CN103855256A - 一种用于发光二极管的粗化方法 - Google Patents

一种用于发光二极管的粗化方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103855256A
CN103855256A CN201210508817.0A CN201210508817A CN103855256A CN 103855256 A CN103855256 A CN 103855256A CN 201210508817 A CN201210508817 A CN 201210508817A CN 103855256 A CN103855256 A CN 103855256A
Authority
CN
China
Prior art keywords
dielectric layer
roughening
emitting diode
dry etching
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201210508817.0A
Other languages
English (en)
Inventor
王立彬
李宁宁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TONGFANG OPTO-ELECTRONIC Co Ltd
Tsinghua Tongfang Co Ltd
Tongfang Co Ltd
Original Assignee
TONGFANG OPTO-ELECTRONIC Co Ltd
Tongfang Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TONGFANG OPTO-ELECTRONIC Co Ltd, Tongfang Co Ltd filed Critical TONGFANG OPTO-ELECTRONIC Co Ltd
Priority to CN201210508817.0A priority Critical patent/CN103855256A/zh
Publication of CN103855256A publication Critical patent/CN103855256A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

一种用于发光二极管的粗化方法，涉及光电技术领域。本发明使用包括衬底和在衬底上生长的外延片，其方法步骤为：1)在器件加工面上沉积介质层；2)在介质层上涂光刻胶进行光刻，形成图形；3)在介质层上进行干法刻蚀，形成粗化表面。本发明方法通过在干法刻蚀前沉积一层介质层，使界面粗化，有效提高LED芯片的亮度。

Description

一种用于发光二极管的粗化方法
技术领域
 本发明涉及光电技术领域，特别是用于发光二极管的粗化方法。
背景技术
LED目前是市场上广泛应用的产品，随着光效的增加，其应用领域越来越广。粗化工艺是光电器件广泛应用的技术，尤其是在LED产品中。
现有技术中，在光电技术领域，尤其是LED芯片技术中，粗化工艺得到广泛应用，其中衬底的PSS（图形化衬底）结构，P-GaN的外延粗化，以及湿法刻蚀实现的N-GaN的表面粗化都得到了生产的实际应用。但是，这种方法粗化后的芯片亮度效果仍然不够理想。
发明内容
针对上述现有技术中的不足，本发明的目的是提供一种用于发光二极管的粗化方法。它通过在干法刻蚀前沉积一层介质层，使界面粗化，有效提高LED芯片的亮度。
    为了达到上述发明目的，本发明的技术方案以如下方式实现：
一种用于发光二极管的粗化方法，它包括衬底和在衬底上生长的外延片，其步骤为：
Figure 2012105088170100002DEST_PATH_IMAGE002
在器件加工面上沉积介质层；
在介质层上涂光刻胶进行光刻，形成图形；
Figure 456677DEST_PATH_IMAGE004
在介质层上进行干法刻蚀，形成粗化表面。
在上述粗化方法中，所述介质层材料为ITO或者ZnO，沉积介质层的方法采用蒸镀或者溅射形成。
本发明由于采用了上述方法，在加工面上沉积介质层，然后进行干法刻蚀，使形成粗化表面，有效提高LED芯片的亮度。
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步说明。
附图说明
    图1至图2为本发明实施例中的粗化方法流程图。
具体实施方式
参看图1至图2，使用本发明方法的外延片1可以是GaN外延片，也可以是其他发光材料的外延片，或外延片的衬底。此处外延片1以GaN外延片为例。粗化方法的步骤为：
Figure 436134DEST_PATH_IMAGE002
在器件加工面上沉积介质层2；介质层2材料为ITO或者ZnO，沉积介质层2的方法采用蒸镀或者溅射形成。
在介质层2上涂光刻胶3进行光刻，形成图形。
Figure 424130DEST_PATH_IMAGE004
在介质层2上进行ICP刻蚀或者RIE刻蚀的干法刻蚀，形成粗化表面4。
本发明方法中的介质层2可以是整面的，也可以是图形化的，即器件局部没有介质层2。

