CN103869144A - 一种隔离电压采样电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种隔离电压采样电路。目前精度高、速度快的隔离采样方案成本都比较高。本发明包括单运放恒流源电路,锯齿波积分电路,电压调制比较电路,高速光耦传输电路。单运放恒流源电路产生高精度的恒定电流提供给锯齿波积分电路,锯齿波积分电路通过特殊的结构产生高线性度的幅值可调的锯齿波。然后通过比较器比较锯齿波与待测电压,将待测电压调制成PWM。最后通过高速光耦将PWM传输到另外一个系统中,以此实现电压的隔离采样。此电路采用一个单电源供电即可;通过改变少数相关元件参数,可以灵活调节采样周期和采样电压的动态范围。此电路成本低,精度高,应用场合广泛。
Description
技术领域
本发明属于电子技术领域,具体涉及一种隔离电压采样电路。
背景技术
电压采样在电力电子系统中常常起着非常重要的作用。对于共地的系统,电压采样相对简单;对于互相隔离的系统,电压的采样就困难很多。传统的隔离系统中进行电压采样主要有以下几种:第一种,将电压转化成电流,再通过霍尔电流传感器传递后再转化成电压,最后进行电压采样,这种方法精度高,但是霍尔电流传感器较贵;第二种,V/F方式,先将电压通过专用集成芯片转化成频率,再通过光耦合器传输给另外一个系统,通过测量所得到的脉冲的频率可以得到电压值,这种方法缺点是每次采样时间随着脉冲频率变化而变化,无法满足实时控制的需要。第三种,通过基于磁耦合原理的隔离放大器进行传输,这种方法精度高,速度快,但是相应隔离放大器非常昂贵。第四种,通过线性光耦及相应外围电路传输,这种方法精度较高,但是相应光耦较贵,且传输电压动态范围很小,易受温度影响。
发明内容
本发明目的就是克服现有技术的不足,提供一种隔离电压采样电路。
本发明一种隔离电压采样电路包括单运放恒流源电路、锯齿波积分电路、电压调制比较电路和高速光耦传输电路。
单运放恒流源电路包括运算放大器U1、基准源TL431、第一电阻R1、第二电阻R2,第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5和第六电阻R6。其中第一电阻R1一端与VCC1电源连接,另外一端与基准源TL431芯片的阴极、第二电阻R2的一端连接;基准源TL431的阴极与其参考端连接,基准源TL431的阳极与第三电阻R3的一端连接并接GND1;第二电阻R2另外一端与运算放大器U1的同相端、第六电阻R6的一端连接;第三电阻R3另一端与运算放大器U1的反相端、第四电阻R4的一端连接;第四电阻R4的另一端与运算放大器U1的输出端、第五电阻R5的一端连接;第五电阻R5的另外一端与第六电阻R6的另一端连接并作为恒定电流输出端。
锯齿波积分电路包括第一比较器U2、NMOS开关管Q1,高速开关二极管D1、第一电容C1、第二电容C2、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10和第十一电阻R11;其中第七电阻R7一端与VCC1电源连接,另一端与第一比较器U2的反相端、第八电阻R8的一端连接;第八电阻R8另一端与GND1连接;第九电阻R9一端与VCC1电源连接,另一端与第十电阻R10的一端、高速开关二极管D1的阳极连接;第十电阻R10的另一端与第一比较器U2的输出端连接;高速开关二极管D1的阴极与开关管Q1的栅极、第二电容C2的一端、第十一电阻R11的一端连接;第二电容C2的另一端与第十一电阻R11的另一端、NMOS开关管Q1的源极、第一电容C1的一端连接并接GND1;第一电容C1的另一端与NMOS开关管Q1的漏极、第一比较器U2的同相端连接并接恒定电流输出端。
电压调制比较电路包括第二比较器U3和第十二电阻R12。第二比较器U3的同相端与恒定电流输出端连接;第十二电阻R12一端与第二比较器U3的反相端连接,另一端与待测电压输入端连接。
高速光耦传输电路包括高速光耦U4、第十三电阻R13和第十四电阻R14;高速光耦U4的发光二极管的阴极与第二比较器U3的输出端连接;第十三电阻R13的一端与VCC1电源连接,另一端与高速光耦U4的发光二极管的阳极连接;高速光耦U4的光敏三极管的集电极接VCC2电源;高速光耦U4的光敏三极管的发射极与第十四电阻R14的一端连接并作为PWM信号输出端;第十四电阻R14另一端接GND2。
本发明首先通过基准源TL431产生一个高精度的基准源电压,然后通过以运算放大器U1为关键器件的单电源恒流源电路产生恒定输出电流,电流方向为从第五电阻R5流向第一电容C1。恒定电流的大小等于基准源TL431基准电压与第五电阻R5的比值。
