CN103857261A - 散热装置及其制造方法与光电半导体装置及其制造方法 - Google Patents
散热装置及其制造方法与光电半导体装置及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103857261A CN103857261A CN201210506071.XA CN201210506071A CN103857261A CN 103857261 A CN103857261 A CN 103857261A CN 201210506071 A CN201210506071 A CN 201210506071A CN 103857261 A CN103857261 A CN 103857261A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- hollow cavity
- seal cover
- sidewall
- opening
- heat abstractor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 79
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 title abstract description 6
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 30
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 238000004512 die casting Methods 0.000 claims description 11
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims 1
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 abstract 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 3
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009102 absorption Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及一种散热装置及其制造方法与光电半导体装置及其制造方法。该散热装置包括一中空管、至少一密封盖及一冷却液。该中空管具有一侧壁及多个向外延伸的延伸部，该侧壁定义出一中空腔体，且该侧壁及所述延伸部为一体且为铝挤压成型或铝压铸而成。该密封盖密封该中空腔体。该冷却液位于该中空腔体内。
Description
技术领域
本发明涉及一种散热装置及其制造方法，与光电半导体装置及其制造方法，详言之，涉及一种一体成型的散热装置及其制造方法，与包含该散热装置的光电半导体装置及其制造方法。
背景技术
随着环保与节能的议题日渐受到重视，具有发光二极管(LED)的发光装置逐渐取代传统的灯泡。然而，发光二极管通常以多颗排列在一起，因此如何有效地散热则是一大课题。
参考图1及图2，分别显示现有光电半导体装置的立体分解及组合后的剖面示意图。该光电半导体装置1包括一发光二极管(LED)元件(图中未示)、一热管12、一底座14、一固定座16及一散热元件17。该发光二极管(LED)元件固接于该热管12的下端，该热管12的下端固接于该底座14，且该底座14固接于该固定座16上。该热管12包括一外壳体121及一毛细结构122。该毛细结构122为位于该外壳体121的内侧壁以定义出一中空容置空间123。一冷却液位于该中空容置空间123内，从而吸收该发光二极管(LED)元件发光所产生的热以形成一蒸发气体而在该热管12内流动。该散热元件17具有一中心套管18及多个散热鳍片19。该中心套管18为套设于该热管12的外壳体121。所述散热鳍片19是由该中心套管18以放射状方式向外延伸。
该现有光电半导体装置1的缺点如下。由于该中心套管18套设于该热管12的外壳体121，因此其二者之间会具有一接合界面。该接合界面存在一热阻，导致该现有光电半导体装置1的散热效率并不高。换言之，该现有光电半导体装置1的热阻过大。
发明内容
本发明提供一种散热装置，其包括一中空管、至少一密封盖及一冷却液。该中空管具有一侧壁及多个延伸部，该侧壁定义出一中空腔体，所述延伸部由该侧壁外侧向外延伸，其中该侧壁及所述延伸部为一体且为铝挤压成型或铝压铸而成。该密封盖密封该中空腔体。该冷却液位于该中空腔体内。借此，由于该侧壁及所述延伸部为一体成型，彼此之间并没有任何接合界面的存在，因而可以降低热阻，提高该散热装置的散热效率。
