于磁杯13中的华司15，所述的磁铁14，其为由型号为N38H的钕铁硼制备的强磁铁；所述的磁杯13、磁铁14、华司15均为一环状结构，所述的磁铁14、华司15的直径相等，且均小于磁杯的直径，所述的华司15、磁铁14与磁杯13之间形成一磁间隙。

步骤(4)所述的压缩型等化器5包括一等化器本体，其中部设有一圆孔，围绕所述圆孔成型有多个气室通道，所述气室通道包括朝向音膜的声波入口、与音膜相对的反射斜面、两侧面、一顶面、一底面以及一朝向圆孔的声波出口；振膜振动产生声波由声波入口传入，经反射斜面折向声波出口，然后由声波出口传输至扩散型等化器6；且所述气室通道的声波入口呈螺旋线分布；所述每个气室通道的声波出口处设有延伸部，且延伸部呈尖状。

一种实施所述扩展扬声器驱动器频率响应范围方法的装置，其包括一驱动器本体；在该驱动器本体内，设置一环形架2，在该环形架2上固定设置一截面呈“V”形的振膜3，在该振膜3下部固定设置一音圈4；设置一磁铁组件，在该磁铁组件内设有磁间隙，所述音圈4设于该磁间隙内；在所述环形架2上部，固定设置一压缩型等化器5，并在该压缩型等化器5、环形架2、音圈4及磁铁组件的中心贯穿设置一扩散型等化器6。

其中，所述的音圈4包括音圈骨架及音圈线，所述音圈骨架为kapton高分子材料构件，所述振膜3为peek高分子材料构件；且所述的音圈骨架及振膜3，均设有向一侧或两侧表面凸出的加强肋条；该肋条呈中心对称、均匀间隔、辐射状分布，每条肋条自圆心向圆周方向延伸，其厚度是音圈骨架或振膜其他部位厚度的1.1～1.4倍。

所述的磁间隙内径为75mm～90mm，磁间隙外径为80mm～130mm，其中内径与音圈4之间的距离：音圈4与外径之间的距离为0.46∶0.54。

所述驱动器本体还包括一散热器柱10和一高音缸体1，其中，高音缸体1为一压铸铝制备的中空腔体构件，且所述中空腔体形成一号角11；在所述高音缸体底部设有一EVA垫片7和一防尘网8，所述的EVA垫片7，为一呈环形的片材构件，所述防尘网8设置于EVA垫片7的中部；所述高音缸体1内还设有吸音棉12，所述散热器柱10通过一衬盖9与高音缸体1连接。

所述磁铁组件包括一磁杯13、一容置于磁杯中的磁铁14、以及一设置于磁铁14上、且容置于磁杯13中的华司15，所述的磁铁14，其为由型号为N38H的钕铁硼制备的强磁铁；所述的磁杯13、磁铁14、华司15均为一环状结构，所述的磁铁14、华司15的直径相等，且均小于磁杯的直径，所述的华司15、磁铁14与磁杯13之间形成一磁间隙。

所述的压缩型等化器5包括一等化器本体，其中部设有一圆孔，围绕所述圆孔成型有多个气室通道，所述气室通道包括朝向音膜的声波入口、与音膜相对的反射斜面、两侧面、一顶面、一底面以及一朝向圆孔的声波出口；振膜振动产生声波由声波入口传入，经反射斜面折向声波出口，然后由声波出口传输至扩散型等化器6；且所述气室通道的声波入口呈螺旋线分布；所述每个气室通道的声波出口处设有延伸部，且延伸部呈尖状。

本发明通过将振膜3设计为截面呈“V”形、并设有加强肋条的独特结构，采用独特的材料，增大了振膜3面积，扩大了音圈4的直径，并通过将音圈到磁间隙内径和音圈到磁间隙外径的比例设为0.46∶0.54，以扩展驱动器响应频率的下限；通过设置压缩型等化器和扩散型等化器，高频声波通过压缩型等化器和扩散型等化器处理后，能够向外传播，以扩展驱动器的响应频率的上限，从而扩展驱动器的总体频率响应范围，使得其频率响应范围可达到350～6000Hz，其还原出的音域宽广、音色饱满。

本发明并不限于上述实施方式，凡采用与本发明相似方法及结构来实现本发明目的的所有方式，均在本发明的保护范围之内。

Claims

1.一种扩展扬声器驱动器频率响应范围的方法，其特征在于，其包括以下步骤：

(1)设置一驱动器本体；

(5)所述振膜振动产生的声波向上方先经过压缩型等化器处理后、再经过扩散型等化器处理，向外传出时扩展驱动器的频率上限；声波经过截面呈“V”形的振膜，扩展驱动器的频率下限。