第七电阻R7和第八电阻R8将电源电压分压产生一个电压基准Vref给第一比较器U2的反相端。第一电容C1在恒定电流的充电之下,第一比较器U2的3脚上的电压电高度线性上升。当第一比较器U2的同相端上的电压低于反相端的电压的时候,比较器输出低电平,第九电阻R9和第十电阻R10对电源进行分压,第十电阻R10上的电压处于一个较小的电压值,高速开关二极管D1处于导通状态。开关管Q1栅极电压被高速开关二极管D1拑位在一个特定的电压值(这个特定电压值小于开关管的开启阈值电压),开关管处于截止状态。当第一比较器U2的同相端上的电压超过反相端上的参考电压的瞬间,比较器输出高阻状态,此时,电源通过第九电阻R9、高速开关二极管D1的途径对开关管Q1栅极进行快速充电。当开关管Q1栅极电压高于开启阈值电压的时候,开关管导通,第一电容C1上的电荷泄放到地,电压下降。当第一比较器U2的同相端上的电压降低到小于反相端上的电压的瞬间,比较器输出低电平,第九电阻R9和第十电阻R10对电源进行分压,第十电阻R10上的电压处于一个较小的电压值,由于此时高速开关二极管D1阳极电压小于阴极电压,高速开关二极管D1截止。开关管Q1栅极上的电压通过第十一电阻R11较缓地放电(相对于栅极充电过程),第一电容C1上的电压降低到0V。当开关管Q1栅极上的电压降低到低于开关管Q1的开启阈值电压后,开关管Q1截止,此时,第一电容C1上的电压又从0V开始线性上升。这个过程周期循环,产生高线性度的锯齿波。
第二比较器U3的反相端接待测电压输入,同相端接有上述电路产生的高线性度锯齿波。当锯齿波电压值小于待测电压时,第二比较器U3输出低电平,此时,高速光耦U4的发光二极管导通,对应的光敏三极管导通;PWM输出高电平。当锯齿波电压值大于待测电压时,比较器输出高阻状态,此时,光耦发光二极管截止,对应光敏三极管截止,PWM输出低电平。
本发明中的待采样电压就由上述电路转化成相应占空比的PWM信号,通过光耦传输到另一个隔离的系统中。在另外一个系统中可以采用多种方法测出PWM的占空比,得到相应的电压值。此电路采用方便的同一个单电源供电即可;通过改变R5的值,可以改变恒流源的大小,灵活调节采样周期;通过改变R8的值,可以灵活调节信号的采样最大幅度。此电路成本低,精度高,应用场合广泛。
附图说明
图1是本发明的电路图。
具体实施方式
如图1所示,本发明一种隔离电压采样电路包括单运放恒流源电路、锯齿波积分电路、电压调制比较电路和高速光耦传输电路。
单运放恒流源电路包括运算放大器U1、基准源TL431、第一电阻R1、第二电阻R2,第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5和第六电阻R6。其中第一电阻R1一端与VCC1电源连接,另外一端与基准源TL431芯片的阴极、第二电阻R2的一端连接;基准源TL431的阴极与其参考端连接,基准源TL431的阳极与第三电阻R3的一端连接并接GND1;第二电阻R2另外一端与运算放大器U1的同相端、第六电阻R6的一端连接;第三电阻R3另一端与运算放大器U1的反相端、第四电阻R4的一端连接;第四电阻R4的另一端与运算放大器U1的输出端、第五电阻R5的一端连接;第五电阻R5的另外一端与第六电阻R6的另一端连接并作为恒定电流输出端。
锯齿波积分电路包括第一比较器U2、NMOS开关管Q1,高速开关二极管D1、第一电容C1、第二电容C2、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10和第十一电阻R11;其中第七电阻R7一端与VCC1电源连接,另一端与第一比较器U2的反相端、第八电阻R8的一端连接;第八电阻R8另一端与GND1连接;第九电阻R9一端与VCC1电源连接,另一端与第十电阻R10的一端、高速开关二极管D1的阳极连接;第十电阻R10的另一端与第一比较器U2的输出端连接;高速开关二极管D1的阴极与开关管Q1的栅极、第二电容C2的一端、第十一电阻R11的一端连接;第二电容C2的另一端与第十一电阻R11的另一端、NMOS开关管Q1的源极、第一电容C1的一端连接并接GND1;第一电容C1的另一端与NMOS开关管Q1的漏极、第一比较器U2的同相端连接并接恒定电流输出端。
电压调制比较电路包括第二比较器U3和第十二电阻R12。第二比较器U3的同相端与恒定电流输出端连接;第十二电阻R12一端与第二比较器U3的反相端连接,另一端与待测电压输入端连接。
高速光耦传输电路包括高速光耦U4、第十三电阻R13和第十四电阻R14;高速光耦U4的发光二极管的阴极与第二比较器U3的输出端连接;第十三电阻R13的一端与VCC1电源连接,另一端与高速光耦U4的发光二极管的阳极连接;高速光耦U4的光敏三极管的集电极接VCC2电源;高速光耦U4的光敏三极管的发射极与第十四电阻R14的一端连接并作为PWM信号输出端;第十四电阻R14另一端接GND2。
