CN103872232A - 一种led覆晶结构及其制造 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种LED覆晶结构，其包括包括基板、LED芯片、第一电极、第二电极、反射层以及覆盖层，所述反射层在所述基板上一体成型，所述LED芯片倒装焊接在所述基板上，所述LED芯片设置有正电极以及负电极，所述正电极连接所述第一电极，所述负电极连接所述第二电极，所述覆盖层覆盖设置在所述LED芯片的上部。本发明的优点如下所述：导电面积大，内阻小，能承受大电流通过，减少因为内阻大引起的过大热量；发光率高，发光角度大等优点。封装工艺简化，降低了封装成本，提高了生产效率；低光衰，不因为热引起的快速光衰，从而延长了LED芯片的寿命，是普通灯具的10倍以上。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体结构，具体的涉及一种LED覆晶结构及其制造方法。
背景技术
LED产业是近几年最受瞩目的产业之一，发展至今，LED产品已具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命周期时间长、且不含汞、具有环保效益等优点，然而通常LED高功率产品输入功率绝大部分会转换为热能，一般而言，LED发光时所产生的热能若无法导出，将会使LED结面温度过高，影响产品生命周期、发光效率及稳定性等。目前覆晶式LED封装结构的散热途径，主要是藉由LED电极导线传导至系统电路板导出。但由于电极导线的散热体积有限使散热效果不明显，其热的堆积仍然对产品生命周期、发光效率产生重大影响。
发明内容
本发明针对上述提到的现有的技术存在的不足，提供一种LED覆晶结构及其制造方法。
具体的，本发明提供一种LED覆晶结构，其包括包括基板、LED芯片、第一电极、第二电极、反射层以及覆盖层，所述反射层在所述基板上一体成型，所述第一电极及第二电极焊接在所述基板上，所述LED芯片设置有正电极以及负电极，所述第一电极上部设置有固晶区域，所述LED芯片的正电极设置在所述固晶区域上，所述第二电极上部设置有接触层，所述LED芯片的负电极与所述接触层电性连接；所述覆盖层覆盖设置在所述LED芯片的上层。
优选的，所述基板为铝基板或铜板。
优选的，所述第一电极、第二电极具有不同的极性。
优选的，所述LED芯片的电性连接为覆晶方式。
优选的，所述反射层其材料是塑料或是高分子材料，例如，PPA(Polyphthalamide)塑料或是环氧树脂材料。
一种制作LED灯的方法：
S1：提供一基板及一LED芯片；
S2：固晶：先在铝基板上点上锡膏，然后用真空吸嘴将LED芯片吸起移动至与基板对应的位置，再安置在相应的位置上。
S3：烧结：通过回流焊炉使锡膏胶固化，将基板和芯片接合一起，烧结要求对材料锡膏的溶点温度进行设置回流焊炉温度曲线。
S4：调胶及脱泡：根据LED芯片的波长值和色温要求调配荧光粉和硅胶的比例，调配好硅胶之后经过离心设备进行脱泡。
S5：点胶：利用点胶设备将硅胶点在相应的位置上。
S6：烘烤：利用烤箱将硅胶烘烤固化，烤箱的温度设置为150℃，烧烤时间设置为2小时。
S7：测试：测试LED灯的光电参数、检验外形尺寸，同时根据客户要求对LED灯进行分选。
本发明的优点如下所述：导电面积大，内阻小，能承受大电流通过，减少因为内阻大引起的过大热量；发光率高，发光角度大等优点。封装工艺简化，降低了封装成本，提高了生产效率；低光衰，不因为热引起的快速光衰，从而延长了LED芯片的寿命，是普通灯具的10倍以上。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步解释：
本发明提供一种LED覆晶结构，其包括包括基板1、LED芯片2、第一电极3、第二电极4、反射层6以及覆盖层5，反射层6在基板1 上一体成型，LED芯片2倒装焊接在基板1上，LED芯片2设置有正电极20以及负电极21，正电极20连接第一电极3，负电极21连接第二电极4，覆盖层5覆盖设置在LED芯片2的上部。在本实施例中，覆盖层5为蓝宝石或其他晶体。
优选的，基板1为铝基板或铜板。在其余的实施例中，基板1也可以是陶瓷板。
优选的，第一电极3、第二电极4具有不同的极性。在本实施例中，第一电极3为正性电极，第二电极4为负性电极。
优选的，第一电极3设置有固晶区域，LED芯片2设置在固晶区域41，第二电极4设置有接触层40，LED芯片2与接触层40电性连接。在本实施例中，接触层40为金属合金层。