本发明另提供一种光电半导体装置，其包括一散热装置及至少一光电半导体元件。该散热装置为上述散热装置。该光电半导体元件邻接至该至少一密封盖。该冷却液吸收该光电半导体元件的热以形成一蒸发气体而在该中空腔体内流动。
本发明另提供一种散热装置的制造方法，包括以下步骤：(a)以铝挤压成型或铝压铸方式形成一中空管，其中该中空管具有一侧壁及多个延伸部，该侧壁定义出一中空腔体，所述延伸部由该侧壁外侧向外延伸，其中该侧壁及所述延伸部为一体；(b)利用至少一密封盖密封该中空腔体；(c)注入一冷却液至该中空腔体内；及(d)对该中空腔体抽真空。
本发明另提供一种光电半导体装置的制造方法，包括以下步骤：(a)以铝挤压成型或铝压铸方式形成一中空管，其中该中空管具有一侧壁及多个延伸部，该侧壁定义出一中空腔体，所述延伸部由该侧壁外侧向外延伸，其中该侧壁及所述延伸部为一体；(b)利用至少一密封盖密封该中空腔体；(c)注入一冷却液至该中空腔体内；(d)对该中空腔体抽真空；(e)附着至少一光电半导体元件至该至少一密封盖，从而使该冷却液吸收该光电半导体元件的热以形成一蒸发气体而在该中空腔体内流动。
本发明另提供一种光电半导体装置的制造方法，包括以下步骤：(a)以铝挤压成型或铝压铸方式形成一中空管，其中该中空管具有一侧壁及多个延伸部，该侧壁为定义出一中空腔体，所述延伸部由该侧壁外侧向外延伸，其中该侧壁及所述延伸部为一体；(b)提供一基板及一光电半导体元件，该基板具有一第一表面及一第二表面，该光电半导体元件为位于该基板的第二表面；(c)提供至少一密封盖，该密封盖具有至少一贯穿孔，且利用该基板密封该至少一密封盖的贯穿孔；(d)利用该至少一密封盖连同该基板及该光电半导体元件密封该中空腔体；(e)注入一冷却液至该中空腔体内；及(f)对该中空腔体抽真空。
附图说明
图1显示现有光电半导体装置的立体分解示意图；
图2显示现有光电半导体装置的组合后剖面示意图；
图3显示本发明散热装置的一实施例的立体示意图；
图4显示本发明散热装置的一实施例的剖面示意图；
图5显示本发明散热装置的剖面示意图；
图6显示本发明散热装置的另一实施例的剖面示意图；
图7显示本发明散热装置的另一实施例的剖面示意图；
图8显示本发明散热装置的另一实施例的剖面示意图；
图9显示本发明散热装置的另一实施例的剖面示意图；
图10显示本发明散热装置的另一实施例的剖面示意图；
图11显示本发明散热装置的另一实施例的剖面示意图；
图12显示本发明散热装置的另一实施例的剖面示意图；
图13至14显示本发明散热装置的制造方法的一实施例的示意图；
图15显示本发明光电半导体装置的一实施例的剖面示意图；
图16显示本发明光电半导体装置的另一实施例的剖面示意图；及
图17显示本发明光电半导体装置的另一实施例的剖面示意图。
主要元件符号说明
1现有光电半导体装置
2本发明散热装置的一实施例
2a本发明散热装置的另一实施例
2b本发明散热装置的另一实施例
2c本发明散热装置的另一实施例
2d本发明散热装置的另一实施例
2e本发明散热装置的另一实施例
2f本发明散热装置的另一实施例
2g本发明散热装置的另一实施例
3本发明光电半导体装置的一实施例
3a本发明光电半导体装置的另一实施例
3b本发明光电半导体装置的另一实施例
12热管
14底座
16固定座
17散热元件
18中心套管
19散热鳍片
20中空管
21侧壁
22延伸部
24第一密封盖
26第二密封盖
28冷却液
30连接部
32基板
34光电半导体元件
36导线
38封胶材料
121外壳体
122毛细结构
123中空容置空间
211中空腔体
212第一开口
213第二开口
214沟槽
261凹洞
262贯穿孔
301螺孔
321第一表面
322第二表面
323孔洞。
具体实施方式
请参考图3及图4，分别显示本发明散热装置的一实施例的立体及剖面示意图。该散热装置2包括一中空管20、一第一密封盖24、一第二密封盖26及一冷却液28。该中空管20具有一侧壁21及多个延伸部22。该侧壁21为一外壳体，其定义出一中空腔体211。该中空腔体211具有至少一开口。在本实施例中，该中空腔体211具有第一开口212及一第二开口213。所述延伸部22由该侧壁21外侧以放射状形式向外延伸，其是做为散热鳍片，以增加散热效率。该侧壁21及所述延伸部22为一体且为铝挤压成型或铝压铸而成。该中空管20的材料为铝或铜，较佳地，可掺杂铁合金、镁合金、其他金属或高热传导系数的材料。
在本实施例中，该中空管20还具有多个沟槽214，位于该中空管20的侧壁21内侧，且沿着该中空管20的轴向设置。所述沟槽214为毛细结构，用以供该冷却液28在其内流动。