2.根据权利要求1所述的扩展扬声器驱动器频率响应范围的方法，其特征在于，步骤(3)所述的磁间隙内径为75mm～90mm，磁间隙外径为80mm～130mm，其中内径与音圈之间的距离：音圈与外径之间的距离＝0.46∶0.54，以扩展驱动器频率响应范围的下限。

3.根据权利要求1所述的扩展扬声器驱动器频率响应范围的方法，其特征在于，步骤(1)所述驱动器本体还包括一散热器柱和一高音缸体，其中，高音缸体为一压铸铝制备的中空腔体构件，且所述中空腔体形成一号角；在所述高音缸体底部设有一EVA垫片和一防尘网，所述的EVA垫片，为一呈环形的片材构件，所述防尘网设置于EVA垫片的中部；所述高音缸体内还设有吸音棉，所述散热器柱通过一衬盖与高音缸体连接。

4.根据权利要求1所述的扩展扬声器驱动器频率响应范围的方法，其特征在于，步骤(3)所述磁铁组件包括一磁杯、一容置于磁杯中的磁铁、以及一设置于磁铁上、且容置于磁杯中的华司，所述的磁铁，其为强磁铁；所述的磁杯、磁铁、华司均为一环状结构，所述的磁铁、华司的直径相等，且均小于磁杯的直径，所述的华司、磁铁与磁杯之间形成一磁间隙。

5.根据权利要求1所述的扩展扬声器驱动器频率响应范围的方法，其特征在于，步骤(4)所述的压缩型等化器包括一等化器本体，其中部设有一圆孔，围绕所述圆孔成型有多个气室通道，所述气室通道包括朝向音膜的声波入口、与音膜相对的反射斜面、两侧面、一顶面、一底面以及一朝向圆孔的声波出口；振膜振动产生声波由声波入口传入，经反射斜面折向声波出口，然后由声波出口传输至扩散型等化器；且所述气室通道的声波入口呈螺旋线分布；所述每个气室通道的声波出口处设有延伸部，且延伸部呈尖状。

6.一种实施权利要求1～5之一所述扩展频率响应范围方法的扬声器驱动器装置，其特征在于，其包括一驱动器本体；在该驱动器本体内，设置一环形架，在该环形架上固定设置一截面呈“V”形的振膜，以增大振膜面积、扩大音圈直径，在该振膜下部固定设置一音圈；设置一磁铁组件，在该磁铁组件内设有磁间隙，所述音圈设于该磁间隙内；在所述环形架上部，固定设置一压缩型等化器，并在该压缩型等化器、环形架、音圈及磁铁组件的中心贯穿设置一扩散型等化器；所述的音圈包括音圈骨架及音圈线，所述音圈骨架为kapton高分子材料构件，所述振膜为peek高分子材料构件；且所述的音圈骨架及振膜，均设有向一侧或两侧表面凸出的加强肋条；该肋条呈中心对称、均匀间隔、辐射状分布，每条肋条自圆心向圆周方向延伸，其厚度是音圈骨架或振膜其他部位厚度的1.1～1.4倍。

7.根据权利要求6所述的扬声器驱动器装置，其特征在于，所述的磁间隙内径为75mm～90mm，磁间隙外径为80mm～130mm，其中内径与音圈之间的距离：音圈与外径之间的距离＝0.46∶0.54。

8.根据权利要求6所述的扬声器驱动器装置，其特征在于，所述驱动器本体还包括一散热器柱和一高音缸体，其中，高音缸体为一压铸铝制备的中空腔体构件，且所述中空腔体形成一号角；在所述高音缸体底部设有一EVA垫片和一防尘网，所述的EVA垫片，为一呈环形的片材构件，所述防尘网设置于EVA垫片的中部；所述高音缸体内还设有吸音棉，所述散热器柱通过一衬盖与高音缸体连接。

9.根据权利要求6所述的扬声器驱动器装置，其特征在于，所述磁铁组件包括一磁杯、一容置于磁杯中的磁铁、以及一设置于磁铁上、且容置于磁杯中的华司，所述的磁铁，其为强磁铁；所述的磁杯、磁铁、华司均为一环状结构，所述的磁铁、华司的直径相等，且均小于磁杯的直径，所述的华司、磁铁与磁杯之间形成一磁间隙。

10.根据权利要求6所述的扬声器驱动器装置，其特征在于，所述的压缩型等化器包括一等化器本体，其中部设有一圆孔，围绕所述圆孔成型有多个气室通道，所述气室通道包括朝向音膜的声波入口、与音膜相对的反射斜面、两侧面、一顶面、一底面以及一朝向圆孔的声波出口；振膜振动产生声波由声波入口传入，经反射斜面折向声波出口，然后由声波出口传输至扩散型等化器；且所述气室通道的声波入口呈螺旋线分布；所述每个气室通道的声波出口处设有延伸部，且延伸部呈尖状。