Claims (3)

1.一种用于发光二极管的粗化方法，它包括衬底和在衬底上生长的外延片（1），其步骤为：
在器件加工面上沉积介质层（2）；
Figure DEST_PATH_IMAGE004
在介质层（2）上涂光刻胶（3）进行光刻，形成图形；
Figure DEST_PATH_IMAGE006
在介质层（2）上进行干法刻蚀，形成粗化表面（4）。
2.根据权利要求1所述的粗化方法，其特征在于，所述介质层（2）材料为ITO或者ZnO，沉积介质层（2）的方法采用蒸镀或者溅射形成。
3.根据权利要求1或2所述的粗化方法，其特征在于，所述干法刻蚀采用ICP刻蚀或者RIE刻蚀。
CN201210508817.0A 2012-12-04 2012-12-04 一种用于发光二极管的粗化方法 Pending CN103855256A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210508817.0A CN103855256A (zh) 2012-12-04 2012-12-04 一种用于发光二极管的粗化方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210508817.0A CN103855256A (zh) 2012-12-04 2012-12-04 一种用于发光二极管的粗化方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103855256A true CN103855256A (zh) 2014-06-11

Family

ID=50862666

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210508817.0A Pending CN103855256A (zh) 2012-12-04 2012-12-04 一种用于发光二极管的粗化方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103855256A (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7501665B2 (en) * 2005-10-28 2009-03-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and method of manufacturing same and semiconductor light emitting apparatus
CN102064088A (zh) * 2010-10-11 2011-05-18 山东华光光电子有限公司 一种干法与湿法混合制备蓝宝石图形衬底的方法
CN101976712B (zh) * 2010-08-25 2012-02-08 中国科学院半导体研究所 一种增强led出光效率的粗化方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7501665B2 (en) * 2005-10-28 2009-03-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and method of manufacturing same and semiconductor light emitting apparatus
CN101976712B (zh) * 2010-08-25 2012-02-08 中国科学院半导体研究所 一种增强led出光效率的粗化方法
CN102064088A (zh) * 2010-10-11 2011-05-18 山东华光光电子有限公司 一种干法与湿法混合制备蓝宝石图形衬底的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101702419B (zh) 一种GaN基LED芯片结构中p-GaN层或ITO层的表面粗化方法
CN102157640B (zh) 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法
CN100524865C (zh) 制作光子晶体结构GaN基发光二极管的方法
CN101789477A (zh) 全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法
CN101976712B (zh) 一种增强led出光效率的粗化方法
CN102723417B (zh) 便于打线的led芯片及其制备方法
CN103117338A (zh) 低损伤GaN基LED芯片的制作方法
CN102832302A (zh) 一种GaN基LED中N电极的制作方法
CN108615797A (zh) 具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件及其制备方法
An et al. Increased light extraction from vertical GaN light-emitting diodes with ordered, cone-shaped deep-pillar nanostructures
CN102790154A (zh) 具有ITO表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法
CN102214745A (zh) 一种氮化镓基半导体发光器件的制造方法
CN104319326B (zh) 一种发光二极管的制造方法
CN103400908A (zh) 一种表面粗化发光二极管及其制作方法
CN103811596A (zh) 一种氮化镓基发光二极管的制备方法
CN102479894A (zh) 一种GaN基材料的发光二极管及其制备方法
CN108346718A (zh) 利用低折射率材料为介质的复合图形衬底及其制作方法
CN102130230A (zh) 发光二极管的制备方法
CN101488549B (zh) 能增加出光率的led制作方法
TW201327902A (zh) 發光二極體晶片及其製造方法
CN102544288A (zh) 一种外延结构的GaN基材料发光二极管及其制备方法
CN103855256A (zh) 一种用于发光二极管的粗化方法
CN102760813B (zh) 发光二极管及其制造方法
CN102683521B (zh) 发光二极管的制造方法
CN109326702A (zh) 一种具有环形电极结构的led芯片及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20140611