该第一密封盖24密封该第一开口212，且该第二密封盖26密封该第二开口213，使得该中空腔体211形成一完全封闭的空间，较佳地，该封闭的中空腔体211为一真空环境。该第一密封盖24及该第二密封盖26为固接于该中空管20的侧壁21内侧，其接合方式可以是紧配、焊接(例如氩焊或激光点焊)、点胶或锁合等。在本实施例中，该第一密封盖24及该第二密封盖26的材料为铝或铜，较佳地，可掺杂铁合金、镁合金、其他金属或高热传导系数的材料。在本实施例中，该第二密封盖26还包括一凹洞261，用以容置该冷却液28。
该冷却液28位于该封闭的中空腔体211内。该冷却液28至少包含水、甲醇、乙醇、丙酮、氨水、石蜡、油、氟氯碳化合物(CFCs)或其他如
或
的冷却液体，其中任两者或还多的混合物。该冷却液28吸热后所形成的蒸发气体可以在该中空腔体211内流动，进而隔着该侧壁21及所述延伸部22与外界环境形成热交换，最终冷凝成液态冷却液28。该冷凝而成的液态冷却液28经由所述沟槽214流回该第二密封盖26。
该散热装置2的工作方式如下。该第二密封盖26下方接触一热源，当该热源产生热时，该中空管20的下方为较高温处，而该中空管20的上方为较低温处。此时该冷却液28吸收该热源的热而形成一蒸发气体。该蒸发气体会在该中空腔体211内流动至该中空管20的上方。由于该中空管20的上方是接触到较低温处，所以当该蒸发气体到此端时，便开始产生冷凝作用，此时热量就是由该蒸发气体透过该侧壁21及所述延伸部22而传到较低温的外部。同时，该蒸发气体会凝结成液体，而这些因冷凝后所产生的液冷却液28经由所述沟槽214的毛细现象(Capillary Pumping)的作用而流回该第二密封盖26。如此循环会持续进行从而提升散热效果。
此外，由于该侧壁21及所述延伸部22为一体成型，彼此之间并没有任何接合界面的存在，因而可以降低热阻，提高该散热装置2的散热效率。
参考图5，显示本发明散热装置的剖面示意图。由图中可看出，所述延伸部22向外延伸的宽度皆相等，因此所述延伸部22的外端在外围形成一圆形外观。此外，在本实施例中，该侧壁21为圆形而围绕成一圆形中空腔体211。然而，在其他实施例中，该侧壁21也可以是多边形而围绕成一多边形中空腔体211。
请参考图6，显示本发明散热装置的另一实施例的剖面示意图。本实施例的散热装置2a与图5的散热装置2大致相同，其中相同的元件赋予相同的编号。本实施例的散热装置2a与图5的散热装置2的不同处在于，在本实施例中，所述延伸部22向外延伸的宽度不完全相等，因此所述延伸部22的外端在外围形成一矩形外观。此外，可以理解的是，所述延伸部22的外端在外围也可以形成其他多边形的外观。
请参考图7，显示本发明散热装置的另一实施例的剖面示意图。本实施例的散热装置2b与图5的散热装置2大致相同，其中相同的元件赋予相同的编号。本实施例的散热装置2b与图5的散热装置2的不同处在于，在本实施例中，该散热装置2b还包括多个连接部30。每一连接部30位于至少二个延伸部22上，且具有一螺孔301，以供锁合。
请参考图8，显示本发明散热装置的另一实施例的剖面示意图。本实施例的散热装置2c与图5的散热装置2大致相同，其中相同的元件赋予相同的编号。本实施例的散热装置2c与图5的散热装置2的不同处在于，在本实施例中，所述延伸部22为子弹形。
请参考图9，显示本发明散热装置的另一实施例的剖面示意图。本实施例的散热装置2d与图5的散热装置2大致相同，其中相同的元件赋予相同的编号。本实施例的散热装置2d与图5的散热装置2的不同处在于，在本实施例中，所述延伸部22为箭头形。
请参考图10，显示本发明散热装置的另一实施例的剖面示意图。本实施例的散热装置2e与图5的散热装置2大致相同，其中相同的元件赋予相同的编号。本实施例的散热装置2e与图5的散热装置2的不同处在于，在本实施例中，所述延伸部22为帽形或锥形。
请参考图11，显示本发明散热装置的另一实施例的剖面示意图。本实施例的散热装置2f与图5的散热装置2大致相同，其中相同的元件赋予相同的编号。本实施例的散热装置2f与图5的散热装置2的不同处在于，在本实施例中，所述延伸部22为水滴形。
请参考图12，显示本发明散热装置的另一实施例的剖面示意图。本实施例的散热装置2g与图8的散热装置2c大致相同，其中相同的元件赋予相同的编号。本实施例的散热装置2g与图8的散热装置2c的不同处在于，本实施例中的散热装置2g不具有该第一密封盖24。亦即，该侧壁21在该第一开口212上方直接内缩形成一上管。该上管为中空且具有一上端开孔，用以注入冷却液及抽真空。在制造方法的最后步骤，该上管的局部被施予高热并压合密封该上端开孔，以密封该中空腔体211。