本发明首先通过基准源TL431产生一个高精度的基准源电压,然后通过以运算放大器U1为关键器件的单电源恒流源电路产生恒定输出电流,电流方向为从第五电阻R5流向第一电容C1。恒定电流的大小等于基准源TL431基准电压与第五电阻R5的比值。
第七电阻R7和第八电阻R8将电源电压分压产生一个电压基准Vref给第一比较器U2的反相端。第一电容C1在恒定电流的充电之下,第一比较器U2的3脚上的电压电高度线性上升。当第一比较器U2的同相端上的电压低于反相端的电压的时候,比较器输出低电平,第九电阻R9和第十电阻R10对电源进行分压,第十电阻R10上的电压处于一个较小的电压值,高速开关二极管D1处于导通状态。开关管Q1栅极电压被高速开关二极管D1拑位在一个特定的电压值(这个特定电压值小于开关管的开启阈值电压),开关管处于截止状态。当第一比较器U2的同相端上的电压超过反相端上的参考电压的瞬间,比较器输出高阻状态,此时,电源通过第九电阻R9、高速开关二极管D1的途径对开关管Q1栅极进行快速充电。当开关管Q1栅极电压高于开启阈值电压的时候,开关管导通,第一电容C1上的电荷泄放到地,电压下降。当第一比较器U2的同相端上的电压降低到小于反相端上的电压的瞬间,比较器输出低电平,第九电阻R9和第十电阻R10对电源进行分压,第十电阻R10上的电压处于一个较小的电压值,由于此时高速开关二极管D1阳极电压小于阴极电压,高速开关二极管D1截止。开关管Q1栅极上的电压通过第十一电阻R11较缓地放电(相对于栅极充电过程),第一电容C1上的电压降低到0V。当开关管Q1栅极上的电压降低到低于开关管Q1的开启阈值电压后,开关管Q1截止,此时,第一电容C1上的电压又从0V开始线性上升。这个过程周期循环,产生高线性度的锯齿波。
第二比较器U3的反相端接待测电压输入,同相端接有上述电路产生的高线性度锯齿波。当锯齿波电压值小于待测电压时,第二比较器U3输出低电平,此时,高速光耦U4的发光二极管导通,对应的光敏三极管导通;PWM输出高电平。当锯齿波电压值大于待测电压时,比较器输出高阻状态,此时,光耦发光二极管截止,对应光敏三极管截止,PWM输出低电平。
Claims (1)
1. 一种隔离电压采样电路,包括单运放恒流源电路、锯齿波积分电路、电压调制比较电路和高速光耦传输电路;
其特征在于:所述的单运放恒流源电路包括运算放大器U1、基准源TL431、第一电阻R1、第二电阻R2,第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5和第六电阻R6;其中第一电阻R1一端与VCC1电源连接,另外一端与基准源TL431芯片的阴极、第二电阻R2的一端连接;基准源TL431的阴极与其参考端连接,基准源TL431的阳极与第三电阻R3的一端连接并接GND1;第二电阻R2另外一端与运算放大器U1的同相端、第六电阻R6的一端连接;第三电阻R3另一端与运算放大器U1的反相端、第四电阻R4的一端连接;第四电阻R4的另一端与运算放大器U1的输出端、第五电阻R5的一端连接;第五电阻R5的另外一端与第六电阻R6的另一端连接并作为恒定电流输出端;
锯齿波积分电路包括第一比较器U2、NMOS开关管Q1,高速开关二极管D1、第一电容C1、第二电容C2、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10和第十一电阻R11;其中第七电阻R7一端与VCC1电源连接,另一端与第一比较器U2的反相端、第八电阻R8的一端连接;第八电阻R8另一端与GND1连接;第九电阻R9一端与VCC1电源连接,另一端与第十电阻R10的一端、高速开关二极管D1的阳极连接;第十电阻R10的另一端与第一比较器U2的输出端连接;高速开关二极管D1的阴极与开关管Q1的栅极、第二电容C2的一端、第十一电阻R11的一端连接;第二电容C2的另一端与第十一电阻R11的另一端、NMOS开关管Q1的源极、第一电容C1的一端连接并接GND1;第一电容C1的另一端与NMOS开关管Q1的漏极、第一比较器U2的同相端连接并接恒定电流输出端;
电压调制比较电路包括第二比较器U3和第十二电阻R12;第二比较器U3的同相端与恒定电流输出端连接;第十二电阻R12一端与第二比较器U3的反相端连接,另一端与待测电压输入端连接;
高速光耦传输电路包括高速光耦U4、第十三电阻R13和第十四电阻R14;高速光耦U4的发光二极管的阴极与第二比较器U3的输出端连接;第十三电阻R13的一端与VCC1电源连接,另一端与高速光耦U4的发光二极管的阳极连接;高速光耦U4的光敏三极管的集电极接VCC2电源;高速光耦U4的光敏三极管的发射极与第十四电阻R14的一端连接并作为PWM信号输出端;第十四电阻R14另一端接GND2。
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