优选的，LED芯片2的电性连接为覆晶方式。
优选的，反射层6的材料是塑料或是高分子材料，例如，可以是PPA(Polyphthalamide)塑料或是环氧树脂材料。
下面结合实施例对制作上述覆晶LED结构的一种LED封装方法做进一步解释：
S1：首先提供一铝基板1及一LED芯片2；
S2：固晶：先在铝基板1上点上锡膏，然后用真空吸嘴将LED芯片2吸起移动至与铝基板对应的位置，再安置在相应的位置上。
S3：烧结：通过回流焊炉使锡膏胶固化，将铝基板和芯片接合一起，烧结要求对材料锡膏的溶点温度进行设置回流焊炉温度曲线。
S4：调胶及脱泡：根据LED芯片2的波长值和色温要求调配荧光粉和硅胶的比例，调配好硅胶之后，经过离心设备进行脱泡。
S5：点胶：利用点胶设备将硅胶点在相应的位置上。
S6：烘烤：利用烤箱将硅胶烘烤固化，烤箱的温度设置为150℃，烧烤时间设置为2小时。
S7：测试：测试LED灯的光电参数、检验外形尺寸，同时根据客户要求对LED灯进行分选。
在本发明中，蓝宝石、硅胶以及金属合金的导热系数如下所示：
覆晶焊接的封装不存在金线的焊线弧度，能够实现超薄型的平面封装。传统封装方式金线的拉力仅为10g左右，而覆晶焊接的接触面的拉力达到500g以上，覆晶封装可以抵抗一定的表面挤压而不影响LED的光电性能，适合于狭小的应用空间内。例如手机、摄像机、背光等领域。同时在多芯片的集成中，均能发挥超薄、易安装、高集成的优势。
本发明的优点如下所述：导电面积大，内阻小，能承受大电流通过，减少因为内阻大引起的过大热量；发光率高，发光角度大等优点。封装工艺简化，降低了封装成本，提高了生产效率；低光衰，不因为热引起的快速光衰，从而延长了LED芯片的寿命，是普通灯具的10倍以上。
所属技术领域的技术人员应当理解：在不脱离本发明的基本原理的情况下，可以对本发明进行各种修改、润饰、组合、补充或技术特征的替换，这些等同替换方式或明显变形方式均落入本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种LED覆晶结构，其特征在于：其包括包括基板、LED芯片、第一电极、第二电极、反射层以及覆盖层，所述反射层在所述基板上一体成型，所述第一电极及第二电极焊接在所述基板上，所述LED芯片设置有正电极以及负电极，所述第一电极上部设置有固晶区域，所述LED芯片的正电极设置在所述固晶区域上，所述第二电极上部设置有接触层，所述LED芯片的负电极与所述接触层电性连接；所述覆盖层覆盖设置在所述LED芯片的上层。
2.根据权利要求1所述的LED覆晶结构，其特征在于：所述基板为铝基板或铜板。
3.根据权利要求1所述的LED覆晶结构，其特征在于：所述第一电极、第二电极具有不同的极性。
4.根据权利要求1所述的LED覆晶结构，其特征在于：所述LED芯片的电性连接为覆晶方式连接。
5.根据权利要求1所述的LED覆晶结构，其特征在于：所述反射层的材料是塑料或高分子材料。
6.根据权利要求5所述的LED覆晶结构，其特征在于：所述反射层的PPA塑料或环氧树脂。
7.一种根据权利要求1-6中任意权利要求所述的LED覆晶结构制作LED灯的方法，其特征在于，其包括以下步骤：
S1：提供一基板及一LED芯片；
S2：固晶：先在基板上点上锡膏，然后用真空吸嘴将LED芯片吸起移动至与基板对应的位置，再安置在相应的位置上；
S3：烧结：通过回流焊炉使锡膏胶固化，将基板和芯片接合一起，烧结要求对材料锡膏的溶点温度进行设置回流焊炉温度曲线；
S4：调胶及脱泡：根据LED芯片的波长值和色温要求调配荧光粉和硅胶的比例，调配好硅胶之后经过离心设备进行脱泡；
S5：点胶：利用点胶设备将硅胶点在相应的位置上；
S6：烘烤：利用烤箱将硅胶烘烤固化，烤箱的温度设置为150℃，烧烤时间设置为2小时，防止荧光粉发生沉淀；
S7：测试：测试LED灯的光电参数、检验外形尺寸。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| DD01 | Delivery of document by public notice |
Addressee: SHENZHEN SIMIN SCIENCE AND TECHNOLOGY CO., LTD. Document name: Notification of an Office Action |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20140618 |