请参考图13至14，显示本发明散热装置的制造方法的一实施例的示意图。参考图13，以铝挤压成型或铝压铸方式形成该中空管20。该中空管20具有一侧壁21及多个延伸部22。该侧壁21定义出一中空腔体211。该中空腔体211具有第一开口212及一第二开口213。所述延伸部22由该侧壁21外侧以放射状形式向外延伸。该侧壁21及所述延伸部22为一体。在本实施例中，该中空管20还具有多个沟槽214，位于该中空管20的侧壁21内侧，且沿着该中空管20的轴向设置。
请参考图14，利用该第二密封盖26盖住该第二开口213。该第二密封盖26固接于该中空管20的侧壁21内侧，其接合方式可以是紧配、焊接(例如氩焊或激光点焊)、点胶或锁合等。接着，注入该冷却液28至该中空腔体211内。
接着，利用该第一密封盖24盖住该第一开口212，使得该中空腔体211形成一大致封闭的空间，其中该第一密封盖24具有一上管，该上管为中空且具有一上端开孔，连通至该中空腔体211。该第一密封盖24固接于该中空管20的侧壁21内侧，其接合方式可以是紧配、焊接(例如氩焊或激光点焊)、点胶或锁合等。
接着，经由该上管的上端开孔对该中空腔体211抽真空，以形成一真空环境。接着，对该上管的局部施予高热并压合密封该上端开孔，以密封该中空腔体211，以制得该散热装置2，如图3及图4所示。
请参考图15，显示本发明光电半导体装置的一实施例的剖面示意图。该光电半导体装置3包括一散热装置2、一基板32及至少一光电半导体元件34。该散热装置2与图3及图4所示的散热装置2相同，其包括一中空管20、一第一密封盖24、一第二密封盖26及一冷却液28。在本实施例中，该基板32为金属芯印刷电路板(Metal Core PCB,MCPCB)，具有一第一表面321及一第二表面322。该光电半导体元件34例如至少包含发光二极管、光敏二极管、光电池、太阳能电池、电致发光二极管、激光二极管、功率放大器或集成电路元件。在本实施例中，该光电半导体元件34为发光二极管(LED)元件，其位于该基板32的第二表面322。该光电半导体元件34利用多条导线36电连接至该基板32的第二表面322，且该光电半导体元件34及所述导线36被一封胶材料38所包覆。
该基板32的第一表面321附着至该第二密封盖26，使得该光电半导体元件34邻接至该第二密封盖26。因此，该冷却液28可吸收该光电半导体元件34的热以形成一蒸发气体而在该中空腔体211内流动。换言之，该光电半导体元件34所产生的热可以被该散热装置2快速地排出。
该光电半导体装置3的制造方法如下所述。首先，依照图13至14的制造方法制造出如图3及图4所示该散热装置2。接着，将该基板32连同该光电半导体元件34附着至该第二密封盖26，即可制得该光电半导体装置3。在本实施例中，一接合物质(图中未示)位于该基板32的第一表面321及该第二密封盖26之间，用以接合该基板32的第一表面321及该第二密封盖26，且该接合物质为填细孔的冷焊剂、陶瓷冷焊剂、具有高导热系数的粘着剂或粘着胶，如：锡膏。进一步的还可以螺丝利用图7的301螺孔与该散热装置2紧密接合。
请参考图16，显示本发明光电半导体装置的另一实施例的剖面示意图。本实施例的光电半导体装置3a与图15的光电半导体装置3大致相同，其中相同的元件赋予相同的编号。本实施例的光电半导体装置3a与图15的光电半导体装置3的不同处在于，在本实施例中，该第二密封盖26还具有至少一贯穿孔262，该贯穿孔262贯穿该第二密封盖26且连通该凹洞261。该基板32位于该贯穿孔262内，且密封该贯穿孔262，从而使该冷却液28得以直接接触该基板32的第一表面321。在本实施例中，一接合物质(图中未示)位于该基板32的第一表面321与侧面及该第二密封盖26之间，用以接合该基板32及该第二密封盖26，且该接合物质为填细孔的冷焊剂、陶瓷冷焊剂、具有高导热系数的粘着剂或粘着胶。该接合物质除了接合的功能外，其兼具密封的功能，以防止该冷却液28渗出。
该光电半导体装置3a的制造方法如下所述。首先，依图13提供该中空管20。接着，利用该接合物质将该基板32接合至该第二密封盖26的至少一贯穿孔262内，其中该基板32完全密封该贯穿孔262。接着，利用该第二密封盖26连同该基板32盖住该第二开口213。接着，利用该第一密封盖24盖住该第一开口212，使得该中空腔体211形成一大致封闭的空间。接着，经由该第一密封盖24的上管的上端开孔对该中空腔体211抽真空，以形成一真空环境。接着，对该上管的局部施予高热并压合密封该上端开孔，以密封该中空腔体211，而制得该光电半导体装置3a。
请参考图17，显示本发明光电半导体装置的另一实施例的剖面示意图。本实施例的光电半导体装置3b与图15的光电半导体装置3a大致相同，其中相同的元件赋予相同的编号。本实施例的光电半导体装置3b与图16的光电半导体装置3a的不同处在于，在本实施例中，该基板32还具有一孔洞323，连通至该第二密封盖26的贯穿孔262及该凹洞261，从而使该冷却液28得以进入该基板32的至少一孔洞323。较佳地，该孔洞323为贯穿孔，其贯穿该基板32，且显露该该光电半导体元件34，从而使该冷却液28得以直接接触该光电半导体元件34。
进一步的，本文中上述的中空管20亦可为多边形中空管，不仅限于所揭露的部分。
但是上述实施例仅为说明本发明的原理及其功效，而非用以限制本发明。因此，本领域的技术人员对上述实施例进行修改及变化仍不脱本发明的精神。本发明的权利范围应如权利要求书所列。
Claims (22)
1.一种散热装置，包括：
一中空管，具有一侧壁及多个延伸部，该侧壁定义出一中空腔体，所述延伸部由该侧壁外侧向外延伸，其中该侧壁及所述延伸部为一体且为铝挤压成型或铝压铸而成；
至少一密封盖，密封该中空腔体；及
一冷却液，位于该中空腔体内。
2.如权利要求1所述的散热装置，其中该中空腔体具有至少一开口，该至少一密封盖密封该至少一开口。
3.如权利要求1所述的散热装置，其中该中空腔体具有一第一开口及一第二开口，该至少一密封盖包含一第一密封盖及一第二密封盖，该第一密封盖密封该第一开口，且该第二密封盖密封该第二开口。
4.如权利要求1所述的散热装置，其中该中空管还具有多个沟槽，位于该中空管的侧壁内侧，且沿着该中空管的轴向设置。
5.如权利要求1所述的散热装置，其中所述延伸部的外端形成圆形或多边形外观。
6.如权利要求1所述的散热装置，还包括多个连接部，每一连接部位于至少二个延伸部上。
7.如权利要求1所述的散热装置，其中该第一密封盖及该第二密封盖紧配于该中空管的侧壁内侧。
8.如权利要求1所述的散热装置，其中所述延伸部为矩形、子弹形、箭头形、帽形或水滴形。
9.一种光电半导体装置，包括：
一散热装置，包括：
一中空管，具有一侧壁以定义出一中空腔体；
多个延伸部，由该中空管的侧壁向外延伸，其中该中空管及所述延伸部为一体且为铝挤压成型或铝压铸而成；
至少一密封盖，密封该中空腔体；及
一冷却液，位于该中空腔体内；及
至少一光电半导体元件，邻接至该至少一密封盖，该冷却液吸收该光电半导体元件的热以形成一蒸发气体而在该中空腔体内流动。
10.如权利要求9所述的光电半导体装置，其中该中空腔体具有一第一开口及一第二开口，该至少一密封盖包含一第一密封盖及一第二密封盖，该第一密封盖密封该第一开口，且该第二密封盖密封该第二开口。
11.如权利要求9所述的光电半导体装置，其中所述延伸部的外端形成圆形或多边形外观。
12.如权利要求9所述的光电半导体装置，还包括多个连接部，每一连接部位于至少二个延伸部上。
13.如权利要求9所述的光电半导体装置，还包括一基板，具有一第一表面及一第二表面，该光电半导体元件位于该基板的第二表面，且该基板的第一表面附着至该至少一密封盖。
14.如权利要求10所述的光电半导体装置，其中该第二密封盖具有至少一贯穿孔，且该基板密封该第二密封盖的贯穿孔，从而使该冷却液得以接触该基板。
15.如权利要求14所述的光电半导体装置，其中该基板还具有至少一孔洞，连通至该第二密封盖的贯穿孔，从而使该冷却液得以进入该基板的孔洞。
16.一种散热装置的制造方法，包括以下步骤：
a)以铝挤压成型或铝压铸方式形成一中空管，其中该中空管具有一侧壁及多个延伸部，该侧壁定义出一中空腔体，所述延伸部由该侧壁外侧向外延伸，其中该侧壁及所述延伸部为一体；
b)利用至少一密封盖盖住该中空腔体；
c)注入一冷却液至该中空腔体内；
d)对该中空腔体抽真空；及
e)密封该中空腔体。
17.如权利要求16所述的制造方法，其中该步骤a)中，该中空腔体具有一第一开口及一第二开口；该步骤b)利用一第二密封盖盖住该第二开口；该步骤d)利用一第一密封盖盖住该第一开口，且对该中空腔体抽真空。
18.如权利要求17所述的制造方法，其中该步骤b)中，该第二密封盖紧配于该中空管的侧壁内侧，且该步骤d)中，该第一密封盖紧配于该中空管的侧壁内侧。
19.一种光电半导体装置的制造方法，包括以下步骤：
a)以铝挤压成型或铝压铸方式形成一中空管，其中该中空管具有一侧壁及多个延伸部，该侧壁定义出一中空腔体，所述延伸部由该侧壁外侧向外延伸，其中该侧壁及所述延伸部为一体；
b)利用至少一密封盖盖住该中空腔体；
c)注入一冷却液至该中空腔体内；
d)对该中空腔体抽真空；
e)附着至少一光电半导体元件至该至少一密封盖，从而使该冷却液吸收该光电半导体元件的热以形成一蒸发气体而在该中空腔体内流动；及
f)密封该中空腔体。
20.如权利要求19所述的制造方法，其中该步骤a)中，该中空腔体具有一第一开口及一第二开口；该步骤b)利用一第二密封盖盖住该第二开口；该步骤d)利用一第一密封盖盖住该第一开口，且对该中空腔体抽真空。
21.如权利要求19所述的制造方法，其中该步骤e)包括：
e1)提供一基板及该光电半导体元件，该基板具有一第一表面及一第二表面，该光电半导体元件位于该基板的第二表面；及
e2)附着该基板的第一表面至该至少一密封盖。
22.一种光电半导体装置的制造方法，包括以下步骤：
a)以铝挤成型或铝压铸方式形成一中空管，其中该中空管具有一侧壁及多个延伸部，该侧壁定义出一中空腔体，所述延伸部由该侧壁外侧向外延伸，其中该侧壁及所述延伸部为一体；
b)提供一基板及一光电半导体元件，该基板具有一第一表面及一第二表面，该光电半导体元件位于该基板的第二表面；
c)提供至少一密封盖，该密封盖具有至少一贯穿孔，且利用该基板密封该至少一密封盖的贯穿孔；
d)利用该至少一密封盖连同该基板及该光电半导体元件盖住该中空腔体；
e)注入一冷却液至该中空腔体内；
f)对该中空腔体抽真空；及
g)密封该中空腔体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210506071.XA CN103857261A (zh) | 2012-11-30 | 2012-11-30 | 散热装置及其制造方法与光电半导体装置及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210506071.XA CN103857261A (zh) | 2012-11-30 | 2012-11-30 | 散热装置及其制造方法与光电半导体装置及其制造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103857261A true CN103857261A (zh) | 2014-06-11 |
Family
ID=50864311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210506071.XA Pending CN103857261A (zh) | 2012-11-30 | 2012-11-30 | 散热装置及其制造方法与光电半导体装置及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103857261A (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020189791A1 (en) * | 2001-06-15 | 2002-12-19 | Chih-Hao Yang | Liquid circulation cooler |
| CN200997741Y (zh) * | 2006-12-29 | 2007-12-26 | 佛山市顺德区汉达精密电子科技有限公司 | 新型散热器 |
| CN101202317A (zh) * | 2006-12-15 | 2008-06-18 | 富准精密工业(深圳)有限公司 | 发光二极管散热装置组合 |
| CN201787375U (zh) * | 2010-07-23 | 2011-04-06 | 上海嘉豪鹏耀新能源科技有限公司 | 型材热管照明灯 |
-
2012
- 2012-11-30 CN CN201210506071.XA patent/CN103857261A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020189791A1 (en) * | 2001-06-15 | 2002-12-19 | Chih-Hao Yang | Liquid circulation cooler |
| CN101202317A (zh) * | 2006-12-15 | 2008-06-18 | 富准精密工业(深圳)有限公司 | 发光二极管散热装置组合 |
| CN200997741Y (zh) * | 2006-12-29 | 2007-12-26 | 佛山市顺德区汉达精密电子科技有限公司 | 新型散热器 |
| CN201787375U (zh) * | 2010-07-23 | 2011-04-06 | 上海嘉豪鹏耀新能源科技有限公司 | 型材热管照明灯 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10697710B2 (en) | Manufacturing method of three-dimensional heat conducting structure | |
| US7494249B2 (en) | Multiple-set heat-dissipating structure for LED lamp | |
| CN102386155B (zh) | 半导体装置及形成发光二极管元件的方法 | |
| US20150285562A1 (en) | Vapor chamber heat sink and method for making the same | |
| US20140268831A1 (en) | Heat dissipating device and illumination device having the same | |
| US20110005727A1 (en) | Thermal module and manufacturing method thereof | |
| US20100326644A1 (en) | Plane-type heat-dissipating structure with high heat-dissipating effect and method for manufacturing the same | |
| US20100051239A1 (en) | Dissipation module,flat heat column thereof and manufacturing method for flat heat column | |
| CN103712192A (zh) | 一体化相变热沉大功率led灯具散热器 | |
| CN202259442U (zh) | 具有热管的发光装置 | |
| US20070277961A1 (en) | Heat dissipation module and heat column thereof | |
| JP6407404B2 (ja) | 平面ベイパーチャンバ、その製造方法、および車両ヘッドライト | |
| US20110259554A1 (en) | Flat plate heat pipe and method for manufacturing the same | |
| CN112747619B (zh) | 均温板 | |
| CN103857261A (zh) | 散热装置及其制造方法与光电半导体装置及其制造方法 | |
| CN103855294A (zh) | 光电半导体装置 | |
| US8917011B2 (en) | LED heat dissipation structure | |
| CN103851600A (zh) | 散热模块及发光装置 | |
| CN103779490A (zh) | 光电半导体装置及其制造方法 | |
| CN203757670U (zh) | 大功率led灯具用全铝翅片管式热管散热器 | |
| CN103423630A (zh) | 发光装置 | |
| US20090050297A1 (en) | Dissipating Module Structure for Heat Generating Device | |
| CN202598449U (zh) | 适于大功率led散热的相变太阳花散热器 | |
| CN102931331A (zh) | 具有热管的发光装置 | |
| KR101592637B1 (ko) | Led 조명 기구 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: JUN ZHAN (JZ) TECHNOLOGY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: ALL REAL TECHNOLOGY CO., LTD. Effective date: 20140610 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20140610 Address after: Tainan City, Taiwan, China Applicant after: Jun Zhan (Jz) Technology Co., Ltd. Address before: Kaohsiung City, Taiwan, China Applicant before: All Real Technology Co., Ltd. |
|
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20140611 |